專(zhuān)利名稱(chēng)：：硅晶片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及硅晶片及其制造方法，特別是涉及將通過(guò)直拉法(Czochralski法)制備的硅單晶錠切片而得到的硅晶片的制造方法。本發(fā)明涉及抑制滑移位錯(cuò)改善晶片的強(qiáng)度時(shí)使用的合適的技術(shù)。本申請(qǐng)要求2005年7月27日提交的申請(qǐng)日本特愿2005-217647號(hào)的優(yōu)先權(quán)，在此援用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
：用作半導(dǎo)體裝置等的基板的單晶硅晶片，通過(guò)將硅單晶錠切片、進(jìn)行熱處理或鏡面加工等來(lái)制造。作為硅單晶錠的制備方法，可以舉出例如，直拉法(cz法)。cz法由于易得到大口徑的單晶錠、易對(duì)缺陷進(jìn)行控制等，被廣泛用于硅單晶錠的制備中。通過(guò)cz法制備硅單晶時(shí)，由于使用石英坩鍋進(jìn)行結(jié)晶生長(zhǎng)，結(jié)晶中含有過(guò)飽和狀態(tài)的氧，該氧在裝置的電路形成步驟的熱處理過(guò)程等中形成熱施主(TD),所以在裝置制造時(shí)存在晶片的電阻率不穩(wěn)定地變動(dòng)的大問(wèn)題。在添加有摻雜劑的常規(guī)低電阻晶片的情況下，熱施主對(duì)晶片的電阻率的影響是輕微的，在實(shí)際操作上不存在問(wèn)題。但是，在摻雜劑受限的高電阻晶片的情況下，若為n型則隨著熱施主的增加而電阻率激減。若為p型則雖然隨著熱施主的增加、最初電阻率激增，但是如果熱施主進(jìn)一步繼續(xù)增加，p型轉(zhuǎn)換為n型、電阻率激減。通常，對(duì)硅晶片，為了防止由于熱施主所導(dǎo)致的電阻率變動(dòng)，實(shí)施施主消除(donorkiller;DK)處理。對(duì)于供于氫退火、氬退火的硅晶片，同樣地為了抑制電阻率變動(dòng)，在高溫退火處理前實(shí)施施主消除處理。熱施主除了為電阻率變動(dòng)的因素之外，也是促進(jìn)氧析出物形成的因素。通過(guò)CZ法拉晶而成的硅單晶中，過(guò)飽和的氧進(jìn)入晶格之間。過(guò)飽和的氧在晶片加工步驟等的退火處理中，成為誘發(fā)被稱(chēng)為BMD(BulkMicoDefect)的微小缺陷的原因。在單晶硅晶片上形成半導(dǎo)體裝置時(shí)，要求在裝置形成區(qū)域中無(wú)結(jié)晶缺陷。若在形成電路的表面上存在結(jié)晶缺陷，則成為由該缺陷部分引起電路破壞等的原因。另一方面，BMD具有對(duì)成為結(jié)晶缺陷的原因的金屬雜質(zhì)等進(jìn)行吸雜的作用。因此，DZ-IG法中，通過(guò)進(jìn)行硅晶片的退火，在硅晶片的內(nèi)部誘發(fā)BMD、形成IG(本征吸雜(IntrinsicGettering))層。通過(guò)IG層對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行吸雜，由此在硅晶片的表面上形成結(jié)晶缺陷極少的DZ(DenudedZone)層。DZ層在裝置形成中是不可欠缺的。但是若對(duì)形成有DZ層的硅晶片進(jìn)行退火，則在DZ層上產(chǎn)生位錯(cuò)缺陷(Slip)且擴(kuò)展，硅晶片的強(qiáng)度降低。特別是若在晶片被熱處理口(熱処理爾一卜)等支撐的狀態(tài)下、進(jìn)行退火則滑移位錯(cuò)有可能從晶片的背面周邊的被支撐部分?jǐn)U展。若硅晶片的強(qiáng)度降低則在其后的步驟中易產(chǎn)生晶片的損傷或破壞。因此，要求具有DZ層、強(qiáng)度特性?xún)?yōu)異的硅晶片。為了避免上述問(wèn)題，如日本特開(kāi)2002-134521號(hào)公報(bào)所述，已知除去晶片表層的技術(shù)，但是由于步驟數(shù)的增加、切片厚度的增加等，不能避免制造成本的增加。形成氧化誘發(fā)堆姝層錯(cuò)(OxidationInducedStackingFault,OSF)的核的氧析出物的微小缺陷、由結(jié)晶引起的顆粒(CrystalOriginatedParticle,COP)、侵入型位錯(cuò)(Interstitial-typeLargeDislocation,LD)在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)引起收率降低。因此，制造這樣缺陷少的晶片是重要的。日本特開(kāi)平11-1393號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了無(wú)OSF、COP和LD的無(wú)缺陷的硅晶片。另一方面，制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，有時(shí)必需無(wú)OSF、COP和LD且具有吸雜能力的硅晶片。
發(fā)明內(nèi)容但是，上述無(wú)OSF、COP和LD的無(wú)缺陷的硅晶片，在裝置制造步驟的熱處理中，未必在晶片內(nèi)部產(chǎn)生氧析出。因此，在DZ-IG法中的熱處理中，滑移擴(kuò)展，結(jié)果不能排除晶片強(qiáng)度降低的可能性。進(jìn)一步地，即使在不使用上述無(wú)缺陷的硅晶片時(shí)，在DZ-IG法中的熱處理中，也期待防止滑移位錯(cuò)的擴(kuò)展。本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的，本發(fā)明提供在DZ-IG法等中進(jìn)行100(TC以上的高溫?zé)崽幚頃r(shí)，通過(guò)抑制滑移擴(kuò)展，防止晶片強(qiáng)度降低的硅晶片及其制造方法。本申請(qǐng)發(fā)明人進(jìn)行精心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在拉晶中，在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中進(jìn)行cz結(jié)晶生長(zhǎng)，與不添加氫的結(jié)晶生長(zhǎng)條件相比，在生長(zhǎng)(as-grown)的狀態(tài)下于體結(jié)晶("》夕結(jié)晶)中形成了高密度的熱施主(TD)。(參照?qǐng)D13)熱施主為電阻率變動(dòng)的因素、也是促進(jìn)氧析出物形成的因素。因此，在通過(guò)高溫退火(Ar/H2退火)消除熱施主之前實(shí)施低溫?zé)崽幚?，可以在體塊(八W夕)中形成高密度的小尺寸氧析出核。小尺寸氧析出核起著在高溫?zé)崽幚碇凶柚够频臄U(kuò)展的作用。在具有高密度的析出核的硅晶片上，通過(guò)在高溫退火步驟中形成于位錯(cuò)線(xiàn)上的析出物，抑制滑移位錯(cuò)的擴(kuò)展?；谏鲜霭l(fā)現(xiàn)提出的本發(fā)明的硅晶片的制造方法包括在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過(guò)CZ法生長(zhǎng)硅單晶的步驟，由上述硅單晶切出晶片的步驟，在非氧化環(huán)境氣體中、于1000°C~130(TC下對(duì)上迷晶片實(shí)施熱處理的高溫?zé)崽幚聿襟E，在上述高溫?zé)崽幚聿襟E之前，在低于上述熱處理溫度的溫度下，對(duì)上述晶片實(shí)施熱處理的低溫?zé)崽幚聿襟E。由此，上述問(wèn)題得到解決。本發(fā)明的硅晶片的制造方法包括在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過(guò)CZ法生長(zhǎng)硅單晶的步驟，由上述硅單晶切出晶片的步驟，對(duì)上述晶片實(shí)施用于防止電阻率變動(dòng)的施主消除熱處理的施主消除熱處理步驟，在上述施主消除熱處理步驟之前，在低于上述熱處理溫度的溫度下，對(duì)上述晶片實(shí)施熱處理的低溫?zé)崽幚聿襟E。由此，上述問(wèn)題得到解決。上述低溫?zé)崽幚聿襟E的處理溫度的范圍為400°C~65(TC,更優(yōu)選升溫速率為0.2°C/min~2.0。C/min。上述硅晶片的制造方法中，上述熱處理步驟可以采用梯度熱處理(，y匕':^/熱処理)。也可以使用通過(guò)上述低溫?zé)崽幚聿襟E，使上述高溫?zé)崽幚聿襟E前后的氧濃度差為1.5x10口個(gè)原子/cm3以上(ASTM-F1211979)的裝置或方法。上述單晶生長(zhǎng)中的惰性環(huán)境氣體中的氫濃度，相對(duì)于爐內(nèi)壓力1.3~13.3kPa(10-100torr)被設(shè)定于0.1%~20%的范圍。本發(fā)明中，優(yōu)選使上述高溫?zé)崽幚砗蟮难跷龀鑫锩芏葹?.0xl01Q個(gè)/cm3以上。本發(fā)明的硅晶片可以通過(guò)上述任意一項(xiàng)所述的制造方法制造。本發(fā)明的硅晶片的制造方法包括在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過(guò)CZ法生長(zhǎng)硅單晶的步驟；由上述硅單晶切出晶片的步驟；在非氧化環(huán)境氣體中、于1000。C~130(TC下進(jìn)行的高溫?zé)崽幚聿襟E或用于防止電阻率變動(dòng)的施主消除熱處理步驟；在上迷高溫?zé)崽幚聿襟E或上述施主消除熱處理之前，在低于上述熱處理溫度的溫度下進(jìn)行的低溫?zé)崽幚聿襟E。若在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過(guò)CZ法生長(zhǎng)硅單晶，則在生長(zhǎng)的狀態(tài)下在體塊單晶中形成高密度的熱施主(TD)。通過(guò)對(duì)由該單晶切片得到的晶片實(shí)施上述低溫?zé)崽幚聿襟E，在體塊中形成高密度的小尺寸的氧析出核，通過(guò)該小尺寸高密度的氧析出核，可以抑制在高溫?zé)崽幚碇谢蚴┲飨裏崽幚碇挟a(chǎn)生的滑移擴(kuò)展。在生長(zhǎng)狀態(tài)下形成的高密度的熱施主(TD)，通過(guò)低溫下的梯度熱處理，形成氧析出物。通過(guò)對(duì)含有高密度的熱施主的氬摻雜晶片實(shí)施低溫梯度處理，可以在體塊中形成高密度的小氧析出物。為了抑制熱處理中的滑移擴(kuò)展，在位錯(cuò)開(kāi)始擴(kuò)展的溫度(卯O'C以上)下，在滑移擴(kuò)展方向的位錯(cuò)線(xiàn)上析出氧析出物是重要的。若采用低溫梯度處理(低溫，^匕vy処理)，則通過(guò)使體塊中含有小尺寸、高密度的析出物，可以促進(jìn)析出，從而抑制滑移擴(kuò)展。通常，對(duì)于硅晶片，為了防止由于熱施主所導(dǎo)致的電阻率變動(dòng)而實(shí)施施主消除(donorkiller,DK)處理。對(duì)于供于氫退火、氬退火的硅晶片，同樣地為了抑制電阻率變動(dòng)，在高溫退火處理前在600°C-70(TC下實(shí)施施主消除處理0.5-2小時(shí)左右。因此，實(shí)施梯度熱處理時(shí)，優(yōu)選在施主消除處理前(處于存在充分的熱施主的狀態(tài))進(jìn)行。為了抑制高溫?zé)崽幚聿襟E中的滑移擴(kuò)展，必須在體塊結(jié)晶中形成高密度的小尺寸的氧析出核。本發(fā)明中，通過(guò)使上述低溫?zé)崽幚聿襟E的處理溫度在400。C~650。C的溫度范圍且升溫速率為0.2°C/mm~2.(TC/min、更優(yōu)選為0.3'C/min~1.0。C/min,可以形成優(yōu)選的氧析出核。通過(guò)立式爐等進(jìn)行處理時(shí)，由于來(lái)源于高溫爐壁的污染物，在熱處理中產(chǎn)生污染的可能性較大。通過(guò)梯度熱處理進(jìn)行上述熱處理步驟，由此降低污染可能性，準(zhǔn)確地對(duì)升溫速率進(jìn)行控制，可以使溫度條件嚴(yán)格化。由此，可以準(zhǔn)確地對(duì)氧析出核的形成狀態(tài)進(jìn)行控制、得到具有所期望的氧析出核的晶片。通過(guò)實(shí)施上述低溫?zé)崽幚聿襟E，可以使上述高溫?zé)崽幚聿襟E前后的氧濃度差為1.5x1017個(gè)原子/cm3以上(ASTM-F1211979)來(lái)減少氧濃度。由此，可以準(zhǔn)確地對(duì)氧析出核的形成狀態(tài)進(jìn)行控制、得到具有所期望的氧析出核的晶片。對(duì)于單晶生長(zhǎng)時(shí)的惰性環(huán)境氣體中的氫濃度，在爐內(nèi)壓力為1.3~13.3kPa(10~100torr)的條件下，可以設(shè)定在0.1%~20%的范圍。由在該環(huán)境氣體下生長(zhǎng)的單晶切出的晶片中，通過(guò)上迷低溫?zé)崽幚砭S持所期望的氧析出核的狀態(tài)，形成充分的氧析出核以防止滑移擴(kuò)展。對(duì)于惰性環(huán)境氣體中的氫濃度，在爐內(nèi)壓力為4.09.33kPa(30-70torr)的條件下，可以設(shè)定在0.3%~10%的范圍。本發(fā)明中，通過(guò)使上述高溫?zé)崽幚砗蟮难跷龀鑫锩芏葹?.0xl01Q個(gè)/cm3以上，可以充分抑制高溫?zé)崽幚碇械幕茢U(kuò)展。其中，上迷氧析出物的尺寸優(yōu)選為80~200nm左右、更優(yōu)選為100nm左右的尺寸。其中，圖1和圖2中，以縱軸表示氧析出核密度、橫軸表示尺寸。圖中，符號(hào)BB為表示90(TC以上的溫度下殘留的臨界BMD尺寸的邊界線(xiàn)。不實(shí)施低溫梯度熱處理(低溫?zé)崽幚?時(shí)，如圖1所示，在高溫退火(氬退火)前的體塊中，在邊界BB右側(cè)的90(TC的臨界BMD尺寸以上的BMD的密度為1.0x109個(gè)/^113左右(1.OxlO0個(gè)/cmS臺(tái))。另一方面，實(shí)施低溫梯度熱處理時(shí)，由于與氧析出核的形成的同時(shí)產(chǎn)生析出核的生長(zhǎng)，如圖2所示，在邊界BB右側(cè)的90(TC的臨界BMD尺寸以上的BMD密度為1.0x1010個(gè)/cm3左右(1.0X101。個(gè)/cm3臺(tái))。由此，進(jìn)行120(TC以上的高溫退火(氬退火)時(shí)，在實(shí)施了低溫梯度熱處理的晶片中，確保了BMD密度為l.Ox10"個(gè)/ci^以上，通過(guò)高密度的BMD，抑制了高溫?zé)崽幚碇械幕茢U(kuò)展。通過(guò)事前的實(shí)驗(yàn)，考慮到氬退火步驟的燃燒舟(求Hv)投入溫度、梯度速率，得到通過(guò)高溫退火(氬退火)殘留的BMD密度與900。C的臨界BMD尺寸以上的BMD密度相等的結(jié)果。因此，將邊界設(shè)定于90CTC。本發(fā)明的晶片可以通過(guò)上述任意一項(xiàng)所述的制造方法制造。本發(fā)明人著眼于用含氫的環(huán)境氣體進(jìn)行拉晶的技術(shù)進(jìn)行研究，結(jié)果達(dá)成下述2個(gè)結(jié)論。第1，在使用熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的爐，控制成結(jié)晶中心部的溫度梯度Gc與結(jié)晶外周部的溫度梯度Ge相等或前者更大，緩慢降低拉晶速度的同時(shí)生長(zhǎng)單晶的情況下，單晶的縱截面中的OSF產(chǎn)生區(qū)域的形狀為下方突起、末端較平的U字形狀。在結(jié)晶橫截面上觀察時(shí)，拉晶速度快時(shí)，OSF產(chǎn)生區(qū)域呈環(huán)狀的形狀，在其內(nèi)側(cè)觀察到產(chǎn)生COP(也稱(chēng)為紅外線(xiàn)散射體缺陷)的區(qū)域。環(huán)狀的OSF產(chǎn)生區(qū)域，隨著拉晶速度的降低縮小于結(jié)晶中心部。若進(jìn)一步降低拉晶速度則出現(xiàn)位錯(cuò)團(tuán)產(chǎn)生區(qū)域。在上述拉晶條件下，若在導(dǎo)入拉晶爐內(nèi)的惰性氣體中混入微量的氫，則實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷化的拉晶速度范圍擴(kuò)大，在結(jié)晶縱截面的缺陷分布中，無(wú)缺陷區(qū)域在結(jié)晶軸向上擴(kuò)大。該效果可以通過(guò)不摻雜氫時(shí)的圖3的B-C與摻雜氪時(shí)的圖4的B，-C，的對(duì)比觀察到。圖3中的B-C范圍的拉晶速度條件，為OSF產(chǎn)生區(qū)域在結(jié)晶中心部消失的臨界速度附近的拉晶條件。通過(guò)在該速度條件下進(jìn)行拉晶，可以使結(jié)晶徑向的全部區(qū)域無(wú)缺陷化。通過(guò)添加氬而使無(wú)缺陷化的拉晶速度范圍的擴(kuò)大，是通過(guò)OSF產(chǎn)生區(qū)域在結(jié)晶中心部消失的臨界速度Vo的上升、和產(chǎn)生位錯(cuò)團(tuán)的臨界速度Vd的降低來(lái)實(shí)現(xiàn)的。圖4所示的實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷化的拉晶速度范圍B'-C，，與不添加氫時(shí)的圖3的B-C相比，向高速一側(cè)即圖3中的B的上方以及向低速一側(cè)即圖3中的C的下方擴(kuò)大。該現(xiàn)象可以通過(guò)圖5如下說(shuō)明。圖5就缺陷分布對(duì)拉晶速度與OSF環(huán)直徑的關(guān)系的影響度進(jìn)行說(shuō)明。圖中，虛線(xiàn)為結(jié)晶中心部的溫度梯度Gc比結(jié)晶外周部的溫度梯度Ge小的情況。此時(shí)，一邊緩慢降低拉晶速度一邊生長(zhǎng)的單晶的縱截面中的OSF產(chǎn)生區(qū)域的形狀為下方凸出的V字形。此時(shí)，隨著拉晶速度的降低，OSF環(huán)直徑緩慢縮小，在臨界速度Vo收束為O。較細(xì)的實(shí)線(xiàn)為在不添加氫的條件下，結(jié)晶中心部的溫度梯度Gc與結(jié)晶外周部的溫度梯度Ge相等或前者更大的情況。此時(shí)，一邊緩慢降低拉晶速度一邊生長(zhǎng)的單晶的縱截面中的OSF產(chǎn)生區(qū)域的形狀U字形化。此時(shí)，OSF環(huán)直徑開(kāi)始縮小的拉晶速度降低，從該開(kāi)始速度產(chǎn)生急劇縮小，在與虛線(xiàn)的情況大致相同的拉晶速度Vo收束為0。即，臨界速度Vo恒定而環(huán)直徑的減少梯度變急。由此，在臨界速度Vo的附近，生長(zhǎng)在結(jié)晶徑向全部區(qū)域上不存在位錯(cuò)團(tuán)和COP的無(wú)缺陷的單晶。但是，由于臨界速度Vo不上升，必須使拉晶速度為低速。此外，較粗的實(shí)線(xiàn)為在惰性氣體環(huán)境氣體中添加氫的條件下，結(jié)晶中心部的溫度梯度Gc與結(jié)晶外周部的溫度梯度Ge相等或前者更大的情況。此時(shí)，一邊緩慢降低拉晶速度一邊生長(zhǎng)的單晶的縱截面中的OSG產(chǎn)生區(qū)域的形狀變成U字形。此時(shí)，與較細(xì)的實(shí)線(xiàn)相比，環(huán)直徑的減少梯度仍為較急的梯度而臨界速度從Vo上升到Vo'。若將較細(xì)的實(shí)線(xiàn)向高速一側(cè)平行移動(dòng)，則基本上對(duì)應(yīng)于較粗的實(shí)線(xiàn)。如上所述，通過(guò)在無(wú)原生(Grown-in)缺陷結(jié)晶的生長(zhǎng)中組合添加氫，增大了環(huán)OSF區(qū)域在結(jié)晶中心部消失的臨界速度，可以通過(guò)速度比以往快的拉晶生長(zhǎng)在生長(zhǎng)狀態(tài)下在結(jié)晶徑向全部區(qū)域中不存在位錯(cuò)團(tuán)和COP的無(wú)原生缺陷的單晶。進(jìn)一步地，由于通過(guò)添加氫，產(chǎn)生位錯(cuò)團(tuán)的上限的拉晶速度Vd降低至Vd，，實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷化的拉晶速度范圍從B-C擴(kuò)大到B，-C'。從而可以穩(wěn)定地生長(zhǎng)無(wú)缺陷結(jié)晶，無(wú)原生缺陷結(jié)晶的制造收率顯著提高。通過(guò)組合添加氫，實(shí)現(xiàn)無(wú)原生缺陷化的拉晶速度范圍擴(kuò)大的原因，即環(huán)OSF的臨界速度Vo增大、產(chǎn)生位錯(cuò)團(tuán)的臨界速度Vd降低的原因，i人為如下所述。在1300-139(TC的高溫氬中對(duì)硅晶片進(jìn)行熱處理、急冷時(shí)，空穴或晶格間硅與氬反應(yīng)形成空穴-氫或晶格間硅-氫復(fù)合體(末澤正志，1999年6月3日，應(yīng)用物理學(xué)會(huì)結(jié)晶工學(xué)分科會(huì)第110回研究會(huì)textPll)。因此，在含有氫的惰性環(huán)境氣體中生長(zhǎng)CZ結(jié)晶時(shí)，在結(jié)晶冷卻過(guò)程的高于COP(約U00。C)或位錯(cuò)團(tuán)(約IOO(TC)等原生缺陷形成的溫度的高溫部，在硅結(jié)晶中，過(guò)量存在的空穴或晶格間硅與氫反應(yīng)，形成空穴-氫或晶格間硅-氫等復(fù)合體。由于通過(guò)復(fù)合體的形成，降低了空穴和晶格間硅的濃度，抑制了空穴或晶格間硅的凝聚，可以生長(zhǎng)無(wú)COP和位錯(cuò)團(tuán)且尺寸小的cz結(jié)晶。但是已知在含氫的惰性環(huán)境氣體中于V/G充分大的空穴優(yōu)勢(shì)條件下，生長(zhǎng)CZ結(jié)晶時(shí)，若增大氪濃度則可以形成被稱(chēng)為氫缺陷的尺寸為數(shù)Mm數(shù)10Mm的巨大空洞(認(rèn)為是空穴的凝聚體)(E丄ino、K.Takano、M.Kim腦、H.Yamagishi:MaterialScienceandEngineeringB36(1996)146-149和T.H.Wang、T.F.Ciszk、andT.Schuyler:J.Cryst.Growth109(1991)155-161)。在V/G充分小的晶格間硅優(yōu)勢(shì)條件下，可以形成晶格間硅型的氫缺陷(認(rèn)為是晶格間硅的凝聚體的位錯(cuò)對(duì))(Y.Sugit:Jpn.J.Appl.Phys4(1965)p962)。因此，即使不將拉晶速度降低至產(chǎn)生環(huán)OSF區(qū)域的臨界速度以下，在含有充分的氫的環(huán)境氣體中用CZ法拉晶時(shí)，也可以抑制COP的生成。即使在低速拉晶時(shí)，也可以抑制位錯(cuò)團(tuán)的生成。圖6為CZ結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)結(jié)晶中心部的1100'C以上溫度下的空穴和晶格間硅的濃度Cv和Ci以及拉晶速度V和固液界面附近的結(jié)晶一側(cè)的溫度梯度G之比V/G的關(guān)系，對(duì)氫存在于結(jié)晶中時(shí)的COP和位錯(cuò)團(tuán)的生成抑制效果進(jìn)行說(shuō)明。使用該圖對(duì)抑制COP和位錯(cuò)團(tuán)的生成的原因進(jìn)行說(shuō)明。其中，Vo、Vc和Vd分別為在結(jié)晶中心部或徑向的一部分開(kāi)始生成環(huán)OSP區(qū)域、COP區(qū)域和位錯(cuò)團(tuán)的臨界速度，Cv-OSF、Cv-COP和Ci-disk分別表示OSF環(huán)區(qū)域、COP和位錯(cuò)團(tuán)生成的臨界點(diǎn)缺陷濃度。為了可以生長(zhǎng)無(wú)原生缺陷的結(jié)晶，使用含有被設(shè)計(jì)成在結(jié)晶方向上V/G滿(mǎn)足Gc>Ge的關(guān)系的熱場(chǎng)的CZ爐，生長(zhǎng)結(jié)晶時(shí)，若使拉晶速度大于Vc(圖6中[H2]-0的情況)，則通常產(chǎn)生空穴優(yōu)勢(shì)的點(diǎn)缺陷種(點(diǎn)欠陥種')即COP。但是在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的環(huán)境氣體中生長(zhǎng)CZ結(jié)晶時(shí)(圖6中Hl、H2的情況)，由于空穴與氫形成復(fù)合體，自由空穴的濃度降低。該自由空穴的濃度降低依賴(lài)于結(jié)晶中的氫濃度，氫濃度越大則空穴濃度的降低越多。因此，存在氫時(shí)，生成OSF環(huán)的拉晶速度Vo如Vo'、Vo"那樣向高速一側(cè)偏移，生成COP的拉晶速度Vc也如Vc'、Vc"那樣向高速一側(cè)偏移。另一方面，若拉晶速度小于Vd(圖6中[H2]-0的情況)，晶格間硅為優(yōu)勢(shì)的點(diǎn)缺陷種，晶格間硅的濃度為Ci>Ci-disl，通常以晶格間硅的2次缺陷的形式產(chǎn)生位錯(cuò)團(tuán)。但是在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的環(huán)境氣體中生長(zhǎng)時(shí)(圖6中[H2]-H1或H2的情況)，由于晶格間硅與氫形成復(fù)合體，自由的晶格間硅的濃度降低。因此，生成位錯(cuò)團(tuán)的拉晶速度Vd，與臨界濃度Ci-disl—致向更低速一側(cè)的Vd'或Vd"偏移。如圖6的[H2]-H1和H2所示，氫濃度相對(duì)較低時(shí)，若V/G充分增大，則由于空穴濃度比生成COP的臨界濃度Cv-COP大，不能完全抑制COP的生成。但是由于與不存在氫時(shí)相比，空穴濃度降低，COP的尺寸減小。在OSF環(huán)產(chǎn)生的臨界速度Vo，或Vo"以下以及位錯(cuò)團(tuán)產(chǎn)生的臨界速度Vd'或Vd"以上的拉晶速度的范圍內(nèi)，由于空穴和晶格間硅的濃度足夠低，不產(chǎn)生COP和位錯(cuò)團(tuán)，并且也不產(chǎn)生巨大空洞即空穴型的氫缺陷或位錯(cuò)對(duì)即晶格間硅型的氫缺陷。進(jìn)一步地，與不添加氫時(shí)相比，由于無(wú)原生缺陷的拉晶速度的范圍(margin)顯著擴(kuò)大，可以更穩(wěn)定地高收率地生長(zhǎng)無(wú)缺陷結(jié)晶。在雖然與OSF環(huán)消失的臨界V/G條件相比、V/G較大，但是接近于臨界條件的情況下，雖然環(huán)OSF在結(jié)晶中心部不消失、COP在其內(nèi)側(cè)區(qū)域產(chǎn)生，但是其尺寸由于通過(guò)添加氫、空穴濃度降低而減小。此外，該情況下，由于空穴濃度充分低，不會(huì)產(chǎn)生巨大空洞。上述惰性環(huán)境氣體中的氫濃度，在爐內(nèi)壓力為1.3~13.3kPa(10~100torr)的條件下，可以設(shè)定在0.1%~20%、更優(yōu)選3%~10%的范圍。爐內(nèi)壓力為1.3kPa(10torr)以上，優(yōu)選為1.3~13.3kPa(10~100torr)，進(jìn)一步優(yōu)選為4.0~9.33kPa(30~70torr)。若氫的分壓降低則熔體和結(jié)晶中的氫濃度降低。為了防止這些問(wèn)題，對(duì)爐內(nèi)壓力的下限進(jìn)行規(guī)定。若降低Ar流速，則難以對(duì)由碳加熱器或碳零件(力-求y八'一力脫氣的碳、由熔液蒸發(fā)的SiO等反應(yīng)物氣體進(jìn)行排氣。由此，碳濃度增大，SiO在爐內(nèi)的熔液上部的110(TC左右或更低溫的部分凝聚，由此產(chǎn)生灰，落到熔液中，引起結(jié)晶產(chǎn)生位錯(cuò)。為了防止這些問(wèn)題，對(duì)爐內(nèi)壓力的上限進(jìn)行規(guī)定。對(duì)在含有氫的惰性環(huán)境氣體中生長(zhǎng)時(shí)的硅單晶中的氫濃度，可以通過(guò)環(huán)境氣體中的氫分壓進(jìn)行控制。環(huán)境氣體中的氫溶解于硅熔液中形成穩(wěn)定(平衡)狀態(tài)，結(jié)晶凝固時(shí)通過(guò)濃度偏析對(duì)液相和固相中的濃度進(jìn)行分配。從而向結(jié)晶中導(dǎo)入氫。熔液中的氫濃度，由亨利定律可知依賴(lài)于氣相中的氫分壓來(lái)決定，表示為Pm=kCLH2其中，PH2為環(huán)境氣體中的氫分壓、CLH2為硅熔液中的氫濃度、k為兩者之間的系數(shù)。另一方面，結(jié)晶中的氫濃度由熔液中的氬濃度和偏析的關(guān)系決定，表示為CSH2=k，CLH2=(k，/k)PH2其中，CSH2為結(jié)晶中的氫濃度、k'為氫的硅熔液-結(jié)晶間的偏析系數(shù)。如上式所示，通過(guò)對(duì)環(huán)境氣體中的氫分壓進(jìn)行控制，可以在結(jié)晶的軸向上恒定地以所期望的濃度對(duì)剛凝固后的結(jié)晶中的氫濃度進(jìn)行控制。對(duì)于本發(fā)明的硅晶片，也可以在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中生長(zhǎng)結(jié)晶，制成在晶片的全部區(qū)域中僅含有晶格間硅優(yōu)勢(shì)區(qū)域(PI區(qū)域)的硅晶片。此時(shí)，晶片由于不含PV區(qū)域，可以維持晶片中的均勻性。其中，晶片的均勻性指的是氧析出物的密度和尺寸以及DZ寬度等的均勻性。此時(shí)，以氧濃度和熱處理時(shí)的溫度和時(shí)間等為參數(shù)，可以分別設(shè)定為氧濃度在根據(jù)ASTM-F1211979進(jìn)行的測(cè)定中為10~20x1017個(gè)原子/cm3，更優(yōu)選為12-18x10"個(gè)原子/cm3，熱處理溫度為450°C~140(TC，更優(yōu)選為1100。C~1250°C，時(shí)間為0秒以上。由此，可以得到氧析出物的密度和尺寸以及DZ寬度在晶片的面內(nèi)顯箸均勻的優(yōu)異的晶片。此時(shí)，可以將單晶中的氧濃度(Oi)設(shè)定在10~20x1017個(gè)原子/cm3(ASTM-F1211979)的高范圍，進(jìn)行RTA處理。此時(shí)，不進(jìn)行用于在形成DZ層過(guò)程中使氧向外方擴(kuò)散的高溫長(zhǎng)時(shí)間的熱處理，可以得到能充分地確保吸雜能力的氧析出物的密度、尺寸以及能使裝置活性區(qū)域完全無(wú)缺陷的足夠DZ寬度可以確保均勻的優(yōu)異晶片。此外，可以將單晶中的氧濃度(Oi)設(shè)定在10x10"個(gè)原子/cn^以下(ASTM-F1211979)的低范圍內(nèi)。此時(shí)，即使對(duì)裝置進(jìn)行熱處理，也可以抑制氧析出物在裝置活性區(qū)域中的產(chǎn)生，從而可以減少或消除該氧析出物，從而可以得到裝置的特性不變差的優(yōu)異晶片。本發(fā)明中，作為硅單晶生長(zhǎng)方法，通過(guò)在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中對(duì)硅單晶進(jìn)行拉晶，可以擴(kuò)大能拉晶成結(jié)晶徑向全部區(qū)域中不含COP和位錯(cuò)團(tuán)且含有晶格間硅優(yōu)勢(shì)區(qū)域(PI區(qū)域)的單晶的PI區(qū)域拉晶速度的范圍。因此，可以使單晶直筒部(直胴部)為不含位錯(cuò)團(tuán)的晶格間硅優(yōu)勢(shì)區(qū)域(PI區(qū)域)。以往，對(duì)無(wú)原生缺陷單晶進(jìn)行拉晶時(shí)，必須將PI區(qū)域拉晶速度設(shè)定于極窄的范圍內(nèi)。本發(fā)明中，通過(guò)擴(kuò)大PI區(qū)域拉晶速度的范圍，可以極其容易地且以快于以往拉晶速度的速度生長(zhǎng)無(wú)原生缺陷的單晶。其中，對(duì)于PI區(qū)域拉晶速度的范圍，以在氫環(huán)境氣體中和在無(wú)氫的惰性環(huán)境氣體中進(jìn)行比較時(shí)，以上述剛凝固后的結(jié)晶內(nèi)的軸向溫度梯度G的值恒定不變化的狀態(tài)進(jìn)行比較。具體地說(shuō)，在氬環(huán)境氣體中進(jìn)行單晶拉晶時(shí)，可以拉晶成由晶格間硅型的無(wú)原生缺陷區(qū)域(PI區(qū)域)構(gòu)成的無(wú)原生缺陷單晶的PI區(qū)域拉晶速度范圍，與在無(wú)氫的條件下拉晶成單晶相比，可以擴(kuò)大至4倍以上、甚至是如圖7所示4.5倍的范圍。此時(shí)，也可以減小OSF環(huán)的產(chǎn)生區(qū)域。而且，PV區(qū)域(無(wú)空穴型的原生缺陷區(qū)域)的尺寸不因添加氫而變化。本發(fā)明中，如上述生長(zhǎng)方法中的PI區(qū)域拉晶速度范圍那樣，可以增大拉晶成無(wú)原生缺陷硅單晶所必需的拉晶速度范圍。因此，對(duì)多個(gè)單晶進(jìn)行拉晶時(shí)可以以相同的拉晶條件進(jìn)行拉晶，可以更容易地設(shè)定拉晶速度拉晶成無(wú)原生缺陷的單晶。即，用相同的實(shí)際設(shè)備多次或同時(shí)用多個(gè)實(shí)際設(shè)備拉晶成無(wú)原生缺陷的單晶時(shí)，與以往相比，可以簡(jiǎn)化拉晶條件設(shè)定、可以得到能拉晶成無(wú)原生缺陷單晶的拉晶速度范圍、可以拉晶成具有所期望品質(zhì)的單晶。通過(guò)該簡(jiǎn)化，操作效率提高，硅單晶或由該硅單晶制造的硅晶片的制造成本大幅降低。本發(fā)明中所使用的含氫原子的物質(zhì)是可以在溶解于硅熔液中時(shí)熱分解、向硅熔液中供給氫原子的物質(zhì)。通過(guò)將該含氫原子的物質(zhì)導(dǎo)入惰性氣體環(huán)境氣體中，可以提高硅熔液中的氫濃度。作為含氫原子的物質(zhì)，例如，可以使用氫氣、H20、HC1等含氫原子的無(wú)機(jī)化合物，硅烷氣體，CH4、C2H2等烴，醇，羧酸等含氫原子的各種物質(zhì)。作為含氫原子的物質(zhì)優(yōu)選使用氫氣。作為惰性氣體，優(yōu)選為廉價(jià)的Ar氣。除了Ar之外，還可以使用He、Ne、Kr、Xe等各種稀有氣體單質(zhì)或它們的混合氣體。本發(fā)明中，含氫環(huán)境氣體中的含氫物質(zhì)的濃度以氫氣換算濃度表示。其中，以氫氣換算濃度表示是由于，含氫物質(zhì)熱分解等得到的氬原子的量由含氫物質(zhì)本來(lái)含有的氫原子的數(shù)量等決定。例如，1摩爾&0中含有1摩爾的H2，而1摩爾HC1中僅含有0.5摩爾的H2。因此，本發(fā)明中，將以規(guī)定濃度在惰性氣體中導(dǎo)入氫氣而得到的含氫環(huán)境氣體作為基準(zhǔn)，優(yōu)選得到與該成為基準(zhǔn)的環(huán)境氣體同等的環(huán)境氣體來(lái)決定含氫物質(zhì)的濃度，此時(shí)優(yōu)選的含氫物質(zhì)的濃度以氫氣換算濃度表示。即，若假設(shè)含氫物質(zhì)溶解于硅熔液中、在高溫的硅熔液中熱分解轉(zhuǎn)換為氫原子則可以調(diào)整含氫物質(zhì)的添加量以使變換后的環(huán)境氣體中的氬氣換算濃度在規(guī)定范圍。本發(fā)明的制造方法中，在含氫物質(zhì)存在于惰性氣體中的含氫環(huán)境氣體中形成硅單晶。來(lái)源于含氫物質(zhì)的氫原子溶入硅熔液中，進(jìn)一步該氫原子在硅凝固時(shí)進(jìn)入硅的晶格之間。氫氣添加量若不夠則提高臨界速度的效果不充分。若氫氣添加量較多則空氣泄漏到爐內(nèi)時(shí)，存在燃燒、乃至產(chǎn)生爆炸的危險(xiǎn)性。因此，氫氣添加量的下限優(yōu)選為0.1體積％以上，特別優(yōu)選為3體積％以上。小于0.1%時(shí)幾乎無(wú)氫氣的效果。若氫氣換算濃度超過(guò)50%(氫分壓為6.7SkPa)則由于在氧氣泄漏到CZ爐內(nèi)時(shí)，爆炸等危險(xiǎn)性增大，在安全上不優(yōu)選。若氫氣換算濃度超過(guò)20%(氫分壓為2.7kPa)則由于即使不產(chǎn)生爆炸但是燃燒的危險(xiǎn)增大而不優(yōu)選。若氫濃度為20%以下則由于產(chǎn)生氧氣泄漏等時(shí)，即使在爐內(nèi)產(chǎn)生燃燒，燃燒時(shí)的壓力變動(dòng)不超過(guò)1個(gè)大氣壓，在安全上不存在問(wèn)題。由此，對(duì)氫氣添加量的上限進(jìn)行規(guī)定。優(yōu)選的含氫物質(zhì)(氫氣)的濃度為0.1%~20%，特別優(yōu)選的濃度為3%~10%。惰性環(huán)境氣體中存在氧氣(02)時(shí)，氣體的氫分子換算的濃度和氧氣濃度的2倍的濃度差被規(guī)定為3體積％以上的濃度。若含氫原子的氣體的氫分子換算的濃度和氧氣濃度的2倍的濃度差小于3體積％則不能得到通過(guò)進(jìn)入硅單晶中的氫原子實(shí)現(xiàn)的抑制COP和位錯(cuò)團(tuán)等原生缺陷的生成的效果。若作為惰性氣體中的雜質(zhì)的氮為高濃度，則硅單晶有可能有位錯(cuò)。在通常的爐內(nèi)壓1.3-13.3kPa(10~100Torr)的范圍內(nèi)，優(yōu)選氮濃度為20%以下。向CZ爐內(nèi)供給氬氣時(shí)，可以由市售的氫氣貯氣鋼瓶、氫氣貯藏罐、填充了儲(chǔ)藏有氫氣的儲(chǔ)氫合金的罐等通過(guò)專(zhuān)用的管道，供給到拉晶爐內(nèi)。使用結(jié)晶中心部的溫度梯度Gc比外周部的溫度梯度Ge小、緩慢降低拉晶速度的同時(shí)生長(zhǎng)的單晶的縱截面中環(huán)OSF產(chǎn)生區(qū)域形成下方尖的V字形狀的通常的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，在臨界速度附近進(jìn)行拉晶時(shí)，換而言之，Ge〉Gc時(shí)，若組合添加氬，則通過(guò)氫的效果，在結(jié)晶中心部開(kāi)始產(chǎn)生環(huán)OSF產(chǎn)生區(qū)域和COP的臨界速度Vo、Vc增大，在結(jié)晶的一部分中開(kāi)始產(chǎn)生位錯(cuò)團(tuán)的臨界速度Vd降低。因此，即使Ge〉Gc，兩者較為接近時(shí)，也有可能得到無(wú)COP或位錯(cuò)團(tuán)的完全無(wú)原生缺陷的結(jié)晶，但是拉晶速度的范圍，若與滿(mǎn)足Ge《Gc時(shí)相比，不能穩(wěn)定地制造無(wú)原生缺陷的結(jié)晶。此外，Ge〉Gc且Ge與Gc的差較大時(shí)，即使添加氫也不能得到無(wú)原生缺陷的速度范圍。本發(fā)明是以上迷發(fā)現(xiàn)為基礎(chǔ)完成的。本發(fā)明的硅晶片，是對(duì)在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中通過(guò)CZ法生長(zhǎng)的硅單晶的晶片。、'、，'、，'、、、、、作為高溫?zé)崽幚聿襟E，例如可以使用RTA(RapidThermalAnnealing)。作為RTA條件的一個(gè)例子，可以采用從1100到135(TC、0秒以上，在Ar、He、含NH3的Ar或He環(huán)境氣體中的條件。此時(shí)，不進(jìn)行用于使形成DZ層過(guò)程中的氧向外方擴(kuò)散的高溫下的長(zhǎng)時(shí)間熱處理，可以得到能充分地確保吸雜能力的氧析出物的密度、尺寸以及能使裝置活性區(qū)域完全無(wú)缺陷的足夠DZ寬度可以得到均勻地確保的優(yōu)異晶片。此時(shí)，若對(duì)于PV、PI或環(huán)OSF區(qū)域混在一起的以往的無(wú)原生缺陷的晶片，進(jìn)行與上迷相同的RTA處理，則在結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)，空穴優(yōu)勢(shì)的PV和環(huán)OSF區(qū)域中，氧析出物的密度和尺寸，與PI區(qū)域相比增大，此外，DZ寬度變窄，進(jìn)一步地，由于裝置上的氧化處理，存在在環(huán)OSF區(qū)域中產(chǎn)生OSF等產(chǎn)生缺陷分布的不均勻的問(wèn)題。通過(guò)本發(fā)明得到的僅PI區(qū)域的在晶片面內(nèi)均勻的無(wú)原生缺陷晶片，解決了該問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性氣體環(huán)境中生長(zhǎng)硅單晶錠，可以得到含有高密度的熱施主的硅單晶錠，通過(guò)對(duì)由該硅單晶錠得到的硅晶片實(shí)施低溫梯度熱處理，可以在體塊中形成高密度的小氧析出物。通過(guò)如此在體塊中含有小尺寸、高密度的析出物，在高溫?zé)崽幚碇械奈龀龅玫酱龠M(jìn)，通過(guò)在熱處理中的滑移位錯(cuò)開(kāi)始擴(kuò)展的溫度(卯o。c以上)下，在滑移擴(kuò)展的方向的位錯(cuò)線(xiàn)上析出充分的氧析出物，可以抑制滑移擴(kuò)展。為對(duì)高溫退火前的體塊中的氧析出核的密度和尺寸分布進(jìn)行說(shuō)明的圖。出核的密度和尺寸分布進(jìn)行說(shuō)明"圖。'、''、為一邊緩慢降低拉晶速度一邊生長(zhǎng)的單晶的縱截面中的缺陷分布圖，對(duì)結(jié)晶中心部的溫度梯度Gc與結(jié)晶外周部的溫度梯度Ge相等或前者更大的情況進(jìn)行說(shuō)明。一邊為緩慢降低拉晶速度一邊生長(zhǎng)的單晶的縱截面中的缺陷分布圖，對(duì)結(jié)晶中心部的溫度梯度Gc與結(jié)晶外周部的溫度梯度Ge相等或前者更大且添加氫的情況進(jìn)行說(shuō)明。為說(shuō)明缺陷分布對(duì)拉晶速度和OSF環(huán)直徑的關(guān)系的影響度的圖。圖6為CZ結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)結(jié)晶中心部的IIO(TC以上溫度下的空穴和晶格間硅的濃度Cv和Ci以及拉晶速度V和固液界面附近的結(jié)晶一側(cè)的溫度梯度G之比V/G的關(guān)系。為對(duì)通過(guò)添加氫實(shí)現(xiàn)的拉晶速度區(qū)域的變化進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。為適于實(shí)施本實(shí)施方式中的硅單晶制備方法的CZ爐的縱截面圖。為通過(guò)V/G和氬濃度的關(guān)系對(duì)各種缺陷的產(chǎn)生區(qū)域進(jìn)行說(shuō)明的圖表，對(duì)通過(guò)添加氫而使產(chǎn)生缺陷的V/G區(qū)域擴(kuò)大進(jìn)行說(shuō)明。為對(duì)結(jié)晶位置和得到無(wú)原生缺陷區(qū)域的拉晶速度范圍(margin)的關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明的圖表。為對(duì)用于進(jìn)行低溫?zé)崽幚聿襟E的板式(牧菜式)的梯度熱處理裝置進(jìn)行說(shuō)明的示意圖。圖12A、B、C為用于驗(yàn)證通過(guò)添加氫實(shí)現(xiàn)的各結(jié)晶區(qū)域的變化的v字拉晶評(píng)價(jià)的結(jié)晶截面照片。為對(duì)摻雜氫拉晶而成的結(jié)晶和無(wú)摻雜拉晶而成的結(jié)晶的各部位中的熱施主的密度(雜質(zhì)濃度)進(jìn)行說(shuō)明的圖。符號(hào)說(shuō)明1蚶鍋la石英坩鍋lb石墨坩鍋2加熱器3原料熔液4拉晶軸5籽晶夾6單晶7熱屏蔽體具體實(shí)施例方式下文基于附圖對(duì)本發(fā)明涉及的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖8為適于實(shí)施本實(shí)施方式中的硅單晶制造方法的CZ爐的縱截面圖。首先對(duì)CZ爐的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。CZ爐，如圖8所示，具有配置于腔內(nèi)的中心部的坩鍋1、和配置于坩鍋1的外側(cè)的加熱器2。坩鍋1具有用外側(cè)的石墨坩鍋lb保持在內(nèi)側(cè)容納硅熔液3的石英坩鍋la的雙層結(jié)構(gòu)，通過(guò)被稱(chēng)為基座的支撐軸驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)和升降。在坩鍋1的上方設(shè)置有圓筒形狀的熱屏蔽體7。熱屏蔽體7具有用石墨制造外殼、在內(nèi)部填充石墨氈的結(jié)構(gòu)。熱屏蔽體7的內(nèi)面形成內(nèi)徑從上端部到下端部逐漸減小的錐面。熱屏蔽體7的上部外表面為對(duì)應(yīng)于內(nèi)表面的錐面，下部外表面大致形成直面以使熱屏蔽體7的厚度向著下方逐漸增大。該CZ爐，例如可以生長(zhǎng)目標(biāo)直徑為210mm、軀干長(zhǎng)(求f^長(zhǎng))例如為1200mm的200mm的單晶。通過(guò)熱屏蔽體7，形成結(jié)晶中心部的溫度梯度Gc與結(jié)晶外周部的溫度梯度Ge相等或前者更大的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)。此時(shí)，熱屏蔽體7的規(guī)格例子如下所述。進(jìn)入坩鍋部分的外徑例如為470mm、最下端的最小內(nèi)徑S例如為270mm、半徑向的寬度W例如為100mm、倒圓錐梯形面的內(nèi)表面相對(duì)于垂直方向的斜率6例如為21°。此外，坩鍋1的內(nèi)徑例如為550mm、熱屏蔽體7的下端距熔液表面的高度H例如為60mm。使用上述截面結(jié)構(gòu)的單晶生長(zhǎng)裝置進(jìn)行拉晶時(shí)，從熔點(diǎn)到1370。C的軸向溫度梯度單晶中心部(Gc)為3,0~3.2。C/mm、周邊部(Ge)為2.32.5°C/mm、Gc/Ge約為1.3。該狀態(tài)即使改變拉晶速度也幾乎不改變。接著對(duì)用于生長(zhǎng)硅單晶的操作條件的設(shè)定方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，為了掌握氫濃度和得到無(wú)缺陷結(jié)晶的拉晶速度的容許范圍，使氫濃度例如為0、0.1、3、5、8、0體積％的混合比率，在各條件下生長(zhǎng)目標(biāo)直徑例如210mm的單晶。即，將高純度硅的多晶例如130Kg裝入坩鍋內(nèi)，添加p型(B、Al、Ga等)或n型(P、As、Sb等)摻雜劑以使單晶的電阻率為所期望的值例如lOQm。使裝置內(nèi)為氬氣環(huán)境并減壓至1.33-13.3kPa(100~100torr)，進(jìn)行設(shè)定使氫氣以相對(duì)于氬氣為10體積％以下的上述規(guī)定混合比率流入爐內(nèi)。然后，通過(guò)加熱器2加熱使硅熔融，制成熔液3。然后，將安裝于籽晶夾5的晶種浸漬于熔液3中，旋轉(zhuǎn)坩鍋1和拉晶軸4的同時(shí)進(jìn)行拉晶。結(jié)晶方位為{100}、{111}或{110}中的任意一種，為了使結(jié)晶無(wú)位錯(cuò)而對(duì)晶種進(jìn)行縮頸后，形成肩部，放肩生長(zhǎng)成目標(biāo)軀干徑的結(jié)晶。當(dāng)結(jié)晶軀干長(zhǎng)度達(dá)到例如300mm時(shí)，使拉晶速度充分大于臨界速度，例如調(diào)整為1.0mm/min,然后，根據(jù)拉晶長(zhǎng)度大致直線(xiàn)地降低拉晶速度，軀干長(zhǎng)度達(dá)到例如600mm時(shí)，使拉晶速度小于臨界速度例如為0.3mm/min，然后以該拉晶速度生長(zhǎng)例如1200mm的軀千部，在通常條件下進(jìn)行收尾后，結(jié)束結(jié)晶生長(zhǎng)。將在不同的氫濃度下生長(zhǎng)的單晶沿著拉晶軸縱切，制造含有拉晶軸附近的板狀試驗(yàn)片，為了對(duì)原生缺陷的分布進(jìn)行觀察，進(jìn)行Cu綴飾(r3k—>3y)。首先，將各試驗(yàn)片浸漬于硫酸銅水溶液中后，自然干燥，在氮?dú)猸h(huán)境中于90(TC下實(shí)施20分鐘左右的熱處理。然后，為了除去試驗(yàn)片表層的Cu硅化物層，浸漬于HF/HN03混合溶液中，腐蝕除去表層數(shù)十微米。然后通過(guò)X射線(xiàn)拓樸法(X線(xiàn)卜求y7法)對(duì)OSF環(huán)的位置或各缺陷區(qū)域的分布進(jìn)行檢查。此外，例如用OPP法對(duì)該切片的COP的密度進(jìn)行檢查、例如用Secco腐蝕法對(duì)位錯(cuò)團(tuán)的密度進(jìn)行檢查。如此，使用滿(mǎn)足Gc/Ge》1的單晶拉晶裝置生長(zhǎng)的結(jié)晶的缺陷分布，如圖3所示，環(huán)狀OSF產(chǎn)生U字的狀態(tài)。若增大氫濃度則形成無(wú)缺陷的部位如圖4的B'-C'那樣擴(kuò)大，形成無(wú)缺陷結(jié)晶的拉晶速度的范圍(margin)擴(kuò)大。換而言之，如圖4的E，-C，所示，在由無(wú)空穴型原生缺陷的區(qū)域(PV區(qū)域)即氧析出促進(jìn)區(qū)域和無(wú)晶格間硅型原生缺陷的區(qū)域(PI區(qū)域)構(gòu)成的無(wú)原生缺陷的單晶中，本實(shí)施方式中，圖4的F'-C'所示的用于拉晶成僅含有PI區(qū)域的無(wú)原生缺陷單晶的晶格間硅優(yōu)勢(shì)區(qū)域拉晶速度范圍擴(kuò)大。具體地說(shuō)，與如圖7所示的無(wú)氫的情況相比，PI區(qū)域的范圍擴(kuò)大4倍以上。通過(guò)上述拉晶實(shí)驗(yàn)，得到COP區(qū)域、OSF環(huán)區(qū)域、V型無(wú)原生缺陷區(qū)域(PV區(qū)域)和I型無(wú)原生缺陷區(qū)域(PI區(qū)域)、位錯(cuò)團(tuán)區(qū)域等各缺陷區(qū)域的V/G和氫濃度的關(guān)系(圖9)。此外，通過(guò)使改變拉晶速度的位置在300mm到600mm、500mm到800mm以及700mm到1000mm的不同部位實(shí)施數(shù)處，求得實(shí)現(xiàn)無(wú)原生缺陷化的拉晶速度范圍(margin)和結(jié)晶軸向位置的關(guān)系(圖10)。由該圖10,可以設(shè)定用于得到無(wú)原生缺陷單晶的操作條件。本實(shí)施方式中，通過(guò)直拉法在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中生長(zhǎng)硅單晶時(shí)，對(duì)是否向熔液施加磁場(chǎng)不限定。也可以采用施加石茲場(chǎng)的MCZ法。如此，通過(guò)在含有含氬原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中對(duì)硅單晶進(jìn)行拉晶，可以將能拉晶成在結(jié)晶徑向全部區(qū)域上不含COP和位錯(cuò)團(tuán)、晶格間硅優(yōu)勢(shì)區(qū)域(PI區(qū)域)的單晶的PI區(qū)域拉晶速度的范圍擴(kuò)大至4倍以上來(lái)進(jìn)行拉晶。因此，可以使單晶直筒部全部為晶格間硅優(yōu)勢(shì)區(qū)域(PI區(qū)域)。以往，對(duì)所謂的無(wú)原生缺陷單晶進(jìn)行拉晶時(shí)，必須將PI區(qū)域拉晶速度設(shè)定在極窄的范圍內(nèi)。通過(guò)擴(kuò)大PI區(qū)域速度，可以極其容易地且以快于以往的拉晶速度生長(zhǎng)無(wú)原生缺陷單晶。接著，對(duì)各種晶片的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。通過(guò)在圖10中的實(shí)線(xiàn)所示的速度范圍內(nèi)設(shè)定對(duì)應(yīng)于拉晶速度的結(jié)晶位置，可以在從頂部到底部的全部區(qū)域中生長(zhǎng)無(wú)原生缺陷的結(jié)晶。而且，通過(guò)摻雜氫，無(wú)原生缺陷的拉晶速度的范圍(margin)如圖10所示，從以往未添加氯的虛線(xiàn)的范圍如實(shí)線(xiàn)所示顯著擴(kuò)大，無(wú)原生缺陷結(jié)晶的制造收率極大地增大。此外，在圖10的實(shí)線(xiàn)所示的上限值以上，將拉晶速度設(shè)定于上限值的1.7倍左右以?xún)?nèi)的速度時(shí)，雖然不能完全無(wú)原生缺陷，但是可以生長(zhǎng)所含有的COP尺寸為O.ljum以下的結(jié)晶。若使用該結(jié)晶，則通過(guò)在氪或氬等環(huán)境氣體中的退火，可以使至少1Mm以上的深度的表層附近區(qū)域無(wú)原生缺陷。而且，為了使缺陷的尺寸為0.1)am以下，可以通過(guò)lH0。C/2hr左右的退火在從表層到1Mm左右的深度的區(qū)域中完全消除COP。如此，通過(guò)cz法得到含有所需濃度的氫和氧的硅單晶棒后，對(duì)其根據(jù)通常的加工方法使用ID鋸或鋼絲鋸等切斷裝置進(jìn)行切片后，經(jīng)過(guò)倒角、研磨、蝕刻、拋光等步驟加工成硅單晶晶片。而且，除了這些步驟之外還存在洗滌等各種步驟，可以根據(jù)步驟順序的改變、省略等目的適當(dāng)變更步驟。本實(shí)施方式的硅晶片的制造方法中，作為熱施主的熱處理，包括在非氧化環(huán)境氣體中于IOO(TC~uo(rc進(jìn)行的氫退火、氬退火等高溫?zé)崽幚聿襟E；在施主消除處理之前于存在充分的熱施主的狀態(tài)下進(jìn)行的低溫?zé)崽幚聿襟E，所述施主消除處理是在上迷高溫?zé)崽幚碇斑M(jìn)行的用于抑制電阻率變動(dòng)的65(TCxlhr左右的施主消除處理。該低溫?zé)崽幚聿襟E是在40(TC-65(TC的溫度、升溫速率為0.2°C/min-2.(TC/min且通過(guò)梯度熱處理進(jìn)行的。此外，低溫?zé)崽幚聿襟E中，更優(yōu)選溫度范圍為500°C~60(TC和/或升溫速率為0.3°C/min~l.(TC/min。進(jìn)行該低溫?zé)崽幚聿襟E以使上述高溫?zé)崽幚聿襟E前后的氧濃度差為1.5x10"個(gè)原子/cm3以上(ASTM-F1211979)且上述高溫?zé)崽幚砗蟮难跷龀鑫锩芏葹閘.Ox101()個(gè)/眼3以上。圖11對(duì)用于進(jìn)行低溫?zé)崽幚聿襟E的板式的梯度熱處理裝置進(jìn)行說(shuō)明。上述熱處理裝置中，如圖所示，具有可以栽置硅晶片W的圓環(huán)狀的基座11和在內(nèi)部容納上述基座11的反應(yīng)室12。而且，在反應(yīng)室12的外部配置有對(duì)硅晶片W進(jìn)行加熱的卣燈13?；?1由硅碳化物等形成，在內(nèi)周側(cè)設(shè)置有段部lla、在上迷段部lla上載置硅晶片W的周緣部。反應(yīng)室12中設(shè)置有向硅晶片W的表面供給環(huán)境氣體G的供給口12a和排出所供給的環(huán)境氣體G的排出口12b。此外，供給口12a與環(huán)境氣體G的供給源M相連結(jié)。通過(guò)該熱處理裝置對(duì)硅晶片W進(jìn)行低溫?zé)崽幚頃r(shí)，在基座11上栽置硅晶片W后，從供給口12a向硅晶片W的表面供給環(huán)境氣體G，在該狀態(tài)下，點(diǎn)亮燈13，以上述范圍的溫度條件、升溫速度進(jìn)行熱處理。通過(guò)該熱處理，在硅晶片W內(nèi)形成氧析出核。在含有含氫原子得到物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中通過(guò)CZ法生長(zhǎng)硅單晶，由此在該單晶中，在生長(zhǎng)的狀態(tài)下于體塊中形成高密度的熱施主(TD)。由該單晶切片得到晶片，對(duì)該晶片實(shí)施上述低溫?zé)崽幚聿襟E，由此在體塊中形成高密度的小尺寸的氧析出核，通過(guò)該小尺寸高密度的氧析出核，抑制在高溫?zé)崽幚碇挟a(chǎn)生的滑移擴(kuò)展。上述低溫?zé)崽幚聿襟E中，由于對(duì)含有高密度的熱施主的氫摻雜晶片實(shí)施低溫梯度處理，可以在體塊中形成抑制高溫?zé)崽幚聿襟E中的滑移擴(kuò)展所必需的高密度的小尺寸的氧析出核。其中，為了抑制高溫?zé)崽幚聿襟E中的滑移擴(kuò)展，在位錯(cuò)開(kāi)始擴(kuò)展的溫度(900。C以上)下，在滑移擴(kuò)展方向的位錯(cuò)線(xiàn)上是否析出氧析出物是重要的。因此，在低溫?zé)崽幚聿襟E中，若將溫度范圍設(shè)定至高于上述溫度范圍的溫度，則由于在高溫?zé)崽幚聿襟E中滑移有可能擴(kuò)展而不優(yōu)選，若設(shè)定在低于上述溫度范圍的溫度則由于有可能不能促進(jìn)必需的氧析出核形成而不優(yōu)選。作為高溫?zé)崽幚?，除了通過(guò)DZ-IZ進(jìn)行的氫退火、氬退火之外，還可以舉出在1300'C以上的高溫下實(shí)施的SIMOX退火等。此外，可以采用能用msec指令進(jìn)行急速升降溫的RTA(RapidThermalAnnealing)處理或通過(guò)激光照射進(jìn)行的熱處理。本實(shí)施方式中，通過(guò)在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中對(duì)硅單晶進(jìn)行拉晶，對(duì)充分存在有熱施主的硅晶片實(shí)施上述低溫梯度熱處理，可以在晶片中形成在氬退火等后殘留的可以防止滑移擴(kuò)展的Si04。該晶片可以直接作為通常的PW(拋光后晶片、鏡面晶片)用于裝置制造中，也可以用作SOI用的基板。其中，說(shuō)明對(duì)通過(guò)硅單晶拉晶裝置進(jìn)行的V字拉晶進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。改變拉晶速度以形成最大拉晶速度的0.7—0.35—0.7的比，此時(shí)，拉晶時(shí)的氬濃度和爐內(nèi)壓力分別為(a)0。/0、30torr(b)60/0、30torr(c)6%、70torr，分別進(jìn)行拉晶，對(duì)結(jié)晶軸向的表面進(jìn)行觀察。對(duì)上述結(jié)晶的切斷表面實(shí)施下述處理進(jìn)行觀察的結(jié)果如圖12A、B、C所示。如此，將在不同的氫濃度下生長(zhǎng)的單晶沿著拉晶軸縱切，制造含有拉晶軸附近的板狀試驗(yàn)片，為了對(duì)原生缺陷的分布進(jìn)行觀察，進(jìn)行Cu綴飾。首先，將各試驗(yàn)片浸漬于硫酸銅水溶液中后，自然千燥，在氮環(huán)境氣體中于90(TC下實(shí)施20分鐘左右的熱處理。然后，為了除去試驗(yàn)片表層的Cu硅化物層，浸漬于HF/HN03混合溶液中，腐蝕除去表層數(shù)十微米后，通過(guò)X射線(xiàn)拓樸法對(duì)OSF環(huán)的位置或各缺陷區(qū)域的分布進(jìn)行檢查。此外，此時(shí)的對(duì)應(yīng)于圖9的各區(qū)域和拉晶速度因添加氫有何種程度的變化的結(jié)果如圖7以及表1所示。表1的各缺陷區(qū)域中的拉晶速度范圍，通過(guò)對(duì)在結(jié)晶中心部的結(jié)晶軸向上觀察到的各缺陷區(qū)域的寬度進(jìn)行測(cè)定來(lái)算出。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>由圖7和表1所示的結(jié)果可知，通過(guò)添加氫，雖然PV區(qū)域和環(huán)OSF區(qū)域的拉晶速度范圍沒(méi)有大幅變化，但是PI區(qū)域的拉晶速度范圍，在爐內(nèi)壓力為30torr的情況下與不添加氫的情況相比，擴(kuò)大約4.4倍，此外在70torr的情況下擴(kuò)大約7倍。由此可知，依賴(lài)于氫分壓，PI區(qū)域的寬度顯著擴(kuò)大。實(shí)施例下文對(duì)本發(fā)明涉及的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。[實(shí)施例1]為了調(diào)查高溫?zé)崽幚碇械哪突铺匦?，在拉晶速度恒定?.7mm/min、氫濃度為6%的環(huán)境氣體的條件下拉晶得到硅單晶，對(duì)于由該硅單晶切片得到的硅晶片，實(shí)施表2所示的3種熱處理步驟，實(shí)施這些硅晶片的XRT(X-rayTopograph)評(píng)價(jià)，基于所得到的照片比較從晶片支撐燃燒舟傷的滑移長(zhǎng)度。晶片強(qiáng)度的熱處理步驟依賴(lài)性結(jié)果如表2所示。而且，熱處理環(huán)境氣體都在Ar環(huán)境氣體下實(shí)施。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表2中所示的"梯度熱處理1"是從500'C-6S0'C的梯度速率為2.5°C/min的熱處理，"梯度熱處理2"是從50(TC65(TC的梯度速率為0.3。C/min的熱處理。通過(guò)實(shí)施"梯度熱處理2"，判明從燃燒舟傷的滑移基本上得到抑制。進(jìn)一步地，對(duì)高溫退火后的晶片(水準(zhǔn)13)在氧氣環(huán)境氣體中實(shí)施IOO(TCx16hr的追加熱處理后，用蝕刻處理使BMD表面化，對(duì)BMD個(gè)數(shù)實(shí)施計(jì)數(shù)的結(jié)果和熱處理前后的氧濃度差(AOi)以晶片強(qiáng)度的BMD密度/AOi依賴(lài)性示于表3。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>由上述結(jié)果確認(rèn)，為了抑制熱處理中的滑移，至少l.Ox10"個(gè)/cm3以上的BMD密度和熱處理前后的AOi為1.5x10"個(gè)原子/cn^以上是必要的。此外，在拉晶速度恒定為0.7mm/min、氫濃度為6%的環(huán)境氣體的條件下拉晶得到全長(zhǎng)800mm的氫摻雜結(jié)晶，由該結(jié)晶切出晶片，通過(guò)四探針?lè)▽?duì)各部位的比電阻進(jìn)行測(cè)定。然后，實(shí)施650°Cx30min的熱處理作為消除熱施主的DK(donorkiller)處理后，再次測(cè)定晶片的比電阻。圖13中記有由各部位中的DK處理前后的比電阻值的變化換算的雜質(zhì)濃度(熱施主的密度)。還記有作為REF(無(wú)摻雜)不供給氫時(shí)的雜質(zhì)濃度。由圖的結(jié)果可知，通過(guò)添加氫，可以增大雜質(zhì)濃度(熱施主的密度)。由此，如表2所示，通過(guò)低溫?zé)崽幚恚梢砸种?200°Cxlhr退火中的滑移擴(kuò)展。[實(shí)施例2〗接著，為了調(diào)查通過(guò)惰性環(huán)境氣體中的氬濃度(體積％)實(shí)現(xiàn)的耐滑移特性，使拉晶速度恒定于0.7mm/min,以0.1%、3%、6%、10%、20%、0%共6個(gè)水準(zhǔn)改變惰性環(huán)境氣體中的氫濃度(體積％)生長(zhǎng)硅單晶錠，準(zhǔn)備由上述錠切出的硅晶片。對(duì)于各硅晶片實(shí)施從50CTC到65(TC的梯度速率為0.3°C/min的低溫梯度熱處理后，實(shí)施650°Cx30min的DK處理和12CKTCxlhr的高溫?zé)崽幚?。?shí)施這些硅晶片的XRT(X-myTopograph)評(píng)價(jià)，基于所得到的照片比較從晶片支撐燃燒舟傷的滑移長(zhǎng)。其結(jié)果如表4所示。而且，在熱處理環(huán)境氣體都為Ar環(huán)境氣體下實(shí)施。[表4]<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>由表4可知，本發(fā)明例子(水準(zhǔn)1-5)的硅晶片，與比較例(水準(zhǔn)6)的硅晶片相比，可以極大地抑制滑移擴(kuò)展。特別是若惰性環(huán)境氣體中的氫濃度為3%以上則可以抑制成在目視水平上不能檢出滑移擴(kuò)展。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中生長(zhǎng)硅單晶錠，可以得到在生長(zhǎng)的狀態(tài)下含有高密度的熱施主的硅單晶。由該結(jié)晶切出晶片，通過(guò)實(shí)施低溫?zé)崽幚恚梢孕纬筛呙芏鹊男⊙跷龀鑫?，用DZ-IG法等進(jìn)行1000。C以上的高溫?zé)崽幚頃r(shí)，通過(guò)析出物抑制滑移擴(kuò)展，由此防止強(qiáng)度的降低。通過(guò)本發(fā)明，可以得到具有在裝置形成中不可欠缺的DZ層且強(qiáng)度優(yōu)異的硅晶片。本發(fā)明的硅晶片中，可以得到在晶片全部區(qū)域中僅含有晶格間硅優(yōu)勢(shì)區(qū)域，氧析出物的密度和尺寸以及DZ寬度在晶片的面內(nèi)顯著均勻的優(yōu)異晶片。此外，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)在無(wú)原生缺陷結(jié)晶的生長(zhǎng)中組合添加氫，實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷化的拉晶速度范圍擴(kuò)大，可以穩(wěn)定地生長(zhǎng)無(wú)缺陷結(jié)晶，顯著提高無(wú)原生缺陷結(jié)晶的制造收率。權(quán)利要求1.一種硅晶片的制造方法，其為硅單晶晶片的制造方法，該方法包括在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過(guò)CZ法生長(zhǎng)硅單晶的步驟，由所述硅單晶切出晶片的步驟，在非氧化環(huán)境氣體中、于1000℃～1300℃下對(duì)所述晶片實(shí)施熱處理的高溫?zé)崽幚聿襟E，在所述高溫?zé)崽幚聿襟E之前，在低于該熱處理溫度的溫度下，對(duì)所述晶片實(shí)施熱處理的低溫?zé)崽幚聿襟E。2.—種硅晶片的制造方法，該方法包括在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過(guò)CZ法生長(zhǎng)硅單晶的步驟，由所述硅單晶切出晶片的步驟，對(duì)所述晶片實(shí)施用于防止電阻率變動(dòng)的消除施主的熱處理的施主消除熱處理步驟，在所述施主消除熱處理步驟之前，在低于該熱處理溫度的溫度下，對(duì)所述晶片實(shí)施熱處理的低溫?zé)崽幚聿襟E。3.如權(quán)利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其中，所述低溫?zé)崽幚聿襟E的溫度范圍為400°C~650°C、升溫速率為0.2。C/min-2.0°C/min。4.如權(quán)利要求3所述的硅晶片的制造方法，其中，所述熱處理步驟通過(guò)梯度熱處理進(jìn)行。5.如權(quán)利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，通過(guò)所述低溫?zé)崽幚聿襟E，使所述高溫?zé)崽幚聿襟E前后的氧濃度差根據(jù)ASTM-F1211979測(cè)定為1.5x10"個(gè)原子/cm3以上。6.如權(quán)利要求1所述的硅晶片的制造方法，其中，所述惰性環(huán)境氣體中的氫濃度，在爐內(nèi)壓力為1.3-13.3kPa的條件下，被設(shè)定于0.1%~20°/。的范圍。7.如權(quán)利要求1或2所述的硅晶片的制造方法，其中，使所述高溫?zé)崽幚砗蟮难跷龀鑫锩芏葹閘.Ox10"個(gè)/cn^以上。8.—種硅晶片，其通過(guò)權(quán)利要求1或2中任意一項(xiàng)所迷的制造方法制造。全文摘要在含有含氫原子的物質(zhì)的氣體的惰性環(huán)境氣體中，通過(guò)CZ法生長(zhǎng)硅單晶。對(duì)通過(guò)生長(zhǎng)的硅單晶得到的晶片在非氧化環(huán)境氣體中、于1000℃～1300℃下實(shí)施高溫?zé)崽幚?。此時(shí)，在高溫?zé)崽幚聿襟E之前，在低于此溫度的溫度下實(shí)施低溫?zé)崽幚?。文檔編號(hào)C30B29/06GK101238557SQ200580050229公開(kāi)日2008年8月6日申請(qǐng)日期2005年11月9日優(yōu)先權(quán)日2005年7月27日發(fā)明者寶來(lái)正隆,小野敏昭,杉村涉申請(qǐng)人:勝高股份有限公司