本發(fā)明涉及一種阻氣性膜及使用其的電子器件，更詳細而言，涉及一種用于有機電致發(fā)光(EL)元件或太陽能電池元件、液晶顯示元件等電子器件的阻氣性膜及使用其的電子器件。
背景技術(shù)：
：目前，在塑料基板或膜的表面疊層含有氧化鋁、氧化鎂、氧化硅等金屬氧化物的薄膜的多個層而形成的阻氣性膜廣泛用于需要阻斷水蒸氣或氧等各種氣體的物品的包裝、例如防止食品或工業(yè)用品及醫(yī)藥品等變質(zhì)的包裝用途中。除包裝用途以外，還希望應(yīng)用于具有撓性的太陽能電池元件、有機電致發(fā)光(EL)元件、液晶顯示元件等撓性電子器件，進行了許多研究。但是，在這些撓性電子器件中，要求玻璃基材水平非常高的阻氣性，因此，目前還不能得到具有充分的性能的阻氣性膜。作為形成這種阻氣性膜的方法，已知有以下的氣相法(干法)：使用以四乙氧基硅烷(TEOS)為代表的有機硅化合物，一邊在減壓下進行氧等離子體氧化，一邊在基板上使其成長的化學(xué)堆積法(等離子體CVD法：ChemicalVaporDeposition或原子層堆積法：ALD)；使用半導(dǎo)體激光使金屬Si蒸發(fā)，在氧的存在下堆積于基板上的物理堆積法(真空蒸鍍法或濺射法)。這些利用氣相法(干法)的無機制膜方法優(yōu)選適用于氧化硅或氮化硅、氧氮化硅等無機膜的形成，進行了許多用于得到良好的阻氣性的無機膜的組成范圍的研究、及含有這些無機膜的層構(gòu)成的研究。另外，在如上所述的氣相法(干法)中，很難形成不具有缺陷的膜，例如需要極端地降低制膜速率從而抑制缺陷的形成。因此，在要求生產(chǎn)率的工業(yè)的水平中，無法得到撓性電子器件中所要求的阻氣性。還研究了利用氣相法(干法)使無機膜的膜厚簡單地增加、或疊層多層無機膜。例如，專利文獻1中：在實施例3中，作為疊層多層的氧化硅或氮化硅、氧氮化硅等無機膜而成的阻氣性膜，公開了：在基材上用原子層堆積法(ALD法)形成含有Al的第1阻隔層(含有Al的氧化硅或氮化硅、氧氮化硅等無機膜；ALD層)，在該ALD層上用相同的等離子體CVD法疊層含有Si的第2阻隔層(氧化硅或氮化硅、氧氮化硅等無機膜；CVD層)的阻氣性膜。用專利文獻1的干法疊層的阻隔層(ALD層+CVD層)其上下層的中間區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上沒有交叉，形成同樣的所謂“界面”。另外，在專利文獻1中，其技術(shù)思想是通過提高ALD層(下層)的固化引起的基材和CVD層的密合性而提高阻隔性和濕熱耐性，而對上下層的界面的組成改性沒有提及。在使這樣的由氣相法(干法)得到的無機膜的膜厚簡單地增加、或如專利文獻1那樣疊層了多層無機膜的阻氣性膜中，缺陷連續(xù)成長，或反而裂紋增加，因此，沒有達到阻氣性的提高。如在有機EL元件的情況下，這種無機膜的缺陷例會導(dǎo)致產(chǎn)生被稱為黑斑的不發(fā)光的黑點，或在高溫高濕下黑斑的尺寸發(fā)生成長，對元件自身的耐久性也造成影響。另一方面，除迄今為止的利用氣相法(干法)的制膜之外，作為阻氣層形成方法之一，進行了以下研究：將在上述的利用氣相法(干法)的無機膜上涂布無機前體化合物的溶液并進行干燥，利用熱對形成的涂布層進行改性，由此對利用上述的氣相法制膜而得到的無機膜的缺陷部有效地進行修復(fù)，而且疊層得到的膜本身的阻氣性得以提高，特別是進行了如下研究：使用聚硅氮烷作為無機前體化合物，從而通過修復(fù)上述缺陷部而顯現(xiàn)出高度的阻氣性。但是，在通過聚硅氮烷的熱改性或濕熱改性來形成致密的氧氮化硅膜或氧化硅膜時，需要450℃以上的高溫，不可能適用于塑料等撓性基材。作為解決這樣的問題的方法，提出了對由聚硅氮烷溶液涂布形成的涂膜實施真空紫外光照射，從而形成氧氮化硅膜或氧化硅膜而得到的阻氣性膜。使用能量大于聚硅氮烷的各原子間鍵合力的被稱為真空紫外光(以下，也稱為“VUV”、“VUV光”)的波長100～200nm的光能量，通過僅由被稱為光量子工藝的光子產(chǎn)生的作用，將原子的鍵合直接切割，同時進行活性氧或臭氧引起的氧化反應(yīng)，由此可以在比較低溫下進行氧氮化硅膜或者氧化硅膜的形成。通常在樹脂膜基材上涂布聚硅氮烷，進行紫外線(VUV；例如準分子)照射時，將照射的面的表面附近進行改性并形成阻隔層(氮高濃度層)。同時認為，發(fā)生了下述氧化行為，阻隔層下的內(nèi)部成為氧化膜(氧化硅層)，所述氧化行為推定是自基材側(cè)帶入了水分。在這種含有阻隔層的阻氣性膜中，例如在專利文獻2中公開了如下阻氣性膜：其是在樹脂膜基材上涂布聚硅氮烷而對第1聚硅氮烷膜進行制膜并照射真空紫外光，接著形成第2聚硅氮烷膜并照射真空紫外光而成的。即，專利文獻2公開了重復(fù)對聚硅氮烷膜照射真空紫外光這一工藝，并疊層第1及第2阻氣層而形成的阻氣性膜的形態(tài)。就專利文獻2中記載的阻氣性膜而言，通過對第1及第2聚硅氮烷膜分別照射真空紫外光(準分子)，第1及第2聚硅氮烷膜表面被改性為玻璃質(zhì)而顯示高阻氣性。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1：美國專利申請公開第2013/009264號說明書專利文獻2：日本特開2009-255040號公報技術(shù)實現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的技術(shù)問題但是，專利文獻2中記載的阻氣性膜被置于高溫高濕下時，顯示急劇劣化的行為。即，重復(fù)對聚硅氮烷膜照射真空紫外光這一工藝并疊層阻氣層而成的阻氣性膜，可得到高阻氣性，相反，在疊層該阻氣層而得到的結(jié)構(gòu)(具有2層以上的阻氣層的結(jié)構(gòu))中，高溫高濕下的劣化顯著。本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的發(fā)明，其目的在于，提供一種阻氣性膜，所述阻氣性膜保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻隔性。用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案本發(fā)明人等為了實現(xiàn)上述目的，進行了深入研究，結(jié)果得知：在含有下層的聚硅氮烷等Si(二氧化硅)的層上疊層作為上層的鋁化合物等含有Al的層并照射真空紫外光，真空紫外光可以穿過作為上層的含有Al的層而達到至作為下層的含有Si的層。由此，通過對上下層的界面進行改性并在膜厚方向形成連續(xù)的Al原子的漸變結(jié)構(gòu)，形成濕熱耐性及阻氣性這兩者優(yōu)異的區(qū)域(稱為改性區(qū)域)。通過形成這樣的改性區(qū)域，上下層的中間區(qū)域(界面附近)可靠地交叉，由此形成沒有上下層的區(qū)別的一體的阻氣層。并且發(fā)現(xiàn)：具有這樣的一體的阻氣層的阻氣性膜可以兼顧高阻隔性和濕熱耐性。即，本發(fā)明的特征在于，在由含有作為上層的含有Al的層和作為下層的含有Si(二氧化硅)的層所形成的沒有上下層區(qū)別的一體阻氣層中，采取了連續(xù)的Al原子的漸變結(jié)構(gòu)(Al原子在層厚方向上其組成連續(xù)變化(特別是連續(xù)增加)的結(jié)構(gòu)，即改性區(qū)域)。詳細而言，本發(fā)明的上述目的可以通過以下的(1)～(7)的阻氣性膜來實現(xiàn)。(1)一種阻氣性膜，其在基材上具有至少含有Al原子及Si原子的阻氣層，其中，在各構(gòu)成元素分布曲線中的、在所述阻氣層的層厚方向上距所述阻氣層表面的距離和相對于所述阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線中，具有所述阻氣層的Al原子在層厚方向組成連續(xù)地變化的區(qū)域，所述阻氣層的與基材側(cè)相反一側(cè)的Al原子量比基材側(cè)的Al原子量多，所述各構(gòu)成元素分布曲線是根據(jù)采用X射線光電子分光法進行的所述阻氣層在深度方向上的元素分布測定而得到的。(2)如上述(1)所述的阻氣性膜，其具有所述阻氣層的所述Al原子從所述基材側(cè)連續(xù)地增加的區(qū)域。(3)如上述(2)所述的阻氣性膜，其中，在所述Al分布曲線中，從所述基材側(cè)連續(xù)地增加的區(qū)域具有0.5at％/nm(SiO2換算)以上、2at％/nm(SiO2換算)以下的斜率。(4)如上述(1)～(3)中任一項所述的阻氣性膜，其中，所述阻氣層中的全部元素含有Al原子、Si原子、O原子、N原子及C原子而構(gòu)成。(5)如上述(1)～(4)中任一項所述的阻氣性膜，其中，在各構(gòu)成元素分布曲線中的、在所述阻氣層的層厚方向上距所述阻氣層表面的距離和相對于所述阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Si分布曲線中，從所述基材側(cè)連續(xù)地減少的區(qū)域具有-2at％/nm(SiO2換算)以下的斜率，所述各構(gòu)成元素分布曲線是根據(jù)采用X射線光電子分光法進行的所述阻氣層在深度方向上的元素分布測定而得到的。(6)如上述(1)～(5)中任一項所述的阻氣性膜，其中，在相對于所述阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線及Si分布曲線中，具有Al原子和Si原子交叉的區(qū)域。(7)一種電子器件，其使用了上述(1)～(6)中任一項所述的阻氣性膜。發(fā)明效果本發(fā)明的阻氣性膜，其保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性。附圖說明圖1A是示意性表示在本發(fā)明的阻氣性膜的制造過程中，在下層的由聚硅氮烷構(gòu)成的層上疊層上層的含有鋁化合物的層，并照射真空紫外光的情形的圖。圖1B是示意性表示通過圖1A的真空紫外光的照射、改性而形成改性區(qū)域(Al原子的連續(xù)變化區(qū)域)、形成沒有上下層區(qū)別(沒有同樣的“界面”)的一體的阻氣層而得到的本發(fā)明的阻氣性膜的基本的層構(gòu)成、和該阻氣層的深度方向的Al原子量的變化的情形的圖。圖1C是示意性表示上述的專利文獻1中記載的現(xiàn)有的阻氣性膜的層構(gòu)成和阻氣層的深度方向的Al原子量的變化的情形的圖；圖2是利用X射線光電子分光法對實施例1中得到的阻氣性膜的全部阻氣層的深度方向進行元素分布測定得到的各構(gòu)成元素的分布曲線圖，所述實施例1是本發(fā)明的阻氣性膜的一個實施方式，具有在基材上依次疊層阻氣層、改性阻氣層而得到的層結(jié)構(gòu)。圖1的改性阻氣層是形成了對下層照射真空紫外光(準分子)而得到的聚硅氮烷層之后，在上層僅涂布鋁化合物(不含有聚硅氮烷)，并照射真空紫外光(準分子)并進行改性而得到的層；圖3是利用X射線光電子分光法對實施例2中得到的阻氣性膜的全部阻氣層的深度方向進行元素分布測定得到的各構(gòu)成元素的分布曲線圖，所述實施例2是本發(fā)明的阻氣性膜的一個實施方式，具有在基材上依次疊層阻氣層、改性阻氣層而得到的層結(jié)構(gòu)。圖2的改性阻氣層是形成了對下層照射真空紫外光(準分子)而得到的聚硅氮烷層之后，在上層僅涂布鋁化合物(不含有聚硅氮烷)，并照射真空紫外光(準分子)并進行改性而得到的層；圖4是利用X射線光電子分光法對實施例3中得到的阻氣性膜的全部阻氣層的深度方向進行元素分布測定得到的各構(gòu)成元素的分布曲線圖，所述實施例3是本發(fā)明的阻氣性膜的一個實施方式，具有在基材上依次疊層阻氣層、改性阻氣層而得到的層結(jié)構(gòu)。圖3的改性阻氣層是在下層涂布沒有進行真空紫外光照射的聚硅氮烷，在上層僅涂布鋁化合物(不含有聚硅氮烷)，一并照射真空紫外光(準分子)來改性而得到的層；圖5是表示本發(fā)明的阻氣性膜的通常的阻氣層、或改性阻隔層的中在制造過程中形成的下層阻隔層(最終構(gòu)成阻氣性膜的改性阻隔層的一部分)的形成過程中所使用的真空等離子體CVD裝置的一個實施方式的示意圖；圖6是表示本發(fā)明的阻氣性膜等的通常的阻氣層(實施例1～3、比較例1～2)及本發(fā)明的阻氣性膜的改性阻隔層中在制造過程中形成的阻氣層(改性阻隔層以外的阻氣層，即形成在基材和改性阻隔層之間的層；實施例1～3)的形成過程中所使用的真空等離子體CVD裝置的其它實施方式的示意圖；圖7是表示本發(fā)明的阻氣性膜的改性阻隔層(將下層阻隔層和上層的含Al的阻隔層進行改性而得到?jīng)]有界面的一體化的層；實施例1～3)的形成過程及比較例2的阻氣層的形成過程中使用的真空紫外線照射裝置的一個實施方式的示意圖；圖8是表示比較例1的第1阻隔層薄膜(無機化合物層；ALD層)的形成過程中使用的原子層堆積裝置(ALD裝置)的實施方式示意圖；圖9是示意性地表示比較例2的阻氣性膜的層構(gòu)成的圖；圖10是表示利用X射線光電子分光法對比較例2中得到的阻氣性膜的全部阻氣層的深度方向的元素分布進行測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線的圖；圖11A是示意性表示實施例1、2的阻氣性膜的制造過程中所形成的下層阻氣層和上層阻氣層在改性之前的層結(jié)構(gòu)的圖。圖11B是示意性表示實施例1、2的阻氣性膜的層結(jié)構(gòu)的圖；圖12A是示意性表示實施例3的阻氣性膜的在制造過程中所形成的下層阻氣層和上層阻氣層在改性之前的層結(jié)構(gòu)的圖。圖12B是示意性表示實施例3的阻氣性膜的層結(jié)構(gòu)的圖。標記說明1阻氣性膜、2、12、92、110、132、142基材、3、133、143第1阻氣層、11、113、114、115本發(fā)明的阻氣性膜、11’、111、112現(xiàn)有的阻氣性膜、13下層的由聚硅氮烷構(gòu)成的層、14上層的含有鋁化合物的層、15真空紫外光、16改性區(qū)域(Al原子的連續(xù)變化區(qū)域)、17、136、146沒有上下層區(qū)別的(沒有同樣界面的)一體化改性阻氣層、18下層的含鋁層、19上層的含有Si的阻氣層、20上下層的中間區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上沒有交叉的同樣界面、21裝置室、22Xe準分子燈、23兼作外部電極的準分子燈的支架、24試樣臺、25形成了層的試樣、26遮光板、31制造裝置、32送出輥、33、34、35、36輸送輥、39、40成膜輥、41氣體供給管、42等離子體發(fā)生用電源、43、44磁場發(fā)生裝置、45卷繞輥、61實施了透明硬涂的PET基材、71開卷機、72輥、75卷繞器、81、82原料供給部、83改性處理部、93含有Si的第1阻氣層、94含有Si的第2阻氣層、101等離子體CVD裝置、102真空槽、103陰極電極、105接受器、106熱介質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)、107真空排氣系統(tǒng)、108氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、109高頻電源、134下層的含有Si的阻氣層、135、145上層的含有Al的第3阻氣前體層(聚硅氮烷涂膜)、144下層的含有Si的第2阻氣前體層、160加熱冷卻裝置、C1～C4室、P等離子體。具體實施方式本發(fā)明涉及在基材上具有至少含有Al原子及Si原子的阻氣層的阻氣性膜，其中，在各構(gòu)成元素分布曲線中的、在所述阻氣層的層厚方向上距所述阻氣層表面的距離和相對于所述阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線中，具有上述阻氣層的Al原子在層厚方向上組成連續(xù)變化的區(qū)域，上述阻氣層的與基材側(cè)相反的一側(cè)的Al原子的量比基材側(cè)的Al原子的量多，所述各構(gòu)成元素分布曲線是根據(jù)采用X射線光電子分光法進行的所述阻氣層在深度方向上的元素分布測定而得到的。通過采用這樣的構(gòu)成，長期的保存穩(wěn)定性、特別是高溫高濕下的苛刻條件下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性。作為本發(fā)明的阻氣性膜的保存穩(wěn)定性、特別高溫高濕下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異的作用機理(機制)，如下考慮。但是，即使在本發(fā)明的阻氣性膜通過該作用機理(機制)以外的機制而實現(xiàn)本發(fā)明的作用效果的情況下，也對本發(fā)明的技術(shù)的范圍沒有任何限制。本發(fā)明人等為了實現(xiàn)上述目的，進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：專利文獻2的阻氣性膜置于高溫高濕下時發(fā)生急劇劣化的行為的作用機理(機制)是，在基材上的第1阻氣層上形成由聚硅氮烷構(gòu)成的第2阻氣層時，氧化(對玻璃質(zhì)的改性)不會進行至內(nèi)部，因此，在阻氣層在高溫高濕下(例如濕熱(DH)試驗環(huán)境即85℃85％RH環(huán)境下)因腐蝕并迅速地劣化?；谏鲜龅男碌囊娊?，進一步重復(fù)進行了研究，結(jié)果，通過在聚硅氮烷等含有Si(二氧化硅)的層(稱為含Si層)上疊層鋁化合物等含有Al的層(稱為含Al層)，并利用準分子等真空紫外光進行改性，真空紫外光穿過含Al層而照射到下層的含Si層。此時，對下層的含Si層和上層的含Al層的界面進行改性，在界面區(qū)域形成濕熱耐性及阻隔性這兩者優(yōu)異的區(qū)域(改性區(qū)域)。發(fā)現(xiàn)：通過在含Si層和含Al層的界面區(qū)域(含有界面區(qū)域的中間區(qū)域)形成該改性區(qū)域，可以修復(fù)含Si層的缺陷，可以對得到的阻氣性膜賦予高阻氣性和濕熱耐性，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異的作用機理(機制)，直至完成本發(fā)明。另外，發(fā)現(xiàn)：本發(fā)明的阻氣性膜中，與專利文獻1不同，通過上下層的中間區(qū)域可靠地交叉而形成改性區(qū)域，由此，專利文獻1那樣的同樣的所謂“界面”不復(fù)存在，形成沒有上下層的區(qū)別的一體的阻氣層。而且還發(fā)現(xiàn)：雖然制備方法沒有特別限定，但通過利用涂布方法進行疊層制膜會容易產(chǎn)生界面區(qū)域的混合，因此，容易形成Al原子(及Si原子)從上述基材側(cè)連續(xù)地增加(及減少)的漸變結(jié)構(gòu)(改性區(qū)域)。另外，通過將上層制成含Al層，真空紫外光透過該層照射到下層的含Si層。此時，界面附近的區(qū)域在膜厚方向上發(fā)生改性，得到的阻氣性膜可顯現(xiàn)阻氣性和濕熱耐性得以大幅提高的效果。另外，發(fā)現(xiàn)了如下的作用機理(機制)：形成進行了準分子處理的含Si層作為下層之后，僅涂布鋁化合物等含有Al的化合物(不包含聚硅氮烷等含有Si的化合物)作為上層，通過進行真空紫外光照射而形成的改性區(qū)域由于阻隔性優(yōu)異，因此，在阻氣層全域內(nèi)阻氣性大幅度提高，并兼顧高阻氣性和濕熱耐性，由此，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性，另外也可以實現(xiàn)減少有機EL元件等中的黑斑等缺陷等。另外，發(fā)現(xiàn)了如下的作用機理(機制)：涂布未進行真空紫外光照射處理的聚硅氮烷等含有Si的化合物作為下層，僅涂布鋁化合物等含有Al的化合物(不包含聚硅氮烷等含有Si的化合物)作為上層，并一并進行真空紫外光照射，由此，對得到的阻氣性膜而言，界面區(qū)域的由鋁化合物等含有Al的化合物和聚硅氮烷等含有Si的化合物所形成的新的改性區(qū)域的阻氣性優(yōu)異，因此，在阻氣層全域內(nèi)阻氣性大幅度提高，并兼具高阻氣性和濕熱耐性，由此，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性，另外也可以實現(xiàn)有機EL元件等中黑斑等缺陷的大幅度減少等。由上述見解，發(fā)現(xiàn)了上述(1)～(6)所述的本發(fā)明的阻氣性膜。需要說明的是，上述的作用機理(機制)是推定而得，本發(fā)明不受上述作用機理(機制)的任何限定。以下，說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。需要說明的是，本發(fā)明并不僅限定于以下的實施方式。另外，在本說明書中，表示范圍的“X～Y”是指“X以上Y以下”。另外，只要沒有特殊說明，操作及物性等測定在室溫(20～25℃)/相對濕度40～50％的條件下進行測定。＜阻氣性膜＞本發(fā)明的阻氣性膜含有基材及具有以下的特性的阻氣層(也稱為改性阻氣層)。即，改性阻氣層的特征在于，至少具有Al原子及Si原子，在各構(gòu)成元素分布曲線中的、在所述阻氣層的層厚方向上距所述阻氣層表面的距離和相對于所述阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線中，具有上述阻氣層的Al原子在層厚方向上組成連續(xù)變化的區(qū)域，上述阻氣層的與基材側(cè)相反一側(cè)的Al原子量比基材側(cè)的Al原子量多，所述各構(gòu)成元素分布曲線是根據(jù)采用X射線光電子分光法進行的所述阻氣層在深度方向上的元素分布測定而得到的。上述阻氣性膜可以還含有其它部件。本發(fā)明的阻氣性膜例如可以在基材和改性阻氣層之間、改性阻氣層上、或未形成改性阻氣層的基材的另一個面上具有其它部件。在此，作為其它部件，沒有特別限制，現(xiàn)有的阻氣性膜中所使用的部件可以同樣地，或適當(dāng)進行修飾后使用。具體而言，可列舉：上述改性阻氣層以外的阻氣層、保護層、平滑層、錨固涂層、防滲出層、具有水分吸附性的干燥劑性層或防靜電層的功能化層等。具有上述改性阻氣層的阻氣性單元可以在基材的一個表面上形成，也可以在基材的兩個表面上形成。另外，該阻氣性單元只要是不損害本發(fā)明的作用效果的范圍內(nèi)，則既可以包含不一定具有阻氣性的層，也可以包含改性阻氣層以外的阻氣層。(阻氣性膜的基本的層構(gòu)成)以下，對本發(fā)明的阻氣性膜，使用附圖進行說明。圖1A是示意性表示在本發(fā)明的阻氣性膜的制造過程中，在下層的由聚硅氮烷構(gòu)成的層上疊層上層的含有鋁化合物的層，照射真空紫外光的情形的圖。圖1B是示意性表示通過圖1A的照射真空紫外光、改性而形成改性區(qū)域(Al原子的連續(xù)變化區(qū)域)、形成沒有上下層區(qū)別的(沒有同樣的“界面”的)一體化改性阻氣層的本發(fā)明的阻氣性膜的基本的層構(gòu)成、和該改性阻氣層的深度方向的Al原子量的變化的情形的圖。圖1C是示意性表示上述專利文獻1中記載的現(xiàn)有阻氣性膜的層構(gòu)成和阻氣層深度方向上Al原子量變化情形的圖。首先，如圖1C所示，現(xiàn)有的阻氣性膜11’采用如下的層構(gòu)成：在基材12上，在利用干法(ALD)所形成的下層的含鋁層(含Al的、氧化硅或氮化硅、氧氮化硅等無機膜)18上疊層利用干法(等離子體CVD法)所形成的上層的含有Si的阻氣層(氧化硅或氮化硅、氧氮化硅等無機膜)19。如圖1C那樣，用干法疊層的下層的含鋁層18和上層的含有Si的阻氣層19是如下的結(jié)構(gòu)：上下層18、19的中間區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上沒有交叉、形成同樣的所謂“界面”20、以該界面為邊界疊層有上下層。即，阻氣層(上下層18、19)的深度(膜厚)方向的Al原子僅存在于下層18，下層18的Al原子量在深度方向上是一定的。因此，不會形成本發(fā)明的阻氣性膜的基本層構(gòu)成即圖1B所示的改性區(qū)域(Al原子的連續(xù)變化區(qū)域)16，因此，也不能形成沒有上下層區(qū)別的(沒有同樣界面的)一體的阻氣層17。因此，無法得到如上所述的改性效果，疊層無機膜18、19而得到的阻氣性膜11’中，存在缺陷連續(xù)成長、或反而裂紋增加的問題。另一方面，在本發(fā)明中，如圖1A所示，在阻氣性膜的制造過程中，形成在基材12上的下層的由聚硅氮烷構(gòu)成的層(含有二氧化硅的層)13上疊層上層的含有鋁化合物的層14，照射真空紫外光15并進行改性，由此，真空紫外光15穿過含有鋁化合物的層14，照射到下層的由聚硅氮烷構(gòu)成的層13。此時，在下層的由聚硅氮烷構(gòu)成的層13和上層的含有鋁化合物的層14的界面發(fā)生改性，在界面區(qū)域以廣范圍形成濕熱耐性及阻隔性這兩者優(yōu)異的改性區(qū)域(Al原子的連續(xù)變化區(qū)域)。由此，如圖1B所示，本發(fā)明的阻氣性膜11成為形成改性區(qū)域(Al原子的連續(xù)變化區(qū)域)16、形成了沒有上下層13、14這樣的區(qū)別的(沒有同樣界面的)一體化改性阻氣層17的層構(gòu)成。采用上述構(gòu)成時，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性。另外，也可以實現(xiàn)有機EL元件等中黑斑等缺陷的大幅度減少。以下，對各構(gòu)成部件(主要條件)進行逐一說明。[基材]本發(fā)明的阻氣性膜優(yōu)選使用塑料膜或塑料片作為基材，更優(yōu)選使用由無色透明的樹脂形成的膜或片。所使用的塑料膜只要是可以保持改性阻氣層等的膜即可，對材質(zhì)、厚度等沒有特別限制，可以根據(jù)使用目的等適當(dāng)選擇。作為上述塑料膜，具體而言，可列舉：聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯樹脂、透明氟樹脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、纖維素?；飿渲⒕郯滨渲?、聚醚醚酮樹脂、聚碳酸酯樹脂、脂環(huán)式聚烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、環(huán)烯烴共聚物、芴環(huán)改性聚碳酸酯樹脂、脂環(huán)改性聚碳酸酯樹脂、芴環(huán)改性聚酯樹脂、丙烯酰基化合物等熱塑性樹脂。用于本發(fā)明的阻氣性膜的基材的厚度可根據(jù)用途適當(dāng)選擇，因此，沒有特別限制，典型而言為1～800μm，優(yōu)選為10～200μm。這些塑料膜(基材)可以具有透明導(dǎo)電層、底涂層、透明硬涂層等功能層。關(guān)于功能層，除上述的物質(zhì)之外，可以優(yōu)選采用日本特開2006-289627號公報的段落號“0036”～“0038”中所記載的功能層?；膬?yōu)選表面的平滑性高的基材。作為表面的平滑性，平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為2nm以下。沒有特別下限，但實用上為0.01nm以上?？梢愿鶕?jù)需要將基材的兩面、至少設(shè)置改性阻氣層的側(cè)進行研磨，提高平滑性。另外，上述中列舉的基材可以為未拉伸膜，也可以為經(jīng)拉伸處理的膜。本發(fā)明使用的基材可以通過現(xiàn)有公知的一般方法來制造。在基材的至少設(shè)置本發(fā)明的改性阻氣層的一側(cè)，可以進行用于提高密合性的公知的各種處理、例如電暈放電處理、火焰處理、氧化處理、或等離子體處理、或后述的疊層平滑層等，優(yōu)選根據(jù)需要將上述處理組合來進行。[改性阻氣層]本發(fā)明的改性阻氣層的特征在于：(1)具有至少含有Al原子及Si原子的阻氣層；(2)在各構(gòu)成元素分布曲線中的、在所述阻氣層的層厚方向上距所述阻氣層表面的距離和相對于所述阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線中，具有上述阻氣層的Al原子在層厚方向上組成連續(xù)地變化的區(qū)域，所述各構(gòu)成元素分布曲線是根據(jù)采用X射線光電子分光法進行的所述阻氣層在深度方向上的元素分布測定而得到的；(3)改性阻氣層的與基材側(cè)相反一側(cè)的Al原子量比基材側(cè)的Al原子量多。(改性阻氣層的構(gòu)成要素；上述要件(1))在基材上部(可以不是緊鄰的上部，也可以隔著其它層)所形成的改性阻氣層為至少含有Al原子及Si原子的層。在本發(fā)明中，如上所述，在下層的含有Si原子的層(例如由聚硅氮烷構(gòu)成的層)上疊層上層的含有Al的層(例如含有鋁化合物的層)，利用真空紫外光進行照射并改性，由此形成沒有上下層的區(qū)別的(沒有同樣的界面的)一體化改性阻氣層。因此，在改性阻氣層中，就含有Si原子的層而言，作為在對由聚硅氮烷構(gòu)成的層照射真空紫外光后殘留的元素，例如含有Si原子、N原子及C原子。另外也存在含有O原子的情況(參照圖2～4)。另外，就含有Al的層而言，作為在對含有鋁化合物(例如實施例中使用的ALCH：乙酰乙酸乙酯合二異丙酸鋁等)的層照射真空紫外光后殘留的元素，包括Al原子，O原子和C原子。因此，改性阻氣層至少含有Al原子及Si原子。優(yōu)選改性阻氣層中的全部元素含有Al原子、Si原子、O原子、N原子及C原子而構(gòu)成，由此可以提高改性阻氣層的功能、特性，在這一點上是優(yōu)異的。但是，在改性阻氣層中，只要是不損害本發(fā)明的作用效果的范圍，則可以含有上述以外的元素。本發(fā)明的改性阻氣層中所含的元素的確定(鑒定)可以利用X射線光電子分光法對對阻氣層的深度方向(層厚方向)進行元素分布測定而進行(參照圖2～4)。以下，使用附圖進行說明。在本實施方式中，如圖2、3所示，改性阻氣層中的全部元素優(yōu)選為Al原子、Si原子、O原子及N原子。通過設(shè)為上述的構(gòu)成，如表1、2的實施例1、2所示，在兼顧高阻氣性和濕熱耐性的基礎(chǔ)上，可以進一步減少有機EL元件(OLED)等中的黑斑(DS)等缺陷，在這一點上是優(yōu)異的。這是因為，圖2、3的改性阻氣層在對下層照射真空紫外光(準分子)而形成聚硅氮烷層之后、在上層僅涂布鋁化合物(不含有聚硅氮烷)，照射真空紫外光(準分子)并進行改性，由此，在得到的阻氣性膜中，可以修復(fù)下層的缺陷，同時界面附近的區(qū)域在膜厚方向受到改性而形成的改性區(qū)域的阻隔性、濕熱耐性優(yōu)異，因此，在阻氣層全域內(nèi)阻氣性(表1的保持率)提高，在兼顧高阻氣性和濕熱耐性的基礎(chǔ)上，可以進一步減少有機EL元件等中黑斑等缺陷(參見表2的黑斑產(chǎn)生率)。另外，優(yōu)選改性阻氣層中的全部元素包括Al原子、Si原子、O原子及C原子(圖4中沒有殘留N原子的形態(tài))?？梢哉f該情況也能夠產(chǎn)生與圖2～4同樣的效果。另外，本實施方式中，如圖4所示，特別優(yōu)選改性阻氣層中的全部元素為Al原子、Si原子、O原子、N原子及C原子。通過采用上述的構(gòu)成，如表1、2的實施例3所示，在兼顧更高的阻氣性和濕熱耐性的基礎(chǔ)上，可以更進一步減少有機EL元件(OLED)等中的黑斑(DS)等缺陷，在這一點上是優(yōu)異的。這是因為，圖4的改性阻氣層在下層涂布未照射真空紫外光的聚硅氮烷，在上層僅涂布鋁化合物(不含有聚硅氮烷)，并一并照射真空紫外光(準分子)進行改性，由此，在得到的阻氣性膜中，界面附近的區(qū)域在膜厚方向以更廣范圍受到改性，可以修復(fù)下層的缺陷，同時，界面區(qū)域的由鋁-聚硅氮烷所形成的新的(改性)區(qū)域的阻隔性、濕熱耐性優(yōu)異，因此，在阻氣層全域內(nèi)阻氣性(表1的保持率)大幅度提高，在兼顧更高的阻氣性和濕熱耐性的基礎(chǔ)上，可以進一步大幅度減少有機EL元件等中的黑斑等缺陷(參照表2的黑斑產(chǎn)生率)。(改性阻氣層的Al原子在層厚方向上的組成變化；上述要件(2)(3))在本發(fā)明中，其中，在各構(gòu)成元素分布曲線中的、在所述阻氣層的層厚方向上距所述阻氣層表面的距離和相對于所述阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線中，具有上述改性阻氣層的Al原子在層厚方向組成連續(xù)地變化的區(qū)域(圖1B所示的濕熱耐性及阻隔性這兩者優(yōu)異的改性區(qū)域；Al原子的連續(xù)變化區(qū)域16)，所述各構(gòu)成元素分布曲線是根據(jù)采用X射線光電子分光法進行的所述阻氣層在深度方向上的元素分布測定而得到的。優(yōu)選具有上述改性阻氣層的Al原子從上述基材側(cè)連續(xù)地增加的區(qū)域(稱為區(qū)域A)。采用這樣的構(gòu)成時，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性。另外也可以實現(xiàn)有機EL元件等中黑斑等缺陷的大幅度減少(參照實施例1～3的表1、2)。進一步優(yōu)選在上述Al分布曲線中，從上述基材側(cè)連續(xù)地增加的區(qū)域A具有0.5at％/nm(SiO2換算)以上、2.5at％/nm(SiO2換算)以下的斜率，特別優(yōu)選具有0.5at％/nm(SiO2換算)以上、2at％/nm(SiO2換算)以下的斜率。如果Al分布曲線的區(qū)域A中的斜率為上述范圍內(nèi)，則即使在長時間暴露于高溫高濕下之后，也幾乎不產(chǎn)生組成變化導(dǎo)致的阻氣性降低(＝如表1所示具有高的保持率)，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件)下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異。另外如表2所示，可以大幅度減少有機EL元件等中的黑斑等缺陷(參照實施例1～3的表1、2)。其中，在上述Al分布曲線中，就從上述基材側(cè)連續(xù)地增加的區(qū)域A而言，(1)從保持率提高效果的觀點出發(fā)，優(yōu)選具有1.0at％/nm(SiO2換算)以上、2.0at％/nm(SiO2換算)以下的范圍的斜率；(2)從減少黑斑等缺陷的效果的觀點出發(fā)，優(yōu)選具有0.5at％/nm(SiO2換算)以上、且低于1.0at％/nm(SiO2換算)的范圍的斜率。圖2～4中，圖中示出了：在改性阻氣層的層厚方向上距改性阻氣層表面的距離和相對于改性阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線中，改性阻氣層的Al原子在層厚方向組成連續(xù)變化、特別是從基材側(cè)連續(xù)地增加的區(qū)域A(算出了上述Al分布曲線的斜率的區(qū)域)。如圖2～4所示，改性阻氣層的Al原子在層厚方向組成連續(xù)地變化、特別是從基材側(cè)連續(xù)地增加的區(qū)域A(算出了上述Al分布曲線的斜率的區(qū)域：改性區(qū)域)優(yōu)選具有至少10nm以上的厚度，5nm厚度的變化量優(yōu)選為10at％以下。這是因為改性效果高，濕熱耐性及阻氣性優(yōu)異。在本發(fā)明中，在各構(gòu)成元素分布曲線中的、在所述阻氣層的層厚方向上距所述阻氣層表面的距離和相對于所述阻氣層中的全部元素總量(100at％)的Si分布曲線中，從上述基材側(cè)連續(xù)地減少的區(qū)域B優(yōu)選具有-2at％/nm(SiO2換算)以下的斜率，所述各構(gòu)成元素分布曲線是根據(jù)采用X射線光電子分光法進行的所述阻氣層在深度方向上的元素分布測定而得到的。更優(yōu)選在上述Si分布曲線中，從上述基材側(cè)連續(xù)地減少的區(qū)域B具有-0.5at％/nm(SiO2換算)以上、-2at％/nm(SiO2換算)以下的斜率。如果Si分布曲線的區(qū)域B中的斜率為上述范圍內(nèi)，則與由上述Al原子的漸變結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的作用效果同樣，如表2所示，可以實現(xiàn)有機EL元件等中黑斑等缺陷的大幅度減少，在這一點上是優(yōu)異的(對比參照表2的實施例3(上述范圍內(nèi))和實施例1～2(上述范圍外))。除此之外，即使在長時間暴露于高溫高濕下之后，也幾乎不產(chǎn)生組成變化導(dǎo)致的阻氣性降低(＝如表1所示，具有高的保持率)，保存穩(wěn)定性、特別是苛刻的條件(高溫高濕條件)下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異。需要說明的是，圖2、3中直到橫軸(濺射速度)的大概100nm(SiO2換算)處之前為改性阻氣層，100nm以上相當(dāng)于第1阻氣層。圖4中直到橫軸(濺射速度)的大概80nm(SiO2換算)之前為改性阻氣層，80nm以上相當(dāng)于第1阻氣層。在本發(fā)明中，在相對于上述改性阻氣層中的全部元素的合計量(100at％)的Al分布曲線及Si分布曲線中，優(yōu)選具有Al原子和Si原子交叉的區(qū)域。采用這樣的構(gòu)成時，可以形成阻隔性優(yōu)異的區(qū)域廣泛分布的結(jié)構(gòu)，由此，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性。另外也可以實現(xiàn)有機EL元件等中的黑斑等缺陷的大幅度減少(參照圖2～4)。在本發(fā)明中，相對于改性阻氣層中的全部元素的合計量(100at％)的Al原子的含量為5～50at％、優(yōu)選7～40at％、更優(yōu)選10～30at％的范圍。如果Al原子的含量為5at％以上，則可以形成懸空鍵少的SiAlO區(qū)域，在這一點上是優(yōu)異的。另一方面，如果Al原子的含量為50at％以下，則可緩解熱影響等來自外部的壓力形成的應(yīng)力，在這一點上是優(yōu)異的。其結(jié)果，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性。另外也可以實現(xiàn)有機EL元件等中的黑斑等缺陷的大幅度減少。在本發(fā)明中，相對于改性阻氣層中的全部元素的合計量(100at％)的Si原子的含量為5～50at％、優(yōu)選10～40at％、更優(yōu)選25～40at％的范圍。如果Si原子的含量為5at％以上，則可緩解熱影響等來自外部的壓力形成的應(yīng)力，在這一點上是優(yōu)異的。另一方面，如果Si原子的含量為50at％以下，則可以形成懸空鍵少的SiAlO區(qū)域，在這一點上是優(yōu)異的。其結(jié)果，保存穩(wěn)定性、特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，能夠維持高阻氣性。另外也可以實現(xiàn)有機EL元件等中黑斑等缺陷的大幅度減少。以下，對阻氣層(改性阻氣層及其以外的阻氣層)的制造方法進行說明。阻氣層的制造方法為：在基材上根據(jù)需要形成改性阻氣層以外的阻氣層，形成下層的無機化合物層(阻氣層或阻氣前體層)，在其上利用涂布法形成上層的無機化合物層(阻氣前體層)，照射真空紫外線，形成沒有上下層區(qū)別的改性阻氣層的方法。(下層的無機化合物層(阻氣層)或其前體層的形成)下層的無機化合物層(阻氣層)或其前體層的形成方法沒有特別限制，只要可以形成含有Si的層作為下層的無機化合物層(阻氣層)即可。特別優(yōu)選物理氣相沉積法(PVD法)、化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等真空成膜法(干法)、或?qū)⑼坎己袩o機化合物的液體、優(yōu)選含有硅化合物的液體而形成的涂膜進行改性處理而形成的方法(以下，也簡稱為涂布法)。在不設(shè)置改性阻氣層以外的阻氣層而直接在基材上形成下層的無機化合物層(阻氣層)的情況下，更優(yōu)選物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法。另外，在利用真空成膜法(干法)在基材上設(shè)置改性阻氣層以外的阻氣層的情況下，下層的無機化合物層(阻氣層)的形成方法更優(yōu)選涂布法(濕法)(參照實施例1～3)。另外，下層的前體層(阻氣前體層)的形成方法是指利用涂布法(濕法)直至形成改性之前的涂膜(前體層)的方法。即，可以使用如下方法：在形成下層的階段，形成至改性之前的涂膜(前體層)，其后，在下層的涂膜(前體層)上利用涂布法形成上層的涂膜(前體層)之后，利用后述的改性方法(例如真空紫外線照射處理等)將上下層進行一并改性，由此形成沒有上下層區(qū)別的(沒有界面的)一體化的改性阻氣層(參照實施例3、圖12A、B)。以下，對真空成膜法(干法)及涂布法(濕法)進行說明。＜真空成膜法(干法)＞作為真空成膜法(干法)，大致區(qū)分為物理氣相沉積法(PhysicalVaporDeposition、PVD法)、化學(xué)氣相沉積法(ChemicalVaporDeposition、CVD法)。其中，物理氣相沉積法(PVD法)為在氣相中在物質(zhì)的表面利用物理方法堆積目標物質(zhì)、例如碳膜等薄膜的方法，可列舉例如：濺射法(DC濺射法、RF濺射法、離子束濺射法、及磁控管濺射法等)、蒸鍍法(真空蒸鍍法等)、離子噴鍍法等。作為上述物理氣相沉積法(PVD法)的1種的濺射法為在真空室內(nèi)設(shè)置標靶、使施加高電壓而離子化的稀有氣體元素(通常為氬)與標靶沖突而彈出標靶表面的原子、使其附著于基材的方法。此時，可以使用通過使將氮氣或氧氣在室內(nèi)流動而利用氬氣從標靶彈出的元素與氮或氧反應(yīng)而形成無機層的反應(yīng)性濺射法。另一方面，化學(xué)氣相沉積法(CVD法)為在基材上供給含有目標薄膜的成分的原料氣體、通過基材表面或氣相中的化學(xué)反應(yīng)而堆積成膜的方法。另外，包括以活化化學(xué)反應(yīng)為目的而產(chǎn)生等離子體等的方法等，可列舉：熱CVD法、催化劑化學(xué)氣相沉積法、光CVD法、等離子體CVD法(真空等離子體CVD法、大氣壓或大氣壓附近的壓力下的等離子體CVD法等)等公知的CVD方式等。沒有特別限定，但從制膜速度或處理面積的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用等離子體CVD法。通過上述化學(xué)氣相沉積法(CVD法)中的優(yōu)選方式即等離子體CVD法(例如真空等離子體CVD法、大氣壓或大氣壓附近的壓力下的等離子體CVD法)得到的下層無機化合物層(阻氣層)可以通過選擇作為原材料(也稱為原料)的金屬化合物、分解氣體、分解溫度、投入電力等的條件而制造目標化合物，因此優(yōu)選。例如，如果將硅化合物用作原料化合物，分解氣體使用氧，則生成硅氧化物。這是因為，由于在等離子體空間內(nèi)，非?；钚缘膸щ娏Ｗ印せ钚宰杂苫愿呙芏却嬖?，因此，在等離子體空間內(nèi)非常高速地促進多階段的化學(xué)反應(yīng)，存在于等離子體空間內(nèi)的元素在非常短的時間內(nèi)變換為熱力學(xué)上穩(wěn)定的化合物。作為原料化合物，優(yōu)選使用硅化合物、鈦化合物及鋁化合物。這些原料化合物可以單獨使用，或2種以上組合使用。在此，含有鋁化合物是因為可以在改性阻氣層的下層的范圍內(nèi)具有Al。即，這是因為，在本發(fā)明中，只要在上層和下層之間存在Al原子的梯度即可，因此，即使是下層也含有微量的Al，也可以形成具有Al原子的濃度梯度的構(gòu)成。通過適當(dāng)選擇含有原料化合物的原料氣體和分解氣體，可以得到所期望的下層的無機化合物層(阻氣層)。利用CVD法所形成的下層的無機化合物層(阻氣層)優(yōu)選為含有氧化物、氮化物、氧氮化物或氧碳化物、不含有Al成分的層。以下，對CVD法中的優(yōu)選方式即真空等離子體CVD法具體地進行說明。圖5是表示用于形成本發(fā)明的下層的無機化合物層(阻氣層)的真空等離子體CVD裝置的一個例子的示意圖。圖5中，真空等離子體CVD裝置101具有真空槽102，在真空槽102的內(nèi)部的底面?zhèn)扰渲糜薪邮芷?05。另外，在真空槽102的內(nèi)部的天花板側(cè)，在與接受器105對置的位置上配置有陰極電極103。在真空槽102的外部配置有熱介質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)106、真空排氣系統(tǒng)107、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)108和高頻電源109。在熱介質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)106內(nèi)配置有熱介質(zhì)。在熱介質(zhì)循環(huán)系統(tǒng)106中，設(shè)有加熱冷卻裝置160，其具有使熱介質(zhì)移動的泵、對熱介質(zhì)進行加熱的加熱裝置、進行冷卻的冷卻裝置、測定熱介質(zhì)的溫度的溫度傳感器、和存儲熱介質(zhì)的設(shè)定溫度的存儲裝置。另外，作為本發(fā)明的由CVD法形成的下層的無機化合物層(阻氣層)的優(yōu)選的一個實施方式，優(yōu)選下層的無機化合物層(阻氣層)在構(gòu)成元素中含有碳(C)、硅(Si)及氧(O)。更優(yōu)選的實施方式為滿足以下要件(i)～(iii)的層。但是，以下所示的關(guān)于下層的無機化合物層(阻氣層)的各種要件等歸根結(jié)底是關(guān)于在制造過程中得到的下層的無機化合物層(阻氣層)。在最終的改性阻氣層中，由于無法區(qū)別上下層，因此，不能確定相當(dāng)于下層的無機化合物層(阻氣層)的區(qū)域。因此，以下所示的與下層的無機化合物層(阻氣層)有關(guān)的各種的要件等是為了在形成下層的無機化合物層(阻氣層)之后且在至改性之前(＝制造中途)對在制造過程中形成所期望的下層的無機化合物層(阻氣層)這一點進行測定(抽取適當(dāng)數(shù)的樣品而測定)而設(shè)計的。另一方面，關(guān)于改性阻氣層以外的阻氣層(例如在基材和改性阻氣層之間等所形成的層等)，優(yōu)選使用該下層的無機化合物層(阻氣層)的制造方法、特別是真空成膜法(干法)。關(guān)于這樣的改性阻氣層以外的阻氣層，在阻氣性膜(制造后)中，滿足以下所示的各種的主要條件的層可以說是更優(yōu)選的實施方式。(i)在表示下層的無機化合物層(阻氣層)在膜厚方向上距上述下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離(L)和硅原子的量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的比率(硅的原子比)的關(guān)系的硅分布曲線、表示上述L和氧原子的量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的比率(氧的原子比)的關(guān)系的氧分布曲線、以及表示上述L和碳原子的量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的比率(碳的原子比)的關(guān)系的碳分布曲線中，在上述下層的無機化合物層(阻氣層)膜厚的90％以上(上限：100％)的區(qū)域中，以(氧的原子比)、(硅的原子比)、(碳的原子比)的順序依次增多(原子比為O＞Si＞C)；(ii)上述碳分布曲線具有至少2個極值；(iii)上述碳分布曲線中的碳的原子比的最大值及最小值之差的絕對值(以下，也簡稱為“Cmax-Cmin差”)為3at％以上。以下，對要件(i)～(iii)進行說明。就該下層的無機化合物層(阻氣層)而言，(i)在上述下層的無機化合物層(阻氣層)在膜厚方向上距上述下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離(L)和硅原子的量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的比率(硅的原子比)的關(guān)系的硅分布曲線、表示上述L和氧原子的量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的比率(氧的原子比)的關(guān)系的氧分布曲線、以及表示上述L和碳原子的量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的比率(碳的原子比)的關(guān)系的碳分布曲線中，在上述下層的無機化合物層(阻氣層)膜厚的90％以上(上限：100％)的區(qū)域中，優(yōu)選以(氧的原子比)、(硅的原子比)、(碳的原子比)的順序依次增多(原子比為O＞Si＞C)。滿足上述的要件(i)時，得到的阻氣性膜的阻氣性或彎曲性得以提高。在此，在上述碳分布曲線中，上述(氧的原子比)、(硅的原子比)及(碳的原子比)的關(guān)系更優(yōu)選在下層的無機化合物層(阻氣層)的膜厚的至少90％以上(上限：100％)的區(qū)域內(nèi)得到滿足，更優(yōu)選在至少93％以上(上限：100％)的區(qū)域內(nèi)得到滿足。在此，該下層的無機化合物層(阻氣層)膜厚的至少90％以上可以在下層的無機化合物層(阻氣層)中不連續(xù)，僅僅是在90％以上的部分滿足上述的關(guān)系即可。另外，就該下層的無機化合物層(阻氣層)而言，(ii)優(yōu)選上述碳分布曲線具有至少2個極值。更優(yōu)選該下層的無機化合物層(阻氣層)的上述碳分布曲線至少具有3個極值，進一步優(yōu)選至少具有4個極值，可以具有5個以上。如果上述碳分布曲線的極值為2個以上，則使得到的阻氣性膜被彎曲時的阻氣性得以提高。需要說明的是，碳分布曲線的極值的上限沒有特別限制，例如優(yōu)選為30以下，更優(yōu)選為25以下，極值的數(shù)目也取決于下層的無機化合物層(阻氣層)的膜厚，因此，不能一概規(guī)定。在此，在至少具有3個極值的情況下，上述碳分布曲線所具有的1個極值及與該極值相鄰的極值在上述下層的無機化合物層(阻氣層)的膜厚方向上距上述下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離(L)之差的絕對值(以下，也簡稱為“極值間的距離”)優(yōu)選均為200nm以下，更優(yōu)選為100nm以下，特別優(yōu)選為75nm以下。如果是這種極值間的距離，則在下層的無機化合物層(阻氣層)中以適當(dāng)?shù)闹芷诖嬖谔荚颖壤^多的部位(極大值)，因此，對下層的無機化合物層(阻氣層)賦予適當(dāng)?shù)膹澢裕梢愿行У匾种?、防止阻氣性膜在彎曲時產(chǎn)生裂紋。需要說明的是，本說明書中“極值”是指上述下層的無機化合物層(阻氣層)在膜厚方向上距上述下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離(L)所對應(yīng)的元素的原子比的極大值或極小值。另外，本說明書中“極大值”是指：在距下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離發(fā)生變化時，元素(氧、硅或碳)的原子比的值從增加變?yōu)闇p少的點，并且是從該點起使下層的無機化合物層(阻氣層)在膜厚方向上距下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離進一步在4～20nm的范圍內(nèi)變化后的位置上的元素原子比的值比該點的元素原子比的值減少3at％以上的點。即，在4～20nm的范圍內(nèi)進行變化時，在任一范圍內(nèi)元素的原子比的值減少3at％以上即可。同樣地，本說明書中“極小值”是指：在距下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離發(fā)生變化時，元素(氧、硅或碳)的原子比的值從減少變?yōu)樵黾拥狞c，并且是從該點起使下層的無機化合物層(阻氣層)在膜厚方向上距下層的無機化合物層(阻氣層)的表面的距離進一步在4～20nm的范圍內(nèi)變化后的位置上的元素原子比的值與該點的元素原子比的值相比增加3at％以上的點。即，在4～20nm的范圍內(nèi)變化時，在任一范圍內(nèi)元素的原子比的值增加3at％以上即可。在此，就至少具有3個極值時極值間的距離的下限而言，極值間的距離越小，產(chǎn)生的提高抑制/防止阻氣性膜在彎曲時裂紋產(chǎn)生的效果越高，因此，沒有特別限制，考慮到下層的無機化合物層(阻氣層)的彎曲性、裂紋的抑制/防止效果、熱膨脹性等時，優(yōu)選為10nm以上，更優(yōu)選為30nm以上。另外，就該下層的無機化合物層(阻氣層)而言，(iii)優(yōu)選上述碳分布曲線中的碳原子比的最大值及最小值之差的絕對值(以下，也簡稱為“Cmax-Cmin差”)為3at％以上。如果上述絕對值為3at％以上，則使得到的阻氣性膜被彎曲時的阻氣性得以提高。Cmax-Cmin差更優(yōu)選為5at％以上，進一步優(yōu)選為7at％以上，特別優(yōu)選為10at％以上。通過設(shè)為上述Cmax-Cmin差，可以進一步提高阻氣性。需要說明的是，在本說明書中，“最大值”是指在各元素的分布曲線中達到最大時的各元素的原子比，是在極大值中最高的值。同樣地，在本說明書中，“最小值”是指在各元素的分布曲線中達到最小時的各元素的原子比，是在極小值中最低的值。在此，Cmax-Cmin差的上限沒有特別限制，考慮提高阻氣性膜被彎曲時抑制/防止產(chǎn)生裂紋的效果等，優(yōu)選為50at％以下，更優(yōu)選為40at％以下。在本發(fā)明中，上述下層的無機化合物層(阻氣層)的上述氧分布曲線優(yōu)選至少具有1個極值，更優(yōu)選至少具有2個極值，進一步優(yōu)選至少具有3個極值。上述氧分布曲線至少具有1個極值時，在使得到的阻氣性膜彎曲的情況下，其阻氣性與不具有極值的阻氣性膜相比進一步提高。需要說明的是，氧分布曲線的極值的上限沒有特別限制，例如優(yōu)選為20以下，更優(yōu)選為10以下。在氧分布曲線的極值的數(shù)目中，有一部分是來自下層的無機化合物層(阻氣層)的膜厚的極值，不能一概規(guī)定。另外，在至少具有3個極值的情況下，上述氧分布曲線所具有的1個極值及與該極值相鄰的極值在上述下層的無機化合物層(阻氣層)的膜厚方向上距下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離之差的絕對值優(yōu)選均為200nm以下，更優(yōu)選為100nm以下。如果是這種極值間的距離，則可以更有效地抑制、防止阻氣性膜被彎曲時產(chǎn)生裂紋。在此，至少具有3個極值時，極值間的距離的下限沒有特別限制，考慮到提高阻氣性膜的彎曲時抑制/防止產(chǎn)生裂紋的效果、熱膨脹性等，優(yōu)選為10nm以上，更優(yōu)選為30nm以上。此外，上述下層的無機化合物層(阻氣層)的上述氧分布曲線中的氧原子比的最大值及最小值之差的絕對值(以下，也簡稱為“Omax-Omin差”)優(yōu)選為3at％以上，更優(yōu)選為6at％以上，進一步優(yōu)選為7at％以上。如果上述絕對值為3at％以上，則使得到的阻氣性膜被彎曲時的阻氣性進一步提高。在此，Omax-Omin差的上限沒有特別限制，考慮到提高阻氣性膜被彎曲時抑制/防止產(chǎn)生裂紋的效果等，優(yōu)選為50at％以下，更優(yōu)選為40at％以下。上述硅分布曲線、上述氧分布曲線、上述碳分布曲線及上述氧碳分布曲線可以通過如下的所謂的XPS深度分布測定來制作：組合使用X射線光電子分光法(XPS：XrayPhotoelectronSpectroscopy)的測定和氬等稀有氣體離子濺射，一邊使試樣內(nèi)部逐漸露出，一邊依次進行表面組成分析。通過這種XPS深度分布測定而得到的分布曲線例如可以以將縱軸設(shè)為各元素的原子比(單位：at％)、將橫軸設(shè)為蝕刻時間(濺射時間)制作。需要說明的是，在這樣將橫軸設(shè)為蝕刻時間的元素的分布曲線中，蝕刻時間與上述下層的無機化合物層(阻氣層)在膜厚方向上距上述下層的無機化合物層(阻氣層)表面的距離(L)大致相關(guān)，因此，作為“下層的無機化合物層(阻氣層)在膜厚方向上距下層的無機化合物層(阻氣層)的表面的距離”，可以采用由在XPS深度分布測定時采用的蝕刻速度和蝕刻時間的關(guān)系算出的距離下層的無機化合物層(阻氣層)的表面的距離。需要說明的是，硅分布曲線、氧分布曲線、碳分布曲線及氧碳分布曲線可以在下述測定條件下制作。(測定條件)蝕刻離子種：氬(Ar+)蝕刻速度(SiO2熱氧化膜換算值)：0.05nm/sec蝕刻間隔(SiO2換算值)：10nmX射線光電子分光裝置：ThermoFisherScientific公司制造、機器種類名“VGThetaProbe”照射X射線：單結(jié)晶分光AlKαX射線的點及其尺寸：800×400μm的橢圓形。利用上述的等離子體CVD法所形成的下層的無機化合物層(阻氣層)的膜厚(干燥膜厚)沒有特別限制。例如，該下層的無機化合物層(阻氣層)的每1層的膜厚優(yōu)選為20～3000nm，更優(yōu)選為50～2500nm，特別優(yōu)選為100～1000nm。如果是這樣的膜厚，則阻氣性膜可以發(fā)揮優(yōu)異的阻氣性及彎曲時抑制/防止裂紋產(chǎn)生的效果。需要說明的是，在利用上述的等離子體CVD法所形成的下層的無機化合物層(阻氣層)由2層以上構(gòu)成的情況下，各下層的無機化合物層(阻氣層)優(yōu)選具有如上所述的膜厚。在本發(fā)明中，從在整個膜面形成均勻且具有優(yōu)異的阻氣性的下層的無機化合物層(阻氣層)的觀點出發(fā)，優(yōu)選上述下層的無機化合物層(阻氣層)在膜面方向(與下層的無機化合物層(阻氣層)表面平行的方向)上實質(zhì)上是同樣的。這里，下層的無機化合物層(阻氣層)在膜面方向上實質(zhì)上是同樣的是指：在通過XPS深度分布測定對下層的無機化合物層(阻氣層)的膜面的任意2處測定位置制作上述氧分布曲線、上述碳分布曲線及上述氧碳分布曲線時，在該任意2處測定位置得到的碳分布曲線所具有的極值數(shù)目相同，各個碳分布曲線中的碳的原子比的最大值及最小值之差的絕對值相互相同或是在5at％以內(nèi)的差。另外，在本發(fā)明中，上述碳分布曲線優(yōu)選為實質(zhì)上連續(xù)。在此，碳分布曲線實質(zhì)上連續(xù)是指碳分布曲線中不含有碳原子比不連續(xù)地變化的部分，具體而言，是指在由蝕刻速度和蝕刻時間算出的上述下層的無機化合物層(阻氣層)中的至少1層在膜厚方向上距該下層的無機化合物層(阻氣層)的表面的距離(x、單位：nm)和碳的原子比(C、單位：at％)的關(guān)系中，滿足下述數(shù)學(xué)式1表示的條件。[數(shù)學(xué)式1](dC/dx)≤0.5···數(shù)學(xué)式1在本發(fā)明的阻氣性膜中，全部滿足上述條件(i)～(iii)的下層的無機化合物層(阻氣層)可以僅具備1層，也可以具備2層以上。另外，在具備2層以上這種下層的無機化合物層(阻氣層)的情況下，多個下層的無機化合物層(阻氣層)的材質(zhì)可以相同，也可以不同。在上述硅分布曲線、上述氧分布曲線及上述碳分布曲線中，硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在該下層的無機化合物層(阻氣層)的膜厚的90％以上的區(qū)域中滿足上述(i)表示的條件的情況下，上述下層的無機化合物層(阻氣層)中的硅原子的含量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的原子比率優(yōu)選為20～50at％，更優(yōu)選為25～40at％。另外，上述下層的無機化合物層(阻氣層)中的氧原子的含量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的原子比率優(yōu)選為45～75at％，更優(yōu)選為50～70at％。另外，上述下層的無機化合物層(阻氣層)中的碳原子的含量相對于硅原子、氧原子及碳原子的合計量的原子比率優(yōu)選為0.5～25at％，更優(yōu)選為1～20at％。在本發(fā)明中，下層的無機化合物層(阻氣層)的形成方法沒有特別限制，可以與現(xiàn)有方法同樣地、或適當(dāng)修改后使用。下層的無機化合物層(阻氣層)優(yōu)選通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法、特別是等離子體化學(xué)氣相沉積法(等離子體CVD、PECVD(plasma-enhancedchemicalvapordeposition)，以下，也簡稱為“等離子體CVD法”)形成，更優(yōu)選通過如下等離子體CVD法而形成：將基材配置于一對成膜輥上，在上述一對成膜輥間進行放電而產(chǎn)生等離子體。將基材配置于一對成膜輥上，在上述一對成膜輥間進行放電而產(chǎn)生等離子體，利用這樣的等離子體CVD法，在基材上形成下層的無機化合物層(阻氣層)，以下，對這樣的方法進行說明。《通過等離子體CVD法形成下層的無機化合物層(阻氣層)的方法》作為在基材的表面上形成本發(fā)明的下層的無機化合物層(阻氣層)的方法，從阻氣性的觀點出發(fā)，優(yōu)選采用等離子體CVD法。需要說明的是，上述等離子體CVD法可以為彭寧放電等離子體方式的等離子體CVD法。另外，在等離子體CVD法中產(chǎn)生等離子體時，優(yōu)選在多個成膜輥之間的空間產(chǎn)生等離子體放電，更優(yōu)選使用一對成膜輥，分別在該一對成膜輥上配置基材，在一對成膜輥間進行放電而產(chǎn)生等離子體。這樣，使用一對成膜輥，在該一對成膜輥上配置基材，在上述的一對成膜輥間進行放電，由此，不僅可以將成膜時存在于一個成膜輥上的基材的表面部分進行成膜，同時將存在于另一個成膜輥上的基材的表面部分也同時進行成膜，可以有效地制造薄膜，而且與通常的不使用輥的等離子體CVD法相比，可以將成膜速率加倍，而且，可以將大致相同結(jié)構(gòu)的膜進行成膜，因此，至少可以使上述碳分布曲線中的極值倍增，可以有效地形成全部滿足上述條件(i)～(iii)的層。另外，這樣在一對成膜輥間進行放電時，優(yōu)選使上述一對成膜輥的極性交替地反轉(zhuǎn)。另外，作為這樣的用于等離子體CVD法的成膜氣體，優(yōu)選含有有機硅化合物和氧，該成膜氣體中的氧的含量優(yōu)選為低于為了將上述成膜氣體中的上述有機硅化合物的總量完全氧化所需要的理論氧量。另外，在本發(fā)明的阻氣性膜中，上述下層的無機化合物層(阻氣層)優(yōu)選為通過連續(xù)的成膜工藝而形成的層。另外，就本發(fā)明的阻氣性膜而言，從生產(chǎn)率的觀點出發(fā)，優(yōu)選以卷對卷方式在上述基材的表面上形成上述下層的無機化合物層(阻氣層)。另外，作為在利用這種等離子體CVD法制造下層的無機化合物層(阻氣層)時可以使用的裝置，沒有特別限制，優(yōu)選為至少具備一對成膜輥和等離子體電源，且成為可以在上述一對成膜輥間放電的構(gòu)成的裝置，例如，在使用圖6所示的制造裝置的情況下，也可以利用等離子體CVD法，以卷對卷方式制造。以下，參照圖6，對下述等離子體CVD法的上述下層的無機化合物層(阻氣層)的形成方法，更詳細地進行說明，所述等離子體CVD法中，將基材配置于一對成膜輥上、在上述一對成膜輥間進行放電而產(chǎn)生等離子體。需要說明的是，圖6是表示可以合適地用于通過本制造方法制造下層的無機化合物層(阻氣層)的制造裝置的一例的示意圖。另外，以下的說明及附圖中，對相同或相當(dāng)?shù)囊刭x予相同的符號，并省略重復(fù)說明。圖6所示的制造裝置31具備：送出輥32、輸送輥33、34、35、36、成膜輥39、40、氣體供給管41、等離子體發(fā)生用電源42、設(shè)置于成膜輥39及40的內(nèi)部的磁場發(fā)生裝置43、44和卷繞輥45。另外，在這種制造裝置中，至少成膜輥39、40、氣體供給管41、等離子體發(fā)生用電源42和磁場發(fā)生裝置43、44配置于省略了圖示的真空室內(nèi)。另外，在這種制造裝置31中，上述真空室與省略了圖示的真空泵連接，可以通過上述的真空泵適當(dāng)調(diào)整真空室內(nèi)的壓力。這種制造裝置的具體的形態(tài)(裝置構(gòu)成等)、使用這種制造裝置利用等離子體CVD法形成蒸鍍阻氣層的方法、成膜氣體、成膜條件等具體的形態(tài)例如與日本特開2014-218012號公報的段落“0185”～“0208”及其對應(yīng)附圖、日本特開2014-141056號公報的段落“0091”～“0116”及其對應(yīng)附圖、日本特開2015-47790號公報的段落“0181”～“0201”及其對應(yīng)附圖等中所公開的實施方式同樣，可以適當(dāng)參照。通過使用圖6那樣的制造裝置適當(dāng)調(diào)整例如原料氣體的種類、等離子體發(fā)生裝置的電極鼓的電力、真空室內(nèi)的壓力、成膜輥的直徑、以及膜(基材)的輸送速度，可以在基材的表面上有效地形成滿足上述的(i)～(iii)的主要條件的下層的無機化合物層(阻氣層)。作為從上述氣體供給管41供給至對置空間的成膜氣體(原料氣體等)，可以將原料氣體、反應(yīng)氣體、載氣、放電氣體單獨使用或2種以上混合使用。作為用于形成下層的無機化合物層(阻氣層)3的上述成膜氣體中的原料氣體，可以根據(jù)所形成的下層的無機化合物層(阻氣層)3的材質(zhì)適當(dāng)選擇而使用。作為這種原料氣體，可以使用例如含有硅的有機硅化合物或含有碳的有機化合物氣體。作為這種有機硅化合物，可列舉例如：六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅烷(HMDS)、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、乙烯基三甲基硅烷、甲基三甲基硅烷、六甲基二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、二乙基硅烷、丙基硅烷、苯基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷(TMOS)、四乙氧基硅烷(TEOS)、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、八甲基環(huán)四硅氧烷。在這些有機硅化合物中，從化合物的操作性及得到的下層的無機化合物層(阻氣層)的阻氣性等特性的觀點出發(fā)，優(yōu)選六甲基二硅氧烷、1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。這些有機硅化合物可以單獨使用，或組合2種以上而使用。另外，作為含有碳的有機化合物氣體，例如可以例示甲烷、乙烷、乙烯、乙炔。這些有機硅化合物氣體或有機化合物氣體根據(jù)下層的無機化合物層(阻氣層)3的種類而選擇適當(dāng)?shù)脑蠚怏w。另外，作為上述成膜氣體，除上述原料氣體之外，可以使用反應(yīng)氣體。作為這種反應(yīng)氣體，可以適當(dāng)選擇使用與上述原料氣體反應(yīng)而生成氧化物、氮化物等無機化合物的氣體。作為用于形成氧化物的反應(yīng)氣體，例如可以使用氧、臭氧。另外，作為用于形成氮化物的反應(yīng)氣體，例如可以使用氮、氨。這些反應(yīng)氣體可以單獨使用，或可以組合2種以上而使用，例如在形成氧氮化物的情況下，可以將用于形成氧化物的反應(yīng)氣體和用于形成氮化物的反應(yīng)氣體組合使用。作為上述成膜氣體，為了將上述原料氣體供給至真空室內(nèi)，可以根據(jù)需要使用載氣。另外，作為上述成膜氣體，為了產(chǎn)生等離子體放電，可以根據(jù)需要使用放電用氣體。作為這種載氣及放電用氣體，可以適當(dāng)使用公知的氣體，例如可以使用氦、氬、氖、氙等稀有氣體；氫。在這種成膜氣體含有原料氣體和反應(yīng)氣體的情況下，作為原料氣體和反應(yīng)氣體的比率，為了使原料氣體和反應(yīng)氣體完全反應(yīng)，相比于理論上所需的反應(yīng)氣體的量的比率，優(yōu)選使反應(yīng)氣體的比率不過于過量。通過使反應(yīng)氣體的比率不過于過量，可以利用所形成的下層的無機化合物層(阻氣層)3得到優(yōu)異的阻隔性或耐彎曲性，在這一點上是優(yōu)異的。另外，在上述成膜氣體含有上述有機硅化合物和氧的情況下，優(yōu)選為使上述成膜氣體中的上述有機硅化合物的總量完全氧化所需要的理論氧量以下。另外，真空室內(nèi)的壓力(真空度)可以根據(jù)原料氣體的種類等而適當(dāng)調(diào)整，但優(yōu)選設(shè)為0.5Pa～50Pa的范圍。另外，在這種等離子體CVD法中，為了在成膜輥39和成膜輥40之間進行放電，對連接于等離子體發(fā)生用電源42的電極鼓(在本實施方式中，被設(shè)置于成膜輥39及40)施加的電力可以根據(jù)原料氣體的種類或真空室內(nèi)的壓力等而適當(dāng)調(diào)整，不能一概而論，優(yōu)選設(shè)為0.1～10kW的范圍。如果這種施加電力為100W以上，則可以充分地抑制粒子的產(chǎn)生，另一方面，如果其為10kW以下，則可以抑制在成膜時產(chǎn)生的熱量，可以抑制成膜時的基材表面的溫度上升。因此，基材不會發(fā)生熱損傷，可以防止在成膜時產(chǎn)生皺褶，在這一點上是優(yōu)異的?；?的輸送速度(線速度)可以根據(jù)原料氣體的種類或真空室內(nèi)的壓力等而適當(dāng)調(diào)整，但優(yōu)選設(shè)為0.25～100m/min的范圍，更優(yōu)選設(shè)為0.5～20m/min的范圍。如果線速度為0.25m/min以上，則可以在基材中有效地抑制熱導(dǎo)致的皺褶的產(chǎn)生。另一方面，如果其為100m/min以下，則不損害生產(chǎn)率，可以確保作為下層的無機化合物層(阻氣層)的充分的膜厚，在這一點上是優(yōu)異的。如上所述，作為本實施方式的更優(yōu)選方式，其中，將本發(fā)明的下層的無機化合物層(阻氣層)通過使用了具有圖6所示的對置輥電極的等離子體CVD裝置(卷對卷方式)的等離子體CVD法進行成膜。這是因為，在使用具有對置輥電極的等離子體CVD裝置(卷對卷方式)批量生產(chǎn)的情況下，可以有效地制造撓性(彎曲性)優(yōu)異、機械強度、特別是卷對卷的輸送時的耐久性和阻隔性能并存的下層的無機化合物層(阻氣層)。這種制造裝置可以廉價且容易地批量生產(chǎn)太陽能電池或電子零件等中所使用的要求對溫度變化的耐久性的阻氣性膜，在這一點上也是優(yōu)異的。＜涂布法＞本發(fā)明的下層的無機化合物層(阻氣層)例如可以通過將涂布含有無機化合物的液體、優(yōu)選含有硅化合物的液體而形成的涂膜進行改性處理而形成的方法(涂布法)來形成。在構(gòu)成改性阻氣層的下層的無機化合物層(阻氣層)的形成中使用涂布法的情況下，優(yōu)選如實施例1～3的圖11、圖12所示的層構(gòu)成那樣，在基材上(緊鄰的上部)形成改性阻氣層以外的阻氣層。作為上述的改性阻氣層以外的阻氣層的形成方法，優(yōu)選與上述的下層的無機化合物層(阻氣層)的形成方法同樣的真空成膜法(干法)，更優(yōu)選物理氣相沉積法或化學(xué)氣相沉積法，特別優(yōu)選利用等離子體CVD法形成。因此，關(guān)于改性阻氣層以外的阻氣層的形成方法，與利用上述的真空成膜法(干法)的下層的無機化合物層(阻氣層)的形成方法同樣，因此，在此省略說明。以下，作為利用涂布法形成下層的無機化合物層(阻氣層)的方法，以作為無機化合物的硅化合物為例列舉進行說明，但上述無機化合物并不限定于硅化合物，只要可以形成含有Si的層作為下層的無機化合物層(阻氣層)即可。(硅化合物)作為上述硅化合物，只要可以制備含有硅化合物的涂布液即可，沒有特別限定。具體而言，可以列舉例如：全氫聚硅氮烷(PHPS)、有機聚硅氮烷、倍半硅氧烷、四甲基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、六甲基二硅氮烷、1,1-二甲基-1-硅雜環(huán)丁烷、三甲基乙烯基硅烷、甲氧基二甲基乙烯基硅烷、三甲氧基乙烯基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、二甲基二乙烯基硅烷、二甲基乙氧基乙炔基硅烷、二乙酰氧基二甲基硅烷、二甲氧基甲基-3,3,3-三氟丙基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、芳基三甲氧基硅烷、乙氧基二甲基乙烯基硅烷、芳基氨基三甲氧基硅烷、N-甲基-N-三甲基甲硅烷基乙酰胺、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙烯基硅烷、二乙酰氧基甲基乙烯基硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷、芳氧基二甲基乙烯基硅烷、二乙基乙烯基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基二甲基乙氧基硅烷、四乙烯基硅烷、三乙酰氧基乙烯基硅烷、四乙酰氧基硅烷、3-三氟乙酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二芳基二甲氧基硅烷、丁基二甲氧基乙烯基硅烷、三甲基-3-乙烯基硫丙基硅烷、苯基三甲基硅烷、二甲氧基甲基苯基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基二甲氧基甲基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二甲基異戊氧基乙烯基硅烷、2-芳氧基乙硫基甲氧基三甲基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-芳基氨基丙基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、二甲基乙氧基苯基硅烷、苯甲酰氧基三甲基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基二甲氧基甲基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、二甲基乙氧基-3-環(huán)氧丙氧基丙基硅烷、二丁氧基二甲基硅烷、3-丁基氨基丙基三甲基硅烷、3-二甲基氨基丙基二乙氧基甲基硅烷、2-(2-氨基乙硫基乙基)三乙氧基硅烷、雙(丁基氨基)二甲基硅烷、二乙烯基甲基苯基硅烷、二乙酰氧基甲基苯基硅烷、二甲基對甲苯基乙烯基硅烷、對苯乙烯基三甲氧基硅烷、二乙基甲基苯基硅烷、芐基二甲基乙氧基硅烷、二乙氧基甲基苯基硅烷、癸基甲基二甲氧基硅烷、二乙氧基-3-環(huán)氧丙氧基丙基甲基硅烷、辛氧基三甲基硅烷、苯基三乙烯基硅烷、四芳氧基硅烷、十二烷基三甲基硅烷、二芳基甲基苯基硅烷、二苯基甲基乙烯基硅烷、二苯基乙氧基甲基硅烷、二乙酰氧基二苯基硅烷、二芐基二甲基硅烷、二芳基二苯基硅烷、十八烷基三甲基硅烷、甲基十八烷基二甲基硅烷、二十二烷基甲基二甲基硅烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氮烷、1,4-雙(二甲基乙烯基甲硅烷基)苯、1,3-雙(3-乙酰氧基丙基)四甲基二硅氧烷、1,3,5-三甲基-1,3,5-三乙烯基環(huán)三硅氧烷、1,3,5-三(3,3,3-三氟丙基)-1,3,5-三甲基環(huán)三硅氧烷、八甲基環(huán)四硅氧烷、1,3,5,7-四乙氧基-1,3,5,7-四甲基環(huán)四硅氧烷、十甲基環(huán)五硅氧烷等。這些硅化合物可以單獨使用或組合使用2種以上。其中，從成膜性、裂紋等缺陷少、殘留有機物少的觀點考慮，優(yōu)選全氫聚硅氮烷、有機聚硅氮烷等聚硅氮烷、倍半硅氧烷等聚硅氧烷等，從阻氣性能高、即使在彎曲時及高溫高濕條件下也能保持阻隔性能方面考慮，更優(yōu)選聚硅氮烷，特別優(yōu)選全氫聚硅氮烷。聚硅氮烷為具有硅-氮鍵的聚合物，即具有Si-N、Si-H、N-H等鍵的SiO2、Si3N4、以及兩者的中間固溶體SiOxNy等陶瓷前體無機聚合物。具體而言，聚硅氮烷優(yōu)選具有下述通式(I)的結(jié)構(gòu)。[化學(xué)式1]通式(I)：-[Si(R1)(R2)-N(R3)]n-在上述通式(I)中，R1、R2及R3分別獨立地為氫原子、取代或非取代的烷基、芳基、乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基。這里，R1、R2及R3可以相同，或者也可以分別不同。這里，作為烷基，可以列舉：碳原子數(shù)1～8的直鏈、支鏈或環(huán)狀的烷基。更具體而言，有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。另外，作為芳基，可以列舉：碳原子數(shù)6～30的芳基。更具體而言，可以列舉：苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基等非稠合烴基；并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、亞聯(lián)苯基、芴基、苊烯基、七曜烯基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、醋菲烯基、醋蒽烯基、三亞苯基、芘基、基、并四苯基等稠合多環(huán)烴基。作為(三烷氧基甲硅烷基)烷基，可以列舉：具有被碳原子數(shù)1～8的烷氧基取代的甲硅烷基的碳原子數(shù)1～8的烷基。更具體而言，可以列舉：3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基、3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基等。在上述R1～R3中根據(jù)情況而存在的取代基沒有特別限制，例如有烷基、鹵原子、羥基(-OH)、巰基(-SH)、氰基(-CN)、磺基(-SO3H)、羧基(-COOH)、硝基(-NO2)等。需要說明的是，根據(jù)情況而存在的取代基與取代的R1～R3不相同。例如，在R1～R3為烷基的情況下，不會進一步被烷基取代。其中，優(yōu)選R1、R2及R3為氫原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、苯基、乙烯基、3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基或3-(三甲氧基甲硅烷基丙基)基。另外，在上述通式(I)中，n為整數(shù)，優(yōu)選以具有通式(I)所示的結(jié)構(gòu)的聚硅氮烷具有150～150,000g/摩爾的數(shù)均分子量的方式來確定。在具有上述通式(I)所示的結(jié)構(gòu)的化合物中，優(yōu)選的方式之一是R1、R2及R3均為氫原子的全氫聚硅氮烷(PHPS)。需要說明的是，可以在本發(fā)明中使用的聚硅氮烷的具體化合物、改性處理前的涂膜層中的聚硅氮烷含量、含有聚硅氮烷的涂布液中所含有的聚硅氮烷以外的無機前體化合物可以適當(dāng)采用例如：國際公開號WO2015/053405A1的段落“0168”(中記載的日本特開2013-226758號公報的段落“0038”～“0052”)～“0172”、日本特開2015-033764號公報的段落“0050”～“0075”、日本特開2014-218012號公報的段落“0105”～“0117”中記載的形式(化合物)等。使用聚硅氮烷的情況下，作為改性處理(例如，等離子體處理、紫外線照射處理等)前的下層無機化合物層(阻氣前體層)中的聚硅氮烷的含有率，在將下層無機化合物層(阻氣前體層)的總質(zhì)量設(shè)為100質(zhì)量％時，可以為100質(zhì)量％。另外，在真空紫外線照射處理(改性處理)前的下層無機化合物層(阻氣前體層)含有聚硅氮烷以外的物質(zhì)的情況下，該前體層中的聚硅氮烷的含有率優(yōu)選為10質(zhì)量％以上且99質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為40質(zhì)量％以上且95質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為70質(zhì)量％以上且95質(zhì)量％以下。如上所述的利用下層無機化合物層(阻氣層)的涂布法的形成方法沒有特別限制，可以應(yīng)用公知的方法，優(yōu)選利用公知的濕式涂布方法涂布在有機溶劑中含有硅化合物及根據(jù)需要而含有的催化劑的下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液，使該溶劑蒸發(fā)除去，并接著進行改性處理的方法。(下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液)作為用于制備下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液的溶劑，只要是可以溶解硅化合物的溶劑即可，沒有特別限制，例如，可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0109”、“0185”、日本特開2014-218012號公報的段落“0118”～“0119”中記載的形式(溶劑)等。下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液中的硅化合物的濃度沒有特別限制，根據(jù)層的膜厚、涂布液的適用期而不同，優(yōu)選為1～80質(zhì)量％，更優(yōu)選為5～50質(zhì)量％，特別優(yōu)選為10～40質(zhì)量％。為了促進改性，下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液優(yōu)選含有催化劑。作為可應(yīng)用于本發(fā)明的催化劑，優(yōu)選堿性催化劑，特別可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0111”、日本特開2014-218012號公報的段落“0121”中記載的形式(催化劑)等。作為此時添加的催化劑的濃度，以硅化合物為基準時，優(yōu)選為0.1～10質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.5～7質(zhì)量％的范圍。通過將催化劑添加量設(shè)為該范圍，可以避免因反應(yīng)的急劇進行而導(dǎo)致過量硅烷醇的形成、以及膜密度的降低、膜缺陷的增大等。在下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液中，可以根據(jù)需要使用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0112”、日本特開2014-218012號公報的段落“0124”中列舉的添加劑。另外，如日本特開2005-231039號公報中記載的那樣，可以在下層無機化合物層(阻氣層)的形成中使用溶膠凝膠法。在利用溶膠凝膠法形成作為改性層的下層無機化合物層(阻氣層)時所使用的涂布液優(yōu)選含有硅化合物、以及聚乙烯醇類樹脂及乙烯-乙烯醇共聚物中的至少1種。另外，涂布液優(yōu)選含有溶膠凝膠法催化劑、酸、水、以及有機溶劑。在溶膠凝膠法中，通過使用這樣的涂布液進行縮聚來得到作為改性層的下層無機化合物層(阻氣層)。作為硅化合物，優(yōu)選使用通式RAOSi(ORB)p所示的醇鹽。這里，RA和RB分別獨立地表示碳數(shù)1～20的烷基，O表示0以上的整數(shù)，p表示1以上的整數(shù)。作為上述烷氧基硅烷的具體例子，可以使用例如：四甲氧基硅烷(Si(OCH3)4)、四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)、四丙氧基硅烷(Si(OC3H7)4)、四丁氧基硅烷(Si(OC4H9)4)等。在涂布液中，在組合使用聚乙烯醇類樹脂和乙烯-乙烯醇共聚物的情況下，作為各自的配合比例，優(yōu)選以質(zhì)量比計為聚乙烯醇類樹脂︰乙烯-乙烯醇共聚物＝10︰0.05～10︰6。另外，相對于上述硅化合物的總量100質(zhì)量份，聚乙烯醇類樹脂和/或乙烯-乙烯醇共聚物在涂布液中的含量為5～500質(zhì)量份的范圍，優(yōu)選以約20～200質(zhì)量份的配合比例進行制備。作為聚乙烯醇類樹脂，通常可以使用將聚乙酸乙烯酯皂化而得到的物質(zhì)。作為上述聚乙烯醇類樹脂，可以是殘留了數(shù)十百分比乙酸基的部分皂化聚乙烯醇類樹脂、未殘留乙酸基的完全皂化聚乙烯醇，或者將OH基改性而成的改性聚乙烯醇類樹脂的任一種。作為聚乙烯醇類樹脂的具體例子，可以使用株式會社可樂麗制造的KURARAYPOVAL(注冊商標)、日本合成化學(xué)工業(yè)株式會社制的GOHSENOL(注冊商標)等。另外，在本發(fā)明中，作為乙烯-乙烯醇共聚物，可以使用乙烯與乙酸乙烯酯的共聚物的皂化物、即將乙烯-乙酸乙烯酯無規(guī)共聚物進行皂化而得到的物質(zhì)。具體而言，包含從殘留了數(shù)十摩爾％乙酸基的部分皂化物至僅殘留了數(shù)摩爾％乙酸基或未殘留乙酸基的完全皂化物，沒有特別限定，但是從阻氣性的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用皂化度為80摩爾％以上、更優(yōu)選為90摩爾％以上、進一步優(yōu)選為95摩爾％以上的物質(zhì)。另外，源自上述乙烯-乙烯醇共聚物中的乙烯的重復(fù)單元的含量(以下也稱為“乙烯含量”)通常為0～50摩爾％，優(yōu)選為20～45摩爾％。作為上述乙烯-乙烯醇共聚物的具體例子，可以使用株式會社可樂麗制造的EVAL(注冊商標)EP-F101(乙烯含量；32摩爾％)、日本合成化學(xué)工業(yè)株式會社制造的Soarnol(注冊商標)D2908(乙烯含量；29摩爾％)等。溶膠凝膠法催化劑主要作為縮聚催化劑，可以使用實質(zhì)上不溶于水，且可溶于有機溶劑的叔胺。具體而言，可以使用例如：N,N-二甲基芐胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、其它等。另外，作為酸，上述溶膠凝膠法的催化劑主要用于醇鹽或硅烷偶聯(lián)劑等的水解的催化劑。作為上述酸，可以使用例如：硫酸、鹽酸、硝酸等無機酸、以及乙酸、酒石酸等有機酸等。另外，相對于上述醇鹽的總摩爾量1摩爾，涂布液中可以含有0.1～100摩爾、優(yōu)選0.8～2摩爾的比例的水。作為利用溶膠凝膠法的涂布液中所使用的有機溶劑，可以適當(dāng)采用例如國際公開號WO2015/053405A1的段落“0114”中記載的形式(溶劑)等。另外，在利用溶膠凝膠法的涂布液中也可以添加例如硅烷偶聯(lián)劑等。(涂布下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液的方法)作為涂布下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液的方法，可以采用現(xiàn)有公知的適當(dāng)?shù)臐袷酵坎挤椒?。作為具體例子，可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0201”、日本特開2014-218012號公報的段落“0125”中記載的形式(涂布方法)等。涂布厚度可以根據(jù)目的適當(dāng)設(shè)定。例如，對于下層無機化合物層(阻氣層)每1層的涂布厚度而言，優(yōu)選干燥后的厚度為10nm～10μm左右，更優(yōu)選為15nm～1μm，進一步優(yōu)選為20～500nm。如果膜厚為10nm以上，則能夠得到足夠的阻隔性，如果為10μm以下，則能夠在層形成時獲得穩(wěn)定的涂布性，且可以實現(xiàn)較高的光線透射性。優(yōu)選在涂布了涂布液后使涂膜干燥。通過干燥涂膜，可以除去涂膜中含有的有機溶劑等溶劑。此時，對于涂膜中含有的溶劑而言，可以使全部溶劑干燥，也可以殘留一部分。在殘留一部分溶劑的情況下，也可以得到合適的下層無機化合物層(阻氣層)。需要說明的是，殘留的溶劑可以在以后除去。涂膜的干燥溫度根據(jù)應(yīng)用的基材而不同，優(yōu)選為50～200℃。例如，在使用玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為70℃的聚對苯二甲酸乙二醇酯基材作為基材的情況下，干燥溫度可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0117”、日本特開2014-218012號公報的段落“0129”中記載的形式(溫度)等。干燥時間優(yōu)選設(shè)定為短時間，例如，在干燥溫度為150℃的情況下，優(yōu)選設(shè)定為30分鐘以內(nèi)。另外，干燥氣體氛圍可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0117”、日本特開2014-218012號公報的段落“0129”中記載的形式(氣體氛圍)等。涂布下層無機化合物層(阻氣層)形成用涂布液而得到的涂膜還可以包含在改性處理前或改性處理中除去水分的工序。作為除去水分的方法，可以適當(dāng)采用例如國際公開號WO2015/053405A1的段落“0118”中記載的形式等。＜通過涂布法形成的下層無機化合物層(阻氣層)的改性處理＞本發(fā)明中的通過涂布法形成的下層無機化合物層(阻氣層)的改性處理是指硅化合物向氧化硅或氧氮化硅等的轉(zhuǎn)化反應(yīng)，具體而言是指阻氣性膜作為整體形成能夠有助于表顯出阻氣性(水蒸氣透過率為1×10-3g/m2·day以下)水平的無機薄膜的處理。這樣的改性處理只要應(yīng)用于下層無機化合物層(阻氣前體層)即可(參照實施例1、2)，可以統(tǒng)一應(yīng)用于上下層的無機化合物層(阻氣前體層)(參照實施例3)。該情況下，在形成下層無機化合物層(阻氣前體層)之后，不進行改性處理，通過涂布法形成上層無機化合物層(阻氣前體層)，然后統(tǒng)一進行上下層的改性處理，由此，可以形成上下層沒有的區(qū)別的改性阻氣層(參照實施例3)。硅化合物向氧化硅或氧氮化硅等的轉(zhuǎn)化反應(yīng)可以適當(dāng)選擇公知的方法來應(yīng)用。作為改性處理，具體而言，可以列舉：等離子體處理、紫外線照射處理、加熱處理。其中，在利用加熱處理進行改性的情況下，在利用硅化合物的取代反應(yīng)進行的氧化硅膜或氧氮化硅層的形成中需要450℃以上的高溫，因此對于塑料等柔性基板而言難以適應(yīng)。因此，熱處理優(yōu)選與其它改性處理組合進行。因此，作為改性處理，從適應(yīng)塑料基板的觀點考慮，優(yōu)選在更低溫下能夠進行轉(zhuǎn)化反應(yīng)的、利用等離子體處理或紫外線照射處理的轉(zhuǎn)化反應(yīng)。(等離子體處理)在本發(fā)明中，能夠用作改性處理的等離子體處理是指對涂膜照射等離子體，并進行改性(轉(zhuǎn)化反應(yīng))的處理，可以使用公知的方法，可以優(yōu)選列舉大氣壓等離子體處理等。進行大氣壓附近的等離子體CVD處理的大氣壓等離子體CVD法與真空下的等離子體CVD法相比，不僅不需要減壓，生產(chǎn)率高，而且等離子體密度為高密度，因此，成膜速度快，而且與通常的CVD法的條件相比，在大氣壓下這樣的高壓力條件下，氣體的平均自由程非常短，因此，能得到極均質(zhì)的膜。在大氣壓等離子體處理的情況下，作為放電氣體，可以適當(dāng)采用氮氣或含有長周期式周期表的第18族原子的氣體，具體而言，可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0123”中記載的形式等。(加熱處理)通過對含有硅化合物的涂膜進行其它改性處理、優(yōu)選后面敘述的準分子照射處理等，并組合進行加熱處理，從而能夠高效地進行改性處理。另外，在使用溶膠凝膠法形成層的情況下，優(yōu)選使用加熱處理。作為加熱條件，優(yōu)選為50～300℃、更優(yōu)選為70～200℃的溫度，優(yōu)選為0.005～60分鐘、更優(yōu)選為0.01～10分鐘，通過加熱/干燥來進行縮合，從而可以形成下層無機化合物層(阻氣層)。作為加熱處理，可以適當(dāng)采用例如國際公開號WO2015/053405A1的段落“0116”中記載的形式等。作為加熱處理時的涂膜的溫度，優(yōu)選適當(dāng)調(diào)整為50～250℃的范圍，更優(yōu)選為50～120℃的范圍。另外，作為加熱時間，優(yōu)選1秒鐘～10小時的范圍，更優(yōu)選10秒鐘～1小時的范圍。(紫外線照射處理)作為改性處理的方法之一，優(yōu)選利用紫外線照射進行的處理。通過紫外線(與紫外光含義相同)生成的臭氧、活性氧原子具有較高的氧化能力，可以在低溫下形成具有高致密性和絕緣性的氧化硅膜或氧氮化硅膜。通過該紫外線照射，基材被加熱，有助于陶瓷化(二氧化硅轉(zhuǎn)化)的O2和H2O、紫外線吸收劑、聚硅氮烷自身被激發(fā)、活化，因此，激發(fā)聚硅氮烷，促進聚硅氮烷的陶瓷化，而且得到的下層無機化合物層(阻氣層)進一步變得致密。如果在涂膜形成后進行紫外線照射，則在任一時刻實施均是有效的。在紫外線照射處理中，也可以使用通常使用的任一種紫外線發(fā)生裝置。需要說明的是，本發(fā)明中所謂的紫外線通常是指具有10～400nm的波長電磁波，但在后面敘述的真空紫外線(10～200nm)處理以外的紫外線照射處理時，優(yōu)選使用210～375nm的紫外線。紫外線的照射優(yōu)選在擔(dān)載有被照射的下層無機化合物層(阻氣層)的基材不受損傷的范圍內(nèi)設(shè)定照射強度、照射時間。如果以使用塑料膜作為基材的情況為例，則例如，使用2kW(80W/cm×25cm)的燈，可以以使基材表面的強度成為20～300mW/cm2、優(yōu)選50～200mW/cm2的方式來設(shè)定基材-紫外線照射燈之間的距離，進行0.1秒鐘～10分鐘的照射。作為這樣的紫外線的產(chǎn)生裝置，可以列舉例如：金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、氙弧燈、碳弧燈、準分子燈(172nm、222nm、308nm的單一波長、例如Ushio電機株式會社制或株式會社M.D.Com制等)、UV光激光等，沒有特別限定。另外，在對下層無機化合物層(阻氣層)照射產(chǎn)生的紫外線時，從實現(xiàn)效率提高和均勻照射的觀點考慮，優(yōu)選用反射板使來自發(fā)生源的紫外線反射后再照射下層無機化合物層(阻氣層)。紫外線照射所需要的時間取決于使用的基材、下層無機化合物層(阻氣層)的組成、濃度，通常為0.1秒鐘～10分鐘，優(yōu)選為0.5秒鐘～3分鐘。(真空紫外線照射處理：準分子照射處理)在本發(fā)明中，最優(yōu)選的改性處理方法為利用真空紫外線照射進行的處理(準分子照射處理)。利用真空紫外線照射進行的處理是指如下方法：使用比聚硅氮烷化合物內(nèi)的原子間鍵合力大的100～200nm的光能，優(yōu)選使用100～180nm波長的光能，一邊通過被稱為光量子工藝的僅由光子引起的作用來直接切斷原子的鍵，一邊進行活性氧或臭氧引起的氧化反應(yīng)，由此在較低的溫度(約200℃以下)下進行氧化硅膜的形成。需要說明的是，在進行準分子照射處理時，優(yōu)選如上所述組合進行熱處理，這時的熱處理條件的詳細如上所述。本發(fā)明中的放射線源只要產(chǎn)生100～180nm波長的光、優(yōu)選產(chǎn)生100～180nm的波長的光即可，優(yōu)選為在約172nm處具有最大輻射的準分子輻射器(例如Xe準分子燈)、在約185nm處具有輝線的低壓水銀蒸氣燈、及具有230nm以下的波長成分的中壓和高壓水銀蒸氣燈、以及在約222nm處具有最大輻射的準分子燈。在紫外線照射時的反應(yīng)中需要氧，但由于真空紫外線具有由氧引起的吸收，因此紫外線照射工序中的效率容易降低，因此，真空紫外線的照射優(yōu)選盡可能在氧濃度及水蒸氣濃度低的狀態(tài)下進行。即，照射真空紫外線時的氧濃度優(yōu)選為10～20,000體積ppm，更優(yōu)選為50～10,000體積ppm。另外，轉(zhuǎn)化工藝之間的水蒸氣濃度優(yōu)選為1000～4000體積ppm的范圍。在真空紫外線照射工序中，涂有聚硅氮烷涂膜(下層阻氣前體層)的涂膜面的該真空紫外線的照度優(yōu)選為1mW/cm2～10W/cm2，更優(yōu)選為30mW/cm2～200mW/cm2，進一步優(yōu)選為50mW/cm2～160mW/cm2。在1mW/cm2以上時，可以得到足夠的改性效率，在10W/cm2以下時，不容易對涂膜產(chǎn)生燒蝕，不容易對基材造成損傷。涂膜面的真空紫外線的照射能量(累積光量)優(yōu)選為10～10000mJ/cm2，更優(yōu)選為100～8000mJ/cm2，進一步優(yōu)選為200～6000mJ/cm2。在10mJ/cm2以上時，可以充分地進行改性。在10000mJ/cm2以下時，不容易發(fā)生因過度改性導(dǎo)致的裂紋、不容易發(fā)生基材熱變形。另外，用于改性的真空紫外光可以通過由含有CO、CO2及CH4中的至少一種氣體形成的等離子體而產(chǎn)生。而且，含有CO、CO2及CH4中的至少一種氣體(以下，也稱為含碳氣體)可以單獨使用含碳氣體，但優(yōu)選以稀有氣體或H2為主要氣體并少量添加含碳氣體。作為等離子體的生成方式，可以列舉電容耦合等離子體等。對于推定在作為優(yōu)選方式的硅化合物為全氫聚硅氮烷(PHPS)的情況下，于真空紫外線照射工序中由全氫聚硅氮烷產(chǎn)生氧氮化硅，進而產(chǎn)生氧化硅的反應(yīng)機理，可以參照例如國際公開號WO2015/053405A1的段落“0220”～“0228”、日本特開2015-033764號公報的段落“0125”～“0133”的記載。作為二氧化硅轉(zhuǎn)化率(SiOx中的x)的測定方法，可以使用例如XPS法進行測定。下層無機化合物層(阻氣層)的膜組成可以通過使用XPS表面分析裝置測定原子組成比來測定。另外，也可以通過切斷下層無機化合物層(阻氣層)、并用XPS表面分析裝置對切割面測定原子組成比來測定。在該情況下，作為分析用樣品，可以在基材上形成下層無機化合物層(阻氣層)，對下層無機化合物層(阻氣層)的膜組成(原子組成比)進行測定。另外，下層無機化合物層(阻氣層)的膜密度可以根據(jù)目的適當(dāng)設(shè)定。例如，下層無機化合物層(阻氣層)的膜密度優(yōu)選為1.5～2.6g/cm3的范圍。在該范圍內(nèi)時，膜的致密度進一步提高，不容易發(fā)生阻隔性變差、由濕度導(dǎo)致的膜的氧化劣化。該下層無機化合物層(阻氣層)可以為單層，也可以為2層以上的疊層結(jié)構(gòu)。在該下層無機化合物層(阻氣層)為2層以上的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，各個下層無機化合物層(阻氣層)可以為相同的組成，也可以為不同的組成。另外，在下層無機化合物層(阻氣層)為2層以上的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，下層無機化合物層(阻氣層)可以僅由通過真空成膜法形成的層構(gòu)成，也可以僅由通過涂布法形成的層構(gòu)成，還可以為通過真空成膜法形成的層與通過涂布法形成的層的組合。另外，從應(yīng)力松弛性、吸收后面敘述的用于上層無機化合物層(阻氣層)的形成的紫外線等觀點考慮，上述下層無機化合物層(阻氣層)優(yōu)選含有氮元素或碳元素。通過含有這些元素而具有應(yīng)力松弛、紫外線吸收等性質(zhì)，可以得到上下層沒有區(qū)別的改性阻氣層的改性區(qū)域的保存穩(wěn)定性優(yōu)異、特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異、能夠保持高阻氣性等效果，因此優(yōu)選。下層無機化合物層(阻氣層)中的化學(xué)組成可以通過形成下層無機化合物層(阻氣層)時硅化合物等種類和量、以及將含有硅化合物的層進行改性時的條件等來進行控制。(下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層)通過上述形成方法得到的下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層優(yōu)選不含有Al原子而含有具有Si原子的無機化合物，優(yōu)選為含有20～50at％的Si原子的層。作為下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層所含有的無機化合物，沒有特別限定，可以列舉例如：金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物或金屬碳氧化物。其中，從阻氣性能的方面考慮，可以優(yōu)選使用含有選自Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce及Ta中的1種以上的金屬的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或碳氧化物等，更優(yōu)選選自Si、Al、In、Sn、Zn及Ti中的金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物，特別優(yōu)選Si和Al的至少1種氧化物、氮化物或氮氧化物。這里，含有Al是由于在改性阻氣層的下層的范圍內(nèi)可以具有Al。即，這是因為，在本發(fā)明中，由于Al原子可以在上層與下層之間存在梯度，因此，即使下層含有微量的Al，也可以形成具有Al原子的濃度梯度的結(jié)構(gòu)。作為優(yōu)選的無機化合物，具體而言可以列舉：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅、氧化鋁、或氧化鈦、或硅酸鋁等復(fù)合體。作為次要的成分，還可以含有其它元素。這里，下層無機化合物層(阻氣層)的前體層(阻氣前體層)是指利用涂布法進行改性之前的狀態(tài)。即，在下層無機化合物層(阻氣層)的形成階段中，停留在前體層的狀態(tài)下，然后利用涂布法形成上層無機化合物層(阻氣層)的前體層，然后通過上述改性方法(例如，真空紫外線照射處理等)將上下層統(tǒng)一進行改性，由此可以形成上下層沒有的區(qū)別的改性阻氣層(參照實施例3、圖12A、B)。下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層中含有的無機化合物的含量沒有特別限定，在下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層中優(yōu)選為50質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為80質(zhì)量％以上，進一步優(yōu)選為95質(zhì)量％以上，特別優(yōu)選為98質(zhì)量％以上，最優(yōu)選為100質(zhì)量％(即，下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層由無機化合物構(gòu)成)。下層無機化合物層(阻氣層)通過含有無機化合物而具有阻氣性。這里，通過在基材上形成了下層無機化合物層(阻氣層)而得到的疊層體(樣品)計算下層無機化合物層(阻氣層)的阻氣性時，水蒸氣透過度(WVTR)優(yōu)選為0.1g/(m2·day)以下，更優(yōu)選為0.01g/(m2·day)以下。(改性阻氣層以外的阻氣層及其形成方法)在本發(fā)明中，如實施例1～3的圖11B、圖12B所示，可以含有改性阻氣層以外的阻氣層。從提高基材與改性阻氣層的密合性、阻氣性、耐濕熱性等的觀點考慮，該改性阻氣層以外的阻氣層優(yōu)選在基材與改性阻氣層之間形成。該阻氣層優(yōu)選含有與下層無機化合物層(阻氣層)相同的無機化合物。另外，該阻氣層優(yōu)選在上述的下層無機化合物層(阻氣層)形成方法中使用真空成膜法(干法)形成，其中優(yōu)選使用等離子體CVD法形成。而且，在通過真空成膜法(干法)形成的阻氣層上形成的下層無機化合物層(阻氣層)優(yōu)選使用涂布法(濕法)來形成(參照實施例1～3)。即，關(guān)于改性阻氣層以外的阻氣層的結(jié)構(gòu)、特性及詳細的形成方法，如上述的下層無機化合物層(阻氣層)及其形成方法中說明的那樣，因此，在此省略其說明。(上層無機化合物層(阻氣前體層)和改性阻氣層的形成方法)根據(jù)本發(fā)明的方法，上層無機化合物層(阻氣前體層)的形成及形成改性阻氣層的工序包括：通過涂布法制備含有Al的涂布液的階段；在上述下層的阻氣層或其前體層上涂布上述涂布液而形成涂膜(上層的阻氣前體層)的階段；以及對上述涂膜照射真空紫外線而對上層的阻氣前體層(在下層為前體層的情況下，包含該前體層)進行改性的階段(改性阻氣層形成階段)。以下，對這樣的上層無機化合物層(阻氣前體層)和改性阻氣層的形成方法進行說明。＜制備涂布液的階段＞對于涂布液而言，(i)可以使用含有上述的下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層的形成方法的涂布法中使用的無機化合物的液體，可以優(yōu)選使用在含有硅化合物的液體中混合了含有Al的金屬化合物的涂布液A?；蛘?ii)可以使用涂布液B而不使用含有無機化合物的液體，所述涂布液B使用了含有Al的金屬化合物(參照實施例1～3)。(i)涂布液A的制備方法對于涂布液A而言，首先，制備在溶劑中含有無機化合物的液體，優(yōu)選在溶劑中將硅化合物、含有Al的金屬化合物和根據(jù)需要添加的催化劑混合并使其反應(yīng)，制備涂布液A(上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A)。以下，作為無機化合物，列舉硅化合物(特別是聚硅氮烷)為例進行說明，但上述無機化合物并不限定于硅化合物，只要能夠形成上層無機化合物層(阻氣前體層)即可。硅化合物的具體例子與上述“下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層的形成”項中說明的內(nèi)容相同，因此這里省略其說明。其中，從成膜性、裂紋等缺陷少、殘留有機物少的觀點考慮，優(yōu)選全氫聚硅氮烷、有機聚硅氮烷等聚硅氮烷、倍半硅氧烷等聚硅氧烷等，從阻氣性能高、在彎曲時及高溫高濕條件下也能保持阻隔性能的觀點考慮，更優(yōu)選聚硅氮烷，特別優(yōu)選全氫聚硅氮烷。作為含有Al的金屬化合物，可以列舉含有鋁(Al)，根據(jù)需要進一步含有如下長周期式周期表的第2～14族元素的化合物，例如：鈹(Be)、硼(B)、鎂(Mg)、硅(Si)、鈣(Ca)、鈧(Sc)、鈦(Ti)、釩(V)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、鍺(Ge)、鍶(Sr)、釔(Y)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、锝(Tc)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎘(Cd)、銦(In)、錫(Sn)、鋇(Ba)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、镥(Lu)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、鎢(W)、錸(Re)、鋨(Os)、銥(Ir)、鉑(Pt)、金(Au)、汞(Hg)、鉈(Tl)、鉛(Pb)、鐳(Ra)等。其中，可以優(yōu)選使用鋁(Al)化合物、或同時含有Al和鈦(Ti)、鐵(Fe)或銅(Cu)的化合物。這些金屬優(yōu)選容易與聚硅氮烷中的氮原子形成配位鍵的元素，更優(yōu)選路易斯酸性高的Al、或與Al同時組合使用Ti、Fe或Cu。作為含有Al的金屬化合物(鋁化合物)，可以列舉例如：乙醇鋁、三異丙醇鋁、異丙醇鋁、正丁醇鋁、仲丁醇鋁、叔丁醇鋁、乙酰丙酮鋁、三仲丁醇三乙基二鋁等。但是，并不限制于這些，從能夠進一步更高效地形成高性能的上層阻氣前體層、進而形成改性阻氣層的觀點考慮，優(yōu)選使用至少含有Al元素的金屬醇鹽化合物，或者使用至少含有Al元素、具有β-二酮作為配體的螯合物化合物。作為β-二酮，可以列舉例如：乙酰丙酮、2,4-己二酮、3,5-庚二酮、2,4-辛二酮、2,4-癸二酮、2,4-十三烷二酮、5,5-二甲基-2,4-己二酮、2,2-二甲基-3,5-壬二酮、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮、1,3-環(huán)戊二酮、1,3-環(huán)己二酮、1-環(huán)己基-1,3-丁二酮等。作為含有Al元素的金屬醇鹽化合物的更具體的例子，可以列舉例如：三甲醇鋁、三乙醇鋁、三正丙醇鋁、三異丙醇鋁、三正丁醇鋁、三仲丁醇鋁、三叔丁醇鋁、乙酰烷氧基鋁二異丙醇鹽、二異丙醇單仲丁醇鋁、異丙氧基氧化鋁三聚物(aluminumoxideisopropoxidetrimmer)、辛酸氧化鋁三聚物(aluminumoxideoctylatetrimmer)等。作為可與含有Al元素的金屬醇鹽化合物組合使用的其它金屬醇鹽化合物的更具體的例子，可以列舉例如：硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、硼酸三正丙酯、硼酸三異丙酯、硼酸三正丁酯、硼酸三叔丁酯、乙醇鎂、乙氧基乙醇鎂、甲氧基乙醇鎂、甲醇鈣、乙醇鈣、異丙醇鈣、四甲醇鈦、四乙醇鈦、四正丙醇鈦、四異丙醇鈦、四正丁醇鈦、四異丁醇鈦、二異丙醇二正丁醇鈦、二叔丁醇二異丙醇鈦、四叔丁醇鈦、四異辛醇鈦、四硬脂醇鹽鈦、三異丁醇氧化釩、正丙醇鉻、異丙醇鉻、甲醇錳、甲醇鐵、乙醇鐵、正丙醇鐵、異丙醇鐵、異丙醇鈷、甲醇銅、乙醇銅、異丙醇銅、乙醇鋅、乙氧基乙醇鋅、甲氧基乙醇鋅、甲醇鎵、乙醇鎵、異丙醇鎵、甲醇鍺、乙醇鍺、異丙醇鍺、正丁醇鍺、叔丁醇鍺、乙基三乙氧基鍺、異丙醇鍶、正丙醇釔、異丙醇釔、乙醇鋯、正丙醇鋯、異丙醇鋯、丁醇鋯、叔丁醇鋯、乙醇鈮、正丁醇鈮、叔丁醇鈮、乙醇鉬、異丙醇銦、異丙醇銦、正丁醇銦、甲氧基乙醇銦、正丁醇錫、叔丁醇錫、二異丙醇鋇、叔丁醇鋇、異丙醇鑭、甲氧基乙醇鑭、正丁醇鈰、叔丁醇鈰、甲氧基乙醇鐠、甲氧基乙醇釹、異丙醇釤、乙醇鉿、正丁醇鉿、叔丁醇鉿、甲醇鉭、乙醇鉭、正丁醇鉭、丁醇鉭、乙醇鎢、乙醇鉈、以及具有下述結(jié)構(gòu)的化合物等。[化學(xué)式2]其中，n＝1～10的整數(shù)。另外，作為金屬醇鹽化合物，可以使用倍半硅氧烷。倍半硅氧烷(Silsesquioxane)是主鏈骨架為由Si-O鍵構(gòu)成的硅氧烷類的化合物，被稱為T樹脂，通常的二氧化硅用通式[SiO2]表示，與此相對，倍半硅氧烷(也稱為聚倍半硅氧烷)是通式[RSiO1.5]所示的化合物。通常是通過將以四乙氧基硅烷為代表的四烷氧基硅烷(Si(OR’)4)的1個烷氧基取代為烷基或芳基的化合物(RSi(OR’)3)的水解-縮聚而合成的聚硅氧烷，作為分子排列的形狀，代表性的有無定形、梯狀、籠狀(完全縮合籠狀)。倍半硅氧烷可以進行合成或是市售品。作為后者的具體例子，可以列舉：X-40-2308、X-40-9238、X-40-9225、X-40-9227、X-40-9246、KR-500、KR-510(均為信越化學(xué)株式會社制造)、SR2400、SR2402、SR2405、FOX14(全氫倍半硅氧烷)(均為DowCorningToray公司制造)、SST-H8H01(全氫倍半硅氧烷)(Gelest公司制造)等。在這些金屬醇鹽化合物當(dāng)中，從反應(yīng)性、溶解性等觀點考慮，優(yōu)選具有支鏈狀的烷氧基的化合物，更優(yōu)選具有2-丙氧基或仲丁氧基的化合物。在具有β-二酮作為配體的螯合物化合物中，作為含有Al元素的螯合物化合物的更具體的例子，可以列舉例如：乙酰丙酮鋁、乙酰乙酸乙基鋁二異丙酯(ALCH)、乙酰乙酸乙基鋁二正丁酯、二乙酰乙酸乙基鋁單正丁酯、三乙酰丙酮鋁、三乙酰乙酸乙基鋁、雙(乙酰乙酸乙基)(2,4-戊二酮)鋁、乙酰乙酸烷基鋁二異丙酯等。在具有β-二酮作為配體的螯合物化合物當(dāng)中，作為可與上述含有Al元素的螯合物化合物組合使用的其它螯合物化合物的更具體的例子，可以列舉例如：乙酰丙酮鈹、乙酰丙酮鎂、乙酰丙酮鈣、乙酰丙酮合鈧、二異丙氧基雙(乙酰丙酮)鈦、四乙酰丙酮鈦、三(2,4-戊二酮)鉻、三(2,4-戊二酮)錳、三(2,4-戊二酮)鐵、三(2,4-戊二酮)鈷、乙酰丙酮鎳、二(2,4-戊二酮)銅、乙酰丙酮鎵、乙酰丙酮釔、四(2,4-戊二酮)鋯、乙酰丙酮鉬、乙酰丙酮鈀、乙酰丙酮銀、乙酰丙酮鎘、三(2,4-戊二合)銦、乙酰丙酮錫、乙酰丙酮鋇、乙酰丙酮鑭、乙酰丙酮鈰、乙酰丙酮鐠、乙酰丙酮釹、乙酰丙酮釤、乙酰丙酮銪、乙酰丙酮釓、乙酰丙酮鋱、乙酰丙酮鈥、乙酰丙酮鐿、乙酰丙酮镥、乙酰丙酮鉿、四甲氧基乙酰丙酮鉭、乙酰丙酮銥、二羰基乙酰丙酮銥、乙酰丙酮鉈、乙酰丙酮鉛等。在具有β-二酮作為配體的螯合物化合物當(dāng)中，優(yōu)選具有乙酰丙酮基的金屬化合物。乙酰丙酮基通過羰基結(jié)構(gòu)而與醇鹽化合物的中心元素具有相互作用，因此操作性變得容易，因此優(yōu)選。從反應(yīng)性、膜組成的觀點考慮，更優(yōu)選具有多種上述醇鹽基或乙酰丙酮基的化合物。特別是上述含有Al的金屬化合物選自鋁的醇鹽化合物或具有β-二酮作為配體的螯合物化合物、或者與鋁同時組合使用鈦、鐵或銅的醇鹽化合物或具有β-二酮作為配體的螯合物化合物。作為這些金屬醇鹽化合物或具有β-二酮作為配體的螯合物化合物的中心元素，優(yōu)選容易與聚硅氮烷中的氮原子形成配位鍵的元素，更優(yōu)選路易斯酸性高的Al、或與Al同時組合使用Ti、Fe或Cu。具體而言，進一步優(yōu)選的鋁的醇鹽化合物為三仲丁醇鋁或二異丙醇單仲丁醇鋁。可以與這些鋁的醇鹽化合物同時組合使用作為其它醇鹽化合物的四異丙醇鈦。具體而言，進一步優(yōu)選的具有β-二酮作為配體的含有Al元素的螯合物化合物為乙酰乙酸乙基鋁二異丙酯(ALCH)、乙酰乙酸乙基鋁二正丁酯、或者二乙酰乙酸乙基鋁單正丁酯。可以與這些含有Al元素的螯合物化合物組合使用作為其它螯合物化合物的二異丙氧基雙(乙酰丙酮)鈦、雙(2,4-戊二酮)銅(II)(乙酰丙酮銅)、三(2,4-戊二酮)鐵(III)(乙酰丙酮鐵)。上述的金屬醇鹽化合物或具有β-二酮作為配體的螯合物化合物可以使用市售品，也可以使用合成品。作為市售品的具體例子，例如作為金屬醇鹽化合物，可以列舉：AMD(二異丙醇單仲丁醇鋁)、ASBD(仲丁醇鋁)、Plenact(注冊商標)AL-M(乙酰烷氧基鋁二異丙酯、味之素精細化學(xué)株式會社制造)、ORGATIX系列(MatsumotoFineChemical公司制造)等。作為市售的具有β-二酮作為配體的螯合物化合物，可以列舉：ALCH(乙酰乙酸乙基鋁二異丙酯)、ALCH-TR(三乙酰乙酸乙基鋁)、鋁螯合物M(乙酰乙酸烷基鋁二異丙酯)、鋁螯合物D(雙乙酰乙酸乙基單乙酰丙酮鋁)、鋁螯合物A(W)(三乙酰丙酮鋁)(以上為川研精細化學(xué)株式會社制造)、ORGATIX系列(MatsumotoFineChemical公司制造)等。作為用于制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A的溶劑，只要能夠溶解上述硅化合物(特別是聚硅氮烷)及含有Al的金屬化合物即可，沒有特別限制，優(yōu)選不含容易與硅化合物(特別是聚硅氮烷)反應(yīng)的水及反應(yīng)性基團(例如羥基或胺基等)，且相對于硅化合物(特別是聚硅氮烷)為惰性的有機溶劑，更優(yōu)選非質(zhì)子性的有機溶劑。具體而言，作為溶劑可以列舉：非質(zhì)子性溶劑；例如：戊烷、2,2,4-三甲基戊烷、己烷、環(huán)己烷、甲苯、二甲苯、Solvesso、Turpentine等脂肪族烴、脂環(huán)族烴、芳香族烴等烴類溶劑；二氯甲烷、三氯乙烷等鹵代烴溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；丙酮、甲乙酮等酮類；二丁醚、二烷、四氫呋喃、單亞烷基二醇二烷基醚及聚亞烷基二醇二烷基醚(二甘醇二甲醚類)等脂肪族醚、脂環(huán)族醚等醚類等。上述溶劑可以單獨使用，或以2種以上的混合物的形式使用。另外，上述溶劑優(yōu)選在使用之前預(yù)先使氧濃度、水分含量降低。降低溶劑中的氧濃度、水分含量的方法沒有特別限定，可以應(yīng)用現(xiàn)有公知的方法。上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A中的硅化合物(特別是聚硅氮烷)的濃度沒有特別限制，根據(jù)層的膜厚、涂布液的適用期而不同，優(yōu)選為1～80質(zhì)量％，更優(yōu)選為5～50質(zhì)量％，特別優(yōu)選為10～40質(zhì)量％。另外，對于含有Al的金屬化合物的添加量而言，相對于硅化合物(特別是聚硅氮烷)中的硅(Si)的元素量，優(yōu)選Al元素量為5～20摩爾％。對于含有Al的金屬化合物的添加量而言，相對于硅化合物(特別是聚硅氮烷)中的硅原子(Si)，Al元素量更優(yōu)選為5～15摩爾％，進一步優(yōu)選為7～15摩爾％。在為5摩爾％以上時，可以得到在高溫高濕下具有更優(yōu)異的保存穩(wěn)定性的阻氣性膜。在為20摩爾％以下時，可以提高上層無機化合物層(阻氣前體層)的阻氣性，進而提高改性阻氣層的阻氣性。在使用2種以上的鋁的金屬化合物的情況下，優(yōu)選它們中含有的Al元素的總量為上述范圍。對于含有Al的金屬化合物的添加量而言，相對于硅化合物(特別是聚硅氮烷)中的硅(Si)的元素量，優(yōu)選Al以外的金屬元素量為10摩爾％以下。對于含有Al的金屬化合物的添加量而言，相對于硅化合物(特別是聚硅氮烷)中的硅原子(Si)，Al以外的金屬元素量更優(yōu)選為5摩爾％以下，進一步優(yōu)選為1摩爾％以下。即，下限為0摩爾％(不含有Al以外的金屬的形式)。在為10摩爾％以下時，可以得到上層無機化合物層(阻氣前體層)的阻氣性提高，進而改性阻氣層的阻氣性提高，且在高溫高濕下具有更優(yōu)異的保存穩(wěn)定性的阻氣性膜。在使用含有2種以上的Al的金屬化合物的情況下，優(yōu)選它們中含有的Al以外的金屬元素的總量為上述范圍。為了促進改性，上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A優(yōu)選含有催化劑。作為可以應(yīng)用于涂布液A的催化劑，優(yōu)選堿性催化劑，特別是可以列舉：N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、三乙醇胺、三乙胺、3-嗎啉基丙胺、N,N,N’,N’-四甲基-1,3-二氨基丙烷、N,N,N’,N’-四甲基-1,6-二氨基己烷(TMDAH)等胺催化劑、乙酰丙酮Pt等Pt化合物、丙酸Pd等Pd化合物、乙酰丙酮Rh等Rh化合物等金屬催化劑、N-雜環(huán)化合物。其中，優(yōu)選使用胺催化劑。作為此時添加的催化劑的濃度，以硅化合物(特別是聚硅氮烷)作為基準時，優(yōu)選為0.1～10質(zhì)量％、更優(yōu)選0.5～7質(zhì)量％的范圍。通過將催化劑添加量設(shè)為該范圍，可以避免因反應(yīng)的劇烈進行導(dǎo)致過量硅烷醇的形成、以及膜密度的降低、膜缺陷的增大等。需要說明的是，在這些催化劑當(dāng)中，胺催化劑也可以起到作為上述添加化合物的作用。在上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A中，可以根據(jù)需要使用下面列舉的添加劑。例如，纖維素醚類、纖維素酯類；例如，乙基纖維素、硝基纖維素、乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素等、天然樹脂；例如，橡膠、松香樹脂等、合成樹脂；例如，聚合樹脂等、縮合樹脂；例如，氨基塑料、特別是尿素樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯或改性聚酯、環(huán)氧化物、聚異氰酸酯或嵌段化聚異氰酸酯、聚硅氧烷等。在上層無機化合物層(阻氣前體層)的形成方法中，優(yōu)選在水分濃度(水蒸氣濃度)為100體積ppm以下、優(yōu)選進一步氧濃度為200體積ppm以下的環(huán)境下，使硅化合物(特別是聚硅氮烷)與含有Al的金屬化合物發(fā)生反應(yīng)而制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A。但是，即使水分濃度(水蒸氣濃度)、氧濃度在上述范圍以外，只要在不損害本發(fā)明的作用效果的范圍內(nèi)，就可以足夠作為希望的上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A而使用。硅化合物(特別是聚硅氮烷)通過吸收真空紫外光(～180nm)而進行反應(yīng)，形成致密的阻氣層。但是，在制備涂布液A的階段，如果硅化合物(特別是聚硅氮烷)與環(huán)境中的水分、氧發(fā)生反應(yīng)，則在照射真空紫外光的階段就已經(jīng)處于進行了氧化反應(yīng)的狀態(tài)，因此不能充分地吸收真空紫外光?？梢哉J為這是由于，硅化合物(特別是聚硅氮烷)的Si-N吸收真空紫外光，但在硅化合物(特別是聚硅氮烷)的Si-N發(fā)生反應(yīng)而成為Si-O時，由于在能量上變得穩(wěn)定，因此變得不吸收真空紫外光。在上述專利文獻2所記載的方法中，在制備涂布液的階段，可以通過醇類、大氣中的水分的作用來進行聚硅氮烷的氧化反應(yīng)。在該情況下，由于在照射真空紫外光之前已經(jīng)進行氧化反應(yīng)，因此不能充分地吸收真空紫外光，在改性阻氣層中會殘留Si-N。如果在改性阻氣層中殘留Si-N，則在高溫高濕下會進行反應(yīng)，阻氣性會降低。根據(jù)本發(fā)明的上層無機化合物層(阻氣前體層)及改性阻氣層的形成方法，通過在水分濃度(水蒸氣濃度)為100體積ppm以下、優(yōu)選進一步氧濃度為200體積ppm以下的環(huán)境下，使硅化合物(特別是聚硅氮烷)與含有Al的金屬化合物發(fā)生反應(yīng)來制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A，能夠抑制制備液體時硅化合物(特別是聚硅氮烷)與水分、氧的反應(yīng)。其結(jié)果是可以有效地吸收真空紫外光，因此能夠降低在真空紫外光的照射后形成的改性阻氣層中殘留的Si-N。由此，在可以得到高溫高濕下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異的阻氣性膜這一點上是優(yōu)異的。根據(jù)上層無機化合物層(阻氣前體層)及改性阻氣層的形成方法，優(yōu)選在水分濃度(水蒸氣濃度)為100體積ppm以下、優(yōu)選進一步氧濃度也為200體積ppm以下的環(huán)境下，使硅化合物(特別是聚硅氮烷)與含有Al的金屬化合物反應(yīng)來制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A。在水分濃度(水蒸氣濃度)超過100體積ppm時，存在因水分的作用而促進涂布液A中硅化合物(特別是聚硅氮烷)的氧化反應(yīng)的隱患。另外，在氧濃度超過200體積ppm時，存在在制備液體時因環(huán)境中的氧而進行涂布液A中硅化合物(特別是聚硅氮烷)的氧化反應(yīng)的隱患。但是，即使如上所述，即使水分濃度(水蒸氣濃度)、氧濃度在上述范圍以外，只要在不損害本發(fā)明的作用效果的范圍內(nèi)，就可以足夠作為上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A而使用。硅化合物(特別是聚硅氮烷)與含有Al的金屬化合物的反應(yīng)可以在水分濃度(水蒸氣濃度)優(yōu)選為0～50體積ppm、更優(yōu)選為0～30體積ppm的環(huán)境下進行。另外，更優(yōu)選硅化合物(特別是聚硅氮烷)與含有Al的金屬化合物的反應(yīng)可以在氧濃度優(yōu)選為0～100體積ppm、更優(yōu)選0～30體積ppm的環(huán)境下進行。這樣的環(huán)境可以通過準備對水分濃度(水蒸氣濃度)及氧濃度進行了控制的手套箱等制備液體設(shè)備來實現(xiàn)。作為在上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A在制備時所使用的充滿氣體氛圍的氣體，優(yōu)選為干燥非活性氣體。作為非活性氣體，可以例示出氮、氬、氦等，特別是從成本的觀點考慮，優(yōu)選為干燥氮氣。氧濃度的調(diào)整可以通過對導(dǎo)入手套箱等制備液體設(shè)備的氧氣、非活性氣體的流量進行測定，并改變流量比來調(diào)整。氣體氛圍中的水分濃度(水蒸氣濃度)可以通過例如使用分子篩等干燥劑的干燥來降低。另外，氣體氛圍中的氧濃度可以通過例如金屬銅利用催化劑等進行反應(yīng)、吸附于脫氧劑等方法來降低。在制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A時，優(yōu)選在有機溶劑中將硅化合物(特別是聚硅氮烷)、含有Al的金屬化合物和根據(jù)需要添加的催化劑進行混合，進行加熱并攪拌而使其反應(yīng)。制備液體溫度依賴于使用的溶劑，優(yōu)選為30～100℃，更優(yōu)選為40～90℃，進一步優(yōu)選為50～80℃。在制備液體溫度為30℃以上時，硅化合物(特別是聚硅氮烷)與含有Al的金屬化合物的反應(yīng)高效地進行，因此能夠得到高溫高濕下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異的阻氣性膜。另一方面，在制備液體溫度為100℃以下時，可以抑制硅化合物(特別是聚硅氮烷)彼此的交聯(lián)反應(yīng)，因此優(yōu)選。反應(yīng)時間沒有特別限制，優(yōu)選為10分鐘～10小時，更優(yōu)選為30分鐘～4小時，進一步優(yōu)選為1～2小時。在反應(yīng)時間為10分鐘以上時，硅化合物(特別是聚硅氮烷)與含有Al的金屬化合物的反應(yīng)充分地進行，因此能夠得到保存穩(wěn)定性優(yōu)異的阻氣性膜。另一方面，在反應(yīng)時間為10小時以下時，可以抑制聚硅氮烷彼此的交聯(lián)反應(yīng)，因此優(yōu)選。(ii)涂布液B的制備方法對于涂布液B而言，在溶劑中不使用含有無機化合物的液體，而將含有Al的金屬化合物和根據(jù)需要添加的催化劑進行混合來制備涂布液B(上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B)(參照實施例1～3)。關(guān)于涂布液B的制備方法，除了在涂布液A中不使用含有無機化合物(優(yōu)選為硅化合物)的液體以外，與上述“涂布液A的制備方法”項中說明的內(nèi)容相同，因此在此省略其說明或簡化其說明。首先，在涂布液B中，作為含有Al的金屬化合物，與“涂布液A的制備方法”項中說明的內(nèi)容相同，因此在此省略具體說明。即，在涂布液B中，從能夠更高效地形成高性能的上層阻氣前體層、進而形成改性阻氣層的觀點考慮，作為含有Al的金屬化合物，可以優(yōu)選使用至少含有Al元素的金屬醇鹽化合物、或者至少含有Al元素且具有β-二酮作為配體的螯合物化合物。另外，作為用于涂布液B的溶劑，由于不使用上述硅化合物(特別是聚硅氮烷)，因此只要可以溶解含有Al的金屬化合物即可，特別限制，可以使用與“涂布液A的制備方法”項中說明的能夠用于涂布液A的溶劑相同的溶劑。省略對這些溶劑的具體說明。另外，作為用于涂布液B的溶劑，除了上述能夠用于涂布液A的溶劑以外，不含有無機化合物(特別是硅化合物)，因此可以列舉例如：醇類溶劑、酮類溶劑、酰胺類溶劑、酯類溶劑、非質(zhì)子性溶劑等。這里，作為醇類溶劑，優(yōu)選甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、仲戊醇、叔戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、仲己醇、2-乙基丁醇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丙基醚、丙二醇單丁基醚等。作為酮類溶劑，除了可以列舉：丙酮、甲乙酮、甲基正丙基酮、甲基正丁基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、甲基正戊基酮、乙基正丁基酮、甲基正己基酮、二異丁基酮、三甲基壬酮、環(huán)己酮、2-己酮、甲基環(huán)己酮、2,4-戊二酮、丙酮基丙酮、苯乙酮、葑酮(fenchone)等以外，還可以列舉：乙酰丙酮、2,4-己二酮、2,4-庚二酮、3,5-庚二酮、2,4-辛二酮、3,5-辛二酮、2,4-壬二酮、3,5-壬二酮、5-甲基-2,4-己二酮、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮、1,1,1,5,5,5-六氟-2,4-庚二酮等β-二酮類等。這些酮類溶劑可以單獨使用，或者組合2種以上使用。作為酰胺類溶劑，可以列舉：甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N-乙基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-乙基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N-甲?；鶈徇?、N-甲?；哙ぁ-甲?；量┩?、N-乙?；鶈徇-乙?；哙?、N-乙酰基吡咯烷等。這些酰胺類溶劑可以單獨使用，或者組合2種以上使用。作為酯類溶劑，可以列舉：碳酸二乙酯、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、碳酸二乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、γ-丁內(nèi)酯、γ-戊內(nèi)酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸正戊酯、乙酸仲戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸芐酯、乙酸環(huán)己酯、乙酸甲基環(huán)己酯、乙酸正壬酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單正丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、甲氧基三乙二醇乙酸酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、鄰苯二甲酸二甲酯、鄰苯二甲酸二乙酯等。這些酯類溶劑可以單獨使用，或者組合2種以上使用。作為非質(zhì)子性溶劑，可以列舉：乙腈、二甲基亞砜、N,N,N’,N’-四乙基磺酰胺、六甲基磷酸三酰胺、N-甲基嗎啉酮、N-甲基吡咯、N-乙基吡咯、N-甲基哌啶、N-乙基哌啶、N,N-二甲基哌嗪、N-甲基咪唑、N-甲基-4-哌啶酮、N-甲基-2-哌啶酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,3-二甲基四氫-2(1H)-嘧啶酮等。這些非質(zhì)子系溶劑可以單獨使用，或組合2種以上而使用。作為用于涂布液B的有機溶劑，在上述有機溶劑中優(yōu)選醇類溶劑。另外，上述溶劑優(yōu)選在使用之前預(yù)先使氧濃度、水分含量降低。降低溶劑中的氧濃度、水分含量的方法沒有特別限定，可以應(yīng)用現(xiàn)有公知的方法。上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B中的含有Al的金屬化合物的濃度只要能夠有效地表現(xiàn)出本發(fā)明的作用效果即可，沒有特別限制，由上下層的中間區(qū)域(界面區(qū)域)的改性引起的伴有Al原子在膜厚方向形成濃度梯度的下層缺陷修復(fù)效果、阻氣性提高效果所帶來的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，可以提供能夠保持高阻隔性的阻氣性膜。從上述觀點考慮，涂布液B中含有Al的金屬化合物的濃度因?qū)拥哪ず?、涂布液B的適用期而不同，優(yōu)選為0.5～20質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.7～10質(zhì)量％，特別優(yōu)選為1～8質(zhì)量％。在含有Al的金屬化合物為0.5質(zhì)量％以上，可以得到在高溫高濕下具有更優(yōu)異的保存穩(wěn)定性的阻氣性膜。在含有Al的金屬化合物為20質(zhì)量％以下時，可以提高上層無機化合物層(阻氣前體層)的阻氣性，進而提高改性阻氣層的阻氣性。在使用2種以上的鋁的金屬化合物的情況下，優(yōu)選它們中含有的Al元素的總量為上述范圍。為了促進改性，上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B優(yōu)選含有催化劑。作為能夠應(yīng)用于涂布液B的催化劑，可以使用與“涂布液A的制備方法”項中說明的能夠應(yīng)用于涂布液A的催化劑相同的催化劑。省略對這些催化劑的具體說明。作為此時添加的催化劑的濃度，以含有Al的金屬化合物為基準時，優(yōu)選為0.1～10質(zhì)量％、更優(yōu)選0.5～7質(zhì)量％的范圍。通過將催化劑添加量設(shè)為該范圍，可以避免上下層的界面區(qū)域內(nèi)的反應(yīng)劇烈進行導(dǎo)致過量硅烷醇的形成、以及膜密度的降低、膜缺陷的增大等。需要說明的是，在這些催化劑當(dāng)中，胺催化劑也可以起到作為上述添加化合物的作用。在上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B中，可以根據(jù)需要使用下面列舉的添加劑。作為可以根據(jù)需要用于涂布液B的添加劑，可以使用與在“涂布液A的制備方法”項中說明的可以根據(jù)需要用于涂布液A的添加劑相同樣的添加劑。省略對這些添加劑的具體說明。在上層無機化合物層(阻氣前體層)的形成方法中，優(yōu)選在水分濃度(水蒸氣濃度)為100體積ppm以下、優(yōu)選進一步氧濃度為200體積ppm以下的環(huán)境下，在溶劑中添加含有Al的金屬化合物，并進行混合攪拌來制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B。但是，即使水分濃度(水蒸氣濃度)、氧濃度在上述范圍以外，只要在不損害本發(fā)明的作用效果的范圍內(nèi)，就可以足夠作為希望的上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B而使用。根據(jù)本發(fā)明的上層無機化合物層(阻氣前體層)及改性阻氣層的形成方法，在水分濃度(水蒸氣濃度)為100體積ppm以下、優(yōu)選進一步氧濃度為200體積ppm以下的環(huán)境下，在溶劑中添加含有Al的金屬化合物，并進行混合攪拌來制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B，由此能夠抑制制備液體時混入水分、氧，進而抑制與水分、氧的反應(yīng)。其結(jié)果是可以有效地吸收真空紫外光，因此能夠降低在真空紫外光的照射后形成的改性阻氣層中(特別是中間區(qū)域)中殘留的Si-N。由此，在可以得到高溫高濕下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異的阻氣性膜這一點上是優(yōu)異的。根據(jù)本發(fā)明的上層無機化合物層(阻氣前體層)及改性阻氣層的形成方法，優(yōu)選在水分濃度(水蒸氣濃度)為100體積ppm以下、優(yōu)選進一步氧濃度為200體積ppm以下的環(huán)境下，在溶劑中添加含有Al的金屬化合物，并進行混合攪拌來制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B。在水分濃度(水蒸氣濃度)超過100體積ppm時，存在因水分的作用而促進涂布液B中的成分的氧化反應(yīng)的隱患。另外，在氧濃度超過200體積ppm時，存在在制備液體時因環(huán)境中的氧而在涂布液B中混入氧的隱患。但是，如上所述，即使水分濃度(水蒸氣濃度)、氧濃度在上述范圍以外，只要在不損害本發(fā)明的作用效果的范圍內(nèi)，就可以足夠作為上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B而使用。在涂布液B的制備時，可以在水分濃度(水蒸氣濃度)優(yōu)選為0～50體積ppm、更優(yōu)選為0～30體積ppm的環(huán)境下進行。更優(yōu)選在涂布液B的制備時，可以在氧濃度優(yōu)選為0～100體積ppm、更優(yōu)選0～30體積ppm的環(huán)境下進行即可。這樣的環(huán)境可以通過準備對水分濃度(水蒸氣濃度)及氧濃度進行了控制的手套箱等制備液體設(shè)備來實現(xiàn)。作為上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B的制備時所使用的充滿氣體氛圍的氣體，優(yōu)選為干燥非活性氣體。作為非活性氣體，可以例示出氮、氬、氦等，特別是從成本的觀點考慮，優(yōu)選為干燥氮氣。氧濃度的調(diào)整可以通過對導(dǎo)入手套箱等制備液體設(shè)備的氧氣、非活性氣體的流量進行測定，并改變流量比來調(diào)整。氣體氛圍中的水分濃度(水蒸氣濃度)可以通過例如使用分子篩等干燥劑的干燥來降低。另外，氣體氛圍中的氧濃度可以通過例如金屬銅利用催化劑等進行反應(yīng)、吸附于脫氧劑等方法來降低。在制備上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B時，在有機溶劑中不使用硅化合物(特別是聚硅氮烷)。因此，只要將含有Al的金屬化合物和根據(jù)需要添加的催化劑進行混合攪拌即可，不需要特別進行加熱而使其反應(yīng)，因此能夠簡便且低成本地進行制備，在這一點上優(yōu)選。制備液體溫度依賴于使用的溶劑，但由于不需要像涂布液A那樣進行加熱而使其反應(yīng)，因此優(yōu)選為10～50℃，更優(yōu)選為15～30℃，進一步優(yōu)選為18～25℃。在制備液體溫度為10℃以上時，含有Al的金屬化合物等成分高效地溶解/分散于溶劑中，因此可以得到高溫高濕下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異的阻氣性膜。另一方面，在制備液體溫度為50℃以下時，不僅在制備液體中溶劑極端地蒸發(fā)而導(dǎo)致濃度變化的隱患小，而且能夠抑制含有Al的金屬化合物等成分彼此或與水分等反應(yīng)，因此優(yōu)選。制備液體時間沒有特別限制，由于不需要像涂布液A那樣進行加熱而使其反應(yīng)，因此優(yōu)選為10分鐘～12小時，更優(yōu)選為20分鐘～2小時，進一步優(yōu)選30分鐘～2小時。在制備液體時間為10分鐘以上時，含有Al的金屬化合物等成分高效地溶解/分散于溶劑中，因此可以得到保存穩(wěn)定性優(yōu)異的阻氣性膜。另一方面，在制備液體時間為12小時以下時，能夠抑制含有Al的金屬化合物等成分彼此或與水分等反應(yīng)，因此優(yōu)選。(在下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層上涂布涂布液A或B而形成涂膜的階段)接下來，在上述中得到的涂布液A的情況下，將該涂布液A(上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A)涂布于下層無機化合物層(阻氣層)上，形成涂膜(上層無機化合物層(阻氣前體層)。另外，在上述中得到的涂布液B的情況下，將該涂布液B(上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液B)涂布于下層無機化合物層(阻氣層)或其前體層上，形成涂膜(上層無機化合物層(阻氣前體層)(參照實施例1～3)。作為涂布上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A、B的方法，可以采用現(xiàn)有公知的適當(dāng)?shù)臐袷酵坎挤椒?。作為具體例子，可以列舉：旋涂法、輥涂法、流涂法、噴墨法、噴涂法、印刷法、浸漬涂布法、流延成膜法、棒涂法、凹版印刷法等。涂布液A、B的涂布厚度可以根據(jù)目的適當(dāng)設(shè)定。例如，對于上層無機化合物層(阻氣前體層)每1層的涂布厚度而言，優(yōu)選干燥后的厚度為10nm～10μm左右，更優(yōu)選為15nm～1μm，進一步優(yōu)選為20～500nm。在膜厚為10nm以上時，可以得到足夠的阻隔性，在為10μm以下時，能夠在層形成時獲得穩(wěn)定的涂布性，且可以實現(xiàn)較高的光線透射性。另外，涂布涂布液A、B的氣體氛圍可以是大氣氛圍(大氣環(huán)境)下、氮氛圍下、氬氛圍下、真空下、對氧濃度進行了控制的減壓氣體氛圍下等任一種條件，優(yōu)選與制備涂布液A、B的階段同樣地在優(yōu)選將氧濃度控制為200體積ppm以下、優(yōu)選將水蒸氣控制為100體積ppm以下的非活性氣體氛圍下進行。在涂布涂布液A或涂布液B之后，優(yōu)選在放置給定時間(具體而言為30分鐘以下)后，使涂膜干燥。通過對涂膜進行干燥，可以除去涂膜中含有的有機溶劑等溶劑。此時，對于涂膜中含有溶劑而言，可以使全部溶劑干燥，也可以殘留一部分。在使一部分溶劑殘留的情況下，也可以得到合適的上層無機化合物層(阻氣前體層)。需要說明的是，殘留的溶劑可以在以后被除去。該涂膜(上層的阻氣前體層)的干燥溫度根據(jù)應(yīng)用的基材而不同，優(yōu)選為50～200℃。例如，在使用玻璃轉(zhuǎn)位溫度(Tg)為70℃的聚對苯二甲酸乙二醇酯基材作為基材的情況下，考慮到熱導(dǎo)致的基材變形等而優(yōu)選將干燥溫度設(shè)定為150℃以下。上述溫度可以通過使用熱板、烘箱、加熱爐等來設(shè)定。干燥時間優(yōu)選設(shè)定為短時間，例如，在干燥溫度為150℃的情況下，優(yōu)選設(shè)定為30分鐘以內(nèi)。另外，干燥氣體氛圍可以為大氣氛圍下、氮氛圍下、氬氛圍下、真空下、對氧濃度進行了控制的減壓氣體氛圍下等任一種條件，優(yōu)選與制備涂布液A或涂布液B的階段同樣地在優(yōu)選將水蒸氣濃度(水分濃度)控制為100體積ppm以下、進一步優(yōu)選將氧濃度控制為200體積ppm以下的非活性氣體氛圍下進行。對如后面敘述的那樣得到的涂膜(上層的阻氣前體層)照射真空紫外線而進行改性處理，對于即將照射真空紫外線之前的涂膜(上層的阻氣前體層)的172nm光的透射率而言，由于涂布液A、B中均含有Al原子，因此，在作為得到的涂膜(上層的阻氣前體層)的含有鋁化合物等Al的涂膜(上層的阻氣前體層)中，真空紫外光穿過上層的含有Al的涂膜(上層的阻氣前體層)到達(被照射)下層的含有Si的阻氣層(或其前體層)，由此在上下層的界面處進行改性，在膜厚方向形成連續(xù)的Al原子的漸變結(jié)構(gòu)，由此形成耐濕熱性及阻氣性兩者優(yōu)異的區(qū)域(稱為改性區(qū)域)。從上述觀點出發(fā)，即將照射真空紫外線之前的涂膜(上層的阻氣前體層)的172nm光的透射率優(yōu)選為50％以下，更優(yōu)選為30％以下，進一步優(yōu)選為10％以下。通過使即將照射真空紫外線之前的涂膜(上層的阻氣前體層)的172nm光的透射率為50％以下，能夠有效地表現(xiàn)出上述本發(fā)明的作用效果，在這一點上是有利的。另一方面，即將照射真空紫外線之前的涂膜(上層的阻氣前體層)的172nm光的透射率的下限值沒有特別限制，在10％以上時，可利用真空紫外線充分地進行改性，在這一點上是優(yōu)異的。即將照射真空紫外線之前的涂膜(上層的阻氣前體層)的172nm光的透射率采用通過以下方法測定得到的值。＜上層無機化合物層(阻氣層)及其前體層的真空紫外線透射率的測定＞使用涂布液A或涂布液B另行制作下述樣品，測定真空紫外線吸收光譜。具體而言，在相同的涂布環(huán)境下，使用旋涂機在厚度0.7mm的合成石英基板上涂布涂布液A或涂布液B，使其為120nm的膜厚，與上層無機化合物層(阻氣前體層)的成膜條件同樣地對照射真空紫外線前后的樣品進行測定。需要說明的是，制作的樣品立即轉(zhuǎn)移至已經(jīng)封入氮的手套箱(優(yōu)選水分濃度(水蒸氣濃度)為100體積ppm以下，更優(yōu)選氧濃度為10體積ppm以下)，可以使用HamamatsuPhotonics公司制造的水銀燈和OceanPhotonics公司制造的多通道探測器(Maya2000pro)測定172nm下的透射率(％)。(對涂膜(上層的阻氣前體層)照射真空紫外線，進行上下層的中間區(qū)域(界面附近)改性，形成改性氣體阻隔層的階段)接著，對得到的涂膜(上層的阻氣前體層)照射真空紫外線，進行上下層的中間區(qū)域(界面附近)改性，形成改性氣體阻隔層。在真空紫外線照射處理中，可以使用常用的任一種真空紫外線發(fā)生裝置。例如，可以應(yīng)用上述“下層無機化合物層(阻氣層)”項的(紫外線照射處理)中說明的方法。本發(fā)明中的放射線源可以應(yīng)用上述“下層無機化合物層(阻氣層)”項的(紫外線照射處理)中說明的形式(放射線源)。通過利用上述放射線源得到的波長短的100～180nm(例如172nm)的光能量，可以在短時間內(nèi)實現(xiàn)涂膜的改性。具體而言，可以實現(xiàn)作為涂膜的上層的阻氣前體層全部區(qū)域的改性和上下層的中間區(qū)域(界面區(qū)域)的改性(實施例1、2)。另外，除了作為疊層涂膜的上部的上層阻氣前體層全部區(qū)域的改性和上下層的中間區(qū)域(界面區(qū)域)的改性以外，還可以實現(xiàn)作為疊層涂膜的下部的下層阻氣前體層全部區(qū)域的改性(參照實施例3)。真空紫外線照射沒有特別限制，來自涂膜的表面的氧的供給是重要的，因此，與完全的非活性氣體氛圍下相比，優(yōu)選在存在氧的條件下進行。具體而言，優(yōu)選在氧濃度為200～10,000體積ppm的氣體氛圍下進行真空紫外線照射。更優(yōu)選真空紫外線照射時的氧濃度為500～5,000體積ppm，進一步優(yōu)選為700～2,000體積ppm。在氧濃度為200體積ppm以上時，在真空紫外線照射中供給氧，例如，對于使用了涂布液A的涂膜(上層的阻氣前體層)而言，充分地促進含有Al的金屬化合物與硅化合物(特別是聚硅氮烷)的反應(yīng)，將源自含有Al的金屬化合物的二氧化碳、源自硅化合物(特別是聚硅氮烷)的氧化氮以氨的形式排放至體系外。另外，可以認為，涂布液A及涂布液B均包含含有Al的金屬化合物，但源自含有Al的金屬化合物的碳原子在改性阻氣層中殘留的比例大時，存在阻氣性降低的隱患，通過與氧反應(yīng)而以二氧化碳的形式排放至體系外，能夠提高得到的改性阻氣層的阻氣性。另一方面，由于真空紫外線具有由氧引起的吸收，因此，通過在氧濃度為10,000體積ppm以下的氣體氛圍下進行，可以抑制真空紫外線照射工序中的效率降低。另外，真空紫外線的照射優(yōu)選盡可能在水分濃度(水蒸氣濃度)低的狀態(tài)下進行。真空紫外線照射時的水分濃度(水蒸氣濃度)優(yōu)選為1000體積ppm以下，更優(yōu)選為200體積ppm以下。真空紫外線照射沒有特別限制，優(yōu)選將涂膜(上層的阻氣前體層)的溫度控制在50～120℃來進行。真空紫外線照射時的涂膜(上層的阻氣前體層)的溫度更優(yōu)選為60～100℃，進一步優(yōu)選為70～90℃。通過將真空紫外線照射時的涂膜(上層的阻氣前體層)的溫度設(shè)為50℃以上，例如，充分地促進使用涂布液A形成的涂膜(上層的阻氣前體層)內(nèi)含有Al的金屬化合物與硅化合物(特別是聚硅氮烷)的反應(yīng)，得到阻氣性優(yōu)異、且高溫高濕下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異的阻氣性膜，而且可以縮短照射時間，在這一點上是優(yōu)異的。另一方面，在真空紫外線照射時的涂膜(上層的阻氣前體層)的溫度為120℃以下時，可以將塑料膜基材的因熱導(dǎo)致的變形抑制到最小限度，因此優(yōu)選?？刂仆磕さ臏囟鹊木唧w方法沒有特別限制，可以適當(dāng)使用現(xiàn)有公知的方法。另外，真空紫外線照射時的氣體氛圍的溫度更優(yōu)選也控制在上述范圍。控制氣體氛圍的溫度的方法也沒有特別限制，可以適當(dāng)使用現(xiàn)有公知的方法。但是，也可以不對涂膜進行溫度控制(加熱等)而在常溫下進行。這是由于，即使不對涂膜進行溫度控制(加熱等)而在常溫下進行也沒有任何問題，能夠得到阻氣性優(yōu)異、且高溫高濕下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異的阻氣性膜。需要說明的是，在真空紫外線照射工序中，由上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A或涂布液B形成的涂膜(上層的阻氣前體層)面的該真空紫外線照度可應(yīng)用上述“下層無機化合物層(阻氣層)”項的(紫外線照射處理)中說明的形式(照度)。在1mW/cm2以上時，可獲得足夠的改性效率，特別是可以獲得上下層的中間區(qū)域(界面附近)的優(yōu)異的改性效果，在為10W/cm2以下時，不容易對涂膜上層的阻氣前體層產(chǎn)生燒蝕，不容易對基材造成損傷，在這一點上是優(yōu)異的。另外，由上層無機化合物層(阻氣前體層)形成用的涂布液A或涂布液B形成的涂膜(上層的阻氣前體層)面的真空紫外線的照射能量(累積光量)可應(yīng)用上述“下層無機化合物層(阻氣層)”項的(紫外線照射處理)中說明的形式(照射能量(累積光量))。在真空紫外線的照射能量(累積光量)為10mJ/cm2以上時，涂膜的改性充分地進行，特別是真空紫外光穿過含有Al的上層，能夠在上下層的中間區(qū)域(界面附近)得到優(yōu)異的改性效果，可以形成耐濕熱性及阻氣性兩者優(yōu)異的區(qū)域(改性區(qū)域)。其結(jié)果是可以提供保存穩(wěn)定性優(yōu)異，特別是在苛刻的條件(高溫高濕條件＝高溫高濕的加速條件)下也不劣化的保存穩(wěn)定性優(yōu)異，且能夠保持高阻隔性的阻氣性膜。另一方面，在真空紫外線的照射能量(累積光量)為10000mJ/cm2以下時，不容易發(fā)生過度改性導(dǎo)致的裂紋、基材的熱變形。另外，能夠用于改性的真空紫外光可以利用由含有CO、CO2及CH4的至少一種氣體(以下，也稱為含碳氣體)形成的等離子體來產(chǎn)生。另外，含碳氣體可應(yīng)用上述“下層無機化合物層(阻氣層)”項的(紫外線照射處理)中說明的形式。[上層無機化合物層(阻氣層)]通過上述上層無機化合物層(阻氣前體層)和改性阻氣層的形成方法得到的阻氣性膜是形成形成上下層沒有區(qū)別的(沒有界面的)一體化的改性阻氣層而成的(參照圖1A、B、圖11A、B、圖12A、B)，所述改性阻氣層是不含有Al原子具有Si原子的下層阻氣層或其前體層和形成于其上的含有Al原子的上層阻氣前體層通過利用真空紫外線照射的改性而形成的。關(guān)于改性阻氣層，如上所述，因此以下對含有Al原子的上層無機化合物層(阻氣層)單體的構(gòu)成(結(jié)構(gòu))、特性等進行說明。含有Al原子的上層無機化合物層(阻氣層)單體的構(gòu)成(結(jié)構(gòu))、特性等可以通過制作在基材上僅形成了上層的含有Al原子的無機化合物層(阻氣層)的疊層體(樣品)并進行各種測定、分析而簡單地求出。上層無機化合物層(阻氣層)沒有特別限制，優(yōu)選通過真空紫外光照射而在上下層的界面進行改性，在膜厚方向形成連續(xù)的Al原子的漸變結(jié)構(gòu)，由此可以形成耐濕熱性及阻氣性這兩者優(yōu)異的區(qū)域(改性區(qū)域)，按照上述方式，相對于上層無機化合物層(阻氣層)中的全部元素的總量(100at％)，至少含有Al原子3～40at％?？梢愿鼉?yōu)選在5～20at％的范圍內(nèi)含有，進一步優(yōu)選在7～15at％的范圍內(nèi)含有。需要說明的是，在使用上述涂布液A形成上層無機化合物層(阻氣層)的情況下，優(yōu)選與上述Al原子同時含有硅原子及氧原子，且氧原子相對于硅原子的存在比(O/Si)為1.4～2.2，氮原子相對于硅原子的存在比(N/Si)為0～0.4。在使用上述涂布液B形成上層無機化合物層(阻氣層)的情況下，優(yōu)選與Al原子同時含有硅原子及氧原子，且氧原子相對于硅原子的存在比(O/Si)為1.0～2.0，氮原子相對于硅原子的存在比(N/Si)為0～1。在本說明書中，“氧原子相對于硅原子的存在比(O/Si)為1.4～2.2”是指，在用后面敘述的裝置及方法測定的上層無機化合物層(阻氣層)的任何深度方面，沒有顯示出O/Si低于1.4或超過2.2的值的部分。同樣地，“氮原子相對于硅原子的存在比(N/Si)為0～0.4”是指，在用后面敘述的裝置及方法測定的上層無機化合物層(阻氣層)的任何深度方面，沒有顯示出N/Si超過0.4的值的部分。關(guān)于使用涂布液B形成時的“氧原子相對于硅原子的存在比(O/Si)”及“氮原子相對于硅原子的存在比(N/Si)”的上述數(shù)值范圍的解釋，應(yīng)該同樣地進行解釋。在上層無機化合物層(阻氣層)中的氧原子相對于硅原子的存在比(O/Si)為1.4以上(使用涂布液A)或1.6以上(使用涂布液B)時，防止高溫高濕下上層無機化合物層(阻氣層)與水分反應(yīng)而大幅降低阻隔性的效果高。另一方面，在為2.2以下(使用涂布液A)或2以下(使用涂布液B)時，存在于分子內(nèi)的硅烷醇基(Si-OH)的比例減少，因此可以得到更高的阻隔性。在使用涂布液A形成上層無機化合物層(阻氣層)的情況下，該O/Si更優(yōu)選為1.5～2.1，進一步優(yōu)選為1.7～2.0。另外，在使用涂布液B形成上層無機化合物層(阻氣層)的情況下，該O/Si更優(yōu)選為1.4～2.0，進一步優(yōu)選為1.5～1.9。在上層無機化合物層(阻氣層)中的氮原子相對于硅原子的存在比(N/Si)為0.4以下(使用涂布液A)或0.1以上(使用涂布液B)時，防止高溫高濕下上層無機化合物層(阻氣層)與水分反應(yīng)而降低阻隔性的效果高。在使用涂布液A形成上層無機化合物層(阻氣層)的情況下，該N/Si更優(yōu)選為0～0.3，進一步優(yōu)選為0～0.2。另外，在使用涂布液B形成上層無機化合物層(阻氣層)的情況下，該N/Si更優(yōu)選為0～0.4，進一步優(yōu)選為0～0.2。該O/Si及該N/Si可以用下述方法進行測定。即，上層無機化合物層(阻氣層)的組成曲線可以通過制作在基材上僅形成了上層的含有Al原子的無機化合物層(阻氣層)的疊層體(樣品)、并組合Ar濺射蝕刻裝置與X射線光電子分光法(XPS)來求出。另外，深度(膜厚)方向的曲線分布可以通過利用FIB(聚焦離子束)加工裝置進行的膜加工、以及利用TEM(透射型電子顯微鏡)求出實際膜厚并使其與XPS的結(jié)果對應(yīng)來算出。在本發(fā)明中，使用以下所示的裝置及方法。(濺射條件)離子：Ar離子加速電壓：1kV(X射線光電子分光測定條件)裝置：VGScientific公司制造的ESCALAB-200RX射線陽極材料：Mg輸出：600W(加速電壓15kV、發(fā)射極電流40mA)需要說明的是，測定的分辨率為0.5nm，在與其對應(yīng)的各取樣點中對各元素比繪制曲線而得到。(FIB加工)裝置：SII制SMI2050加工離子：(Ga30kV)(TEM觀察)裝置：日本電子制JEM2000FX(加速電壓：200kV)電子束照射時間：5秒鐘至60秒鐘。(從上層無機化合物層(阻氣層)的表面的膜厚的深度方向的元素比)使通過來自上述上層無機化合物層(阻氣層)表面的濺射得到的各深度的XPS測定(關(guān)注于Si、O、N)與利用TEM進行的斷層面觀察的結(jié)果進行對照，計算出O/Si及N/Si的平均值。上述的測定方法也可以同樣地應(yīng)用于改性阻氣層。另外，在上層無機化合物層(阻氣層)中，從最表面(上層表面)至膜厚方向的深度為10nm的區(qū)域中的氧原子相對于硅原子的存在比的平均值與從最表面至膜厚方向的深度超過10nm的區(qū)域中的氧原子相對于硅原子的存在比的平均值之差優(yōu)選為0.4以下。在這樣的結(jié)構(gòu)的情況下，上層無機化合物層(阻氣層)的表面部分與內(nèi)部的組成變化減少，成為高溫高濕下的保存穩(wěn)定性更優(yōu)異的阻氣性膜。該平均值之差更優(yōu)選為0.3以下，進一步優(yōu)選為0.2以下。從上述最表面(上層表面)至膜厚方向的深度為10nm的區(qū)域中的氧原子相對于硅原子的存在比的平均值、以及從最表面至深度超過10nm的區(qū)域中的氧原子相對于硅原子的存在比的平均值可以通過組合上述說明的Ar濺射蝕刻裝置與X射線光電子分光法(XPS)的方法來算出。上層無機化合物層(阻氣層)的膜密度可以根據(jù)目的適當(dāng)設(shè)定。例如，上層無機化合物層(阻氣層)的膜密度優(yōu)選在1.5～2.6g/cm3的范圍。在上述范圍時，膜的致密度進一步提高，不容易發(fā)生阻氣性的劣化、由濕度導(dǎo)致的膜的氧化劣化，在這一點上是優(yōu)異的。該上層無機化合物層(阻氣層)可以為單層，也可以為2層以上的疊層結(jié)構(gòu)。在該上層無機化合物層(阻氣層)為2層以上的疊層結(jié)構(gòu)的情況下，各上層無機化合物層(阻氣層)可以為相同組成，也可以為不同的組成。在上層無機化合物層(阻氣層)中，氧原子相對于硅原子的存在比、氮原子相對于硅原子的存在比、以及從最表面(上層表面)至膜厚方向深度為10nm的區(qū)域中的氧原子相對于硅原子的存在比的平均值與從最表面(上層表面)至膜厚方向深度超過10nm的區(qū)域中的氧原子相對于硅原子的存在比的平均值之差可以根據(jù)在形成上層無機化合物層(阻氣層)時使用的涂布液A中的硅化合物(特別是聚硅氮烷)和含有Al的金屬化合物的種類及量、以及對包含硅化合物(特別是聚硅氮烷)和含有Al的金屬化合物的層進行改性時的條件等來進行控制。同樣地，可以根據(jù)在形成上層無機化合物層(阻氣層)時使用的涂布液B中的含有Al的金屬化合物的種類和量、以及對包含含有Al的金屬化合物的層進行改性時的條件等來進行控制。照射真空紫外線進行改性處理而得到的上層無機化合物層(阻氣層)的172nm光的透射率優(yōu)選為50～100％，更優(yōu)選為70～100％，進一步優(yōu)選為80～90％。在172nm光的透射率為50％以上時，在使用涂布液A的情況下，可以認為作為原料成分的硅氮烷的殘留量充分地降低，在使用涂布液A、B的任一種的情況下，均可以得到抑制了高溫高濕下的阻氣性降低的阻氣性膜。涂膜的172nm光的透射率采用通過以下的方法測定得到的值。＜上層無機化合物層(阻氣層)的真空紫外線(172nm光)透射率的測定＞使用涂布液A或涂布液B另行制作下述樣品，測定真空紫外線吸收光譜。具體而言，分別在相同的涂布環(huán)境下，使用旋涂機在厚度0.7mm的合成石英基板上涂布涂布液A或涂布液B，使其為120nm的膜厚，與上層無機化合物層(阻氣層)、即改性阻氣層的成膜條件同樣地對照射真空紫外線前后的樣品進行測定。制作的樣品立即轉(zhuǎn)移至已經(jīng)封入氮的手套箱(優(yōu)選水蒸氣濃度為100體積ppm以下，更優(yōu)選氧濃度為10體積ppm以下)，可以使用HamamatsuPhotonics公司制造的水銀燈和OceanPhotonics公司制造的多通道探測器(Maya2000pro)測定172nm下的透射率(％)。[保護層]本發(fā)明的阻氣性膜可以在改性阻氣層的上部設(shè)置含有有機化合物的保護層。作為用于保護層的有機化合物，可以優(yōu)選使用有機單體、低聚物、聚合物等有機樹脂、使用了具有有機基團的硅氧烷、倍半硅氧烷的單體、低聚物、聚合物等的有機無機復(fù)合樹脂層。保護劑的形成材料、形成方法等例如如國際公開號WO2015/053405A1的段落“0239”中記載的那樣，可以適當(dāng)采用日本特開2014-100806號公報的段落“0157”～“0177”中記載的形式(材料、方法)等。[平滑層(基底層、底涂層)]本發(fā)明的阻氣性膜還可以在基材的具有阻氣層的面、優(yōu)選在基材和阻氣層(包含改性阻氣層)中與基材鄰接側(cè)的阻氣層(以下，稱為基材側(cè)阻氣層)之間具有平滑層(基底層、底涂層)。平滑層是為了將存在突起等的基材的粗面平坦化，或者是為了填平因基材上存在的突起而在基材側(cè)阻氣層產(chǎn)生的凹凸或針孔來使其平坦化而設(shè)置的。這樣的平滑層可以由任意材料形成，優(yōu)選含有含碳聚合物，更優(yōu)選由含碳聚合物構(gòu)成。即，本發(fā)明的阻氣性膜優(yōu)選在基材和基材側(cè)阻氣層之間還具有含有含碳聚合物的平滑層。另外，平滑層含有含碳聚合物，優(yōu)選含有固化性樹脂。作為上述固化性樹脂，沒有特別限制，可以列舉：對活性能量線固化性材料等照射紫外線等活性能量線使其固化而得到的活性能量線固化性樹脂、通過加熱熱固化性材料進行固化而得到的熱固化性樹脂等。該固化性樹脂可以單獨使用，或者組合2種以上使用。作為用于平滑層形成的活性能量線固化性材料，可以列舉例如：含有丙烯酸酯化合物的組合物、包含丙烯酸酯化合物和含有硫醇基的硫醇化合物的組合物、含有環(huán)氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、丙三醇甲基丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯單體的組合物等。具體而言，可以使用JSR株式會社制造的紫外線固化性材料的有機/無機混合硬涂材料OPSTAR(注冊商標)系列(使具有聚合性不飽和基團的有機化合物與二氧化硅微粒鍵合而成的化合物)。另外，也可以使用上述組合物的任意混合物，只要是含有在分子內(nèi)具有1個以上光聚合性不飽和鍵的反應(yīng)性單體的活性能量線固化性材料即可，沒有特別限制。用于作為平滑層的形成材料的活性能量線固化性材料的反應(yīng)性單體、光聚合引發(fā)劑、熱固化性材料、平滑層的形成方法(用于涂布液的溶劑、添加劑)、平滑性、表面粗糙度、膜厚等例如如國際公開號WO2015/053405A1的段落“0248”中記載的那樣，可以適當(dāng)采用日本特開2014-141056號公報的段落“0126”～“0137”、“0143”中記載的形式(材料、方法)等。[錨涂層]為了提高粘接性(密合性)，也可以在本發(fā)明的基材的表面形成錨涂層作為易粘接層。作為用于該錨涂層的錨涂劑，可以使用聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、乙烯-乙烯醇樹脂、乙烯改性樹脂、環(huán)氧樹脂、改性苯乙烯樹脂、改性硅樹脂及烷基鈦酸酯等中的1種，或者組合使用2種以上。上述錨涂劑可以使用市售品。具體而言，可以使用硅氧烷類UV固化性聚合物溶液(信越化學(xué)工業(yè)株式會社制造、“X-12-2400”的3％異丙基醇溶液)。在這些錨涂劑中可以加入現(xiàn)有公知的添加劑。而且，上述錨涂劑可以通過輥涂、凹版涂層、刮刀涂布、浸涂、噴涂等公知的方法涂敷于基材上，并干燥除去溶劑、稀釋劑等，由此進行涂敷。作為上述錨涂劑的涂布量，優(yōu)選為0.1～5g/m2(干燥狀態(tài))左右。需要說明的是，可以使用市售的帶有易粘接層的基材?；蛘撸^涂層也可以通過物理蒸鍍法或化學(xué)蒸鍍法這樣的氣相法形成。例如，如日本特開2008-142941號公報中記載的那樣，也可以以改善粘接性等為目的形成以氧化硅為主體的無機膜。另外，錨涂層的厚度沒有特別限制，優(yōu)選為0.5～10.0μm左右。[防滲層]本發(fā)明的阻氣性膜還可以具有防滲層。在對具有平滑層的膜進行加熱時，未反應(yīng)的低聚物等從基材中向表面移動，從而污染接觸的面，為了抑制上述現(xiàn)象，在具有平滑層的基材的相反面設(shè)有防滲層。防滲層只要具有該功能即可，可以采用基本上與平滑層相同的構(gòu)成。作為在防滲層中能夠含有的化合物，可以列舉：分子中具有2個以上的聚合性不飽和基團的多價不飽和有機化合物、或者分子中具有1個聚合性不飽和基團的單價不飽和有機化合物等硬涂劑。作為可以在防滲層中含有的化合物的上述多價不飽和有機化合物、單價不飽和有機化合物、其它添加劑(作為消光劑的無機粒子的種類、含量)、其它成分(熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、電離放射線固化性樹脂、光聚合引發(fā)劑等)、防滲層的形成方法(用于涂布液的溶劑)、膜厚等，例如如國際公開號WO2015/053405A1的段落“0252”中記載的那樣，可以適當(dāng)采用日本特開2013-52561號公報的段落“0249”～“0262”中所記載的形式(材料、方法)等?！蹲铓庑阅さ陌b方式》本發(fā)明的阻氣性膜可以連續(xù)生產(chǎn)并卷取成卷的形態(tài)(所謂的輥對輥生產(chǎn))。此時，優(yōu)選在形成阻氣層的面上貼合保護片進行卷取。特別是在將本發(fā)明的阻氣性膜用作有機薄膜器件的密封材料時，以附著于表面的污物(例如顆粒)為原因而導(dǎo)致缺陷的情況較多，在清潔度高的場地貼合保護片來防止污物的附著是非常有效的。同時，對于防止在卷取時對阻氣層表面的損傷也是有效的。作為保護片，沒有特別限定，可以使用對膜厚100μm左右的樹脂基板賦予了弱粘合性粘接層的結(jié)構(gòu)的通常的“保護片”、“剝離片”?！蹲铓庑阅さ乃魵馔高^率》通過本發(fā)明的方法制造的阻氣性膜的水蒸氣透過率越低越好，例如，優(yōu)選為1×10-3～1×10-5g/m2·day，更優(yōu)選為1×10-4～1×10-5g/m2·day。在本發(fā)明中，水蒸氣透過率使用通過以下方法測定的值?！端魵庾韪粜?水蒸氣透過率WVTR)的測定》關(guān)于通過本發(fā)明的方法制作的阻氣性膜，水蒸氣透過率(水蒸氣阻隔性)的測定可以如下進行：在阻氣性膜的樣品的阻氣層面?zhèn)日翦兂赡?0nm厚度的金屬鈣，通過85℃、85％RH的加速試驗，測定成膜的鈣變?yōu)?0％面積的時間作為鈣的50％腐蝕時間，可以求出水蒸氣透過率(WVTR)(g/m2·day)。[電子器件]本發(fā)明的阻氣性膜及通過其制造方法制造的阻氣性膜可以優(yōu)選用于因空氣中的化學(xué)成分(氧、水、氮氧化物、硫氧化物、臭氧等)而使性能變差的器件。作為上述器件的例子，可以列舉例如：有機EL元件、液晶顯示元件(LCD)、薄膜晶體管、觸摸面板、電子紙、太陽能電池(PV)等電子器件。從更有效地得到本發(fā)明的效果的觀點出發(fā)，優(yōu)選用于有機EL元件或太陽能電池，特別優(yōu)選用于有機EL元件。本發(fā)明的阻氣性膜及通過其制造方法制造的阻氣性膜還可以用于器件的膜密封。即，以器件自身作為支撐體在其表面設(shè)置本發(fā)明的阻氣性膜的方法。也可以在設(shè)置阻氣性膜之前用保護層覆蓋器件。本發(fā)明的阻氣性膜及通過其制造方法制造的阻氣性膜還可以用作器件的基板、用于通過固體密封法進行密封的膜。固體密封法是指在器件上形成保護層后將粘接劑層、阻氣性膜疊合并固化的方法。粘接劑沒有特別限制，可以舉例示出熱固化性環(huán)氧樹脂、光固化性丙烯酸酯樹脂等。＜有機EL元件＞使用了阻氣性膜的有機EL元件的例子可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0259”～“0266”中記載的形式、以及日本特開2007-30387號公報的段落“0053”～“0082”中詳細記載的形式等。＜液晶顯示元件＞反射型液晶顯示元件(裝置)具有下述結(jié)構(gòu)：從下面開始依次由下基板、反射電極、下取向膜、液晶層、上取向膜、透明電極、上基板、λ/4板、以及偏振膜構(gòu)成。本發(fā)明中的阻氣性膜可以用作上述透明電極基板和上基板。例如，可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0268”中記載的形式等。＜太陽能電池(元件)＞本發(fā)明的阻氣性膜也可以用作太陽能電池元件的密封膜。這里，本發(fā)明的阻氣性膜優(yōu)選以阻隔層為接近太陽能電池元件側(cè)的方式進行密封。例如，可以適當(dāng)采用國際公開號WO2015/053405A1的段落“0269”中記載的形態(tài)等。＜其它＞作為其它的應(yīng)用例，可以列舉：日本特表平10-512104號公報中記載的薄膜晶體管、日本特開平5-127822號公報、日本特開2002-48913號公報等記載的觸摸面板、日本特開2000-98326號公報中記載的電子紙等。＜光學(xué)部件＞本發(fā)明的阻氣性膜也可以用作光學(xué)部件。作為光學(xué)部件的例子，可以列舉圓偏振片等。(圓偏振片)可以將本發(fā)明中的阻氣性膜作為基板，疊層λ/4板和偏振片來制作圓偏振片。在該情況下，以λ/4板的滯后軸和偏振片的吸收軸形成的角度為45°的方式進行疊層。這樣的偏振片優(yōu)選使用相對于縱方向(MD)沿45°方向拉伸而成的偏振片，例如可以優(yōu)選使用日本特開2002-865554號公報中記載的偏振片。實施例使用以下的實施例及比較例說明本發(fā)明的效果。但是，本發(fā)明的技術(shù)的范圍并不僅限制于以下的實施例。另外，實施例中使用“份”或“％”的表示，但只要沒有特殊說明，表示“質(zhì)量份”或“質(zhì)量％”。另外，在下述操作中，只要沒有特殊說明，操作及物性等測定在室溫(20～25℃)/相對濕度40～50％的條件下進行。[比較例1]阻氣性膜111的制作阻氣性膜111的層構(gòu)成如圖1C所示。如以下那樣，在基材12上依次疊層利用ALD法形成的含有Al的第1阻氣層18、及利用等離子體CVD法形成的含有Si(二氧化硅)的第2阻氣層19，制作阻氣性膜111(圖1C的符號11’)。[無機化合物層(第1阻氣層)18的形成(干法的ALD法)]將株式會社KIMOTO制造的實施了透明硬涂而得到的PET基材(125μm厚度)固定于圖8所示的制造裝置，以三甲基鋁(TMA)為原料，用原子層堆積法(ALD法)形成含有Al的第1阻氣層薄膜(無機化合物層：ALD層)。無機化合物層(第1阻氣層)的厚度設(shè)定為10nm。成膜條件如下所述。以下，說明比較例1中使用的制造裝置及制造條件。[第1阻氣層的制造裝置]圖8表示比較例1中使用的采用ALD法的第1阻氣層的制造裝置的概略構(gòu)成。如圖8所示，利用ALD法的第1阻氣層的制造裝置A具備成膜部，所述成膜部在帶狀的株式會社KIMOTO制造的實施了透明硬涂的PET基材(125μm厚度)61上形成作為無機化合物層的第1阻氣層。另外，上述制造裝置A具備：用于輸送上述PET基材61的開卷機71、卷繞器75、配置于開卷機71和卷繞器75之間的多個輥72。上述PET基材61以卷體形式被提供，固定于開卷機71上。開卷機71從卷體拉取時，將多個輥72所拉取的上述PET基材61依次輸送至成膜部。卷繞器75將在上述PET基材61上形成第1阻氣層而得到的膜卷繞起來，制成卷體。成膜部利用ALD法在帶狀的上述PET基材61上形成作為無機化合物層的第1阻氣層。使用了圖8的制造裝置的ALD法為利用作為ALD法的1種的PEALD法、使用等離子體對原料進行改性的方法。如圖8所示，成膜部具備：2個原料供給部81及82、改性處理部83。另外，成膜部在原料供給部81和改性處理部83之間、以及原料供給部82和改性處理部83之間分別具有凈化部。各原料供給部81、82及改性處理部83利用真空泵等調(diào)整為真空壓下。在原料供給部81及82、改性處理部83、2個凈化部的各自之間配置間隔板，由間隔板形成各原料供給部81及82、改性處理部83、2個凈化部的室C1～C4。間隔板在上述PET基材61的輸送經(jīng)路上設(shè)有開口，并使得帶狀的上述PET基材61可以通過各室C1～C4內(nèi)。就原料供給部81及82而言，通過使作為無機化合物層的第1阻氣層的原料成為氣態(tài)而供給于各室C1及C2內(nèi)。原料也被稱為前體。在室C1中，由原料供給部81所供給的原料吸附于上述PET基材61的表面，在室C2中，由原料供給部82所供給的原料吸附于上述PET基材61的表面。改性處理部83在大氣壓下將由原料供給部81及82供給的原料改性用氣體供給至室C3內(nèi)。另外，改性處理部83利用沒有圖示的交流電源將電力供給至以夾持上述PET基材61而對置的方式配置的一對電極，由此對改性用氣體施加交流電壓而生成等離子體P。改性處理部83利用等離子體P將上述PET基材61上的原料進行改性，形成第1阻氣層的原子層。第1阻氣層的原子層實際上可以為化合物的分子層。在比較例1中使用的PEALD法中，使原料吸附于上述PET基材61上之后，使用等離子體將原料進行改性處理，由此形成金屬氧化物的第1阻氣層。上述第1阻氣層將含有鋁(Al)元素的金屬化合物作為原料而形成。將由原料供給部81及82所供給的原料設(shè)為第1原料、將由改性處理部83用作改性用氣體的原料設(shè)為第2原料時，第1原料及第2原料根據(jù)形成的第1阻氣層而選擇。在比較例1中，由于第1阻氣層為氧化鋁膜，因此，作為第1原料，使用三甲基鋁(Al(CH3)3)。作為第2原料，為了將第1原料進行氧化，使用水蒸氣(H2O)。第1原料的供給時間設(shè)為0.1秒。改性處理的處理時間設(shè)為2秒。由原料供給部81、82及改性處理部83形成第1阻氣層時的上述PET基材61的溫度設(shè)為75℃。凈化部將惰性氣體供給至室C4內(nèi)，與該惰性氣體同時將上述PET基材61上的剩余的第1原料或第2原料進行排氣而除去。在比較例1中，惰性氣體是指與第1原料或第2原料的反應(yīng)性低的氣體，使用氮氣。用于凈化第1原料及第2原料的惰性氣體的導(dǎo)入時間(凈化時間)設(shè)為2.0秒。成膜部中，由原料供給部81將第1原料供給至上述PET基材61上，然后，由原料供給部82供給第2原料并與第1原料反應(yīng)，由此進行1個循環(huán)的成膜處理，從而在上述PET基材61上形成第1阻氣層的1原子層。重復(fù)多個循環(huán)的成膜處理，直至可得到目的膜厚，以使得帶狀的上述PET基材61交替重復(fù)在2個原料供給部81及82之間輸送的方式配置多個輥72。根據(jù)圖8所示的成膜部的構(gòu)成，在上述PET基材61的兩面形成作為無機化合物層的第1阻氣層，但在比較例1中，以由成膜部僅在上述PET基材61的一面形成無機膜的方式，上述PET基材61的輸送不采用圖7所示的輥輸送，而是采用帶輸送，在輸送經(jīng)路上依次重復(fù)配置原料供給部81、改性處理部83、原料供給部82、改性處理部83，由此，僅在一面形成作為無機化合物層的第1阻氣層。[第1阻氣層的制造條件]使用在0.01Torr的減壓下加熱至80℃并實施了3小時的脫氣處理的制造裝置A，在下述成膜條件下，在上述PET基材61上形成作為第1阻氣層的厚度6nm的氧化鋁膜。(成膜條件)氧化鋁膜的第1原料：三甲基鋁第1原料的供給時間：0.1秒改性用氣體：水蒸氣改性處理的處理時間：2.0秒凈化中使用的惰性氣體：氮氣凈化時間：2.0秒氧化鋁膜的堆積速度：0.1nm/循環(huán)基礎(chǔ)膜的輸送速度：8m/分鐘基礎(chǔ)膜的溫度：75℃。[無機化合物層(第2阻氣層)19的形成(干法的等離子體CVD法)]為了在上述成膜的第1阻氣層上形成含有Si原子(二氧化硅)的第2阻氣層(無機化合物層；CVD層)，將形成了上述第1阻氣層的基材2(參照圖6)設(shè)置于圖6所示的制造裝置31(制造裝置31的真空室沒有圖示)并進行輸送。接著，在成膜輥39和成膜輥40之間施加磁場，同時對成膜輥39和成膜輥40分別供給電力，在成膜輥39和成膜輥40之間進行放電而產(chǎn)生等離子體。接著，將成膜氣體(作為原料氣體的六甲基二硅氧烷(HMDSO)和作為反應(yīng)氣體的氧氣(也起到放電氣體的作用)的混合氣體供給至所形成的放電區(qū)域，在形成有第1阻氣層的基材2上用等離子體CVD法疊層含有Si原子(二氧化硅)的阻氣性的薄膜(無機化合物層、第2阻氣層)，制作阻氣性膜111。得到的無機化合物層(第2阻氣層)的厚度為150nm。成膜條件如下所述。(成膜條件)·原料氣體的供給量：50sccm(StandardCubicCentimeterperMinute、0℃、1個大大氣壓基準)·氧氣的供給量：500sccm(0℃、1大氣壓基準)·真空室內(nèi)的真空度：3Pa·來自等離子體發(fā)生用電源的施加電力：0.8kW·等離子體發(fā)生用電源的頻率：70kHz·膜(基材)的輸送速度：1.0m/min。[無機化合物層的上下層(第1阻氣層和第2阻氣層)的界面的組成評價]使用X射線電子分光法(XPS)和濺射裝置，從上述制作的阻氣性膜111的最表層的第2阻氣層側(cè)，按照下述所示的元素組成深度分布測定法，求出Al元素及Si元素相對于全部元素數(shù)量的比率。如圖1C所示，在阻氣性膜111中，在用等離子體CVD法成膜的上層的含有Si的第2阻氣層19和用ALD法成膜的下層的含有Al的第1阻氣層18之間存在同樣的界面20，該界面20的Al原子在層厚方向上組成非連續(xù)地變化。詳細而言是發(fā)生了減少，下層18中的Al原子量為大致一定，過了界面20之后，上層19中的Al原子量成為零。另外，可知，用等離子體CVD法成膜的上層的含有Si的第2阻氣層19+用ALD法成膜的下層的含有Al的第1阻氣層18的與基材12側(cè)相反側(cè)(上層)的Al原子量比基材12側(cè)(下層)的Al原子量少。上下層的阻氣層(18+19)的膜厚和Al元素的組成(at％)的斜率(詳細而言，基于采用XPS對上下層的阻氣層(18+19)深度(膜厚)方向的元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線中的Al分布曲線中，從基材12側(cè)起非連續(xù)變化(增加：用+表記，減少：用－表記)在界面20處的斜率)為-3.0at％/nm(SiO2換算)以下。即，在界面區(qū)域沒有確認到存在本發(fā)明那樣的Al原子在層厚方向組成連續(xù)地變化的區(qū)域。[元素組成深度分布測定法]Al元素及Si元素的組成比可以用下述的方法進行測定。即，第2阻氣層19的組成分布可以通過將Ar濺射蝕刻裝置和X射線光電子分光法(XPS)組合而求出。另外，深度方向的分布分布可以通過利用FIB(收斂離子束)加工裝置進行膜加工、及利用TEM(透射型電子顯微鏡)求出實際膜厚并使其與XPS的結(jié)果對應(yīng)而算出。在本發(fā)明的各實施例及比較例中，使用以下所示的裝置及方法。(濺射條件)·離子種：Ar離子·加速電壓：1kV(X射線光電子分光測定條件)·裝置：VGscientific制造的ESCALAB-200R·X射線陽極材料：Mg·輸出：600W(加速電壓15kV、放射電流40mA)另外，測定的分解能為0.5nm，在與其相應(yīng)的各取樣點中，通過標繪各元素比而得到。(FIB加工)·裝置：SII制造的SMI2050·加工離子：(Ga30kV)(TEM觀察)·裝置：日本電子制造的JEM2000FX(加速電壓：200kV)·電子束照射時間：5秒～60秒。[比較例2]阻氣性膜112的制作圖9是示意性表示比較例2的阻氣性膜的層構(gòu)成的圖。如以下那樣，在圖9所示的基材92上形成含有Si的第1阻氣層93及含有Si的第2阻氣層94，制作阻氣性膜112。[無機化合物層(第1阻氣層)的形成(干法的等離子體CVD法)]將株式會社KIMOTO制造的實施了透明硬涂的PET基材(125μm厚度)設(shè)置在圖6所示的制造裝置31中并進行輸送。接著，在成膜輥39和成膜輥40之間施加磁場，同時對成膜輥39和成膜輥40分別供給電力，在成膜輥39和成膜輥40之間進行放電而產(chǎn)生等離子體。接著，將成膜氣體(作為原料氣體的六甲基二硅氧烷(HMDSO)和作為反應(yīng)氣體的氧氣(也起到放電氣體的作用)的混合氣體供給至所形成的放電區(qū)域，在基材2上用等離子體CVD法形成含有Si的阻氣性的薄膜(無機化合物層、第1阻氣層)。第1阻氣層(無機化合物層；CVD層)的厚度為150nm。成膜條件設(shè)為與阻氣性膜111的第2阻氣層同樣的制膜條件。[第2阻氣層(PHPS層)的形成(涂布法)]含有聚硅氮烷的涂布液的制備及成膜通常在大氣環(huán)境下(具體而言，為25℃60％RH的環(huán)境下)進行。將無催化劑且含有20質(zhì)量％的全氫聚硅氮烷(PHPS)的二丁醚溶液(AZElectronicMaterial株式會社制造、AQUAMICA(注冊商標)NN120-20)和含有5質(zhì)量％的胺催化劑(N,N,N’,N’-四甲基-1,6-二氨基己烷(TMDAH))5質(zhì)量％且含有20質(zhì)量％的全氫聚硅氮烷的二丁醚溶液(AZ電子材料株式會社制造、AQUAMICA(注冊商標)NAX120-20)以4：1的比例(質(zhì)量比)進行混合，進一步用以二丁醚和2,2,4-三甲基戊烷按照質(zhì)量比為65:35的方式混合而成的溶劑，將涂布液的固體成分(全氫聚硅氮烷的濃度)調(diào)整為5質(zhì)量％，制備涂布液(1)。用旋涂機在上述無機化合物層(下層的第1阻氣層)上以厚度(干燥膜厚)為150nm的方式將上述得到的涂布液(1)成膜，放置2分鐘之后，在80℃的電熱板上進行1分鐘追加加熱處理，形成聚硅氮烷涂膜(前體層)。形成聚硅氮烷涂膜之后，使用圖7所示的真空紫外線照射裝置，按照下述的方法，以172nm的真空紫外線達到6J/cm2的方式實施真空紫外線照射處理，將上層的含有Si的第2阻氣層(PHPS層)形成在下層的第1阻氣層(無機化合物層；CVD層)上。這樣，制作阻氣性膜112。上層的第2阻氣層(無機化合物層；PHPS層)的厚度為150nm?！凑婵兆贤饩€照射條件·照射能量的測定〉真空紫外線照射使用圖7中示意圖所示的裝置來進行。圖7中，符號21為裝置室，從沒有圖示的氣體供給口向內(nèi)部適量供給氮和氧，從沒有圖示的氣體排出口排氣，由此可以從室內(nèi)部實質(zhì)上除去水蒸氣，將氧濃度維持在規(guī)定的濃度。符號22為具有照射172nm的真空紫外線的二重管結(jié)構(gòu)的Xe準分子燈，符號23為兼作外部電極的準分子燈的支架。符號24為試樣臺。試樣臺24可以通過沒有圖示的移動裝置將裝置室21內(nèi)以規(guī)定的速度在水平方向往返移動。另外，試樣臺24可以通過沒有圖示的加熱裝置維持在規(guī)定的溫度。符號25為形成有聚硅氮烷涂膜的試樣。試樣臺進行水平移動時，以試樣的涂布層表面和準分子燈管面的最短距離成為6mm的方式調(diào)整試樣臺的高度。符號26為遮光板，使得在Xe準分子燈22的預(yù)熱中不會對試樣的涂布層照射真空紫外光。在真空紫外線照射工序中照射于涂膜表面的能量使用濱松Photonics株式會社制造的紫外線累積光量計：C8026/H8025UVPOWERMETER、使用172nm的傳感器頭進行測定。在測定時，將傳感器頭設(shè)置于試樣臺24中央并使得Xe準分子燈管面和傳感器頭的測定面的最短距離成為6mm，且供給氮和氧從而使得裝置室21內(nèi)的氛圍成為與真空紫外線照射工序相同的氧濃度，使試樣臺24以0.5m/min的速度(圖7的V)移動而進行測定。在測定之前，為了使Xe準分子燈22的照度穩(wěn)定，在Xe準分子燈點亮后設(shè)置10分鐘的預(yù)熱時間，其后使試樣臺移動并開始測定。以通過該測定得到的照射能量為基礎(chǔ)，通過調(diào)整試樣臺的移動速度而按照照射能量為6000mJ/cm2的方式進行調(diào)整。另外，在真空紫外線照射時，與照射能量測定時同樣地，在10分鐘的預(yù)熱后進行。[無機化合物層的上下層(第1阻氣層和第2阻氣層)的界面的組成評價]按照上述的元素組成深度分布測定法，從上述制作的阻氣性膜112的最表層的第2阻氣層94側(cè)測定膜組成的深度分布。圖10是表示基于采用X射線光電子分光法對比較例2得到的阻氣性膜的全部阻氣層在深度方向上的元素分布測定而得到各構(gòu)成元素的分布曲線的圖。由圖10可知，在阻氣性膜112中，在圖9所示的上下層的阻氣層93、94的任一個中均不含有鋁成分的組成。[實施例1]阻氣性膜113的制作圖11A是示意性表示在實施例1、2的阻氣性膜的制造過程中所形成的下層的第2阻氣前體層和上層的第3阻氣前體層進行改性之前的層構(gòu)成的圖。圖11B是示意性表示實施例1、2的阻氣性膜的層構(gòu)成的圖。需要說明的是，將第2阻氣前體層設(shè)為下層、將第3阻氣前體層設(shè)為上層，是因為形成這些上下層沒有區(qū)別的一體的改性阻氣層。另外，實施例1、2的阻氣性膜的層構(gòu)成相同(只是形成第2阻氣層時的真空紫外線照射量不同。參照表1)。在實施例1中，除了在上述比較例2的阻氣性膜112的制作中在第1阻氣層上疊層以下所示的下層的含有Si的第2阻氣層、及上層的含有Al的阻氣前體層并通過紫外線照射進行改性之外，與阻氣性膜112的制作同樣地，制作阻氣性膜113。詳細而言，如圖11A所示，在制造過程中，在基材132上疊層第1阻氣層133、下層的含有Si的阻氣層134、及上層的含有Al的第3阻氣前體層(聚硅氮烷涂膜)135，利用真空紫外光進行改性，由此，如圖11B所示，在基材132上(詳細而言為第1阻氣層133上)制作具備沒有上下層的區(qū)別的(沒有同樣的“界面”的)一體的改性阻氣層136的阻氣性膜113。以下，直到在基材132上形成第1阻氣層133的工序(制作方法)都是與比較例2的阻氣性膜112的制作(方法)相同的，因此，省略它們的說明。[無機化合物層(下層的含有Si的第2阻氣層)的形成(涂布制膜法)]就下層的含有Si的第2阻氣層134的形成而言，制備以下的涂布液(3)并進行成膜。需要說明的是，涂布液制備操作在水分濃度為10ppm以下的氮手套箱中進行操作。將無催化劑且含有20質(zhì)量％全氫聚硅氮烷(PHPS)的二丁醚溶液(AZ電子材料株式會社制造、AQUAMICA(注冊商標)NN120-20)和含有5質(zhì)量％胺催化劑(N,N,N’,N’-四甲基-1,6-二氨基己烷(TMDAH))并含有20質(zhì)量％全氫聚硅氮烷的二丁醚溶液(AZ電子材料株式會社制造、AQUAMICA(注冊商標)NAX120-20)以4:1的比例(質(zhì)量比)進行混合，進一步用將二丁醚和2,2,4-三甲基戊烷以質(zhì)量比為65:35的方式混合而成的溶劑，將涂布液的固體成分(全氫聚硅氮烷的濃度)調(diào)整為2.7質(zhì)量％，制成涂布液(3)。用旋涂機在第1阻氣層133上將上述中得到的涂布液(3)進行成膜，放置2分鐘之后，在100℃的電熱板上進行1分鐘追加加熱處理，形成聚硅氮烷涂膜(第2阻氣前體層；沒有圖示)。形成聚硅氮烷涂膜(第2阻氣前體層)之后，使用上述的圖7所示的準分子照射裝置，按照172nm的真空紫外線達到6J/cm2的方式實施真空紫外線照射處理，如圖11A所示，將下層的第2阻氣層134形成(疊層)在第1阻氣層(無機化合物層)132上。第2阻氣層(無機化合物層)的厚度為80nm。[上層的第3阻氣前體層和改性阻氣層(無機化合物層)的形成(涂布制膜法)]就圖11A所示的上層的含有Al的第3阻氣前體層135和其后的改性阻氣層(無機化合物層)136(圖11B)的形成而言，將ALCH(川研精密化學(xué)株式會社制造，乙酰乙酸乙酯合鋁·二異丙酸鹽)用乙醇稀釋為1.3質(zhì)量％，制成涂布液(4)。需要說明的是，涂布液制備操作在水分濃度為10ppm以下的氮手套箱中進行操作。用旋涂機在第2阻氣層134上將上述中得到的涂布液(4)進行成膜，放置2分鐘之后，在100℃的電熱板上進行1分鐘追加加熱處理，形成ALCH涂膜(第3阻氣前體層)135。上層的ALCH涂膜(第3阻氣前體層)135的厚度為40nm。形成ALCH涂膜(第3阻氣前體層)135之后，與上述的方法同樣地，按照172nm的真空紫外線達到3J/cm2的方式實施真空紫外線照射處理而制作阻氣性膜113。如圖2所示，改性阻氣層的膜厚和Al元素的組成(at％)的斜率(詳細而言是，在基于利用XPS對改性阻氣層深度(膜厚)方向上的元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線中的Al分布曲線中，從基材側(cè)連續(xù)地變化(增加：用“+”表記，減少：用“－”表記)的區(qū)域的斜率)為+2.3at％/nm(SiO2換算)。另外，改性阻氣層146的膜厚和Si元素的組成(at％)的斜率(詳細而言，在基于利用XPS對改性阻氣層146在深度(膜厚)方向上的元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線中的Si分布曲線中，從基材142側(cè)連續(xù)地減少(增加：用“+”表記，減少：用“－”表記)的區(qū)域的斜率)為-2.6at％/nm(SiO2換算)。另外，由圖2得知，在相對于改性阻氣層136中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線及Si分布曲線中，具有Al原子和Si原子交叉的區(qū)域。得知該Al原子和Si原子交叉的區(qū)域位于改性阻氣層136的中間區(qū)域(在制造過程中存在的第2阻氣層134和第3阻氣前體層135的界面附近)。另外，由圖2得知：上述改性阻氣層136中的全部元素為Al原子、Si原子、O原子、N原子及C原子。[實施例2]阻氣性膜114的制作在上述比較例2的阻氣性膜112的制作中，在第1阻氣層上疊層以下所示的下層的含有Si的第2阻氣層、及上層的含有Al的阻氣前體層，通過紫外線照射而進行改性，除此之外，與阻氣性膜112的制作同樣地，制作阻氣性膜114。詳細而言，如圖11A所示，在制造過程中，在基材132上疊層第1阻氣層133、下層的含有Si的阻氣層134、及上層的含有Al的第3阻氣前體層(聚硅氮烷涂膜)135，利用真空紫外光進行改性，由此，如圖11B所示，在基材132上(詳細而言第1阻氣層133上)制作具備沒有上下層的區(qū)別的(沒有同樣的“界”的)一體的改性阻氣層136的阻氣性膜114。以下，直到在基材132上形成第1阻氣層133的工序(制作方法)都是與比較例2的阻氣性膜112的制作(方法)同樣的，因此，省略它們的說明。[無機化合物層(下層的含有Si的第2阻氣層)的形成(涂布制膜法)]就下層的含有Si的第2阻氣層134的形成而言，制備以下的涂布液(3)并進行成膜。需要說明的是，調(diào)液操作在水分濃度為10ppm以下的氮手套箱中進行操作。將無催化劑且含有20質(zhì)量％全氫聚硅氮烷(PHPS)的二丁醚溶液(AZ電子材料株式會社制造、AQUAMICA(注冊商標)NN120-20)和含有5質(zhì)量％胺催化劑(N,N,N’,N’-四甲基-1,6-二氨基己烷(TMDAH))且含有20質(zhì)量％全氫聚硅氮烷的二丁醚溶液(AZ電子材料株式會社制造、AQUAMICA(注冊商標)NAX120-20)以4:1的比例(質(zhì)量比)進行混合，進一步用將二丁醚和2,2,4-三甲基戊烷以質(zhì)量比為65:35的方式混合而成的溶劑，將涂布液的固體成分(全氫聚硅氮烷的濃度)調(diào)整為2.7質(zhì)量％，制成涂布液(3)。用旋涂機在第1阻氣層133上將上述中得到的涂布液(3)進行成膜，放置2分鐘之后，在100℃的電熱板上進行1分鐘追加加熱處理，形成聚硅氮烷涂膜(第2阻氣前體層；沒有圖示)。形成聚硅氮烷涂膜(第2阻氣前體層)之后，與上述的方法同樣地，按照172nm的真空紫外線達到3J/cm2的方式實施真空紫外線照射處理，如圖11A所示，將下層的第2阻氣層134形成(疊層)在第1阻氣層(無機化合物層)132上。第2阻氣層(無機化合物層)的厚度為80nm。如圖3及圖11A所示，基材132上的第1阻氣層(無機化合物層)133和第2阻氣層(無機化合物層)134為與比較例2同樣的層構(gòu)成，是不含有鋁成分的組成，因此，第1阻氣層(無機化合物層)133和第2阻氣層(無機化合物層)134的界面在真空紫外線的照射后也沒有消失而繼續(xù)存在。[上層的第3阻氣前體層和改性阻氣層(無機化合物層)的形成(涂布制膜法)]就圖11A所示的上層的含有Al的第3阻氣前體層135和其后的改性阻氣層(無機化合物層)136(圖11B)的形成而言，將ALCH(川研精密化學(xué)株式會社制造、乙酰乙酸乙酯合鋁·二異丙酸鹽)用二丁醚稀釋為1.3質(zhì)量％，制成涂布液(4)。需要說明的是，涂布液制備操作在水分濃度為10ppm以下的氮手套箱中進行操作。用旋涂機在第2阻氣層134上將上述中得到的涂布液(4)進行成膜，放置2分鐘之后，在100℃的電熱板上進行1分鐘追加加熱處理，形成ALCH涂膜(第3阻氣前體層)135。上層的ALCH涂膜(第3阻氣前體層)135的厚度為40nm。形成ALCH涂膜(第3阻氣前體層)135之后，與上述的方法同樣地，按照172nm的真空紫外線達到3J/cm2的方式實施真空紫外線照射處理，對上層的ALCH涂膜(第3阻氣前體層)135全域進行改性，并將改性進行至下層的第2阻氣層134進行改性，由此，如圖11B所示，在基材132上經(jīng)由第1阻氣層133而制作具備沒有上下層的區(qū)別的(沒有同樣的“界面”的)一體的改性阻氣層(詳細而言是指，至少含有Al原子及Si原子的改性阻氣層；無機化合物層)136的阻氣性膜114。即，通過照射真空紫外線，將上層的含有Al的ALCH涂膜(第3阻氣前體層)135改性成具有阻氣性的結(jié)構(gòu)，同時，對與下層的含有Si的第2阻氣層(無機化合物層)134之間的界面區(qū)域進行改性，由此形成上下層的中間區(qū)域形成有切實地交叉的改性區(qū)域且沒有上下層區(qū)別的一體化改性阻氣層136。由此，制作阻氣性膜114。[沒有上下層區(qū)別的(沒有界面的)改性阻氣層136的中間區(qū)域(在制造過程中存在的上層及下層的無機化合物層的界面附近)的組成評價]按照上述的元素組成深度分布測定法，從上述制作的阻氣性膜114的改性阻氣層136側(cè)測定膜組成的深度分布。圖3是表示基于利用X射線光電子分光法對實施例2中得到的阻氣性膜的全部阻氣層的深度方向進行元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線圖。如圖3所示可知：在阻氣性膜114中，改性阻氣層136具有Al原子及Si原子，在改性阻氣層136的中間區(qū)域(在制造過程中存在的第2阻氣層134和第3阻氣前體層135的界面附近)中，Al原子在層厚方向上組成連續(xù)地變化，具體而言是增加。另外得知：改性阻氣層136的與基材132側(cè)相反一側(cè)的Al原子量比基材132側(cè)的Al原子量多。另外，改性阻氣層136的膜厚和Al元素的組成(at％)的斜率(詳細而言是指，在基于利用XPS對改性阻氣層136的深度(膜厚)方向進行元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線中的Al分布曲線中，從基材132側(cè)連續(xù)地變化(增加：用“+”表記，減少：用“－”表記)的區(qū)域的斜率)為+1.8at％/nm(SiO2換算)。另外，改性阻氣層146的膜厚和Si元素的組成(at％)的斜率(詳細而言是指，在基于利用XPS對改性阻氣層146的深度(膜厚)方向進行元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線中的Si分布曲線中，從基材142側(cè)連續(xù)地減少(用增加：“+”，減少：用“－”表記)的區(qū)域的斜率)為-2.5at％/nm(SiO2換算)。另外，由圖3得知：在相對于改性阻氣層136中的全部元素總量(100at％)的Al分布曲線及Si分布曲線中，具有Al原子和Si原子交叉的區(qū)域。該Al原子和Si原子交叉的區(qū)域位于改性阻氣層136的中間區(qū)域(在制造過程中存在的第2阻氣層134和第3阻氣前體層135的界面附近)。另外，由圖3得知：上述改性阻氣層136中的全部元素為Al原子、Si原子、O原子、N原子及C原子。[實施例3]阻氣性膜115的制作圖12A是示意性表示在實施例3的阻氣性膜的制造過程中所形成的下層的第2阻氣前體層和上層的第3阻氣前體層被改性之前的層構(gòu)成的圖。圖12B是示意性表示實施例3的阻氣性膜的層構(gòu)成的圖。需要說明的是，將第2阻氣前體層設(shè)為下層、將第3阻氣前體層設(shè)為上層，是因為形成這些上下層沒有區(qū)別的一體的改性阻氣層。在上述實施例2的阻氣性膜114的制作中，不形成第2阻氣層而形成聚硅氮烷涂膜(第2阻氣前體層)之后，使172nm的真空紫外線為0J/cm2、即不進行照射，放置聚硅氮烷涂膜(第2阻氣前體層)2分鐘之后，在100℃的電熱板上進行1分鐘追加加熱處理，在其上形成ALCH涂膜(第3阻氣前體層)，除此之外，與阻氣性膜114的制作同樣地操作，制作阻氣性膜115(因此，對阻氣性膜115的制作方法的說明省略)。詳細而言，如圖12A所示，在制造過程中，在基材142上疊層第1阻氣層143、下層的含有Si的第2阻氣前體層144、及上層的含有Al的第3阻氣前體層(聚硅氮烷涂膜)145，照射真空紫外光(詳細而言，按照172nm的真空紫外線為3J/cm2的方式實施真空紫外線照射處理)，將上下層一并進行改性，由此，如圖12B所示，在基材142上(詳細而言為第1阻氣層143上)制作具備沒有上下層區(qū)別的(沒有同樣的“界面”的)一體化改性阻氣層146的阻氣性膜115。[沒有上下層區(qū)別的(沒有界面的)改性阻氣層146的中間區(qū)域(在制造過程中存在的上層及下層的無機化合物層(前體層)的界面附近)的組成評價]按照上述的元素組成深度分布測定法，從上述制作的阻氣性膜115的改性阻氣層146側(cè)測定膜組成的深度分布。圖4是表示基于利用X射線光電子分光法對實施例3中得到的阻氣性膜的全部阻氣層在深度方向上進行元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線圖。如圖4所示可知：在阻氣性膜115中，改性阻氣層146具有Al原子及Si原子，在改性阻氣層146的中間區(qū)域(在制造過程中存在的第2阻氣前體層144和第3阻氣前體層145的界面附近)中，Al原子在層厚方向上的組成連續(xù)地變化，詳細而言是增加。另外得知：改性阻氣層136的與基材132側(cè)相反一側(cè)的Al原子量比基材142側(cè)的Al原子量多。另外，改性阻氣層146的膜厚和Al元素的組成(at％)的斜率(詳細而言，在基于利用XPS對改性阻氣層146的深度(膜厚)方向進行元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線中的Al分布曲線中，從基材142側(cè)連續(xù)地變化(增加：用“+”表記，減少：用“－”表記)的區(qū)域的斜率)為+0.6at％/nm(SiO2換算)。另外，改性阻氣層146的膜厚和Si元素的組成(at％)的斜率(詳細而言，在基于利用XPS對改性阻氣層146的深度(膜厚)方向進行元素分布測定而得到的各構(gòu)成元素的分布曲線中的Si分布曲線中，從基材142側(cè)連續(xù)地減少(增加：用“+”表記，減少：用“－”表記)的區(qū)域的斜率)為-0.8at％/nm(SiO2換算)。另外，由圖4得知：在相對于改性阻氣層146中的全部元素的合計量(100at％)的Al分布曲線及Si分布曲線中，具有Al原子和Si原子交叉的區(qū)域。得知：該Al原子和Si原子交叉的區(qū)域位于改性阻氣層146的中間區(qū)域(在制造過程中存在的第2阻氣前體層144和第3阻氣前體層145的界面附近)。另外，由圖4得知：上述改性阻氣層146中的全部元素為Al原子、Si原子、O原子、N原子及C原子?！陡邷馗邼裣碌乃魵庾韪粜?濕熱耐性)的評價》對于上述中制作的阻氣性膜111～115，在85℃、85％RH的高溫高濕下曝露500hr，分別準備劣化試驗后的樣品。如下述所示，用鈣法對劣化前后的各阻氣性膜評價水蒸氣阻隔性。具體而言，如下進行評價：如下述那樣使將金屬鈣成膜為80nm厚度形成鈣元件，在60℃、90％RH條件下使水蒸氣透過各阻氣性膜，水蒸氣與金屬鈣反應(yīng)，分別評價金屬鈣的殘量成為50％的時間(鈣劣化時間)(參照下述)。對下述的水蒸氣阻隔性，進行劣化試驗前后的評價，求出保持率。作為保持率的指標，如果為70％以上，則設(shè)為允許，其低于70％時，判斷為不適合。將由劣化試驗前后的鈣劣化時間、利用下述式算出保持率(％)的結(jié)果示于表1。(金屬鈣制膜裝置)·蒸鍍裝置：日本電子株式會社制造，真空蒸鍍裝置JEE-400·恒溫恒濕度烘箱：YamatoHumidicChamberIG47M。(原材料)·與水分反應(yīng)而發(fā)生腐蝕的金屬：鈣(粒狀)·不透過水蒸氣的金屬：鋁(粒徑(φ)3～5mm、粒狀、高純度化學(xué)研究所社制造)。(水蒸氣阻隔性評價試樣的制作)使用真空蒸鍍裝置(日本電子制造的真空蒸鍍裝置JEE-400)，在制作的阻氣性膜111～115的最表層的阻氣層或改性阻氣層表面隔著掩模蒸鍍12mm×12mm的尺寸的金屬鈣。此時，蒸鍍膜厚為80nm。其后，在真空狀態(tài)下取掉掩模，在片材一側(cè)整個面蒸鍍鋁而進行臨時密封。接著，解除真空狀態(tài)，迅速地移至干燥氮氣氛圍下，在鋁蒸鍍面上經(jīng)由密封用紫外線固化樹脂(NagaseChemteX株式會社制造)貼合厚度0.2mm的石英玻璃，照射紫外線使樹脂固化粘接而進行正式密封，由此各自制作水蒸氣阻隔性評價試樣。將得到的各自的試樣在60℃、90％RH的高溫高濕下保存，觀察與保存時間相對應(yīng)的金屬鈣發(fā)生腐蝕的情形。就觀察而言，根據(jù)觀察結(jié)果用直線擬合而求出與12mm×12mm的金屬鈣蒸鍍面積相對應(yīng)的金屬鈣腐蝕面積達到50％的時間(鈣劣化時間)。另外，對劣化試驗前后的樣品同樣地進行評價，按照以下的式子求出保持率(％)。[數(shù)學(xué)式2]保持率＝[劣化后的鈣劣化時間]/[劣化前的鈣劣化時間]×100[表1]表1的實施例1、2中，下層的第2阻氣層和上層的第3阻氣層(前體層)通過在第3阻氣層一欄所示的條件下進行真空紫外線照射而成為沒有上下層區(qū)別的一體化改性阻氣層。因此，界面上Al元素的組成斜率實際上也表示改性阻氣層的中間區(qū)域(區(qū)域A)的Al元素的組成斜率。表1的實施例3中，下層的第2阻氣層(前體層)和上層的第3阻氣層(前體層)通過在第3阻氣層一欄所示的條件下進行真空紫外線照射而一并改性，成為沒有上下層區(qū)別的一體化改性阻氣層。因此，界面中Al元素的組成斜率實際上也表示改性阻氣層的中間區(qū)域(區(qū)域A)的Al元素的組成斜率。由上述表1得知：與比較例1～2中制備的現(xiàn)有阻氣性膜111～112相比，本發(fā)明實施例1～3中制作的阻氣性膜113～115即使在高溫高濕下暴露長時間之后，也幾乎不產(chǎn)生組成變化引起的阻氣性降低(＝具有高保持率)、保存穩(wěn)定性、特別是苛刻條件(高溫高濕條件)下的保存穩(wěn)定性優(yōu)異。另外得知：在對本發(fā)明實施例1～3中制作的阻氣性膜113～115進行比較時，如實施例2所示，就下層的第2阻氣前體層而言，到達第2阻氣層時的真空紫外線照射量為3J/cm2的阻氣性膜，可得到比到達第2阻氣層時的真空紫外線照射量為6J/cm2(實施例1)或0J/cm2(實施例3；一并改性)更優(yōu)異的評價結(jié)果(高保持率)?！队袡C薄膜電子器件的制作》將比較例1～2及實施例1～3中得到的阻氣性膜111～115用作密封膜，制作有機薄膜電子器件即有機EL元件。[有機EL元件的制作](第1電極層的形成)在各阻氣性膜的最表層(第2阻氣層或改性阻氣層)上利用濺射法形成厚度150nm的ITO(銦錫氧化物)膜，利用光刻法進行圖案形成，形成第1電極層。需要說明的是，圖案為發(fā)光面積成為50mm見方的圖案。(空穴輸送層的形成)在形成有第1電極層的各阻氣性膜的第1電極層的上，在25℃、相對濕度50％RH的環(huán)境下用擠出涂布機涂布以下所示的空穴輸送層形成用涂布液之后，在下述條件下進行干燥及加熱處理，形成空穴輸送層。以干燥后的厚度成為50nm的方式涂布空穴輸送層形成用涂布液。在涂布空穴輸送層形成用涂布液之前，使用波長184.9nm的低壓水銀燈，以照射強度15mW/cm2、距離10mm實施各阻氣性膜的清洗表面改性處理。帶電除去處理透過采用微弱X射線的除電器來進行?！纯昭ㄝ斔蛯有纬捎猛坎家旱臏蕚洹禍蕚鋵⒕垡蚁┒踵绶浴ぞ郾揭蚁┗撬狨?PEDOT/PSS、Bayer公司制造，BytronPAI4083)用純水、甲醇稀釋而成的溶液(含有比率：PEDOT/PSS30體積％、純水65體積％、甲醇5體積％)作為空穴輸送層形成用涂布液?！锤稍锛凹訜崽幚項l件〉涂布空穴輸送層形成用涂布液之后，在距離成膜面的高度100mm、吐出風(fēng)速1m/s、寬度的風(fēng)速分布5％、溫度100℃的條件下除去溶劑之后，繼續(xù)使用加熱處理裝置，在溫度150℃下進行背面?zhèn)鳠岱绞降臒崽幚?，形成空穴輸送層?發(fā)光層的形成)在下述條件下用擠出涂布機在上述形成的空穴輸送層上涂布以下所示的白色發(fā)光層形成用涂布液之后，在下述條件下進行干燥及加熱處理，形成發(fā)光層。以干燥后的厚度成為40nm的方式涂布白色發(fā)光層形成用涂布液?！窗咨l(fā)光層形成用涂布液〉將作為主材料的下述化學(xué)式H-A表示的化合物1.0g和作為摻雜材料的下述化學(xué)式D-A表示的化合物100mg、作為摻雜材料的下述化學(xué)式D-B表示的化合物0.2mg、作為摻雜材料的下述化學(xué)式D-C表示的化合物0.2mg溶解于100g的甲苯，準備白色發(fā)光層形成用涂布液。[化學(xué)式3]〈涂布條件〉在氮氣濃度99％以上的氛圍下，涂布溫度25℃，涂布速度1m/min的條件下進行涂布工序。〈干燥及加熱處理條件〉涂布白色發(fā)光層形成用涂布液之后，在距離成膜面的高度100mm、吐出風(fēng)速1m/s、寬度的風(fēng)速分布5％、溫度60℃的條件下除去溶劑之后，繼續(xù)在溫度130℃下進行加熱處理，形成發(fā)光層。(電子輸送層的形成)在下述條件下透過擠出涂布機在上述形成的發(fā)光層上涂布以下所示的電子輸送層形成用涂布液之后，在下述條件下進行干燥及加熱處理，形成電子輸送層。以干燥后的厚度成為30nm的方式涂布電子輸送層形成用涂布液?！赐坎紬l件〉涂布工序在氮氣濃度99％以上的氛圍下，將電子輸送層形成用涂布液的涂布溫度設(shè)為25℃，以涂布速度1m/min進行?！措娮虞斔蛯有纬捎猛坎家骸稻碗娮虞斔蛯佣裕瑢⑾率龌瘜W(xué)式E-A表示的化合物溶解于2,2,3,3-四氟-1-丙醇中，制成0.5質(zhì)量％溶液，作為電子輸送層形成用涂布液。[化學(xué)式4]〈干燥及加熱處理條件〉涂布電子輸送層形成用涂布液之后，在距離成膜面的高度100mm、吐出風(fēng)速1m/s、寬度的風(fēng)速分布5％、溫度60℃的條件下除去溶劑之后，繼續(xù)在加熱處理部、在溫度200℃下進行加熱處理，形成電子輸送層。(電子注入層的形成)在上述形成的電子輸送層上形成電子注入層。首先，將基板投入于減壓室，減壓至5×10-4Pa。對預(yù)先在真空室內(nèi)在鉭制蒸鍍舟中準備好的氟化銫進行加熱，形成厚度3nm的電子注入層。(第2電極的形成)在5×10-4Pa的真空下，使用鋁作為第2電極形成材料，以用蒸鍍法在上述形成的電子注入層之上的除去形成第1電極22的導(dǎo)出電極的部分以外的部分，進行掩模圖案成膜，并使之具有導(dǎo)出電極，并使得發(fā)光面積為50mm見方，疊層厚度100nm的第2電極。(裁切)如上所述，將形成至第2電極的各疊層體再轉(zhuǎn)移至氮氛圍下，使用紫外線激光裁切為規(guī)定的大小，制作有機EL元件。(電極引線連接)使用SONYCHEMICAL&INFORMATIONDEVICE株式會社制造的各向異性導(dǎo)電膜DP3232S9，在制作的有機EL元件上連接撓性印刷基板(基礎(chǔ)膜：聚酰亞胺12.5μm、壓延銅箔18μm、覆蓋膜：聚酰亞胺12.5μm、表面處理NiAu鍍覆)。壓接條件：使用溫度170℃(另行使用熱對偶測定的ACF溫度為140℃)、在壓力2MPa下進行壓接10秒。(密封)準備如下的密封部件：使用干層壓用粘接劑(雙組分反應(yīng)型聚氨酯類粘接劑)在30μm厚度的鋁箔(東洋鋁株式會社制造)上層壓聚對苯二甲酸酯(PET)膜(12μm厚度)而形成的密封部件(粘接劑層的厚度為1.5μm)。使用點膠機在準備的密封部件的鋁面上沿鋁箔的粘接面(光澤面)以厚度20μm均勻地涂布熱固化性粘接劑，形成粘接劑層。此時，作為熱固化性粘接劑，使用含有雙酚A二縮水甘油醚(DGEBA)、二氰基二酰胺(DICY)及環(huán)氧基加合物類固化促進劑的各成分的環(huán)氧類粘接劑。以覆蓋導(dǎo)出電極及電極引線的接合部的方式對密封部件進行密合和設(shè)置，使用壓接輥，在壓接輥溫度120℃、壓力0.5MPa、裝置速度0.3m/min的壓接條件下進行密合密封?！队袡CEL元件的評價》對上述制作的有機EL元件，按照下述的方法，進行耐久性的評價。[耐久性的評價](加速劣化處理)將上述制作的各有機EL元件在85℃、85％RH的環(huán)境下實施500小時的加速劣化處理，然后，進行與下述黑斑有關(guān)的評價。(黑斑(DS、黑點)的評價)對實施了加速劣化處理的有機EL元件，施加1mA/cm2的電流，連續(xù)發(fā)光24小時之后，用100倍的顯微鏡(株式會社Moritex制造的MS-804、透鏡MP-ZE25-200)將面板的一部分放大，進行拍攝。將拍攝圖像切割成相當(dāng)于2mm見方尺寸，求出產(chǎn)生黑斑的面積比率，按照下述基準評價耐久性。如果評價等級為△，則判定為實用的特性，如果其為○，則判定為更為實用的特性，如果其為◎，則判定為完全沒有問題的優(yōu)選特性。◎：黑斑產(chǎn)生率低于0.3％。○：黑斑產(chǎn)生率為0.3％以上且低于1.0％。△：黑斑產(chǎn)生率為1.0％以上且低于2.0％?！粒汉诎弋a(chǎn)生率為2.0％以上。將黑斑的評價結(jié)果示于下述表2。[表2]膜No.DS評價比較例1111×比較例2112×實施例1113△實施例2114○實施例3115◎由上述表2得知：本發(fā)明的實施例中制備的阻氣性膜用作有機EL元件的密封膜時，特別是即使在暴露于85℃、85％RH的環(huán)境之后，也具有降低黑斑產(chǎn)生的效果，具有非常高的阻氣性。在實施例1～3中，可知：與將上下層的阻氣層(前體層)分別進行真空紫外線照射處理進行改性而形成的改性阻氣層(實施例1、2)相比，將上下層的阻氣前體層通過1次真空紫外線照射處理進行一并改性而形成的改性阻氣層(實施例3)可得到好的評價結(jié)果(DS產(chǎn)生率小)。另外可知：與分別進行真空紫外線照射處理并進行改性而形成的改性阻氣層(實施例1、2)相比，通過1次真空紫外線照射處理進行一次改性而形成的改性阻氣層(實施例3)，由于經(jīng)過很少次數(shù)的真空紫外線照射處理即可完成，因此，可以以更短的工序制作，因此，從生產(chǎn)率(生產(chǎn)性)的觀點出發(fā)也優(yōu)異。本申請基于2014年5月26日提出申請的日本專利申請?zhí)?014-108556號，其公開內(nèi)容作為參照，將其整體引入。當(dāng)前第1頁1 2 3