專利名稱：駐極電介體化方法及駐極電介體化裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明，涉及一種使用硅的精細加工技術形成的電容器型麥克風中的介質(zhì)膜的駐極電介體化方法及駐極電介體化裝置。
背景技術：
駐極電介體化·電容型·麥克風(ECM)，將根據(jù)音波的電容量變化作為電信號檢測的同時，通過利用具有半永久性分極性的駐極電介體化膜，不再需要電容的偏直流的小型音響電轉(zhuǎn)換裝置。
駐極電介體化·電容型·麥克風(ECM)中的駐極電介體化膜(至少一部分分極的介質(zhì)膜)，是由例如FEP(聚全氟乙丙烯)等的有機介質(zhì)膜構(gòu)成，是在這個介質(zhì)膜中注入電荷后固定而成。通過注入介質(zhì)膜的電荷形成的電場，夾著介質(zhì)膜的電容兩極產(chǎn)生電位差。尚，稱在介質(zhì)膜中注入電荷且固定的做法為駐極電介體化。
介質(zhì)膜(駐極電介體化膜)是由FEP等的薄膜構(gòu)成，這個薄膜的外表面上通過蒸渡等的方法渡金或鎳等金屬。
作為形成電駐極電介體的以前的向介質(zhì)膜注入電荷的方法，有如圖6及圖7所示的方法(參照專利文獻1)。
圖6，是使用針狀電極產(chǎn)生電暈放電駐極電介體化介質(zhì)膜的以前裝置的主要部位剖面圖。
在圖6的裝置中，接地電極(金屬托架)5上載置了FEP薄膜4，由連接在高壓電源7上的針狀電極6產(chǎn)生直流電暈放電，將離子注入FEP薄膜4固定從而進行駐極電介體化。
圖7，是使用導線電極產(chǎn)生電暈放電從而對介質(zhì)膜進行駐極電介體化的以前裝置的主要部分剖面圖。尚，在圖7中，與圖6裝置共同的部分標注相同的符號。
在圖7的裝置中，接地電極(金屬托架)5上載置了FEP薄膜4，由連接在高壓電源7上的導線電極21產(chǎn)生直流電暈放電，將離子注入FEP薄膜4固定從而進行駐極電介體化。在這個圖7的裝置中，由于導線電極21具有兩維擴展，也就有了在更廣的范圍能夠照射離子的有利之處。
因此，通常在駐極電介體化·電容型·麥克風(ECM)制造之際，考慮到批量性生產(chǎn)，將多枚FEP薄膜(介質(zhì)膜)排列在金屬托架上通過圖7的裝置進行電暈放電，由此，一次就能夠大量的駐極電介體化FEP薄膜。但是，這個方法中，因為存在著不能均勻的進行離子照射的情況，由于所處托架上的位置不同產(chǎn)生FEP薄膜的駐極電介體化量的偏差。其結(jié)果，使麥克風的感應度產(chǎn)生偏差。還有，在產(chǎn)生這樣的駐極電介體化量的偏差以外，還是引起寄生電容或FET容量的偏差的原因，在麥克風的感應度上也有產(chǎn)生偏差的情況。
以上的以前例中，是將駐極電介體化的對象的介質(zhì)膜自身取出進行駐極電介體化處理。這樣的以前技術，被稱之為是以通過組合機械性的部件構(gòu)成駐極電介體化·電容型·麥克風(ECM)為前提的技術。
與此相對，近年，不是組合機械部件，而是將硅襯底加工成麥克風，提出了形成超小型電容型麥克風的技術方案(參照例如專利文件2、專利文件3、專利文件4)。
也就是利用MEMS(微小電機械體系)元件的制造技術制造的硅電容型麥克風，稱之為“硅麥克風(或硅麥克)”，作為為搭載在小型化及薄型化的手機(攜帶電話)等終端上的駐極電介體化·電容型·麥克風(ECM)制造技術受到矚目(參照例如專利文件2)。
在此，硅麥克風，因為是使用半導體工程技術加工硅襯底而制造的，所以與半導體加工無關的駐極電介體化處理就無法排入硅麥克風的制造過程。也就是，只將介質(zhì)膜取出進行駐極電介體化是做不到的。
因此，專利文件3所記載的硅麥克風，是不具備駐極電介體化膜的電容型麥克風。
但是，在硅麥克風中并不是不能進行駐極電介體化，例如專利文件4中所記載的硅麥克風中，介質(zhì)膜的駐極電介體化就成為了可能。
也就是，專利文件4所記載的硅麥克風，是由包含在襯底上形成的介質(zhì)膜的第一硅襯底(麥克風膜)、和粘合在這個第一硅襯底上的第二硅襯底(麥克風背面板)形成的，在第一硅襯底的制造過程的最后進行介質(zhì)膜的駐極電介體化，其后，在第一硅襯底上粘合第二硅襯底。
還有，專利文獻5所記載的硅麥克風及其制造方法中，是在由一枚硅襯底形成的且不露出介質(zhì)膜的構(gòu)造的硅麥克風中能夠駐極電介體化介質(zhì)膜。
也就是，專利文獻5所記載硅麥克風的駐極電介體化方法，是將由經(jīng)過精細加工硅襯底形成的電容型麥克風用芯片組裝到組裝襯底上后，再駐極電介體化電容型麥克風的構(gòu)成要素的介質(zhì)膜的駐極電介體化方法，將由一個針狀電極產(chǎn)生的至少一回電暈放電，對一個電容型麥克風個別實施，進行駐極電介體化介質(zhì)膜。
還有，專利文獻6所記載的駐極電介體化方法中，在進行電暈放電之際，進行電暈放電的電極和駐極電介體化對象之間設置格子電極，由此進行邊控制離子的動態(tài)的駐極電介體化。由此可以控制駐極電介體化量。
(專利文件1)專利公開昭56-58220號公報(專利文獻2)專利公開平11-88992號公報(專利文獻3)專利公開2005-20411號公報(專利文獻4)特表2000-508860號公報(專利文獻5)PCT/JP2006/311248(專利文獻6)專利公開2003-282360號公報(注昭56，即日本昭和56年，亦即1981年；平11，即日本平成11年，亦即1999年。)(發(fā)明所要解決的課題)正如以上所說明的那樣，使用半導體制造過程微型加工硅襯底制造硅麥克風的情況，從本質(zhì)上，由于無法只將介質(zhì)膜取出進行駐極電介體化，制造駐極電介體化·電容型·麥克風(ECM)是困難的。
還有，例如專利文獻4所記載的那樣，對兩個襯底分別實施制造，最后通過將兩襯底粘合制造硅麥克風的方法中，介質(zhì)膜的駐極電介體化成為了可能，但是，存在著硅麥克風的制造過程復雜化了的問題。
還有，在硅襯底的精細加工之際，容易在裝置尺寸上產(chǎn)生偏差，還有，也存在著不能忽視組裝襯底上搭載FET(電場效應晶體管)等電子部件性能的偏差的情況，在硅麥克風的感應度上產(chǎn)生了偏差。然而，上述專利文件4中，沒有記載有關這樣的硅麥克風感應度的偏差任何對策。
還有，專利文獻5所記載的技術那樣，將由一個針狀電極產(chǎn)生的至少一回電暈放電，對一個電容型麥克風進行個別實施的方法中，在進行有目的的充電量的駐極電介體化之際，實現(xiàn)測試實施電暈放電時的各種調(diào)整條件(充電距離[電暈放電用電極和介質(zhì)膜之間的距離]以及電暈放電施加電壓等)，了解各種調(diào)整條件和附著電量之間的關系，決定得到目的附著電量的條件。
再有，專利文件5所記載的方法中，因為是讓由電暈放電產(chǎn)生的離子通過設置在固定電極上的音孔到達介質(zhì)膜而進行駐極電介體化的，所以，當固定電極的音孔的大小變小的話，不只是使用導線電極的情況，包括使用針狀電極的情況也是無法使由電暈放電產(chǎn)生的離子到達介質(zhì)膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，是基于以上這樣的考察而發(fā)明的，其目的在于在將硅襯底加工成電容型麥克風中，事先不用了解附著電荷的條件，還有，即便是固定電極的音孔的大小小的情況下，也能夠高精度的駐極電介體化介質(zhì)膜達到目的附著電荷量。
(為解決課題的方法)為了達到上述的目的，本發(fā)明，是在電容型麥克風中使介質(zhì)膜處于接地電位，且使固定電位處于與接地電位不同的電位狀態(tài)，在固定電極的上方進行電暈放電，由此駐極電介體化介質(zhì)膜。
—發(fā)明的效果—根據(jù)本發(fā)明，在電容型麥克風用芯片中使固定電極處于與接地電位不同的電位狀態(tài)，在固定電極上方進行電暈放電。因此，由電暈放電產(chǎn)生的離子，邊由固定電極的電位控制邊經(jīng)過固定電極的音孔到達介質(zhì)膜，由此能夠駐極電介體化介質(zhì)膜。再有，到由附著電荷量產(chǎn)生的介質(zhì)膜的電位達到固定電極的電位為止，介質(zhì)膜被駐極電介體化。為此，不需事先了解駐極電介體化附著電荷的條件和介質(zhì)膜上的駐極電介體化了的電壓(由附著電荷量產(chǎn)生的電壓)的關系，可以使介質(zhì)膜高精度的駐極電介體化為目的附著電荷量。


圖1，是為說明將硅襯底精細加工制造為硅麥克風的構(gòu)造的剖面圖。
圖2，是組裝在封入盒中的襯底上的硅麥克風的剖面圖。
圖3，是表示本發(fā)明第一實施方式所涉及的駐極電介體化裝置的主要部位構(gòu)成的圖。
圖4，是表示本發(fā)明第二實施方式所涉及的駐極電介體化裝置的主要部位構(gòu)成的圖。
圖5，是表示本發(fā)明第三實施方式所涉及的駐極電介體化裝置的主要部位構(gòu)成的圖。
圖6，是以前的駐極電介體化裝置的主要部位剖面圖。
圖7，是以前的駐極電介體化裝置的主要部位剖面圖。
(符號說明)31 固定電極32 無機介質(zhì)膜33 振動膜34 硅襯底35 音孔36 空氣隙37 襯墊部41 屏蔽盒42 組裝襯底43 硅麥克風44a、44b、44c 粘結(jié)導線45 電子部件46 接地圖案47 麥克風信號輸出圖案49 開口部
51 針狀電極52 接地用銷53 高壓電源54 電壓施加用銷55 可變電壓器60a、60b 布線圖案81 附著電荷用固定冶具91 導線電極L1、L2 布線具體實施方式
本發(fā)明的第一至第三實施方式中，如后所述，在電容型麥克風中使固定電極處于與接地電位不同的電位的狀態(tài)下，在固定電極的上方進行電暈放電。由此，由電暈放電所產(chǎn)生的離子，邊由固定電極的電位控制邊經(jīng)過固定電極的音孔到達介質(zhì)膜，由此能夠能夠駐極電介體化介質(zhì)膜。再有，到由于附著電荷的介質(zhì)膜的電壓等于固定電極的電位為止，介質(zhì)膜被駐極電介體化。為此，不需事先了解電駐極電介體附著電荷的條件和介質(zhì)膜上的駐極電介體化電壓(由附著電荷引起的介質(zhì)膜的電位)之間的關系，就可以高精度的駐極電介體化介質(zhì)膜到達所要求目的的附著電荷量。
還有，在本發(fā)明的第二實施方式中，如后所述，在將麥克風用芯片組裝到組裝襯底以前對介質(zhì)膜進行附著電荷，由此，為附著電荷用粘結(jié)導線電連接麥克風用芯片和組裝襯底的必要性就不再存在。
再有，在本發(fā)明的第二實施方式中，如后所述，在將麥克風用芯片組裝到組裝襯底以前對介質(zhì)膜進行附著電荷，就能得到以下的效果。也就是，在還沒有組裝的狀態(tài)下進行電容型麥克風的感應度測試以及駐極電介體化量檢測，由此，在組裝前就可檢測到不良芯片，所以，組裝襯底及組裝元件的廢棄損耗就會減少。
還有，本發(fā)明的第三實施方式中，如后所述，通過在電暈放電中使用導線電極，同時對多個麥克風的介質(zhì)膜進行附著電荷就成為了可能，提高了生產(chǎn)性。
(第一實施方式)以下，參照

本發(fā)明的第一實施方式所涉及的駐極電介體化方法以及駐極電介體化裝置。
圖1，是為說明精細加工硅襯底制造成硅麥克風的構(gòu)造的裝置剖面圖。
如圖1所示，硅麥克風43，包括硅襯底(硅膜片)34、覆蓋硅襯底34除去區(qū)域而設置且起到電容一極功能的振動膜33、設置在振動膜33上且成為駐極電介體化對象的膜的無機介質(zhì)膜32、與振動膜33相對設置并在硅襯底34上由襯墊部37支撐而且起到電容的另一極功能的固定電極31。固定電極31上，設置了多個音孔(為將音波誘導到振動膜33的開口部)35。還有，振動膜33和固定電極31之間，存在通過犧牲層的蝕刻形成的空氣隙36。構(gòu)成硅麥克風43的振動膜33、固定電極31以及無機介質(zhì)膜32，利用硅的精細加工技術和CMOS(互補型電場效應晶體管)的制造過程技術而制造。
圖2，是表示用硅襯底進行駐極電介體化麥克風的組裝構(gòu)造(封入盒后的構(gòu)造)的剖面圖。尚，在圖2中，與圖1相同的部分標注相同的符號，并省略重復的說明。還有，在圖2中，硅麥克風(半導體裝置)43只畫出了簡略圖(實際的構(gòu)造如圖1中表示)。
如圖2所示，在由塑料或陶瓷制成的組裝襯底42上，組裝了硅麥克風(半導體裝置)43和其他的元件的電子部件(FET、電阻、放大器等)45。
組裝襯底42的背面上設置著接地圖案46和麥克風信號輸出圖案47。如圖2所示，組裝式樣中硅麥克風43組裝在組裝襯底42上。成為電容的一極的振動膜33，通過粘結(jié)導線44a與其他電子部件45電連接。還有，其他的電子部件45，通過粘結(jié)導線44c與組裝襯底42上的布線圖案60b電連接。成為電容的另一極的固定電極31，通過粘結(jié)導線44b，與組裝襯底42上的布線圖案60a電連接。還有，各布線圖案60a及60b的每一個，通過組裝襯底42內(nèi)部的布線L1及L2，與設置在組裝襯底42背面上的接地圖案46及麥克風信號輸出圖案47電連接。
屏蔽盒41，在駐極電介體化處理完成之后，安裝到組裝襯底42上。這個屏蔽盒41上，設置了作為導入音波的音孔的寬口開口部49。
圖3，是表示本實施方式的駐極電介體化裝置的主要部位的構(gòu)成圖。尚，在圖3中，與圖1及圖2相同的部分標注相同的符號，并省略重復的說明。
圖3的駐極電介體化裝置，對于一個硅麥克風，使用一個針狀電極進行電暈放電照射離子進行駐極電介體化。
如圖3所示，本實施方式的駐極電介體化處理中，利用針狀電極51的電暈放電。也就是，硅麥克風(半導體裝置)43的上方有著針狀電極51。針狀電極51上，連接著為產(chǎn)生電暈放電的高壓電源53。高壓電源53在針狀電極上施加例如5至10kV程度的高壓電。
尚，在駐極電介體化附著電荷工序時，對硅麥克風43進行與組裝式樣時不同的布線。
具體的講，即便是在駐極電介體化附著電荷工序時，如圖3所示，硅麥克風43組裝在組裝襯底42上，但是，成為電容一極的振動膜33及成為電容另一極的固定電極31的每一個，與圖2所示的組裝式樣不同，通過粘結(jié)導線44a及44b，與組裝襯底42上的布線圖案60a及60b電連接。還有，各布線圖案60a及60b的每一個，通過組裝襯底42內(nèi)部的布線L1及L2與設置在組裝襯底42背面的接地圖案46及麥克風信號輸出圖案47電連接。
還有，如圖3所示，組裝襯底42背面的接地圖案46上，連接著接地用銷(附著電荷裝置銷)52。還有，硅麥克風43的振動膜33，經(jīng)過導線44a、組裝襯底42上的布線圖案60a及組裝襯底42內(nèi)部的布線L1，與組裝襯底42背面的接地圖案46電連接。因此，通過在接地圖案46上連接接地用銷(附著電荷裝置銷)52，可以使振動膜33也就是介質(zhì)膜32處于接地狀態(tài)。
另一方面，如圖3所示，組裝襯底42背面的麥克風信號輸出方式47上，連接著電壓施加用銷(附著電荷裝置銷)54的同時，電壓施加用銷(附著電荷裝置銷)54還連接可變電壓器55。還有，如前所述，硅麥克風43的固定電極31，經(jīng)過導線44b、組裝襯底42上的布線圖案60b及組裝襯底42內(nèi)部的布線L2，與設置在組裝襯底42背面的麥克風信號輸出圖案47電連接。因此，通過將電壓施加用銷(附著電荷銷)54連接在麥克風信號輸出圖案47上，可以使固定電極31由可變電壓器55設定電位，也就是可是固定電極31處于與接地電位不同的電位。
在以上所述的圖3所示的狀態(tài)下，對硅麥克風43內(nèi)部的無機介質(zhì)膜32(參照圖1)，照射由針狀電極51產(chǎn)生的電暈放電所生成的離子。由此，可使硅麥克風43的無機介質(zhì)膜32(參照圖1)由施加在固定電極31上的電壓駐極電介體化。
然而，在以前的方法中，固定電極或者是接地，或者是處于接電狀態(tài)。這種情況下，離子通過固定電極流向大地，無法使適量的離子照射介質(zhì)膜。有時候，隨著設在固定電極上的音孔的縮小，減少了射向介質(zhì)膜的離子照射量使介質(zhì)膜不易被駐極電介體化。
對此，本實施方式中，如圖1及圖3所示，通過使硅麥克風43的固定電極31處于與接地電位不同的電位，振動膜33和固定電極31之間產(chǎn)生電位差，其結(jié)果，由針狀電極51的電暈放電產(chǎn)生的離子，經(jīng)過設置在固定電極31上的多個音孔35被吸引到介質(zhì)膜32上。
并且，介質(zhì)膜32漸漸被駐極電介體化其電位(電駐極電介體電位)漸漸升高，最終振動膜33上的介質(zhì)膜32表面的電位與固定電極35的電位成為相等。
介質(zhì)膜32的電位和固定電極35的電位變得相等后，因為離子象以前的方法中那樣不再照射到介質(zhì)膜32，所以，介質(zhì)膜32，直到電駐極電介體電位與施加在固定電極35上的電位相等為止被駐極電介體化。
正如以上說明的那樣，根據(jù)本實施方式，在將硅襯底精細加工形成電容型麥克風時，不需事先了解附著電荷的條件，還有，即便是在固定電極31的音孔大小小的時候，也可以高精度的駐極電介體化介質(zhì)膜32達到目標附著電荷量。
還有，根據(jù)本實施方式，可由可變電壓器55設定的固定電極31電位的大小調(diào)整介質(zhì)膜32的帶電荷量。
(第二實施方式)以下，參照

本發(fā)明第二實施方式所涉及的駐極電介體化方法及駐極電介體化裝置。
圖4，是表示本實施方式的駐極電介體化裝置主要部位的構(gòu)成的圖。尚，圖4中，和圖1至圖3共同的部分標注相同的符號，并省略重復的說明。
圖4的駐極電介體化裝置，是對一個硅麥克風43的芯片用一個針狀電極的電暈放電照射離子進行駐極電介體化。
如圖4所示，在本實施方式中，硅麥克風43被放在附著電荷用固定冶具81上，通過這樣，硅麥克風43的振動膜33及固定電極31分別與接地用銷52及電壓施加用銷54電連接。接地用銷52通過引線接地，由此可使振動膜33也就是介質(zhì)膜32處于接地電位。還有，電壓施加用銷54由引線連接于可變電壓器55，由可變電壓器55可使固定電極31處于與接地電位不同的電位。
在以上所述的圖4所示的狀態(tài)下，通過固定電極31上方的針狀電極51進行電暈放電，使由此產(chǎn)生的離子照射硅麥克風43內(nèi)部的介質(zhì)膜32(參照圖1)駐極電介體化介質(zhì)膜32。
根據(jù)本實施方式，由與第一實施方式同樣地附著電荷過程能夠得到與第一實施方式相同的效果。還有，因為可將硅麥克風43的介質(zhì)膜32組裝到組裝襯底42上以前進行駐極電介體化，所以能夠得到以下的效果。也就是，硅麥克風43和組裝襯底42由粘結(jié)導線等電連接的必要性不再存在。還有，因為可在芯片單體時進行硅麥克風43的感應度檢測及駐極電介體化量的檢測，換句話說，在沒有組裝時就能進行因為可在芯片單體時進行硅麥克風43的感應度檢測及駐極電介體化量的檢測，也就能夠在組裝前檢測出不良的芯片，所以組裝襯底及組裝元件的廢棄消耗就能減少。
(第三實施方式)以下，參照

本發(fā)明第三實施方式所涉及的駐極電介體化方法及駐極電介體化裝置。
圖5，是表示本實施方式的駐極電介體化裝置主要部位的構(gòu)成的圖。尚，圖5中，和圖1至圖4共同的部分標注相同的符號，并省略重復的說明。
圖5的駐極電介體化裝置，是對一個硅麥克風43的芯片用導線電極91的電暈放電照射離子進行駐極電介體化。
如圖5所示，本實施方式的駐極電介體化處理中，是利用導線電極91的電暈放電。也就是，使導線電極91處于硅麥克風(半導體裝置)43的上方。導線電極91上，連接著為產(chǎn)生電暈放電的高壓電源53。高壓電源53，向?qū)Ь€電極91施加例如5至10kV程度的高壓電。
還有，在導線電極91的下側(cè)，排列著多個已經(jīng)組裝到襯底上的硅麥克風43的同時，與圖3所示的第一實施方式相同，接地用銷52及電壓施加用銷54，與組裝了各個硅麥克風43的組裝襯底42的各自的接地圖案46及麥克風信號輸出圖案47電連接。由此，在各硅麥克風43中，能夠使固定電極31與接地電位不同的同時，可以使各振動膜33也就是各介質(zhì)膜32處于接地狀態(tài)。
在以上所述的圖5所示的狀態(tài)下，由導線電極91進行電暈放電，使由此產(chǎn)生的離子照射各硅麥克風43內(nèi)部的介質(zhì)膜32(參照圖1)駐極電介體化各介質(zhì)膜32。
根據(jù)本實施方式，由與第一實施方式相同的附著電荷過程可以得到與第一實施方式相同的效果。還有，因為可以用施加在固定電極31上的電壓同時對多個硅麥克風43的介質(zhì)膜32(參考圖1)進行駐極電介體化，所以能夠提高硅麥克風的生產(chǎn)性。
—產(chǎn)業(yè)上利用的可能性—本發(fā)明，在使用精細加工硅襯底形成的半導體芯片的硅麥克風中，對于能夠奏效高精度駐極電介體化介質(zhì)膜達到目標附著電荷電位、搭載在移動通訊器材上的超小型硅麥克風、其駐極電介體化方法以及使用于其制造的駐極電介體化裝置是有用的。
權(quán)利要求
1.一種駐極電介體化方法，駐極電介體化介質(zhì)膜，該介質(zhì)膜包含于一種電容型麥克風中，該電容型麥克風包括具有多個音孔的固定電極、與上述固定電極相對設置的振動膜、位于上述固定電極和上述振動膜之間并設置于上述振動膜上的上述介質(zhì)膜，其特征在于包括工序a，使上述介質(zhì)膜處于接地電位，工序b，使上述固定電極處于不同于上述接地電位的其他電位，工序c，在上述工序a及上述工序b之后，使由電暈放電產(chǎn)生的離子，通過設置在上述固定電極上的上述多個音孔到達上述介質(zhì)膜，由此駐極電介體化上述介質(zhì)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的駐極電介體化方法，其特征在于將上述電容型麥克風組裝到組裝襯底上，上述工序a，包含使上述介質(zhì)膜通過設置在上述組裝襯底上的第一電極處于上述接地電位的工序，上述工序b，包含使上述固定電極通過設置在上述組裝襯底上的第二電極處于上述其他電位的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的駐極電介體化方法，其特征在于上述工序a，包含使上述介質(zhì)膜通過第一傳感銷處于上述接地電位的工序，上述工序b，包含使上述固定電極通過第二傳感銷處于上述其他電位的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的駐極電介體化方法，其特征在于上述工序c，包含使用導線電極產(chǎn)生上述電暈放電的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的駐極電介體化方法，其特征在于上述工序c，包含使用針狀電極產(chǎn)生上述電暈放電的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的駐極電介體化方法，其特征在于上述工序c中的上述介質(zhì)膜的附著電荷量，根據(jù)上述工序b中的上述固定電極的上述其他電位的大小進行調(diào)整。
7.一種電容型麥克風，其特征在于包含由權(quán)利要求1所述的駐極電介體化方法駐極電介體化了的上述介質(zhì)膜。
8.一種駐極電介體化裝置，駐極電介體化介質(zhì)膜，該介質(zhì)膜包含于一種電容型麥克風中，該電容型麥克風包括具有多個音孔的固定電極、與上述固定電極相對設置的振動膜、位于上述固定電極和上述振動膜之間并設置于上述振動膜上的上述介質(zhì)膜，其特征在于包括電極，為產(chǎn)生電暈放電，高壓電源，為在上述電極上施加高壓電壓，電壓電源，為使上述固定電極處于與接地電位不同的其他電位，接地用銷，為使作為駐極電介體化對象的膜即上述介質(zhì)膜處于上述接地電位，電壓施加用銷，為使上述固定電極處于上述其他的電位。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的駐極電介體化裝置，其特征在于上述電壓電源能夠調(diào)整上述其他電位的大小。
全文摘要
在精細加工硅襯底形成的電容型麥克風中，不需事先了解附著電荷的條件，還有，即便是在固定電極的音孔大小小的情況下，也能夠高精度駐極電介體化介質(zhì)膜達到目標附著電荷量。具體做法為，在使介質(zhì)膜(32)處于接地電位的同時，使固定電極(31)處于與接地電位不同的電位。其后，使由電暈放電產(chǎn)生的離子經(jīng)過設置在固定電極(31)上的多個音孔(35)到達介質(zhì)膜(32)，由此駐極電介體化介質(zhì)膜(32)。
文檔編號H04R31/00GK101048017SQ20071008851
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月28日
發(fā)明者竹內(nèi)祐介, 小倉洋 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社