專利名稱:細胞培養(yǎng)微流控芯片的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及微流控芯片技術領域,特別是涉及一種細胞培養(yǎng)微流控芯片。
背景技術:
細胞微環(huán)境的動態(tài)平衡是保證細胞正常增殖、分化、代謝和功能活動的重要條件,微環(huán)境發(fā)生改變,細胞也會隨之發(fā)生相應的變化。因此,胚胎發(fā)育、組織修復、腫瘤發(fā)生等生理病理過程與細胞所處的微環(huán)境息息相關。很多生理病理的研究都是基于細胞體外培養(yǎng)實現的,而傳統(tǒng)的細胞體外培養(yǎng)只能提供一種靜態(tài)的、宏觀的、二維的細胞生長環(huán)境,細胞在體外改變的環(huán)境下增生逐漸喪失了原有的性狀,往往和體內情況不相符。隨著組織培養(yǎng)工程的新興發(fā)展,三維細胞培養(yǎng)技術應運而生,其可以最大程度地模擬體內的微環(huán)境。傳統(tǒng)的三維細胞研究方法有基質覆蓋培養(yǎng)、旋轉燒瓶培養(yǎng)、微載體培養(yǎng)、預置支架培養(yǎng)及旋轉細胞培養(yǎng)系統(tǒng)等,這些三維細胞培養(yǎng)技術不僅操作繁瑣,而且試劑耗量大,更為重要的是,相對于細胞的微小尺寸,這種培養(yǎng)環(huán)境與體內環(huán)境相差較遠,客觀上難以真實反映生理狀態(tài)下細胞的生物學特征。20世紀90年代初基于微機電系統(tǒng)(MEMS)加工技術發(fā)展起來的微流控芯片,又稱芯片實驗室,具有多種單元技術、在整體可控的微小平臺上靈活組合、規(guī)模集成的特征和優(yōu)點。而且微流控芯片設計的微流道尺寸(通常1(Γ100 μ m)與典型的哺乳類細胞尺寸(1(Γ20 μ m)處于相同量級,并且微尺度下傳熱、傳質較快,可以提供有利的細胞生長研究環(huán)境,同時微流控芯片可以滿足高通量細胞分析的需要。正因為微流控芯片具有上述傳統(tǒng)細胞生物學研究方法所不及的優(yōu)點,使其成為細胞研究的重要平臺,在生物醫(yī)學領域顯示了廣闊的應用前景。用于細胞的三維培養(yǎng)和微環(huán)境的模擬的微流控芯片取得了一定的進展,但是也存在很多不足,普遍存在通量低下的問題。
發(fā)明內容
基于此,有必要提供一種高通量的細胞培養(yǎng)微流控芯片?!N細胞培養(yǎng)微流控芯片,包括第一主流道、第一微閥、第二微閥、第三微閥、第二主流道及多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元,多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元位于第一主流道與第二主流道之間;每個所述細胞培養(yǎng)單元包括第一培養(yǎng)池、第二培養(yǎng)池及擴散流道,所述第二微閥用于控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池和第二培養(yǎng)池的連通或關閉;第一培養(yǎng)池通過擴散流道與第一主流道連接,所述第一微閥用于控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池通 過擴散流道與第一主流道的連通或關閉;第二培養(yǎng)池通過擴散流道與第二主流道連接,所述第三微閥用于控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第二培養(yǎng)池通過擴散流道與第二主流道的連通或關閉。在其中一個實施例中,所述擴散流道的高度低于所述第一培養(yǎng)池、第二培養(yǎng)池、第一主流道及第二主流道的高度。
在其中一個實施例中,所述第一微閥的數量為多個,與多個細胞培養(yǎng)單元一一對應,每個所述第一微閥獨立控制對應的所述細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池與第一主流道的連通或關閉。在其中一個實施例中,所述第二微閥的數量為I個,所述第二微閥聯動控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池和第二培養(yǎng)池的連通或關閉。在其中一個實施例中,所述第三微閥的數量為I個,所述第三微閥聯動控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第二培養(yǎng)池通過擴散流道與第二主流道的連通或關閉。在其中一個實施例中,所述第三微閥的數量為多個,與多個細胞培養(yǎng)單元一一對應,每個所述第三微閥獨立控制對應的所述細胞培養(yǎng)單元中的第二培養(yǎng)池與第二主流道的連通或關閉。在其中一個實施例中,所述第一主流道為迂回彎折結構,所述第二主流道為迂回彎折結構。在其中一個實施例中,所述第一培養(yǎng)池通過8根擴散流道與第一主流道連接;所述第二培養(yǎng)池通過8根擴散流道與第二主流道連接。在其中一個實施例中,所述第一主流道、第二主流道、第一培養(yǎng)池及第二培養(yǎng)池均為方體結構,高度為10(Γ200 μ m。 在其中一個實施例中,所述擴散流道為具有弧形底面的腔體結構,高度為45 55 μ m,寬度為 225 275 μ m。由于上述細胞培養(yǎng)微流控芯片中的第一微閥用于控制每個細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池通過擴散流道與第一主流道的連通或關閉,可以為獨立控制或聯動控制。假設有N個細胞培養(yǎng)單元,那么就有N個第一培養(yǎng)池。當第一微閥用于獨立控制每個細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池通過擴散流道與第一主流道的連通或關閉時,通過調控微閥,N個第一培養(yǎng)池也可以實現N種不同細胞的定位;當第一微閥用于聯動控制每個細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池通過擴散流道與第一主流道的連通或關閉時,通過調控微閥,N個第一培養(yǎng)池可以實現I種細胞的定位。第二培養(yǎng)池對細胞的定位培養(yǎng)與第一培養(yǎng)池對細胞的定位培養(yǎng)的原理相同。因此,上述細胞培養(yǎng)微流控芯片可以實現對多種不同細胞(2 2N種)的空間定位和共培養(yǎng),即實現細胞的高通量培養(yǎng),提高分析效率;而且上述細胞培養(yǎng)微流控芯片既能用于細胞的二維培養(yǎng)又能用于細胞的三維培養(yǎng),具有通用性和可比性。
圖1為一實施方式的細胞培養(yǎng)微流控芯片的結構示意圖;圖2為其他實施方式中細胞培養(yǎng)微流控芯片的結構示意圖;圖3為實施例中的EpRS細胞于Matrigel三維培養(yǎng)基質中在微流控芯片中培養(yǎng)并生長的形態(tài)圖。
具體實施例方式下面結合附圖及具體實施例對細胞培養(yǎng)微流控芯片進行進一步的說明。如圖1所不,一實施方式的細胞培養(yǎng)微流控芯片100包括第一主流道110、第一微閥120、細胞培養(yǎng)單元130、第二微閥140、第三微閥150及第二主流道160。
細胞培養(yǎng)單元130的數目為多個,多個細胞培養(yǎng)單元130并列排布,且位于第一主流道110與第二主流道160之間。第一微閥120的數目為多個,與多個并列排布的細胞培養(yǎng)單兀130 對應。每個細胞培養(yǎng)單元130包括第一培養(yǎng)池132、第二培養(yǎng)池134及擴散流道136。第二微閥140用于聯動控制每個細胞培養(yǎng)單元130中的第一培養(yǎng)池132和第二培養(yǎng)池134的連通或關閉??梢岳斫猓谄渌麑嵤┓绞街?,也可以設置多個第二微閥140,多個第二微閥140與多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元130——對應,每個第二微閥140獨立控制對應的細胞培養(yǎng)單元130中的第一培養(yǎng)池132與第二培養(yǎng)池134的連通或關閉。第一培養(yǎng)池132通過擴散流道136與第一主流道110連接。每個第一微閥120用于獨立控制對應的細胞培養(yǎng)單元130中的第一培養(yǎng)池132通過擴散流道136與第一主流道110的連通或關閉??梢岳斫?,在其他實施方式中,也可以只設置I個第一微閥120,第一微閥120用于聯動控制每個細胞培養(yǎng)單元130中的第一培養(yǎng)池132通過擴散流道136與第一主流道110的連通或關閉。第二培養(yǎng)池134通過擴散流道136與第二主流道160連接。第三微閥150用于聯動控制每個細胞培養(yǎng)單元130中的第二培養(yǎng)池134通過擴散流道136與第二主流道160的連通或關閉??梢岳斫猓谄渌麑嵤┓绞街?,也可以設置多個第三微閥150,多個第三微閥150與多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元130——對應,每個第三微閥150獨立控制對應的每個細胞培養(yǎng)單元130的第二培養(yǎng)池134通過擴散流道136與第二主流道160的連通或關閉。在本實施方式中,擴散流道136的高度低于第一培養(yǎng)池132、第二培養(yǎng)池134、第一主流道110及第二主流道160的高度,從而可以使第一主流道110及第二主流道160中的液體快速擴散進入第一培養(yǎng)池132和第二培養(yǎng)池134中,實現快速傳輸,節(jié)約時間。在本實施方式中,第一主流道110、第二主流道160、第一培養(yǎng)池132和第二培養(yǎng)池134為方體結構,高度為10(Γ200 μ m,而其長度和寬度可以根據需要培養(yǎng)的細胞的大小和數量來設計??梢岳斫?,第一主流道、第二主流道、第一培養(yǎng)池和第二培養(yǎng)池可以是其他形狀的,如具有弧形底面的腔體結構等。每個細胞培養(yǎng)單元130中的第一培養(yǎng)池132通過8根擴散流道136與第一主流道110連接;第二培養(yǎng)池134通過8根擴散流道136與第二主流道160連接。第一主流道110和第二主流道160為迂回彎曲結構。第一主流道110與第一培養(yǎng)池132的兩個側壁分別通過4個擴散流道136連接;第二主流道160與和第二培養(yǎng)池134的兩個側壁分別通過4個擴散流道136連接,從而液體可以從兩側壁進入第一培養(yǎng)池132或第二培養(yǎng)池134,相較于單側壁連接,接種細胞和灌流培養(yǎng)效果更好,液體流通量較大,有利于節(jié)省液體流通時間??梢岳斫猓總€細胞培養(yǎng)單元130中擴散流道136的數量不限于上述的8個,如還可以為4個、6個等。擴散流道136為具有弧形底面的腔體結構,高度為45 55 μ m,寬度為225 275 μ m。具有弧形底面的腔體結構的擴散流道136與微閥(第一微閥120、第三微閥150)配合效果較好,液體在擴散流道136內流通更順暢。
在本實施方式中,一個第三微閥150聯動控制所有的第二培養(yǎng)池134通過擴散流道136與第二主流道160的連通或關閉。這樣設計可以減少微閥的使用數目,在滿足一般需求的同時能節(jié)約成本;另外,可以理解每個微閥都需要占據一定的空間,這樣設計同時還可以節(jié)約空間??梢岳斫?,在其他實施方式中,也可以是一個第三微閥150獨立控制一個第二培養(yǎng)池134通過擴散流道136與第二主流道160的連通或關閉。如圖2所示,其他實施方式中的細胞培養(yǎng)微流控芯片200,包括第一主流道210、第一微閥220、細胞培養(yǎng)單元230、第二微閥240、第三微閥250及第二主流道260。細胞培養(yǎng)單元230的數目為多個,多個細胞培養(yǎng)單元230并列排布,且位于第一主流道210與第二主流道260之間;第一微閥220的數目為多個,并與多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元230 —一對應;第三微閥250的數目為多個,并與多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元230--對應。每個細胞培養(yǎng)單元230包括第一培養(yǎng)池232、第二培養(yǎng)池234及擴散流道236 ;第二微閥240用于聯動控制每個細胞培養(yǎng)單元230中的第一培養(yǎng)池232和第二培養(yǎng)池234的連通或關閉。第一培養(yǎng)池232通過擴散流道236與第一主流道210連接,第一微閥220用于獨立控制每個細胞培養(yǎng)單元230中的第一培養(yǎng)池232通過擴散流道236與第一主流道210的連通或關閉。第二培養(yǎng)池234通過擴散流道236與第二主流道260連接,第三微閥250用于獨立控制每個細胞培養(yǎng)單元230中的第二培養(yǎng)池234通過擴散流道236與第二主流道260的連通或關閉。擴散流道236的高度低于第一培養(yǎng)池232、第二培養(yǎng)池234、第一主流道210及第二主流道260的高度。通過調控微閥,如圖2所示的細胞培養(yǎng)微流控芯片200相比于如圖1所示的細胞培養(yǎng)微流控芯片100,在細胞培養(yǎng)單元的數目相同的情況下,能培養(yǎng)更多種不同的細胞。此外,在本實施方式中,第一主流道110與第二主流道150為都迂回彎曲結構,一方面能夠在有限的空間內設置更多的擴散通道,更多的擴散通道有利于液體快速的傳輸。另外一方面迂回彎曲結構可以在接種細胞時減輕流道內液體剪切力對細胞的損傷,使細胞能均勻地分布在培養(yǎng)池中。圖1所示的細胞培養(yǎng)微流控芯片100有多種用途。假設如圖1所示的細胞培養(yǎng)微流控芯片100中共有N個細胞培養(yǎng)單元,給每個細胞培養(yǎng)單元按照從小到大的順序編號,分
別為細胞培養(yǎng)單元1、細胞培養(yǎng)單元2......細胞培養(yǎng)單元N ;假設有多種不同的細胞,分別
為細胞1、細胞2、細胞3……細胞N。當需要用于實現多種不同細胞的空間定位、共培養(yǎng)或者一種藥物對多種不同細胞的藥物趨化作用的研究時,可以采用如下操作方式實現:關閉第二微閥140、以及N個第一微閥120,打開第三微閥150 ;通過第二主流道160向N個細胞培養(yǎng)單元130中的第二培養(yǎng)池134傳輸細胞1,待細胞I通過擴散流道136充滿N個細胞培養(yǎng)單元130中的第二培養(yǎng)池134后,關閉第三微閥150,向第二主流道160通入清洗液,將殘留于第二主流道160內的細胞I洗出,即實現了細胞I在N個第二培養(yǎng)池134中的空間定位。關閉第二微閥140、 第三微閥150、以及除控制細胞培養(yǎng)單元I中的第一培養(yǎng)池132以外的N-1個第一微閥120,打開控制細胞培養(yǎng)單元I中的第一培養(yǎng)池132的第一微閥120 ;通過第一主流道110向細胞培養(yǎng)單元I中的第一培養(yǎng)池132傳輸細胞2,待細胞2通過擴散流道136充滿細胞培養(yǎng)單元I中的第一培養(yǎng)池132后,關閉控制細胞培養(yǎng)單元I中的第一培養(yǎng)池132的第一微閥120,向第一主流道110通入清洗液,將殘留于第一主流道110內的細胞2洗出,即實現細胞2在細胞培養(yǎng)單元I中的第一培養(yǎng)池132中的空間定位。關閉第二微閥140、第三微閥150、以及除控制細胞培養(yǎng)單元2中的第一培養(yǎng)池132以外的N-1個第一微閥120,打開控制細胞培養(yǎng)單元2中的第一培養(yǎng)池132的第一微閥120 ;通過第一主流道110向細胞培養(yǎng)單元2中的第一培養(yǎng)池132傳輸細胞3,待細胞3通過擴散流道136充滿細胞培養(yǎng)單元2中的第一培養(yǎng)池132后,關閉控制細胞培養(yǎng)單元2中的第一培養(yǎng)池132的第一微閥120,向第一主流道110通入清洗液,將殘留于第一主流道110內的細胞3洗出,即實現細胞3在細胞培養(yǎng)單元2中的第一培養(yǎng)池132中的空間定位。其余的依次類推,上述細胞培養(yǎng)微流控芯片100能實現N+1種不同細胞的空間定位;通過第一主流道110和第二主流道160傳輸相同的培養(yǎng)基,即可實現N+1種不同細胞的共培養(yǎng);通過第一主流道110和第二主流道160傳輸同一種藥物,即可實現一種藥物對N+1種不同細胞的藥物趨化作用的研究。當需要實現高通量藥物篩選時,可以采用如下操作方式實現:通過調控微閥,在N個細胞培養(yǎng)單元中的第一細胞培養(yǎng)池132和第二細胞培養(yǎng)池134中定位共培養(yǎng)同一種細胞。通過調控微閥,經第一主流道110可以向N個第一細胞培養(yǎng)池132中輸入含不同濃度的同一藥物的培養(yǎng)基,在第一細胞培養(yǎng)池132之間形成藥物濃度梯度;通過第二主流道160向N個第二細胞培養(yǎng)池136中輸入不含藥物的培養(yǎng)基,作為對照實驗組,即可研究同一藥物的不同濃度對同一種細胞的侵襲和趨化作用,實現高通量藥物篩選。還可以通過調控微閥,通過第一主流道110向N個第一細胞培養(yǎng)池132中輸入含相同濃度的不同藥物的培養(yǎng)基,通過第二主流道160向N個第二細胞培養(yǎng)池134中輸入不含藥物的培養(yǎng)基,作為對照實驗組,即可實現不同藥物對同一種細胞的影響的研究,實現高通量藥物篩選。當需要實現細胞的二維或三維培養(yǎng)時,可以采用如下操作方式實現:將需要培養(yǎng)的細胞定位后,如果需要進行二維培養(yǎng),直接讓細胞在第一培養(yǎng)池和第二培養(yǎng)池中定位生長;如果需要進行三維培養(yǎng),先將Matrigel等三維基質通入第一培養(yǎng)池和第二培養(yǎng)池中,有效模擬細胞微環(huán)境的化學構成,然后再引入細胞,使其在Matrigel等三維基質中附著并分化生長。培養(yǎng)的細胞可以用于各種生物學分析研究。三維培養(yǎng)比二維培養(yǎng)更接近體內環(huán)境,得到的細胞形態(tài)比二維培養(yǎng)的更加精確。圖2所示的細胞培養(yǎng)微流控芯片200除了具有如圖1所示的細胞培養(yǎng)微流控芯片100的用途以外,還具有一些其他的用途。由于細胞培養(yǎng)微流控芯片100中的所有的第二細胞培養(yǎng)池由一個第二微閥聯動控制,因此,細胞培養(yǎng)微流控芯片100中的所有的第二細胞培養(yǎng)池只能實現一種細胞的定位培養(yǎng),以及用于對照組實驗。而細胞培養(yǎng)微流控芯片200給每個第二細胞培養(yǎng)池都設置獨立的第二微閥,可以實現對多種細胞的定位培養(yǎng)。因此,在細胞培養(yǎng)單元數目不變的情況下,細胞培養(yǎng)微流控芯片200比細胞培養(yǎng)微流控芯片100能夠定位培養(yǎng)更多種不同的細胞,可以實現2N中不同細胞的定位 培養(yǎng),而且更適合對照組實驗的進行。以下為具體實施例部分:
EpRs細胞在Matrigel三維基質中連續(xù)培養(yǎng)5天,實現EpRs細胞的三維培養(yǎng)。Matrigel富含多種細胞外基質成分,如:層黏連蛋白、膠原IV、TGF-β等,可以有效模擬細胞微環(huán)境的化學構成,誘導細胞在三維基質中的附著和分化,通過連續(xù)5天的培養(yǎng),EpRs細胞在Matrigel中聚集形成由多個細胞組成的細胞球,如圖3所示,其中,左上方第一幅圖是EpRs細胞的原始狀態(tài)圖;右上方第二幅圖是EpRs細胞在Matrigel三維基質中連續(xù)培養(yǎng)3天后的狀態(tài)圖;左下方第三幅圖是EpRs細胞在Matrigel三維基質中連續(xù)培養(yǎng)4天后的狀態(tài)圖;右下方第四幅圖是EpRs細胞在Matrigel三維基質中連續(xù)培養(yǎng)5天后的狀態(tài)圖。
以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是,對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此,本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
權利要求
1.一種細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,包括第一主流道、第一微閥、第二微閥、第三微閥、第二主流道及多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元,多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元位于第一主流道與第二主流道之間; 每個所述細胞培養(yǎng)單元包括第一培養(yǎng)池、第二培養(yǎng)池及擴散流道,所述第二微閥用于控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池和第二培養(yǎng)池的連通或關閉; 第一培養(yǎng)池通過擴散流道與第一主流道連接,所述第一微閥用于控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池通過擴散流道與第一主流道的連通或關閉; 第二培養(yǎng)池通過擴散流道與第二主流道連接,所述第三微閥用于控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第二培養(yǎng)池通過擴散流道與第二主流道的連通或關閉。
2.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述擴散流道的高度低于所述第一培養(yǎng)池、第二培養(yǎng)池、第一主流道及第二主流道的高度。
3.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述第一微閥的數量為多個,與多個細胞培養(yǎng)單元一一對應,每個所述第一微閥獨立控制對應的所述細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池與第一主流道的連通或關閉。
4.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述第二微閥的數量為I個,所述第二微閥聯動控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池和第二培養(yǎng)池的連通或關閉。
5.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述第三微閥的數量為I個,所述第三微閥聯動控制所述細胞培養(yǎng)單元中的第二培養(yǎng)池通過擴散流道與第二主流道的連通或關閉。
6.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述第三微閥的數量為多個,與多個細胞培養(yǎng)單元一一`對應,每個所述第三微閥獨立控制對應的所述細胞培養(yǎng)單元中的第二培養(yǎng)池與第二主流道的連通或關閉。
7.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述第一主流道為迂回彎折結構,所述第二主流道為迂回彎折結構。
8.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述第一培養(yǎng)池通過8根擴散流道與第一主流道連接;所述第二培養(yǎng)池通過8根擴散流道與第二主流道連接。
9.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述第一主流道、第二主流道、第一培養(yǎng)池及第二培養(yǎng)池均為方體結構,高度為10(Γ200 μ m。
10.根據權利要求1所述的細胞培養(yǎng)微流控芯片,其特征在于,所述擴散流道為具有弧形底面的腔體結構,高度為45 55 μ m,寬度為225 275 μ m。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種細胞培養(yǎng)微流控芯片,包括第一主流道、第一微閥、第二微閥、第三微閥、第二主流道及多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元,多個并列排布的細胞培養(yǎng)單元位于第一主流道與第二主流道之間;每個細胞培養(yǎng)單元包括第一培養(yǎng)池、第二培養(yǎng)池及擴散流道,第二微閥用于控制細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池和第二培養(yǎng)池的連通或關閉;第一微閥用于控制細胞培養(yǎng)單元中的第一培養(yǎng)池通過擴散流道與第一主流道的連通或關閉;第三微閥用于控制細胞培養(yǎng)單元中的第二培養(yǎng)池通過擴散流道與第二主流道的連通或關閉。上述細胞培養(yǎng)微流控芯片通過調控微閥,從而實現多種不同種類的細胞的空間定位和共培養(yǎng),實現高通量的細胞培養(yǎng)。
文檔編號C12M3/00GK103103121SQ20131001768
公開日2013年5月15日 申請日期2013年1月17日 優(yōu)先權日2013年1月17日
發(fā)明者於林芬, 宋惠雪, 王戰(zhàn)會 申請人:中國科學院深圳先進技術研究院