專(zhuān)利名稱(chēng)：球形調(diào)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及超導(dǎo)材料，尤其涉及帶有電磁屏蔽的超導(dǎo)殼層，該殼層將工 件包圍在熵隔離(entropically isolated )的環(huán)境中。
本申請(qǐng)要求享有分別于2005年4月18日和2005年7月29日遞交的美 國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No. 11/108， 424和No. 11/192,610的優(yōu)先權(quán)。
背景技術(shù)：
通常，量子物理預(yù)測(cè)所有的空間都充滿(mǎn)零點(diǎn)起伏(zero-point fluctuations )，也叫估文零點(diǎn)場(chǎng)(zero-point field ),產(chǎn)生凈爭(zhēng)另寸巨大的(universal sea ) 零點(diǎn)振動(dòng)能(zero-point energy )。這種能量的密度取決于頻率中零點(diǎn)起伏停 在何處。由于空間本身被認(rèn)為是會(huì)在所謂普朗克尺度(Planck scale )( l(T33cm) 的微小距離刻度下崩裂為一種量子泡沫(quantum foam),所以零點(diǎn)起伏必 需停止在相應(yīng)的普朗克頻率(1043Hz)處。根據(jù)這一理論，零點(diǎn)振動(dòng)能密度 可達(dá)110次方的量級(jí)，大于太陽(yáng)中心的輻射能量。
有許多專(zhuān)利主張采用電磁輻射以有助于零點(diǎn)振動(dòng)能向可使用的電能的 轉(zhuǎn)換，如美國(guó)專(zhuān)利No. 5， 590, 031。還有人建議，利用超導(dǎo)球體與外部地磁 場(chǎng)相互作用以驅(qū)動(dòng)該場(chǎng)內(nèi)的車(chē)輛，如美國(guó)專(zhuān)利No. 6, 318,666,以及利用電》茲 性使等離子體定相為干涉波，如美國(guó)專(zhuān)利No. 5， 966, 452。然而，現(xiàn)有的這 些裝置沒(méi)有披露本發(fā)明的超導(dǎo)殼層或給出有關(guān)的啟示，本發(fā)明的超導(dǎo)殼層不 與外部地磁場(chǎng)或任何其他周?chē)艌?chǎng)或電場(chǎng)相互作用，而是使殼層內(nèi)部與這些 場(chǎng)屏蔽，以便使用聲音作為能量驅(qū)動(dòng)。因此，現(xiàn)有的這些裝置不能為這些裝 置中的工件提供熵隔離環(huán)境。

發(fā)明內(nèi)容
一般而言，本發(fā)明為腔室中的工件提供熵隔離環(huán)境。具體地說(shuō)，本發(fā)明 為由一系列嵌套的殼層(shell)形成的腔室，所述殼層將腔室中的工件與來(lái) 自腔室四周的周?chē)h(huán)境的電磁場(chǎng)屏蔽起來(lái)，且至少一個(gè)殼層是超導(dǎo)的。超導(dǎo)殼層或可由疊置的獨(dú)立超導(dǎo)體制成或由固態(tài)超導(dǎo)壁構(gòu)成。可利用在一個(gè)殼層 或一 系列連接殼層中的電磁能和動(dòng)能來(lái)操作工件。
本發(fā)明通過(guò)創(chuàng)建熵隔離環(huán)境實(shí)現(xiàn)零點(diǎn)振動(dòng)能對(duì)原子強(qiáng)/弱作用力和分子 結(jié)構(gòu)的影響，在這種隔絕環(huán)境中在零點(diǎn)振動(dòng)能的能量轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵初始階段中 使周?chē)姶艌?chǎng)最小。更具體地說(shuō)，本發(fā)明的腔室維持了高熵之后的低熵混合 狀態(tài)，且影響放置在腔室中的工件的原子和分子結(jié)構(gòu)。據(jù)此，這種腔室可用 于生物/生命科學(xué)、電子、計(jì)算機(jī)科學(xué)、能量產(chǎn)生、推進(jìn)器、粒子物理、電磁 學(xué)、化學(xué)、制藥和材料科學(xué)。
本發(fā)明其他應(yīng)用領(lǐng)域可從下文提供的詳細(xì)描述中更明顯可見(jiàn)。應(yīng)理解的 是，詳細(xì)描述和示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的一些具體實(shí)例都僅用于解釋本 發(fā)明，而不是對(duì)本發(fā)明范圍的限制。


從詳細(xì)描述和所附附圖可更加全面地理解本發(fā)明。附圖中
圖1示出了本發(fā)明的等軸剖視圖2A、 2B和2C為圖1所示腔室的截面圖3A和3B為圖1所示腔室的分解視圖4示意性地示出了本發(fā)明；
圖5示出了本發(fā)明一可供選擇的實(shí)施例；
圖6A和6B示出了本發(fā)明一可供選擇的實(shí)施例；
圖7示出了本發(fā)明一可供選擇的實(shí)施例；
圖8A和8B的截面圖示出了腔室的內(nèi)部；
圖9示意地示出了一回轉(zhuǎn)的(gyrosc叩ic)實(shí)施例；
圖lO和ll示出了本發(fā)明的一些可供選擇的實(shí)施例；
圖12示出了帶有橋式連接部的單一腔室；
圖13為圖14和15的單一腔室的截面圖14示出了所謂ESD ( Entropic Step Down,降熵)的本發(fā)明的一可供 選擇的實(shí)施例；
圖15示出了所謂EPS (Entropic Perturbation System,熵護(hù)u動(dòng)系統(tǒng))的 本發(fā)明的一可供選擇的實(shí)施例；
圖16示出了用于本發(fā)明的波消除裝置。
具體實(shí)施例方式
參考所附附圖，其中相同的附圖標(biāo)記代表相同的元件，圖l為一示例性 實(shí)施例中的球形校準(zhǔn)機(jī)構(gòu)腔室10的部分剖視圖。腔室IO以多層形式、即以
將處于腔室10內(nèi)部的工件14包圍起來(lái)的一系列嵌套殼層12的形式構(gòu)成。 外結(jié)構(gòu)殼體(casing) 16形成腔室10的外表面。在該結(jié)構(gòu)殼體16中，存在 包圍超導(dǎo)殼層20的電磁屏蔽層18。超導(dǎo)殼層20優(yōu)選浸入容納于貯槽24中 的低溫冷卻劑22中。貯槽24優(yōu)選由位于超導(dǎo)殼層20的相對(duì)側(cè)的一對(duì)杜瓦 瓶26、 28形成，即超導(dǎo)殼層被密封在外杜瓦瓶26和內(nèi)杜瓦瓶28之間。內(nèi) 杜瓦瓶28優(yōu)選被內(nèi)殼體30保護(hù)起來(lái)，內(nèi)殼體30圍繞腔室10的內(nèi)部。
如圖2A所示，腔室10可由位于支承結(jié)構(gòu)36中的兩個(gè)互相連接的半球 體32、 34形成。具體地說(shuō)，極38對(duì)準(zhǔn)半球體32、 34,同時(shí)允許上半球體 32相對(duì)于下半球體34滑動(dòng)并將下半球體34保持在適當(dāng)位置。半球體32、 34優(yōu)選包括重疊部分40，該重疊部分40與可以提供壓力密封42，的突緣42 密封在一起。圖2B詳細(xì)示出了重疊部分40中的腔室層12。每一個(gè)半球體 32、 34優(yōu)選具有進(jìn)口閥44， ^氐溫冷卻劑可以通過(guò)該進(jìn)口閥44循環(huán)流動(dòng)。腔 室IO打開(kāi)時(shí)，可將工件14設(shè)置在平臺(tái)46上或直接放置在內(nèi)表面上。
如圖2C所示， 一旦腔室IO關(guān)閉，工件14和腔室IO的內(nèi)部與外界電磁 輻射48屏蔽開(kāi)來(lái)，外部電磁輻射48包括電場(chǎng)、磁場(chǎng)和噪聲。在封閉的腔室 IO內(nèi)側(cè)，工件14處于熵隔離環(huán)境中。具體地說(shuō)，當(dāng)腔室10打開(kāi)時(shí)，腔室中 的工件14所處的熵水平(entropic level)近似等于圍繞腔室IO外部的周?chē)?環(huán)境。然而， 一旦腔室IO封閉，包括工件14在內(nèi)的腔室10內(nèi)部具有較高 的熵靜態(tài)水平(entropic stasis level )。電磁場(chǎng)屏蔽18可由許多材料制造,這 些材料包括鉛、鈮和如MUMETAL (鎳鐵高導(dǎo)磁率合金)和/或METGLAS (金屬玻璃非晶態(tài)金屬)之類(lèi)的金屬合金以及這些屏蔽材料的結(jié)合。例如， 可將鉛箔和/或鈮背襯與杜瓦瓶26或28制造在一起或加到杜瓦瓶26或28 上?？稍谇皇?0內(nèi)、通過(guò)真空或加壓系統(tǒng)、相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)大氣條件形成內(nèi)部 真空或加壓狀態(tài)，并分別通過(guò)加壓突緣42密封。工件臺(tái)46可包括用于這些 系統(tǒng)46'、 46"的才幾構(gòu)。
圖3A和3B為腔室層12的分解視圖。超導(dǎo)殼層可形成為固態(tài)、連續(xù)的 殼層20'，如重疊殼層部分20，，或其任何等效形式。應(yīng)理解的是，嵌套超導(dǎo)殼層還可用在本發(fā)明的其他實(shí)施例中。如上所述，優(yōu)選的是，由超導(dǎo)殼層20 完全包圍腔室10的內(nèi)部區(qū)域。屏蔽18可由多層制成，如可以是與鉛箔和/ 或鈮背襯18"結(jié)合的MUMETAL和/或METGLAS 18，的一層。
應(yīng)理解的是，可將腔室的內(nèi)部IO維持在與周?chē)嗤膲毫蜏囟葪l件， 且不需要低溫冷卻或抽真空以使腔室10中的熵靜態(tài)水平超過(guò)腔室IO外界周 圍環(huán)境的熵靜態(tài)水平。當(dāng)使用低溫冷卻劑時(shí)，雙杜瓦瓶使冷卻劑與腔室10 的內(nèi)部及外部之間的傳熱最少。低溫冷卻劑的例子包括液氮、液氳、液氦和 鋁泡沫劑中的固態(tài)氮。還應(yīng)理解的是，本發(fā)明中可使用任何超導(dǎo)元件，包括 目前已知的第一類(lèi)和第二類(lèi)超導(dǎo)體以及它們的等同物，這些等同物包括任何 可以由在海平面標(biāo)準(zhǔn)條件下、即室溫下具有超導(dǎo)電性的材料制成的超導(dǎo)體。 對(duì)于某些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，可以使用單個(gè)杜瓦瓶。
圖4示出了腔室的大致的示意性布置形式。按庫(kù)倫定律(coulombically ) 呈現(xiàn)為具有球體半徑R、正位于超導(dǎo)殼層表面的上方的高斯表面(G)。可將 腔室10設(shè)計(jì)成使得通過(guò)創(chuàng)建熵隔離環(huán)境而使電磁場(chǎng)衰減。根據(jù)高斯定律， 下面的方程式1給出了電通量的方程，其中A為表面面積，e為導(dǎo)體表面正 上方的電場(chǎng)強(qiáng)度
<formula>formula see original document page 9</formula>
如上所述以及如圖4所示，腔室10的內(nèi)部與電^茲場(chǎng)48屏蔽開(kāi)來(lái)，且如 下面參考圖3B的詳細(xì)討論所述，腔室可包括電磁脈沖發(fā)生器，以改變腔室 的內(nèi)部熵狀態(tài)。
還應(yīng)理解的是，腔室IO并不限于形成為球形，也不必由一對(duì)半球體32、 34構(gòu)成。腔室10可形成任何幾何形狀，且可具有任何數(shù)量的包圍工件14 的部分，如圖5、 6和7所示。如圖5所示，腔室10可由壁部分12'形成。 每個(gè)壁部分12，由一系列類(lèi)似于圖1、 2和3所述的嵌套的殼層12形成。對(duì) 于半球形殼層12來(lái)說(shuō)，壁部分12，可彼此重疊。通常，殼層12、 12，包圍工 件14并允許工件14進(jìn)入腔室10的內(nèi)部。
具體如圖5所示，壁部分12，可以是平板，其具有外部結(jié)構(gòu)殼體16和圍 繞超導(dǎo)殼層20的電磁屏蔽18。這些壁可包圍工作區(qū)域，減少有生理創(chuàng)傷的 患者的細(xì)胞壞死。在一種工作環(huán)境下，可以使用諸如固態(tài)氮和鋁泡沫劑之類(lèi) 的外來(lái)材料，并與帶有METGLAS的鈮一道面向包含在隔絕密封的杜瓦瓶和金屬殼中的超導(dǎo)壁。
圖6A示出了 一實(shí)施例，其中腔室10為圖1所示的沿X軸線的細(xì)長(zhǎng)形狀，
殼層12形成為橢圓形，而圖7具體示出了腔室IO的一實(shí)施例，其中殼層12 為圓柱形且形成圍繞作為工件14的導(dǎo)線的護(hù)層12"。橢圓形組件可通過(guò)將 當(dāng)事人置于腔室中而用于減少由于鈍器創(chuàng)傷導(dǎo)致的細(xì)胞壞死，如圖6B所示。 如通過(guò)去除腔室的端部、即圖6A和6B中虛線所示的端部可使腔室具有便 于攜帶的尺寸。若包圍工件或通過(guò)從頸部到大腿完全包圍患者包圍當(dāng)事人的 部分封閉的腔室10的 一 個(gè)實(shí)例是球形懸式外套(Sapheric Suspension Jacket),可確定這種便攜實(shí)施例的尺寸。這種球形懸式外套可用于在急救環(huán) 境中減少帶生理創(chuàng)傷的患者的細(xì)胞壞死。這可通過(guò)將周?chē)h(huán)境電磁場(chǎng)相互作 用懸置于患者脊髓中的細(xì)胞來(lái)完成，使得細(xì)胞壞死最少并在轉(zhuǎn)送至用于進(jìn)一 步創(chuàng)傷治療的全托架或懸吊夕卜科手術(shù)室(full pod or suspension surgical theater)之前暫時(shí)穩(wěn)定創(chuàng)傷。圖7所示的金屬護(hù)皮電線組件可用于任何一個(gè) 腔室10中的大功率電子設(shè)備。
在閉合的內(nèi)腔室10中，可在高熵靜止模式和低熵激勵(lì)模式之間操作工 件14。工件14和內(nèi)腔室10的激勵(lì)可通過(guò)將電磁能和/或動(dòng)能引入腔室10來(lái) 實(shí)現(xiàn)。將動(dòng)能引入腔室的一個(gè)例子是驅(qū)動(dòng)件50,可將它裝在底座52中并使 腔室10旋轉(zhuǎn)。另一例子可以是聲音擾動(dòng)系統(tǒng)54，也可將該聲音擾動(dòng)系統(tǒng)裝 在底座52處或圍繞腔室10的其他地方。可將聲音擾動(dòng)系統(tǒng)54調(diào)諧到工件 14的材料頻率。放大器和揚(yáng)聲器可位于腔室10的外部，聲音可通過(guò)調(diào)諧式 共振管(tuned resonant tube) 56進(jìn)入腔室10,且可以進(jìn)行引導(dǎo)或按其他方 式聚焦以便擾動(dòng)工件。優(yōu)選使用如METGALS之類(lèi)的能增強(qiáng)共振還具有屏蔽 性能的材料來(lái)構(gòu)造調(diào)諧共振管。因而，本發(fā)明的腔室10通過(guò)維持之一上是 低熵而隨后立即在另 一中為高熵的混合狀態(tài)，在零點(diǎn)振動(dòng)能的能量轉(zhuǎn)換的關(guān) 鍵初始階段中消除、避免電磁輻射和/或使電磁輻射最小。
作為這種動(dòng)能操作的一實(shí)例，可將釔工件14放置在打開(kāi)的腔室10中。 腔室10關(guān)閉并密封，可通過(guò)聲音擾動(dòng)系統(tǒng)54來(lái)創(chuàng)建從存儲(chǔ)媒介處發(fā)出的 (played)釔量子振動(dòng)的聲波或相關(guān)頻率并將其注入腔室10。對(duì)于合成材料 來(lái)說(shuō)，可根據(jù)合成組分材料的頻語(yǔ)創(chuàng)建并混合量子振動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)諧振。
也可通過(guò)多種方法將電磁能量傳送到腔室10中。導(dǎo)線58可將腔室10 中的電磁電路60連接至腔室10外側(cè)的能源62?？捎萌绱艌?chǎng)引發(fā)器、電磁場(chǎng)脈沖觸發(fā)器、激光和光之類(lèi)公知的電磁電路60激勵(lì)工件14。導(dǎo)線58優(yōu)選通 過(guò)底座52將電力傳導(dǎo)至電路60。優(yōu)選對(duì)導(dǎo)線58進(jìn)行電磁屏蔽并將其封閉在 超導(dǎo)護(hù)層12"中，如圖7所示，且可類(lèi)似地形成電極。多根導(dǎo)線58可連接 至多個(gè)電極和腔室10中的其他電磁電路60。電磁裝置可位于平臺(tái)46上或圍 繞殼層12的內(nèi)側(cè)間隔放置。例如，可圍繞半球體32、 34的四個(gè)等距離點(diǎn)間 隔放置電磁組件。如圖8A和8B所示的另一實(shí)例那樣，可在六個(gè)點(diǎn)間隔放 置電磁組件。
具體如圖8A和8B所示，六點(diǎn)場(chǎng)引發(fā)器64可位于腔室10中的鈮晶格 (lattice ) 66中，且可由穿過(guò)底座52進(jìn)入的電線58供電。雖然沒(méi)有列舉出 所有類(lèi)型的場(chǎng)引發(fā)器，但引發(fā)器的功能是在腔室中創(chuàng)建電磁場(chǎng)68，例如包括 可見(jiàn)光譜和相干激光在內(nèi)的光、放電器(spark g叩)、以及通過(guò)伽馬波的放 射性(radio )。場(chǎng)脈沖是可變的，且電磁場(chǎng)用于觸發(fā)低熵脈沖。如以上關(guān)于 聲音擾動(dòng)系統(tǒng)54所述的那樣，聲音還可用于工件的原子和分子結(jié)構(gòu)中的高 熵相互作用。此外，腔室的內(nèi)部可裝配有消聲插入物70。大腔室可使用超導(dǎo) 量子干涉器件(SQuID),以測(cè)量高熵腔室中變化分子的共振勢(shì)能(resonant potential),隨后利用脈沖驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生諧頻，以重新排列分子結(jié)構(gòu)。消聲插入 物70和其他類(lèi)似插入物可用于限制外部聲音和振動(dòng)進(jìn)入腔室，且有助于在 腔室中導(dǎo)引聲音。
小型化的電磁隔絕玻色愛(ài)因斯坦光學(xué)臺(tái)可用來(lái)從凝聚態(tài)建立物質(zhì)的新 狀態(tài)形式(phase forms )。在這種狀態(tài)形式中，物質(zhì)可另外被類(lèi)似于金剛石 砧壓力式單元的機(jī)械組件干擾，產(chǎn)生用于強(qiáng)制地將物質(zhì)的兩種變化形式有效 合在一起的勢(shì)能。根據(jù)本發(fā)明，如在腔室10內(nèi)可見(jiàn)到的那樣，可采用比目 前已知的不在高熵環(huán)境中施加壓力和能量的系統(tǒng)低得多的壓力和能量。例 如，根據(jù)大阪大學(xué)對(duì)超導(dǎo)磁性金屬的實(shí)驗(yàn)，如在Journal of Physics: Condensed Matter, Vol. 14， p. 10467-10470 (發(fā)表于2002年11月11日)中報(bào)導(dǎo)的那樣，研 究人員發(fā)現(xiàn)在處于壓力下的鐵的情況下開(kāi)始呈現(xiàn)超導(dǎo)電性。具體地說(shuō)，使用 電阻測(cè)量，在20GPa的壓力下觀察到超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的最大值為2K。研究人 員還報(bào)導(dǎo)了與根據(jù)檢測(cè)的抗磁信號(hào)的邁斯納效應(yīng)(Meissner effect)有關(guān)的現(xiàn) 象。根據(jù)本發(fā)明，大阪大學(xué)的實(shí)驗(yàn)在高熵腔室中需要很低的能量和壓力，根 據(jù)本發(fā)明這可通過(guò)電磁屏蔽18和超導(dǎo)殼層20產(chǎn)生。因此，腔室10還能更 加有效地形成玻色-愛(ài)因斯坦凝聚物和有條件地建立仿真重力類(lèi)場(chǎng)(artificial gravity-like field ),這種場(chǎng)與所施加的力成比例。
在本發(fā)明中，還可將多個(gè)超導(dǎo)殼層20嵌套在一起。例如，示意性地示 于圖9中的回轉(zhuǎn)的實(shí)施例具有四個(gè)嵌套的超導(dǎo)殼層20。對(duì)于所有實(shí)施例而 言，如上面對(duì)于電磁輻射、電場(chǎng)和磁場(chǎng)的屏蔽所討論的那樣，通過(guò)電磁屏蔽 18使腔室10的內(nèi)部與外部電磁場(chǎng)屏蔽。為了形成回轉(zhuǎn)效果，每個(gè)嵌套殼層 可具有帶狀電源條72,在模擬運(yùn)動(dòng)中的回轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的不同方向(x+, x-, y + 45° , z-45° )引導(dǎo)電流。通過(guò)各啟動(dòng)開(kāi)關(guān)或通過(guò)控制流過(guò)每個(gè)球體的 電力的計(jì)算機(jī)程序而在每個(gè)球體中建立電信號(hào)。
給定的回轉(zhuǎn)動(dòng)量G總是會(huì)導(dǎo)致相同的能量_頻率比。其他的例子是外部 磁場(chǎng)中的電子。電子具有回轉(zhuǎn)動(dòng)量和磁場(chǎng)。電子具有電石茲輻射損耗并在起使 電子倒轉(zhuǎn)作用的線性外部磁場(chǎng)中運(yùn)行。然而，回轉(zhuǎn)數(shù)學(xué)(gyroscopic math ) 與電子的回轉(zhuǎn)動(dòng)量W2是相等的。在下面的方程式2中，E為能量，v為主 軸線的進(jìn)動(dòng)，G為回轉(zhuǎn)動(dòng)量且^為普朗克常數(shù)。
E/v=2.G
=2.(h/2)， [方程式2] =h
普朗克常數(shù)對(duì)電磁場(chǎng)沒(méi)有任何貢獻(xiàn)，為單純的回轉(zhuǎn)性質(zhì)。電子自旋為l/2這 一概念與它的h/2的動(dòng)量有關(guān)。在附加的室溫超導(dǎo)體的實(shí)施例中，還可以物 理地旋轉(zhuǎn)每一個(gè)球體。在室溫超導(dǎo)體的情況下，也可以物理地旋轉(zhuǎn)每個(gè)球體。
本發(fā)明可采用四個(gè)不同的超導(dǎo)壁。這四個(gè)超導(dǎo)壁具有獨(dú)立的旋轉(zhuǎn)，每一 個(gè)通過(guò)例如安裝在基座上的盤(pán)/輪之類(lèi)的轉(zhuǎn)動(dòng)塊操作，以使得其軸線可沿一個(gè) 或多個(gè)方向自由地轉(zhuǎn)動(dòng)，由此不管基座馬達(dá)或主軸的任何運(yùn)動(dòng)都能維持其取 向。也可沿不同方向引導(dǎo)電磁能量穿過(guò)四個(gè)不同的、空間分開(kāi)的球體，實(shí)現(xiàn) 不變的(stationary)電；茲回轉(zhuǎn)。對(duì)于嵌套殼層12包括冷卻劑貯槽24的實(shí)施 例而言，還可使用電^f茲場(chǎng)、激光或可見(jiàn)光、包括從射頻到伽馬射線的所有波 形的不可見(jiàn)光、磁場(chǎng)或它們的結(jié)合。
從上面的描述和相應(yīng)的說(shuō)明中可以理解的是，本發(fā)明使用超導(dǎo)場(chǎng)來(lái)改變 腔室10中的零點(diǎn)振動(dòng)能系統(tǒng)。如此，腔室IO起催化作用，用于通過(guò)能量轉(zhuǎn) 移來(lái)提高處理材料的效率。具體地說(shuō)，在關(guān)閉的腔室中，作用在工件14的 原子體積上的強(qiáng)作用力和弱作用力處于低等級(jí)結(jié)構(gòu)和驗(yàn)證狀態(tài) (configuration and confirmation), l逸后工4牛可4皮電石茲場(chǎng)和/或動(dòng)能場(chǎng)護(hù)u動(dòng)/激:勵(lì)，以實(shí)現(xiàn)工件的原子和分子結(jié)構(gòu)的較高等級(jí)處理。此外，可將腔室10形 成為不同的形狀和尺寸。例如，圖5所示的腔室大到足以裝入人體、設(shè)備和
其他結(jié)構(gòu)，而圖6所示的腔室足夠小到可以攜帶。腔室IO可用于改變工件 14的原子，工件14可以是從無(wú)生命的材料和物體到有生命的器官甚至患病 者。因而，這種腔室可用于生命科學(xué)，以使鈍器外傷造成的細(xì)胞壞死最少。 腔室可增大患者原子和分子結(jié)構(gòu)的總熵，而允許對(duì)全身組織損傷最少地向局 部施以藥物。此外，腔室還可用作外科手術(shù)的手術(shù)室，使對(duì)全身組織的損傷 最小。在制造業(yè)中可使用這種腔室來(lái)改變化學(xué)制品、藥物、超導(dǎo)體的材料性 質(zhì)影響分子結(jié)構(gòu)和驗(yàn)證過(guò)程。可使用多種幾何形狀來(lái)實(shí)現(xiàn)相同的電磁隔絕環(huán) 境。例如，圖IO示出了根據(jù)本發(fā)明而設(shè)計(jì)的帶有殼體10的電磁設(shè)備74。
不管組件的形狀如何都存在均勻地圍繞該組件的電磁屏蔽；組件的形狀 可以呈拋物形、三角形、立方體形、管形、或其他幾何形狀。從所示出的各 實(shí)施例中可明顯看到，可用不同的幾何形狀實(shí)現(xiàn)相同的電磁隔絕環(huán)境。例如， 如圖11具體所示出的那樣，腔室10由電^f茲隔絕環(huán)境78中的拋物形集中部 分76構(gòu)建。這種電磁隔絕環(huán)境78的一個(gè)實(shí)例可以是被設(shè)計(jì)為完全屏蔽外界 電磁場(chǎng)不使其進(jìn)入內(nèi)部腔室的空間。六個(gè)凹入的超導(dǎo)表面76中的每一個(gè)都 集中于放置有工件的中心點(diǎn)區(qū)域。從本發(fā)明的該實(shí)施例中可以理解，在電磁 隔絕環(huán)境78中，腔室IO可以以部分包圍的形式圍繞工件。
通常，在封閉腔室中維持低等級(jí)的高熵靜態(tài)場(chǎng)，且能擾動(dòng)原子球的強(qiáng)或 弱作用力的內(nèi)部能量的數(shù)量最小。因而，擾動(dòng)封閉腔室IO的靜態(tài)場(chǎng)中的工 件14的原子或分子所必需的力與腔室外側(cè)所必需的力相比成比例地低。本 發(fā)明能形成新分子結(jié)構(gòu)、已有元素的更強(qiáng)分子鍵、穩(wěn)定原子結(jié)構(gòu)的改變和輻 射中和、甚至產(chǎn)生新的物質(zhì)形式和來(lái)自已存在的玻色-愛(ài)因斯坦凝聚物的重 力概率波。
圖13示意地示出了同時(shí)用于一系列互連腔室中的一個(gè)腔室的橫截面， 這些互連腔室既用于ESD實(shí)施例又用于EPS實(shí)施例。該腔室形成為一系列 嵌套殼層的一些層的形式，所述殼層圍繞位于腔室內(nèi)部的工件14。外部結(jié)構(gòu) 殼體16形成腔室的外表面。在結(jié)構(gòu)殼體16中，電磁屏蔽18圍繞超導(dǎo)殼層 20。超導(dǎo)殼層20優(yōu)選浸入容納在貯槽24中的低溫冷卻劑22中。貯槽24優(yōu) 選由位于超導(dǎo)殼層20的相對(duì)側(cè)的一對(duì)杜瓦瓶26、 28構(gòu)成，即超導(dǎo)殼層被密 封于外杜瓦瓶26和內(nèi)杜瓦瓶28之間。內(nèi)杜瓦瓶28優(yōu)選受?chē)@腔室10內(nèi)部的內(nèi)殼體30保護(hù)。環(huán)形件79的剖面完全圍繞球形罩聲音機(jī)構(gòu)，用于傳遞到 腔室88中，以有助于工件的動(dòng)力操作。由嵌套的超導(dǎo)殼層構(gòu)成的橋部81和 底座52用于將一系列腔室相互連接起來(lái)，所述腔室共同調(diào)解與分子范德瓦 爾斯(van der Waals )和電磁場(chǎng)有關(guān)的空間時(shí)間效應(yīng)，以維持使工件穿過(guò)系 統(tǒng)到基態(tài)邊界條件的隔絕的電》茲環(huán)境。在Marco Scandurra的題為"QFT Limnit of the Casimir Force"的文章中探討了關(guān)閉球形殼層的空腔共振器和在 離開(kāi)共振器中心的方向的可能的卡西米爾力(Casimir Force )。基座52為工 件穿過(guò)進(jìn)入腔室的基座的隔絕通道80而進(jìn)入的入口 。環(huán)形件79容納可相互 改變的包括從白噪聲直至超聲的次聲的多頻聲音驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器包圍腔 室，將聲音擾動(dòng)集中于腔室內(nèi)部14中的工件上。如J.A. Peacock的題為"Large —Scale Surveys and Cosmic Structure"的文章中論述了"物質(zhì)輻射相等性的 宇宙水平線(cosmological horizon)也影響重子組成的性質(zhì)。由于聲速具有 量級(jí)c,所以可經(jīng)受單個(gè)聲振蕩的最大范圍具有所述水平線的量級(jí)(order the horizon)。單純重子領(lǐng)域(universe )的轉(zhuǎn)移函數(shù)顯示出大的調(diào)制，反映出在 所述領(lǐng)域(universe)成為主導(dǎo)物質(zhì)和壓力支撐下降以前已完成的振蕩數(shù)目。 在實(shí)際數(shù)據(jù)中缺少這樣大的調(diào)制是認(rèn)為無(wú)振蕩的暗物質(zhì)的最普通的理由之 一。然而，即使重子是次主導(dǎo)的也能堅(jiān)持聲振蕩，并且可作為轉(zhuǎn)移函數(shù)中的 低水平調(diào)制而檢測(cè)到。"集中的聲音的使用也在于1998年12月4日由 PhysicsWeb發(fā)表的文章"The Force Of Acoustics"中有所討論。電磁屏蔽驅(qū) 動(dòng)器能量來(lái)自外部電源。
圖14a為俯視圖，而圖14b為SAMESD熵降電力產(chǎn)生系統(tǒng)的示意圖。 ESD由一系列殼層83、 85、 86、 87、 88構(gòu)成，所有殼層都被建造為是超導(dǎo) 的嵌套殼層形式，如圖13的示意圖和圖14c和14d所示。環(huán)形件79可用在 一個(gè)腔室上或可跨過(guò)一系列腔室83、 84、 85、 86、 87和88(見(jiàn)圖14a、 14b、 15b和15c)。在圖14d中，另外的環(huán)形件92與環(huán)形件79—前一后地使用， 也可將這種結(jié)合用于跨過(guò)任何腔室和多個(gè)腔室。每個(gè)腔室可調(diào)整為以指定頻 率共振，見(jiàn)圖15b中虛線所示的環(huán)形件。例如，可將腔室83調(diào)整為以它的 環(huán)形件79發(fā)出的振動(dòng)頻率共振，以激勵(lì)氫，同時(shí)將腔室84調(diào)整為以氫/氦的 交替激發(fā)頻率共振并將腔室87調(diào)整為以氦的頻率共振(見(jiàn)Arthur Kosowsky 的文章"Seeing Sound Waves in the Early Universe"和C.E. Aguiar， E.S. Fraga， 和T. Kodama的文章"Spinodal Instability in the Quark-Gluon Plasma")。在87的"電磁真空"腔室中釋放的零點(diǎn)振動(dòng)能ZPE導(dǎo)致單一的波物質(zhì)狀態(tài)勢(shì)能。
M.D. Roberts在其的題為 "Vacuum Energy"的文章中提到"Larraza和 Denardo ( 1998 )給出了兩個(gè)剛性的平行板之間由于存在受聲帶限制的噪聲 的輻射壓力而產(chǎn)生的作用力規(guī)律(force law)的理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。他們宣稱(chēng) 理論和實(shí)驗(yàn)之間呈現(xiàn)出極好的吻合。雖然這些結(jié)果構(gòu)成了卡西米爾效應(yīng)的聲 音模擬，但還存在重要的差別，即，限制聲帶的噪聲可能導(dǎo)致與平板間隔開(kāi) 的距離大小有關(guān)的吸引力或斥力。對(duì)于聲學(xué)卡西米爾效應(yīng)在本底噪聲的傳導(dǎo) 和非共振聲懸浮(acoustic levitation )方面的應(yīng)用^是出了建議。"
圖14a的能量驅(qū)動(dòng)器從ZPE腔室87開(kāi)始工作。在腔室88中，工件被分 成由兩個(gè)內(nèi)部聲學(xué)分離的球形腔室100a、 100b構(gòu)成的波消除裝置IOO(見(jiàn)圖 16)。在圖16中，內(nèi)部腔室100a的工件以氦的頻率共振，且腔室100b的工 件以腔室100a的工件從相反相位180°至與100a的工件同相位的可變時(shí)間 反轉(zhuǎn)來(lái)共才展(見(jiàn)G.F. Edelmann的文章"An Overview of Time-Reversal Acoustic Communications" 和 D. Cassereau, M. Fink 的文章 "The Phased Array Technology-Application to Time-Reversal in Acoustics")。 在圖16中，等離子 體音頻驅(qū)動(dòng)波狀態(tài)動(dòng)力地運(yùn)動(dòng)到內(nèi)部腔室100c中，該腔室100c使100a和 100b的波狀態(tài)工件(wave state work product)相互混合，有助于使所激勵(lì)的 氦等離子體單波動(dòng)狀態(tài)的特定相位消除成波群(wave packets),有助于控制 進(jìn)入隔室100d中的分布。從100d處，工件動(dòng)力地被驅(qū)動(dòng)到超導(dǎo)屏蔽的通路 管(routertubes),每一根管都具有其自己的相位反轉(zhuǎn)的氦共振頻率音頻驅(qū)動(dòng) 器，所述驅(qū)動(dòng)器使下凹的(notched )等離子體波"群"利用角向約束場(chǎng)(poloidal containment field ) 89流入多個(gè)特定調(diào)諧的電/f茲場(chǎng)放大器，在該處在最后分布 到由圖中90所示的轉(zhuǎn)換渦輪驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)之前，在小的混合共振調(diào)諧的自動(dòng)防 故障腔室91中波群從零點(diǎn)轉(zhuǎn)換為電^f茲能量(見(jiàn)K.R Singh, V.L. G叩ta, Lalita Bhasin禾口 V.K. Tripathi 6々文章 "Electron Acceleration by a Plasma ^Vave in a Sheared Magnetic Field ")。在另 一 實(shí)施例中，超導(dǎo)仿星器或托卡馬克 (tokomak )或任何對(duì)ZPE轉(zhuǎn)變有足夠強(qiáng)度的磁角向封閉組件和電磁保護(hù)組 件都能增大或替代如圖14b和15b所示的核磁共振器89、 94、 95、 96、 97。 利用磁流體動(dòng)力學(xué)可研究動(dòng)壓下在內(nèi)部零點(diǎn)振動(dòng)能力和核磁共振器的 力之間平衡的力。可從下式獲得有磁場(chǎng)的動(dòng)壓的平衡力
cAp=JxB [方程式3]在此情況下，J為腔室中工件的ZPE密度，B為總^磁場(chǎng)，p為工件上的
動(dòng)壓，c為光速。盡管方程式需要在某些邊界條件下進(jìn)行求解，但可以獲得
分析結(jié)果。與橋部相結(jié)合的核磁共振器(NMR) 89、 94、 95、 96、 97起到 類(lèi)似帶有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)性的托卡馬克的作用，且穿過(guò)該對(duì)稱(chēng)軸線的每個(gè)橫截面都 相同，使得大致二維均衡(利用磁場(chǎng)平衡動(dòng)壓的力)。磁場(chǎng)在NMR環(huán)形件內(nèi) 側(cè)較強(qiáng)且變化約為1/R,其中R是從橋部81中的工件中的一點(diǎn)到NMR環(huán)狀 部的距離，所示NMR環(huán)形件帶有用于放置工件的角向場(chǎng)線圈且形狀為有助 于跨過(guò)共振器89、 94、 95、 96、 97的長(zhǎng)度的恒定的磁流體力學(xué)過(guò)程。電磁 屏蔽場(chǎng)驅(qū)動(dòng)器能量來(lái)自外部電源。
圖15b和15c示出了 SAM EPS熵?cái)_動(dòng)系統(tǒng)且采用了圖14中的腔室10、 環(huán)狀聲音施加部分79、基座52和橋部81的相同的基本結(jié)構(gòu)。單個(gè)波狀態(tài)運(yùn) 動(dòng)到一系列漸增(0-100%)窄帶聚焦的電^t場(chǎng)放大器94、 95、 96和97， 有助于跨過(guò)完整的單個(gè)波狀態(tài)的零點(diǎn)振動(dòng)能向電磁能量的轉(zhuǎn)換，用于通過(guò)產(chǎn) 生能量勢(shì)能的電磁控制噴嘴98在磁通量管的范圍內(nèi)推進(jìn)(見(jiàn)S. You, G. Yun 和P. M. Bellan的文章 "Dynamic and Stagnating Plasma Flow Leading to Magnetic Flux Tube Collimation")。中央橋部81在電磁場(chǎng)放大器94、 95、 96 和97的中心軸芯上延伸，跨過(guò)94、 95和96的虛線剖面所示的電磁場(chǎng)放大 器將超導(dǎo)熵從(100% - O)逐漸變化。用于ESP推進(jìn)的一備選實(shí)施例可將波 群分割器并入腔室87中，該腔室87被分成87中的兩個(gè)內(nèi)部聲學(xué)分離的球 形腔室。第一內(nèi)部腔室以氦的頻率共振，而二個(gè)腔室以氦的時(shí)間反轉(zhuǎn)共振， 這可實(shí)現(xiàn)用于可變受控推力(variable controlled thrust)的多波群物質(zhì)流。
本發(fā)明的描述實(shí)際上僅是示例性的，沒(méi)有超出本發(fā)明構(gòu)思的一些變型均 落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。從上面對(duì)實(shí)施例的描述可以理解，聲音是優(yōu)選的 工件擾動(dòng)體，但其他類(lèi)型的動(dòng)能甚至能量也可用于操作工件。作為這些備選 操作體的例子，具體討論了壓力、光和電磁能。無(wú)論腔室10中用于工件上 的能量是哪種類(lèi)型，腔室10的內(nèi)部與它的周?chē)h(huán)境是電磁屏蔽的。因此， 所有向腔室10的電力輸入都通過(guò)電磁屏蔽超導(dǎo)導(dǎo)線引入且不會(huì)向在腔室中 工件的缺少受控的空間擾動(dòng)的周?chē)鸂顟B(tài)引入任何電磁場(chǎng)。據(jù)此，可認(rèn)為這些 變型沒(méi)有超出本發(fā)明的構(gòu)思和范圍。
權(quán)利要求
1、一種用于減弱工件中強(qiáng)作用力鍵的腔室，該腔室包括一位于所述工件周?chē)碾姶牌帘?，其中，所述電磁屏蔽基本上不受電磁輻射、電?chǎng)和磁場(chǎng)的影響；和一超導(dǎo)殼層，其位于所述電磁屏蔽中且圍繞所述工件。
2、 如權(quán)利要求1所述的腔室，其中，所述電磁屏蔽是從包括鉛、鈮、從包括多個(gè)疊置超導(dǎo)元件、 一連續(xù)超導(dǎo)元件和一對(duì)相對(duì)的相互連接的超導(dǎo)半 殼組成的超導(dǎo)壁的組中選擇的。
3、 如權(quán)利要求2所述的腔室，其中，所述超導(dǎo)殼層還包括一對(duì)相互連 接的半球體，這些半球體具有打開(kāi)位置和關(guān)閉位置。
4、 如權(quán)利要求3所述的腔室，其中，還包括處于所述一對(duì)相互連接的 半球體之間的突緣。
5、 如權(quán)利要求4所述的腔室，其中，所述一對(duì)相互連接的半球體中的 至少之一疊置在所述相互連接的半球體中的另一個(gè)上，其中，所述突緣提供 壓力密封。
6、 如權(quán)利要求1所述的腔室，其中，所述超導(dǎo)殼層還包括在所述電磁 屏蔽中的多個(gè)超導(dǎo)部分，所述電磁屏蔽將工件與所述電磁屏蔽的外部電磁場(chǎng) 隔絕開(kāi)，且所述多個(gè)超導(dǎo)部分部分地包圍所述工件。
7、 如權(quán)利要求6所述的腔室，其中，所述多個(gè)超導(dǎo)部分包括集中于所 述工件上的拋物形部分。
8、 如權(quán)利要求1所述的腔室，其中，還包括在所述超導(dǎo)殼層的相對(duì)側(cè) 的一對(duì)杜瓦弁瓦、所述一對(duì)杜瓦弁瓦中的至少一種冷卻劑、和冷卻劑進(jìn)口閥，其 中，所述一對(duì)杜瓦瓶形成容納所述冷卻劑和所述超導(dǎo)殼層的貯槽，其中，所 述冷卻劑進(jìn)口閥與所述貯槽流體連通，其中，所述冷卻劑為低溫流體，其中， 所述低溫流體與所述貯槽中的所述超導(dǎo)殼層的相對(duì)側(cè)接觸。
9、 如權(quán)利要求1所述的腔室，其中，還包括位于所述超導(dǎo)殼層中的另 外的電磁屏蔽。
10、 如權(quán)利要求l所述的腔室，其中，還包括圍繞所述工件的嵌套的超 導(dǎo)殼層，且還包括用于將能量轉(zhuǎn)移到腔室中的構(gòu)件。
11、 一種用于減弱工件中強(qiáng)作用力鍵的腔室，該腔室包括 一用于使工件與電磁輻射、電場(chǎng)和磁場(chǎng)屏蔽的構(gòu)件； 一圍繞所述工件的超導(dǎo)殼層，其中，所述超導(dǎo)殼層具有打開(kāi)位置和關(guān)閉位置；和一用于將能量轉(zhuǎn)移到所述腔室中的構(gòu)件。
12、 如權(quán)利要求11所述的腔室，其中，所述屏蔽構(gòu)件包括位于所述超 導(dǎo)殼層周?chē)碾姶牌帘?，其中，所述能量轉(zhuǎn)移構(gòu)件包括將電力導(dǎo)入腔室的導(dǎo) 線。
13、 如權(quán)利要求12所述的腔室，其中，所述導(dǎo)線的至少一部分被超導(dǎo) 電磁屏蔽護(hù)層包圍。
14、 如權(quán)利要求12所述的腔室，其中，還包括處于腔室中的電磁電路， 所述電路通過(guò)所述導(dǎo)線連接至腔室外側(cè)的能量源。
15、 如權(quán)利要求14所述的腔室，其中，所述電磁電路是從包括磁場(chǎng)引 發(fā)器、電磁場(chǎng)脈沖電路、激光電路和光電路在內(nèi)的一組電路中選擇的。
16、 如權(quán)利要求14所述的腔室，其中，還包括在所述腔室中等距離地 間隔開(kāi)的多個(gè)所述電^f茲電路。
17、 如權(quán)利要求11所述的腔室，其中，所述能量轉(zhuǎn)移構(gòu)件由從原動(dòng)氣 體、原動(dòng)流體和原動(dòng)固體中選4奪的動(dòng)力傳遞部分構(gòu)成。
18、 如權(quán)利要求18所述的腔室，其中，所述動(dòng)力傳遞部分還包括用于 所述工件擾動(dòng)的直接或聚焦的聲音放大系統(tǒng)。
19、 如權(quán)利要求18所述的腔室，其中，所述動(dòng)力傳遞部分還包括通過(guò) 主軸可操作地連接至所述超導(dǎo)殼層的驅(qū)動(dòng)件，所述驅(qū)動(dòng)件通過(guò)所述主軸使所 述超導(dǎo)殼層旋轉(zhuǎn)。
20、 如權(quán)利要求11所述的腔室，其中，所述超導(dǎo)殼層還包括在所述屏 蔽構(gòu)件中的多個(gè)超導(dǎo)部分，所述多個(gè)超導(dǎo)部分部分地包圍所述工件。
21、 如權(quán)利要求11所述的腔室，其中，還包括圍繞所述工件的嵌套的 超導(dǎo)殼層。
22、 一種用于減弱工件中強(qiáng)作用力鍵的腔室，該腔室包括 一外殼體；在所述外殼體中且位于所述工件周?chē)囊浑姶牌帘危?在所述外殼體中且完全包圍所述工件的一超導(dǎo)殼層；處于所述超導(dǎo)殼層的相對(duì)側(cè)的一對(duì)杜瓦瓶；和處于所述一對(duì)杜瓦瓶中的至少一種冷卻劑，其中，所述一對(duì)杜瓦瓶形成 容納所述冷卻劑和所述超導(dǎo)殼層的貯槽。
23、 如權(quán)利要求22所述的腔室，其中，所述超導(dǎo)殼層是從包括多個(gè)疊 置的超導(dǎo)元件、 一連續(xù)超導(dǎo)元件、 一對(duì)相對(duì)的相互連接的超導(dǎo)半殼層、和多 個(gè)嵌套的超導(dǎo)殼層在內(nèi)的構(gòu)成超導(dǎo)壁的組中選取的。
24、 如權(quán)利要求22所述的腔室，其中，所述超導(dǎo)殼層還包括一對(duì)相互 連接的半球體。
25、 如權(quán)利要求24所述的腔室，其中，還包括在所述一對(duì)相互連接的 超導(dǎo)半球體之間的突緣。
26、 如權(quán)利要求25所述的腔室，其中，所述一對(duì)相互連接的半球體中 的至少之一疊置在所述一對(duì)相互連接的半球體的另一個(gè)上，其中，所述突緣 提供壓力密封。
27、 如權(quán)利要求26所述的腔室，其中，還包括用于支承所述外殼體的 基座、處于所述腔室中用于支承所述工件的樣品臺(tái)、和與所述貯槽流體連通 的冷卻劑進(jìn)口閥，其中所述冷卻劑為低溫流體，其中，所述低溫流體與所述 貝i槽中的所述超導(dǎo)殼層的所述相對(duì)側(cè)接觸，其中，所述一對(duì)相互連接的半球 體具有彼此接觸的第 一位置和彼此分離的第二位置。
28、 如權(quán)利要求22所述的腔室，其中，還包括用于將能量轉(zhuǎn)移到所述 腔室中的機(jī)構(gòu)。
29、 一種用于減弱工件中強(qiáng)作用力鍵的腔室，該腔室包括 一位于所述工件周?chē)碾姶牌帘?，其中，所述電磁屏蔽基本上不受電磁輻射、電?chǎng)和^磁場(chǎng)的影響；圍繞所述工件的多個(gè)超導(dǎo)殼層；和至少一個(gè)共同操作地連接所述超導(dǎo)殼層的橋部，其中，所述工件可在所述超導(dǎo)殼層之間通過(guò)所述橋部運(yùn)動(dòng)。
30、 如權(quán)利要求29所述的腔室，其中，所述電磁屏蔽是從包括鉛、鈮、 金屬合金及它們的任何組合在內(nèi)的材料組中選取的，其中，所述超導(dǎo)殼層是 從包括多個(gè)疊置超導(dǎo)元件、 一連續(xù)超導(dǎo)元件和一對(duì)相對(duì)的相互連接的超導(dǎo)半 殼組成的超導(dǎo)壁的組中選擇的。
31、 如權(quán)利要求29所述的腔室，其中，所述多個(gè)超導(dǎo)殼層包括一對(duì)相互連接的半球體和在所述一對(duì)半球體之間的突緣，能實(shí)現(xiàn)真空環(huán)境勢(shì)能。
32、 如權(quán)利要求31所述的腔室，其中，所述一對(duì)相互連接的半球體中 的至少之一疊置在所述相互連接的半球體中的另一個(gè)上，其中，所述突緣提 供壓力密封。
33、 一系列用于減弱工件中強(qiáng)作用力鍵的腔室，所述腔室包括 一用于使所述工件與電磁輻射、電場(chǎng)和磁場(chǎng)屏蔽的構(gòu)件； 一圍繞所述工件的超導(dǎo)殼層，其中所述超導(dǎo)殼層具有打開(kāi)位置和關(guān)閉位置；和一用于將所述工件轉(zhuǎn)移到電磁場(chǎng)約束放大器中的構(gòu)件，用于將零點(diǎn)振動(dòng) 能轉(zhuǎn)換為電磁能量。
34、 如權(quán)利要求33所述的一系列腔室，其中，還包括在所述腔室之間 的一系列橋部，其中，所述橋部包括保持橫過(guò)隔絕系統(tǒng)的熵的超導(dǎo)嵌套殼層。
35、 如權(quán)利要求33所述的一系列腔室，其中，還包括處于所述腔室下 方的基座，其中，所述工件通過(guò)所述基座靠壓力引入所述系統(tǒng)中，且所述基 座包括超導(dǎo)嵌套殼層。
36、 如權(quán)利要求33所述的一系列腔室，其中，在原子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu) 和工件結(jié)構(gòu)上的范德瓦爾斯電磁場(chǎng)的空間時(shí)間效應(yīng)被變?yōu)槠渥畹偷幕鶓B(tài)。
37、 如權(quán)利要求36所述的一系列腔室，其中，利用聲音來(lái)擾動(dòng)工件， 有助于非電磁激勵(lì)，在所述腔室中實(shí)現(xiàn)零點(diǎn)振動(dòng)能的釋放。
38、 如權(quán)利要求33所述的一系列腔室，其中，低電磁基態(tài)及其相關(guān)的 零點(diǎn)振動(dòng)能通過(guò)一組大功率電磁場(chǎng)角向約束放大器被升高到其最高的激勵(lì) 電磁態(tài)，有助于產(chǎn)生用于動(dòng)力應(yīng)用或推進(jìn)和改變運(yùn)動(dòng)方向的能量。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了用于操作工件的一腔室或一系列腔室，其被形成為一系列嵌套殼層的多層形式。所述殼層具有外部結(jié)構(gòu)殼體和圍繞超導(dǎo)殼層的電磁屏蔽。超導(dǎo)殼層或處于室溫下或浸入容納于貯槽中的低溫冷卻劑中。所述工件也可用動(dòng)能操縱，使它運(yùn)動(dòng)通過(guò)電磁場(chǎng)放大器，并可利用所述工件有助于用于動(dòng)力產(chǎn)生或運(yùn)動(dòng)推進(jìn)的能量釋放。
文檔編號(hào)H05K9/00GK101300915SQ200580050128
公開(kāi)日2008年11月5日 申請(qǐng)日期2005年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月18日
發(fā)明者斯蒂芬·B·凱斯勒 申請(qǐng)人:斯蒂芬·B·凱斯勒