專利名稱：層疊型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)，更具體而言，涉及一種具有三維層疊單元的層疊型存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
隨著移動(dòng)和數(shù)字信息通信行業(yè)以及家用電器行業(yè)的發(fā)展，現(xiàn)有的基于電子電荷控制的器件將達(dá)到其物理極限。因而，已經(jīng)發(fā)展出具有新構(gòu)造的新的功能性存儲(chǔ)器件。尤其，具有大容量、超高速以及超低功耗的下一代存儲(chǔ)器件的發(fā)展可以包括用于主要信息家用電器中的大容量存儲(chǔ)器的特點(diǎn)。當(dāng)前，已經(jīng)建議使用利用阻變器件作為存儲(chǔ)介質(zhì)的阻變存儲(chǔ)器件作為下一代存儲(chǔ)器件。這些下一代存儲(chǔ)器件可以包括相變存儲(chǔ)器件、阻變存儲(chǔ)器件以及磁阻存儲(chǔ)器件。阻變存儲(chǔ)器件可以包括開關(guān)器件和阻變器件，并且阻變存儲(chǔ)器件根據(jù)阻變器件的狀態(tài)來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)“O”或“I”。另外，阻變存儲(chǔ)器件可以改善集成密度，而在有限的區(qū)域中提高容量是重要的。另外，相變存儲(chǔ)器件利用與字線連接的二極管作為開關(guān)器件，并將字線形成為具有盡可能窄的線寬以降低集成密度。因而，字線的電阻值增加導(dǎo)致字線跳躍(bouncing)，并且字線電壓可能不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，一種層疊型存儲(chǔ)器件包括:半導(dǎo)體襯底；多個(gè)位線，所述多個(gè)位線被布置并層疊在所述半導(dǎo)體襯底上；多個(gè)字線，所述多個(gè)字線形成在所述多個(gè)位線上；多個(gè)互連單元，所述多個(gè)互連單元中的每個(gè)從相應(yīng)的字線向所述多個(gè)位線中的相應(yīng)的一個(gè)延伸；多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元分別連接在所述多個(gè)位線與從所述多個(gè)字線延伸的互連單元之間。根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的另一方面，一種層疊型存儲(chǔ)器件包括:半導(dǎo)體襯底；多個(gè)有源區(qū)，所述多個(gè)有源區(qū)中的每個(gè)包括層疊在所述半導(dǎo)體襯底上并彼此絕緣的多個(gè)有源層；多個(gè)柵電極，所述多個(gè)柵電極形成在所述多個(gè)有源區(qū)的每個(gè)中，并且所述多個(gè)柵電極包圍所述多個(gè)有源層的最上層有源層的上部以及所述多個(gè)有源層的側(cè)部；多個(gè)源極，所述多個(gè)源極中的每個(gè)在所述柵電極的第一側(cè)形成在所述多個(gè)有源層的每個(gè)中；多個(gè)漏極，所述多個(gè)漏極中的每個(gè)在所述柵電極的第二側(cè)形成在所述多個(gè)有源層的每個(gè)中；多個(gè)位線，所述多個(gè)位線中的每個(gè)與設(shè)置在同一層中的漏極共同地連接；多個(gè)阻變器件層，所述多個(gè)阻變器件層中的每個(gè)與所述多個(gè)源極中的相應(yīng)的一個(gè)連接；以及公共源極線，所述公共源極線與所述阻變器件層共同地連接。根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施例的又一方面，一種層疊型存儲(chǔ)器件包括:半導(dǎo)體襯底；多個(gè)有源區(qū)，所述多個(gè)有源區(qū)中的每個(gè)包括層疊在所述半導(dǎo)體襯底上并彼此絕緣的多個(gè)有源層；多個(gè)柵電極，所述多個(gè)柵電極形成在所述多個(gè)有源區(qū)的每個(gè)中，并且所述多個(gè)柵電極包圍所述多個(gè)有源層的最上層有源層的上部以及所述多個(gè)有源層的側(cè)部；多個(gè)源極，所述多個(gè)源極中的每個(gè)在柵電極的第一側(cè)形成在所述多個(gè)有源層的每個(gè)中；多個(gè)漏極，所述多個(gè)漏極中的每個(gè)在柵電極的第二側(cè)形成在所述多個(gè)有源層的每個(gè)中；多個(gè)阻變器件層，所述多個(gè)阻變器件層中的每個(gè)布置在所述多個(gè)漏極中的相應(yīng)一個(gè)的第一側(cè)；多個(gè)位線，所述多個(gè)位線中的每個(gè)與布置在同一層中的阻變器件層共同地連接；公共源極線，所述公共源極線與所述多個(gè)源極共同地連接；以及字線，所述字線中的每個(gè)與所述多個(gè)柵電極中的相應(yīng)一個(gè)電連接。在以下標(biāo)題為“具體實(shí)施方式
”的部分描述這些和其它的特征、方面和實(shí)施例。


從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中將更加清楚地理解本發(fā)明主題的上述和其它方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn)，其中:圖1是說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的層疊型存儲(chǔ)器件的立體圖；圖2至圖9是說明制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的層疊型存儲(chǔ)器件的方法的工藝的截面圖；圖10至圖17是說明制造根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的層疊型存儲(chǔ)器件的方法的工藝的平面圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的層疊型存儲(chǔ)器件的電路圖:以及圖19至圖21是說明根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的層疊型存儲(chǔ)器件的截面圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例。本發(fā)明參照截面圖來描述示例性實(shí)施例,截面圖是示例性實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示。照此，可以預(yù)料到圖示的形狀變化是例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果。因而，示例性實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限于本發(fā)明所說明的區(qū)域的特定形狀，而是可以包括例如來自于制造的形狀差異。在附圖中，為了清楚起見，可能對層和區(qū)域的長度和尺寸進(jìn)行夸大。相同的附圖標(biāo)記在附圖中表示相同的元件。還要理解當(dāng)提及一層在另一層或襯底“上”時(shí)，其可以直接在另一層或襯底上，或還可以存在中間層。圖1是說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的層疊型存儲(chǔ)器件的立體圖。參見圖1，具有線形的多個(gè)有源層110層疊在半導(dǎo)體襯底100上，絕緣層(未示出)插入在多個(gè)有源層110之間。層疊的有源層110通過沿Z方向延伸的絕緣插塞(plug) 125而被劃分成單位有源區(qū)UNIT。在層疊的單位有源區(qū)UNIT中的每個(gè)的中央部分形成柵電極G。柵絕緣層(未示出)插入在柵電極G與有源層110之間。柵電極G可以形成為“U”形，以包圍層疊的單位有源區(qū)UNIT中的最上層單位有源區(qū)的上表面以及層疊的單位有源區(qū)UNIT的側(cè)壁。柵電極G與字線160電連接。在柵電極G的兩側(cè)的多個(gè)有源層的每個(gè)中形成源極S和漏極D，使得在每個(gè)單位有源區(qū)UNIT中形成晶體管。位線120可以沿z方向延伸，并與漏極D的第一側(cè)接觸。在每個(gè)源極S的第二側(cè)可以形成阻變器件層145。此時(shí)，位線120可以與被布置成在同一層(同一平面)中沿圖1的z方向與位線120重疊的漏極D共同地連接。位線沿與字線160相交叉的方向延伸。另外，阻變器件層145是被配置成根據(jù)晶體管的開關(guān)操作來儲(chǔ)存位線120的信號的儲(chǔ)存介質(zhì)。阻變器件層145可以包括下列中的任何一種:作為用于阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)的材料的鐠鈣錳氧化物(PCMO)層、作為用于相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)的材料的硫族化合物層、作為用于磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)的材料的磁性層、作為用于自旋轉(zhuǎn)移力矩MRAM(STTMRAM)的材料的磁化開關(guān)器件層、以及作為用于聚合物隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PoRAM)的材料的聚合物層。阻變器件層145可以共同地連接到公共源極線150，例如，公共源極線150可以是用于接地電壓的端子。所述層疊型存儲(chǔ)器件能夠通過有源區(qū)和位線的層疊布置而在有限的區(qū)域中集成多個(gè)存儲(chǔ)器單元。圖2至圖9是說明制造圖1的層疊型存儲(chǔ)器件的方法的工藝的截面圖。圖10至圖17是說明制造圖1的層疊型存儲(chǔ)器件的方法的工藝的平面圖。這里，圖10至圖17是x-z平面的平面圖。圖2至圖9是沿圖10至圖17的線a-a’截取的截面圖。參見圖2和圖10，在半導(dǎo)體襯底100上形成絕緣層105。重復(fù)地形成有源層110和層間絕緣層115，使得多個(gè)有源層110和多個(gè)層間絕緣層115交替地層疊，由此形成層疊的有源結(jié)構(gòu)SA。有源層110可以包括諸如硅(Si)、硅鍺(SiGe)以及砷化鎵(GaAs)的半導(dǎo)體層，并且有源層110可以包括選自S1、SiGe以及GaAs中的單層或多層。例如，絕緣層105和層間絕緣層115可以包括氧化硅材料。參見圖3和圖11，將層疊的有源結(jié)構(gòu)SA的第一部分圖案化以暴露絕緣層105。此圖案化工藝形成第一孔H1。隨后，通過從層間絕緣層115的側(cè)表面將經(jīng)由第一孔Hl暴露出的有源層110回拉(pull back)的刻蝕工藝來形成第二孔H2。第一孔Hl是用于將位線分開的孔，第二孔H2是限定位線區(qū)域的區(qū)域。此時(shí)，通過第一孔Hl和第二孔H2將層疊的有源結(jié)構(gòu)SA沿z方向左右分開。參見圖4和圖12，導(dǎo)電材料填充第二孔H2以形成分別與層疊的有源層接觸的位線120。用于位線120的導(dǎo)電材料可以包括選自下列中的至少一種:諸如鎢(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鑰(Mo)以及鉭(Ta)的金屬層；諸如氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)、氮化鑰(MoN)、氮化鈮(NbN)、氮化鈦硅(TiSiN)、氮化鈦鋁(TiAlN)、氮化鈦硼(TiBN)、氮化鋯硅(ZrSiN)、氮化鎢硅(WSiN)、氮化鎢硼(WBN)、氮化鋯鋁(ZrAlN)、氮化鑰硅(MoSiN)、氮化鑰鋁(MoAlN)、氮化鉭硅(TaSiN)以及氮化鉭鋁(TaAlN)的金屬氮化物層；諸如硅化鈦(TiSi)的金屬硅化物層；諸如鈦鎢(TiW)的異質(zhì)金屬層；以及諸如氮氧化鈦(TiON)、氮氧化鎢(WON)以及氮氧化鉭(TaON)的金屬氮氧化物層。另外，位線120與布置在同一平面上的有源層110共同地連接。接著，絕緣層填充第一孔Hl以形成絕緣插塞125。通過層疊的層間絕緣層115和絕緣插塞125將沿y方向?qū)盈B并沿x方向設(shè)置在同一層中的位線120彼此分開。參見圖5和圖13，刻蝕層疊的有源結(jié)構(gòu)SA的第二部分以暴露絕緣層105，使得層疊的有源結(jié)構(gòu)SA沿圖13的X方向分開。圖13的區(qū)域P表示其中層疊的有源結(jié)構(gòu)SA被刻蝕以沿X方向被分開的區(qū)域。經(jīng)由此刻蝕工藝，將層疊的有源結(jié)構(gòu)SA分成具有沿X方向延伸的矩形形狀的多個(gè)層疊的有源圖案SAP。這里，層疊的有源圖案中的每個(gè)可以被稱作為層疊的有源區(qū)，并且構(gòu)成層疊的有源區(qū)的一個(gè)層可以是形成有一個(gè)存儲(chǔ)器單元的單位有源區(qū)。在形成有多個(gè)層疊的有源圖案SAP的半導(dǎo)體襯底100的所得結(jié)構(gòu)上形成柵絕緣層130和柵電極層135。與位線相似，柵電極層135可以包括選自下列中的至少一種:諸如鎢(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)、鑰(Mo)以及鉭(Ta)的金屬層；諸如氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)、氮化鑰(MoN)、氮化鈮(NbN)、氮化鈦硅(TiSiN)、氮化鈦鋁(TiAlN)、氮化鈦硼(TiBN)、氮化鋯硅(ZrSiN)、氮化鎢硅(WSiN)、氮化鎢硼(WBN)、氮化鋯鋁(ZrAlN)、氮化鑰硅(MoSiN)、氮化鑰鋁(MoAlN)、氮化鉭硅(TaSiN)以及氮化鉭鋁(TaAlN)的金屬氮化物層；諸如硅化鈦(TiSi)的金屬硅化物層；諸如鈦鎢(TiW)的異質(zhì)金屬層；以及諸如氮氧化鈦(TiON)、氮氧化鎢(WON)以及氮氧化鉭(TaON)的金屬氮氧化物層。柵電極層135和柵絕緣層130首先被圖案化以包圍每個(gè)層疊的有源圖案SAP。參見圖6和圖14，另外地刻蝕首先被圖案化的柵電極層135和柵絕緣層130以在層疊的有源圖案SAP上形成柵電極G。在層疊的有源圖案SAP中的每個(gè)上形成柵電極G的每個(gè)。更具體地，由圖14可見，將柵電極G的每個(gè)布置成沿與層疊的有源圖案SAP中的每個(gè)的延伸方向(X方向)相垂直的方向。然而，如圖1所示，柵電極G實(shí)質(zhì)地形成為包圍層疊的有源圖案SAP的上表面和側(cè)面。因此，即使將柵電極G布置成與層疊的有源圖案SAP一一對應(yīng)，但是柵電極G對于構(gòu)成層疊的有源圖案SAP中的每個(gè)的單位有源區(qū)實(shí)質(zhì)上用作共享的柵電極。接著，在利用柵電極G作為掩模的單位有源區(qū)的每個(gè)中形成源極和漏極。經(jīng)由步進(jìn)式離子注入工藝在層疊的單位有源層110的每個(gè)中形成源極S和漏極D。在這個(gè)工藝中，可以將漏極D形成為與位線120接觸。源極S可以具有比漏極D更大的寬度，從而確保要在隨后的工藝中形成阻變器件層(未示出)的空間。參見圖7和圖15，在包括柵電極G的半導(dǎo)體襯底100的所得結(jié)構(gòu)上形成上絕緣層140。接著，刻蝕上絕緣層140和層疊的有源圖案SAP以暴露層疊的有源圖案SAP的源極S的側(cè)壁，從而形成第三接觸孔H3。將暴露的源極S的部分回拉指定的長度以形成第四孔H4。這里，將第四孔H4的深度確定成與漏極D的寬度基本相等。參見圖8和圖16，阻變材料填充第四孔H4以形成阻變器件層145。阻變器件層145可以包括選自下列中的任一種:作為用于阻變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)的材料的鐠鈣錳氧化物(PCMO)層、作為用于相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)的材料的硫族化合物層、作為用于磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)的材料的磁性層、作為用于自旋轉(zhuǎn)移力矩MRAM (STTMRAM)的材料的磁化開關(guān)器件層、以及作為用于聚合物隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PoRAM)材料的聚合物層。通過形成阻變器件層145，形成了與阻變器件層145連接的晶體管。導(dǎo)電材料填充第三孔H3以形成與連接到相應(yīng)源極S的阻交器件層145共同連接的公共源極線150。參見圖9和圖17，在包括公共源極線150的半導(dǎo)體襯底100的所得結(jié)構(gòu)上形成層間絕緣層155，隨后，在層間絕緣層155內(nèi)形成與柵電極G接觸的導(dǎo)電插塞157。在層間絕緣層155上形成字線160以與導(dǎo)電插塞157接觸。字線160可以沿與有源層110的延伸方向相同的方向延伸。圖17所示的接觸CT是字線160與導(dǎo)電插塞157之間的接觸。可以用圖18所示的電路來實(shí)現(xiàn)根據(jù)上述示例性實(shí)施例的層疊型存儲(chǔ)器件。參見圖18，層疊型存儲(chǔ)器件1000包括多個(gè)字線WL0、WL1和WL2，多個(gè)位線BL0、BL1和BL2，以及多個(gè)存儲(chǔ)器單元me。多個(gè)位線BL0、BL1和BL2層疊并沿第一方向延伸。多個(gè)字線WL0、WL1和WL2包括向?qū)盈B的位線BLO、BLl和BL2延伸的互連單元L。這里，互連單元L可以與圖9的接觸插塞157相對應(yīng)。多個(gè)存儲(chǔ)器單元me連接在從多個(gè)字線WLO、WLl和WL2到多個(gè)位線BL0、BL1和BL2延伸的互連單元L之間。多個(gè)存儲(chǔ)器單元me中的每個(gè)可以包括晶體管Tr和可變電阻器Rv。在晶體管Tr中，柵極與對應(yīng)的互連單元L連接，漏極與對應(yīng)的位線連接，源極與可變電阻器Rv連接?？勺冸娮杵鱎v可以與公共源極線150連接，并且與示例性實(shí)施例的阻變器件層145相對應(yīng)。位線BL3、BL4和BL5是布置在相鄰的層疊有源區(qū)中的位線。所述層疊型存儲(chǔ)器件被配置成層疊多個(gè)存儲(chǔ)器單元并且層疊位線以改善集成密度。因此，可以確保字線形成區(qū)域并防止字線跳躍。圖19是說明根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的層疊型阻變存儲(chǔ)器件的截面圖。在所述示例性實(shí)施例中,利用NMOS晶體管作為晶體管?？梢酝ㄟ^注入高濃度η型雜質(zhì)來形成NMOS晶體管的源極和漏極。另外，如圖20所示，可以利用硅化物層118作為晶體管的源極和漏極。通過利用硅化物層，可以改善晶體管的結(jié)電阻。另外，如圖21所示，可以將阻變器件層146設(shè)置在漏極D和位線120之間。通過這個(gè)實(shí)施例，可以獲得與上述示例性實(shí)施例相同的特點(diǎn)。盡管在上述示例性實(shí)施例中未詳細(xì)描述，但是晶體管的源極和漏極可以形成為一般的輕摻雜漏極(LDD)類型。如以上詳細(xì)描述的，根據(jù)示例性實(shí)施例，阻變存儲(chǔ)器件被配置成三維結(jié)構(gòu)，因而，可以改善集成密度并防止字線跳躍。盡管以上已經(jīng)描述了某些實(shí)施例，但是可以理解的是描述的實(shí)施例僅僅是實(shí)例。因此，不應(yīng)基于所描述的實(shí)施例來限定本發(fā)明描述的器件和方法。更確切地說，應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)結(jié)合以上描述和附圖的所附權(quán)利要求來限定本發(fā)明描述的系統(tǒng)和方法。
權(quán)利要求
1.一種層疊型存儲(chǔ)器件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 多個(gè)位線，所述多個(gè)位線被布置并層疊在所述半導(dǎo)體襯底上； 多個(gè)字線，所述多個(gè)字線形成在所述多個(gè)位線上； 多個(gè)互連單元,所述多個(gè)互連單元中的每個(gè)從相應(yīng)的字線向所述多個(gè)位線中的相應(yīng)的一個(gè)延伸；以及 多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元分別連接在所述多個(gè)位線與從所述多個(gè)字線延伸的互連單元之間。
2.如權(quán)利要求1所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元中的每個(gè)包括: 開關(guān)晶體管，所述開關(guān)晶體管與對應(yīng)的位線以及與對應(yīng)的字線的互連單元連接；以及 可變電阻器，所述可變電阻器與所述開關(guān)晶體管連接。
3.如權(quán)利要求2所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元的可變電阻器共同地連接到公共源極線。
4.一種層疊型存儲(chǔ)器件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 多個(gè)有源區(qū)，所述多個(gè)有源區(qū)中的每個(gè)包括層疊在所述半導(dǎo)體襯底上并彼此絕緣的多個(gè)有源層； 多個(gè)柵電極，所述多個(gè)柵電極形成在所述多個(gè)有源區(qū)的每個(gè)中，并且所述多個(gè)柵電極包圍所述多個(gè)有源層的最上 層有源層的上部以及所述多個(gè)有源層的側(cè)部； 多個(gè)源極，所述多個(gè)源極中的每個(gè)在所述柵電極的第一側(cè)形成在所述多個(gè)有源層的每個(gè)中； 多個(gè)漏極，所述多個(gè)漏極中的每個(gè)在所述柵電極的第二側(cè)形成在所述多個(gè)有源層的每個(gè)中； 多個(gè)位線，所述多個(gè)位線中的每個(gè)與設(shè)置在同一層中的漏極共同地連接； 多個(gè)阻變器件層，所述多個(gè)阻變器件層中的每個(gè)與所述多個(gè)源極的相應(yīng)的一個(gè)連接；以及 公共源極線，所述公共源極線與所述阻變器件層共同地連接。
5.如權(quán)利要求4所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述多個(gè)有源區(qū)被平行地布置在所述半導(dǎo)體襯底上并彼此分開。
6.如權(quán)利要求5所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述位線層疊并沿第一方向延伸，使得所述位線與所述有源層一一對應(yīng)。
7.如權(quán)利要求6所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述位線形成在所述漏極的第一側(cè)。
8.如權(quán)利要求4所述的層疊型存儲(chǔ)器件，還包括多個(gè)字線，所述多個(gè)字線形成在所述柵電極上以與所述柵電極電連接。
9.如權(quán)利要求8所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述多個(gè)字線沿與所述位線相交叉的第二方向延伸。
10.如權(quán)利要求4所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述源極和所述漏極包括高濃度η型雜質(zhì)區(qū)域。
11.如權(quán)利要求4所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述源極和所述漏極包括硅化物層。
12.如權(quán)利要求4所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述阻變器件層包括選自鐠鈣錳氧化物層、硫族化合物層、磁性層、磁化開關(guān)器件層、以及聚合物層中的任何一種。
13.如權(quán)利要求12所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述阻變器件層形成在每個(gè)源極的第一側(cè)。
14.一種層疊型存儲(chǔ)器件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 多個(gè)有源區(qū)，所述多個(gè)有源區(qū)中的每個(gè)包括層疊在所述半導(dǎo)體襯底上并彼此絕緣的多個(gè)有源層； 多個(gè)柵電極，所述多個(gè)柵電極形成在所述多個(gè)有源區(qū)的每個(gè)中，并且所述多個(gè)柵電極包圍所述多個(gè)有源層的最上層有源層的上部以及所述多個(gè)有源層的側(cè)部； 多個(gè)源極，所述多個(gè)源極中的每個(gè)在所述柵電極的第一側(cè)形成在所述多個(gè)有源層的每個(gè)中； 多個(gè)漏極，所述多個(gè)漏極中的每個(gè)在所述柵電極的第二側(cè)形成在所述多個(gè)有源層的每個(gè)中； 多個(gè)阻變器件層，所述多個(gè)阻變器件層中的每個(gè)被布置在所述多個(gè)漏極中的相應(yīng)一個(gè)的第一側(cè)； 多個(gè)位線，所述多個(gè)位線中的每個(gè)與布置在同一層中的阻變器件層共同地連接； 公共源極線，所述公共源極線與所述多個(gè)源極共同地連接；以及 字線，所述字線中的每個(gè)與 所述多個(gè)柵電極中的相應(yīng)的一個(gè)電連接。
15.如權(quán)利要求14所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述多個(gè)有源區(qū)被平行地布置在所述半導(dǎo)體襯底上并彼此分開。
16.如權(quán)利要求15所述的層疊型存儲(chǔ)器件，其中，所述位線被布置并層疊成與所述有源區(qū)--對應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種層疊型存儲(chǔ)器件，所述層疊型存儲(chǔ)器件包括半導(dǎo)體襯底；多個(gè)位線，所述多個(gè)位線被布置并層疊在所述半導(dǎo)體襯底上；多個(gè)字線，所述多個(gè)字線形成在所述多個(gè)位線上；多個(gè)互連單元，所述多個(gè)互連單元中的每個(gè)從相應(yīng)的字線向所述多個(gè)位線中的相應(yīng)的一個(gè)延伸；以及多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元分別連接在所述多個(gè)位線與從所述多個(gè)字線延伸的互連單元之間。
文檔編號H01L45/00GK103165638SQ20121027423
公開日2013年6月19日 申請日期2012年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月15日
發(fā)明者樸南均 申請人:愛思開海力士有限公司