本公開涉及動力產(chǎn)生領域，具體而言，涉及用于產(chǎn)生動力的系統(tǒng)、裝置和方法。更具體而言，本公開的實施方式涉及動力產(chǎn)生裝置和系統(tǒng)以及相關方法，其產(chǎn)生光動力、等離子體和熱力并經(jīng)由磁流體動力功率轉換器、光動力-電力轉換器、等離子體-電力轉換器、光子-電力轉換器或熱力-電力轉換器產(chǎn)生電力。此外，本公開的實施方式描述了利用水或水基燃料源的點燃以使用光伏功率轉換器產(chǎn)生光動力、機械動力、電力和/或熱力的系統(tǒng)、裝置和方法。本公開中詳細描述了這些和其他相關的實施方式。

背景技術：

1、動力產(chǎn)生可以采取多種從等離子體獲取動力的形式。等離子體的成功商業(yè)化可能取決于能夠有效形成等離子體然后捕獲所產(chǎn)生的等離子體的動力的動力產(chǎn)生系統(tǒng)。

2、在點燃某些燃料期間可能形成等離子體。這些燃料可包括水或水基燃料源。在點燃期間，形成由剝離電子的原子構成的等離子體云，并且可以釋放高的光動力。等離子體的高光動力可以被本公開的電轉換器利用。離子和激發(fā)態(tài)原子可以復合并經(jīng)歷電子弛豫，從而發(fā)出光動力。光動力可以通過光伏轉換成電。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開涉及產(chǎn)生電能和熱能中的至少一者的動力系統(tǒng)，其包括：

2、至少一個容器，其能夠維持低于大氣壓的壓力；

3、反應物，其能夠發(fā)生產(chǎn)生足夠能量以在所述容器中形成等離子體的反應，所述反應物包含：

4、a)氫氣與氧氣的混合物，和/或

5、水蒸氣，和/或

6、氫氣與水蒸氣的混合物；

7、b)熔融金屬；

8、質量流量控制器，其用以控制至少一種反應物進入該容器的流量；

9、真空泵，其用以在一種或多種反應物正流入所述容器時使所述容器中的壓力維持低于大氣壓；

10、熔融金屬注射器系統(tǒng)，其包括容納所述熔融金屬中的一些的至少一個儲罐、被構造用于遞送所述儲罐中的所述熔融金屬并穿過注射器管從而提供熔融金屬料流的熔融金屬泵系統(tǒng)(例如，一個或多個電磁泵)以及用于接收所述熔融金屬料流的至少一個非注射器熔融金屬儲罐；

11、至少一個點燃系統(tǒng)，其包括電力源或點燃電流源以將電力供應至所述至少一個熔融金屬料流以在所述氫氣和/或氧氣和/或水蒸氣正流入所述容器時點燃所述反應；

12、反應物供應系統(tǒng)，其用以補給在所述反應中消耗的反應物；

13、功率轉換器或輸出系統(tǒng)，其用以將從所述反應產(chǎn)生的能量(例如，來自所述等離子體的光和/或熱輸出)的一部分轉換為電力和/或熱力。

14、本公開的動力系統(tǒng)(本文稱為“suncell”)可以包括：

15、a)能夠維持低于大氣壓的壓力的至少一個容器，其包括反應腔室；

16、b)兩個電極，其被構造為允許熔融金屬在其間流動以完成電路；

17、c)連接至所述兩個電極的動力源，其用以在所述電路閉合時在所述兩個電極之間施加電流；

18、d)用以引發(fā)由氣體形成第一等離子體的等離子體產(chǎn)生池(如輝光放電池)；其中將所述等離子體產(chǎn)生池的流出物引向所述電路(如所述熔融金屬、所述陽極、所述陰極、浸沒在熔融金屬儲罐中的電極)；

19、其中當在整個電路上施加電流時，該等離子體產(chǎn)生池的流出物發(fā)生反應以產(chǎn)生第二等離子體和反應產(chǎn)物；和

20、e)動力適配器，其被構造為將來自第二等離子體的能量轉換和/或傳遞成機械能、熱能和/或電能。在一些實施方式中，等離子體產(chǎn)生池中的氣體是氫(h2)和氧(o2)的混合物。例如，氧與氫的相對摩爾比為0.01％-50％(如0.1％-20％、0.1-15％等)。在某些具體實施中，熔融金屬是鎵。在一些實施方式中，反應產(chǎn)物具有至少一種如本文所述的光譜特征。在多個方面中，第二等離子體在反應池中形成，并且所述反應池的壁包括襯里，該襯里對與熔融金屬形成合金具有增加的抵抗力并且該襯里和反應池的壁對反應產(chǎn)物具有高滲透性(如不銹鋼諸如347ss諸如4130合金ss或cr-mo?ss、鎳、ti、鈮、釩、鐵、w、re、ta、mo、鈮和nb(94.33重量％)-mo(4.86重量％)-zr(0.81重量％))。襯里可以由結晶材料(如sic、bn、石英)和/或難熔金屬諸如nb、ta、mo或w中的至少一者制成。在某些實施方式中，在反應池中形成第二等離子體，其中反應池腔室的壁包括第一區(qū)段和第二區(qū)段，

21、第一區(qū)段由不銹鋼諸如347ss諸如4130合金ss或cr-mo?ss、鎳、ti、鈮、釩、鐵、w、re、ta、mo、鈮和nb(94.33重量)-mo(4.86重量％)-zr(0.81重量％)構成；

22、第二區(qū)段包括與第一區(qū)段中的金屬不同的難熔金屬；

23、其中所述不同金屬之間的活接頭(union)由層合材料(如陶瓷諸如bn)形成。

24、本公開的動力系統(tǒng)可以包括：

25、a.)能夠維持低于大氣壓的壓力的容器，其包括反應腔室；

26、b)多個電極對，每對包括被構造為允許熔融金屬在其間流動以完成電路的電極；

27、c)連接至所述兩個電極的動力源，其用以在所述電路閉合時在所述兩個電極之間施加電流；

28、d)用以引發(fā)由氣體形成第一等離子體的等離子體產(chǎn)生池(如輝光放電池)；其中將所述等離子體產(chǎn)生池的流出物引向所述電路(如所述熔融金屬、所述陽極、所述陰極、浸沒在熔融金屬儲罐中的電極)；

29、其中當在整個電路上施加電流時，該等離子體產(chǎn)生池的流出物發(fā)生反應以產(chǎn)生第二等離子體和反應產(chǎn)物；和

30、e)動力適配器，其被構造為將來自第二等離子體的能量轉換和/或傳遞成機械能、熱能和/或電能；

31、其中反應產(chǎn)物(如中間體、最終產(chǎn)物)中的至少一者具有至少一種如本文所述的光譜特征。

32、該動力產(chǎn)生系統(tǒng)可以包括：

33、a)能夠維持低于大氣壓的壓力的至少一個包括底板的容器，其包括反應腔室；

34、b)各自與對應儲罐中容納的熔融金屬流體連通的兩個電極，其中所述熔融金屬被構造成在所述電極之間流動以完成電路；

35、c)動力源，其連接至包括陰極和陽極的所述兩個電極，用以在所述電路閉合時在所述兩個電極之間施加點燃電流；

36、d)任選地，用以引發(fā)由氣體形成第一等離子體的等離子體產(chǎn)生池(如輝光放電池)；其中將等離子體產(chǎn)生池的流出物引向所述電路(如所述熔融金屬、所述陽極、所述陰極，各自通過其熔融金屬儲罐供應熔融金屬)；

37、其中當在整個電路上施加電流時，該等離子體產(chǎn)生池的流出物發(fā)生反應以產(chǎn)生第二等離子體和反應產(chǎn)物，其中來自第二等離子體的能量產(chǎn)生輻射；

38、e)透明窗腔體，其用以傳輸由該第二等離子體產(chǎn)生的輻射，其中該透明窗腔體與該容器的該底板接觸；

39、f)該透明窗腔體與該底板之間的濕密封件，其包含濕密封熔融金屬，以及

40、g)動力適配器，其被構造為接收透過透明窗腔體傳輸?shù)妮椛洳碜栽摰诙入x子體的能量轉換和/或傳遞成機械能、熱能和/或電能。在一些實施方式中，該容器是不銹鋼圓頂。該底板可以設置在該容器的頂部。在多個具體實施中，具有腔體(如石英窗腔)的窗可以設置在容器的底板上，并且反應腔室可以被視為由該腔體和底板限定的空間(如在窗腔體中點燃反應物)。在多個具體實施中，容器是反應腔室。在一些實施方式中，窗和腔體是容器的一部分。在一些實施方式中，容器包括球形、半球形或拋物線形圓頂區(qū)段(儲罐連接至該圓頂區(qū)段)并且在與每個外部儲罐的連接處還包括滴落邊緣。

41、熔融金屬可以通過兩個熔融金屬注射器系統(tǒng)供應至電極以閉合電路，每個熔融金屬注射器系統(tǒng)形成與電極中的一者接觸的熔融金屬料流，其中熔融金屬料流相交以閉合電路。熔融金屬注射器系統(tǒng)可以包括：

42、a)容納所述熔融金屬中的一些的儲罐；被構造用于遞送所述儲罐中的所述熔融金屬并穿過注射器管從而提供熔融金屬料流的熔融金屬泵系統(tǒng)(如一個或多個電磁泵)，并且所述儲罐用于接收注入后返回的熔融金屬料流；

43、b)入口上升管，用以控制該儲罐中的熔融金屬液位；

44、c)該儲罐的壁中的電斷路器，用以將對應的電極中的每一者與相反極性的電極電隔離，以及

45、d)對準機構，用以改變電極注射器的取向而使得兩個電極的對應的兩個料流相交以完成電路。在多個具體實施中，每個注射器管可以由電絕緣套管覆蓋，該電絕緣套管能夠抵抗熔融金屬的潤濕。套管可以包含石英、氮化硼、碳和由氮化硼或石英的電絕緣區(qū)段隔開的多個碳區(qū)段中的至少一者，并且可以包含至少兩個部分，即上部部分和下部部分。電磁泵可以包括內(nèi)部涂覆有涂層(如tin)的em匯流條組裝件，該涂層對氧化和形成合金中的至少一者具有抗性。在多個具體實施中，電磁泵可以包括鎢em匯流條組裝件和鎢泵管，其在接頭處用kovar墊隙片激光焊接，并在外部進一步涂覆有二硅化鎢或貴金屬。

46、在一些實施方式中，每個儲罐還包括由間隙隔開的內(nèi)部儲罐和外部儲罐，其中外部儲罐連接至容器并且在真空下容納內(nèi)部儲罐，內(nèi)部儲罐通向容器和窗腔體的內(nèi)部并接收熔融金屬的返回流。內(nèi)部儲罐還可以在其通向容器的開口處包括漏斗(如石英漏斗)以使返回的熔融金屬不會流入間隙。在一些實施方式中，漏斗還包括介于滴落邊緣與漏斗之間的石墨或bn墊片以將漏斗的頂部密封至滴落邊緣的底部。內(nèi)部儲罐和外部儲罐還可以包括傳導熱量的熱導體和電絕緣體，它們位于內(nèi)部儲罐與外部儲罐之間的間隙中并允許熱傳導而同時維持兩個電極的電隔離。熱導體和電絕緣體可以耦合在一起，提供維持電隔離同時也提供熱傳導。例如，熱導體和電絕緣體可以包括用以提供導熱性的銅圓柱體以及用以提供電隔離和熱傳導的氮化硼圓柱體；其中所述圓柱體是同心的并且填充內(nèi)部儲罐與外部儲罐之間的間隙，包括膨脹狹槽，并且具有小于或等于內(nèi)部儲罐的高度。該系統(tǒng)還可以包括加熱器以加熱外部儲罐的外壁，由此熱導體將熱量從該加熱器傳導至內(nèi)部儲罐以熔化熔融金屬。在一些實施方式中，加熱器包括至少一個氫氣炬。

47、本公開的動力產(chǎn)生系統(tǒng)可以包括磁流體動力濕密封件，用于在光伏(pv)窗的一側維持真空，該光伏窗包括對光功率透明的腔體；其中該濕密封件接合pv窗腔室和底板(如容器的底板，該底板具有用于一個或多個儲罐的頂部的穿透部)并包括容納熔融金屬的通道，pv窗腔室插入該通道中；

48、其中該熔融金屬電連接至動力供應器以在該通道中的熔融金屬中產(chǎn)生電流，從而誘發(fā)熔融金屬在該殼體中的磁限制而維持密封；

49、其中光在pv窗的一側產(chǎn)生，經(jīng)傳輸穿過該窗，并收集在至少一個光伏池中以產(chǎn)生電力。在一些實施方式中，熔融金屬暴露于磁場使得通道中熔融金屬上的電流和磁場的洛倫茲力抵抗熔融金屬上的外力而維持濕密封。在一些實施方式中，該濕密封件由多個金屬層形成，其中液體金屬層設置在兩個固態(tài)金屬層之間。

50、在一些實施方式中，容器連接至窗腔體，并且濕密封件還包括：

51、a)窗腔體基部處的窗凸緣；

52、b)底板上的底板凸緣；

53、c)窗腔體凸緣頂部的頂部凸緣，其與底板凸緣具有機械連接以在窗凸緣上提供抵靠底板凸緣的壓力；

54、d)至少一個窗腔體凸緣表面上的墊圈(如碳)，其與頂部凸緣和底板凸緣接觸；

55、e)窗腔體內(nèi)部的內(nèi)部周向殼體或保持壁以及窗腔體凸緣外部的外部周向殼體或保持壁中的至少一者，以及

56、f)由該殼體和保持壁以及該墊圈保持的濕密封熔融金屬，以維持窗腔體內(nèi)部相對于外部的較低壓力從而維持壓差。該濕密封件可以包括用于透明窗腔體的帶石墨墊圈的凸緣密封件，該透明窗腔體包括螺栓連接在一起的頂部和底部密封凸緣，其中在該窗腔體的每個凸緣表面之間具有頂部和底部石墨墊圈，并且

57、對應的密封凸緣還包括圍繞帶石墨墊圈的凸緣密封件周邊的角環(huán)或通道環(huán)，該角環(huán)或通道環(huán)焊接至底板和該密封件底部凸緣中的至少一者以形成圍繞該帶石墨墊圈的凸緣密封件的腔體，其中該腔體填充有濕密封熔融金屬以形成濕密封件。

58、由于壓差，該濕密封墊圈(如石墨或碳墊圈)可能會被大氣壓壓縮從而實現(xiàn)以下中的至少一者：凸緣機械張力降低以及維持墊圈壓縮的力僅由大氣壓提供。在一些實施方式中，該濕密封件包括屏障墊圈，該屏障墊圈實現(xiàn)以下中的至少一者：支承窗腔體的重量以及防止熔融金屬由于與大氣與窗腔體內(nèi)氣體壓力之間的壓差相對應的向下力而流動。該濕密封件可以包括以下中的至少一者：

59、a)窗腔體的基部，其具有與底板的匹配精密平坦表面配合的精密平坦表面；

60、b)窗腔體的基部處的窗凸緣，其具有與底板的匹配精密平坦表面配合的精密平坦表面；

61、c)窗腔體的基部與底板凸緣之間的墊圈(如碳)；

62、d)與底板接觸的窗腔體凸緣表面的至少一部分之間的墊圈(如碳)；

63、e)窗腔體或窗腔體凸緣外部的外部周向殼體或保持壁；

64、f)窗腔體內(nèi)部的內(nèi)部周向殼體或保持壁；

65、g)由該殼體和保持壁以及該墊圈保持的濕密封熔融金屬，以維持窗腔體內(nèi)部相對于外部的較低壓力從而維持壓差，以及

66、h)由殼體和保持壁以及窗腔體或窗腔體凸緣與底板之間的精確配合接觸保持的濕密封熔融金屬，以維持窗腔體內(nèi)部相對于外部的較低壓力從而維持壓差。

67、濕密封熔融金屬(或其一部分)可以沿著以下中的至少一者凝固：外部殼體或保持壁的外周邊以及pv窗腔體或其凸緣的基部下方。在一些實施方式中，以下中的至少一者：

68、a)外部周向殼體或保持壁的高度；

69、b)未被墊圈覆蓋的窗腔體凸緣的寬度；

70、c)與底板精密配合的窗腔體凸緣寬度，以及

71、d)窗腔體凸緣的高度

72、足以允許形成濕密封件(如在1mm至100mm的范圍內(nèi))。在多個具體實施中，該濕密封件包括窗腔體凸緣和底板的精度和匹配平坦度，并且其中存在以下中的至少一者：

73、a)窗腔體凸緣與底板之間的間隙小于濕密封熔融金屬可以滲透的高度；

74、b)帶有或不帶有濕密封墊圈的窗腔體凸緣與底板之間的間隙小于濕密封熔融金屬外流的高度；

75、c)凸緣與底板之間的任何間隙小于(或從0.1微米到)1mm(如小于100微米、小于10微米)；

76、d)精密配合的窗腔體凸緣與底板之間的間隙的周向部分的高度可以防止

77、1)濕密封熔融金屬滲透，其中該間隙高度維持向內(nèi)濕密封熔融金屬流的屏障以維持窗腔體的內(nèi)部與外部之間的正壓差，和/或

78、2)濕密封熔融金屬向外流動以將濕密封熔融金屬保持在間隙區(qū)域中，以及

79、e)由于墊圈的厚度，窗腔體凸緣與底板之間的間隙的至少一周向部分的高度防止向外的濕密封熔融金屬流動而將濕密封熔融金屬保持在間隙區(qū)域中。

80、濕密封熔融金屬通常是能夠以可流動狀態(tài)(如通過加熱)填充通道并且能夠維持壓差的熔融金屬。濕密封熔融金屬可以包含錫或鎵。在一些實施方式中，濕密封熔融金屬浸漬在固體基質中。

81、濕密封件和窗腔體還可以包括墊圈界面，該墊圈界面包括每個接合的組件上的表面，該表面可以允許墊圈與窗腔體之間的相對力矩而不會對墊圈造成破壞性損害。墊圈界面可以包括或設置在窗腔體的基部，或者凸緣包括邊緣，每個邊緣都具有曲率半徑或倒角以形成平滑的邊緣。在多個具體實施中，該濕密封件包括內(nèi)部殼體和外部殼體以及保持環(huán)中的至少一者，其中存在以下中的至少一者：

82、a)內(nèi)部殼體或內(nèi)部保持環(huán)包含來自w、ta、mo或nb的群組的難熔金屬，或者陶瓷諸如石英或氧化鋁，

83、b)內(nèi)部殼體和外部殼體及保持環(huán)的壁中的至少一者涂覆有bn，以及

84、c)至少一個殼體和保持環(huán)至少部分埋入底板中。

85、在一些具體實施中，該系統(tǒng)(如底板和/或容器)還可以包括所有表面的反射性襯里，所述反射性襯里入射等離子體輻射并將該入射光穿過窗腔體反射至動力適配器，其中該襯里還包括用于注射器的穿透部，該穿透部進一步由反射性穿透部襯里覆蓋。該反射器可以包括石英板，該石英板與襯有它們的表面適形，其背面涂覆有反射性涂層。示例性的反射性涂層包括來自以下群組中的至少一者：aremco石英涂層850

86、https://news.thomasnet.com/fullstory/reflective-coating-handles-temperature-to-1-600-f-454985、cp4040-s2-ht及l(fā)c4040-sg、aremco?pyro-ducttm597-a(粘合劑)pyro?ducktm597-c(涂層)(填充銀、導電和導熱的單組分系統(tǒng)，溫度可達1700°f(927℃))(https://www.aremco.com/conductive-compounds/)、aremco?634bn?sic、反射性石英材料om?100(heraeus,https://www.heraeus.com/media/media/hca/doc_hca/products_and_solutions_8/solids/om100_en.pdf)、金屬銀、鋁、貴金屬金、銠、銥、釕、鈀和鉑以及它們的組合。在多個實施方式中，反射性涂層可以涂覆有保護性涂層(如bn)以避免與熔融金屬形成合金。在多個具體實施中，該系統(tǒng)(如底板、容器和內(nèi)部儲罐中的一者)還可以包括電磁泵底板，其中與熔融金屬接觸的表面涂覆有防止與熔融金屬形成合金的涂層(如氮化硼)。

87、在特定的實施方式中，用于閉合電路的熔融金屬是錫。在多個具體實施中，錫不會潤濕pv窗。在一些實施方式中，等離子體產(chǎn)生池的流出物不氧化錫。在一些實施方式中，透明窗腔體(如pv窗)包含石英、藍寶石、氮氧化鋁和mgf2中的至少一者。

88、在一些實施方式中，動力適配器為熱光伏適配器。動力適配器可以包括光伏池，并且從第二等離子體產(chǎn)生的能量小于該光伏池帶隙的光子被反射回反應腔室，由第二等離子體吸收，并且所吸收的能量至少部分作為高于帶隙的輻射發(fā)射，其中高于帶隙的輻射入射到該光伏池上。

89、可以增強本公開的動力系統(tǒng)以增加第二等離子體所產(chǎn)生的光在動力適配器上的光回收和入射。例如，該容器可以具有濕底面(floor)和/或濕壁，并且該容器的底板或壁上具有沉積在其上的一層熔融金屬以將第二等離子體光穿過窗腔體反射至動力適配器。在多個具體實施中，底板或壁具有設置在其上方的膜以提供所需的熔融金屬薄膜覆蓋。底板或壁可以具有設置在其上的珠粒-襯里和珠粒保持支承件，該珠粒保持支承件包括用以支承珠粒-襯里的珠粒的托盤。在一些實施方式中，該托盤具有多個不同高度的深度(如具有獨立選擇的珠粒直徑以與該深度相匹配)。

90、在一些實施方式中，該容器還包括將來自容器中的第二等離子體和/或黑體輻射的光傳輸至動力適配器的窗腔體；該窗腔體包括窗腔體凸緣；并且該窗凸緣通過附接至該容器(或其一部分)的底板凸緣附接至底板；

91、其中窗腔體凸緣與底板凸緣之間的密封件部分由濕密封件形成，該濕密封件由分散在窗腔體凸緣與底板凸緣之間以及沿窗腔體凸緣外邊緣分散的熔融金屬形成。在一些實施方式中，窗腔體凸緣包括其基部處的窗腔體壁。在多個具體實施中，配合的底板或底板凸緣和窗腔體凸緣形成沿窗腔體凸緣的周邊的殼體，其中所述周邊可以填充熔融金屬并且該熔融金屬沿該殼體的外周邊凝固。

92、提供了用于在光伏(pv)窗的一側維持真空的濕密封系統(tǒng)，其中該濕密封件可以包括對光功率透明的腔體；其中該濕密封件接合pv窗腔室和底板(如容器的底板，該底板具有用于一個或多個儲罐的頂部的穿透部)并包括容納熔融金屬的通道，pv窗腔室插入該通道中；

93、其中該熔融金屬旋轉使得離心力徑向推動熔融金屬以維持該密封件對抗外力。

94、用于在光伏(pv)窗的一側維持真空的濕密封件(如磁流體動力濕密封件)可以包括對光功率透明的腔體；

95、其中該密封件包括電絕緣通道，該電絕緣通道經(jīng)尺寸設定以供該光伏窗腔室插入其中以及在pv窗腔室插入該通道中時圍繞該pv窗腔室延伸；

96、其中該通道填充有熔融金屬；

97、其中該電絕緣通道在通道的不同點處具有至少一個正引線電極和至少一個負引線電極；

98、施加至少一個電流通過該通道中的熔融金屬，并且使該熔融金屬暴露于由至少一個磁體施加的至少一個磁場以沿該通道的一段產(chǎn)生至少一個洛倫茲力，其中該電極和磁體經(jīng)構造和取向而使得對應電流和磁場的洛倫茲力處于與通道中的熔融金屬上的大氣壓力相反的矢量方向上以產(chǎn)生真空密封，該電流和磁場的洛倫茲力足以維持壓差(如真空密封)。在一些實施方式中，該濕密封件包括兩個或更多個電絕緣通道；其中每個通道具有至少一個正引線電極和負引線電極；

99、其中，當包括至少一個邊緣的pv窗腔室插入到至少一個通道中時每個通道獨立地填充熔融金屬而使得所述兩個或更多個通道一起圍繞pv窗延伸，以及

100、每個通道中的一個或多個電流獨立地經(jīng)偏壓并且一起與獨立的洛倫茲場相互作用以維持壓差(如真空密封)。在多個具體實施中，pv窗可以形成在其基部具有凸緣的pv窗腔體，并且該pv窗凸緣安放在窗腔體底板上；其中pv窗腔體凸緣與窗腔體底板之間的磁流體動力濕密封件還包括：

101、a)該pv窗腔體凸緣周向上的熔融金屬(如錫或鎵)儲罐，其向pv窗凸緣的底部與底板的一部分之間的間隙供應熔融金屬(如錫或鎵)；

102、b)熔融金屬(如錫或鎵)儲罐壁的外壁與pv窗凸緣的豎直邊緣之間的間隙以及pv窗凸緣的底部與底板之間的間隙中的連續(xù)分隔件(separator)；

103、c)磁場源諸如永磁體，其中從該磁場源產(chǎn)生的磁場垂直于pv窗凸緣與底板之間的間隙；

104、d)該連續(xù)分隔件的相對側上的電流供應器和電極，其連接至熔融金屬(如鎵)以將電流供應至對應的錫或鎵濕密封電路，其中該電流在交叉磁場的存在下在pv窗凸緣與底板之間的間隙中產(chǎn)生徑向mhd力，以及

105、e)mhd-大氣壓力平衡處理器，其可操作地連接到濕密封位置的傳感器諸如至少一個光學傳感器和一個電導率傳感器、mhd電流傳感器及控制器、抽空速率傳感器諸如壓力計及控制器諸如真空閥諸如針閥及其控制器和真空泵及其控制器中的至少一者，其中mhd-大氣壓力平衡處理器可以接收傳感器輸入并反復調節(jié)mhd電流和真空率以在pv窗腔體抽空時實現(xiàn)并維持穩(wěn)定的濕密封。在多個具體實施中，mhd-大氣壓力平衡處理器可以設定電流供應控制器以提供對應于相對于最大大氣壓增大的mhd力的電流，由此在pv窗腔體內(nèi)的真空時，外部大氣壓導致更多的熔融金屬(如錫或鎵)流入pv窗凸緣與底板之間的間隙中以導致濕密封件的寬度增加和mhd電流流動增加，同時反向的mhd力也隨之增加，直到建立穩(wěn)態(tài)濕密封為止。

106、還提供了使用本公開的系統(tǒng)的方法。例如，維持第一固體材料兩側之間的壓差(如真空)的方法可以包括：

107、a)使第一固體材料和第二固體材料與設置在其間的熔融金屬配合；其中當配合時，該熔融金屬具有施加到其上的磁場；

108、b)施加通過該熔融金屬的電流；

109、c)減少該熔融金屬上的壓力；

110、其中由電流和磁場產(chǎn)生的力與壓力減少產(chǎn)生的力相反以維持壓差。

111、在第一固體材料與第二固體材料之間的熔融金屬密封件的兩側之間維持壓差(如真空)的方法可以包括：對于具有相反電流的各1/2周邊，磁場具有相反極性，使得洛倫茲力相對于通道處于相同方向上(如通道的1/2可以用+z方向的磁場磁化，而通道的1/2可以用-z方向的磁場磁化)。

112、在大氣與封閉腔體之間的熔融金屬密封件的兩側之間維持壓差(如真空)的方法可以包括：通道回路，其包括用以承載電流的熔融金屬；多個電流引線，其用于在沿該通道回路的周邊順時針或逆時針地在該多個引線中的至少一對之間供應多個電流段，并且還包括：多個磁場源，其垂直于該多個電流段的每一段的方向，每個磁場具有的極性使得電流段和磁場的對應洛倫茲力相對于該通道處于與由壓力減少產(chǎn)生的力相反的方向上，以維持壓差。

113、該動力系統(tǒng)可以包括用于混合氫氣和氧氣和/或水分子的氣體混合器以及氫與氧復合器和/或氫解離器。在一些實施方式中，氫與氧復合器包括等離子體池。該等離子體池可以包括中心正電極和接地管狀體對電極，其中跨越電極施加電壓(如50v至1000v范圍內(nèi)的電壓)以引發(fā)由氫氣(h2)和氧氣(o2)混合物形成等離子體。在一些實施方式中，氫與氧復合器包含由惰性載體材料擔載的復合器催化金屬。在某些具體實施中，供應給等離子體產(chǎn)生池以產(chǎn)生第一等離子體的氣體混合物包含非化學計量的h2/o2混合物(如按混合物的摩爾百分比計，具有小于1/3摩爾百分比的o2或0.01％至30％、或0.1％至20％、或小于10％、或小于5％、或小于3％的o2的h2/o2混合物)，其流過等離子體池(如輝光放電池)以產(chǎn)生能夠以足夠放熱進行反應以產(chǎn)生第二等離子體的反應混合物。非化學計量的h2/o2混合物可穿過該輝光放電以產(chǎn)生原子氫和新生h2o的流出物(如具有處于一定濃度并且具有足以防止形成氫鍵的內(nèi)能的水的混合物)；

114、輝光放電流出物被引導進反應腔室中，在這里在兩個電極之間(如熔融金屬在其間通過)提供點燃電流，并且在流出物與經(jīng)偏壓的熔融金屬(如鎵或錫)相互作用時，引發(fā)新生水與原子氫之間的反應，例如，在形成電弧電流時。

115、該動力系統(tǒng)可以包括反應腔室(如在其中新生水和原子氫發(fā)生等離子體形成反應)和/或儲罐中的至少一者，該儲罐包括抵抗與熔融金屬形成合金的至少一種難熔材料襯里。反應腔室的內(nèi)壁可以包括陶瓷涂層、襯有w、nb或mo襯里、襯有w板的碳襯里。在一些實施方式中，儲罐包括碳襯里并且所述碳被儲罐中所容納的熔融金屬覆蓋。在多種具體實施中，反應腔室壁包含對反應產(chǎn)物氣體高度可滲透的材料。在多種實施方式中，反應腔室壁包含不銹鋼(如mo-cr不銹鋼)、鈮、鉬或鎢中的至少一者。

116、該動力系統(tǒng)可以包括冷凝器以冷凝熔融金屬蒸氣及金屬氧化物顆粒和蒸氣并使它們返回至反應池腔室。在一些實施方式中，該動力系統(tǒng)可還包括真空管線，其中該冷凝器包括該真空管線從反應池腔室到真空泵的區(qū)段，該區(qū)段相對于反應池腔室垂直并且包括惰性的高表面積填充材料，該材料使熔融金屬蒸氣及金屬氧化物顆粒和蒸氣冷凝并使它們返回到反應池腔室，同時允許真空泵維持反應池腔室中的真空壓力。

117、該動力系統(tǒng)可包括黑體輻射器和用以輸出來自該黑體輻射器的光的窗。這些實施方式可用于產(chǎn)生光(如用于照明)。

118、在一些實施方式中，該動力系統(tǒng)還可包括用于混合氫氣與氧氣的氣體混合器以及氫與氧復合器和/或氫解離器。例如，該動力系統(tǒng)可包括氫與氧復合器，其中該氫與氧復合器包含由惰性載體材料負載的復合器催化金屬。

119、可以以使反應(具體而言，能夠輸出足夠能量以維持等離子體生成和凈能量輸出的反應)最大化的參數(shù)來操作該動力系統(tǒng)。例如，在一些實施方式中，在操作期間容器的壓力在0.1托至50托的范圍內(nèi)。在某些具體實施中，氫質量流量以1.5至1000范圍內(nèi)的倍率超過氧質量流量。在一些實施方式中，該壓力可在50托以上，并且還可包括氣體再循環(huán)系統(tǒng)。

120、在一些實施方式中，將惰性氣體(如氬氣)注入至該容器中。該惰性氣體可用于延長某些原位形成的反應物(諸如新生水)的壽命。

121、該動力系統(tǒng)可包括水微量注射器，該水微量注射器被構造用于將水注入至該容器中，使得由所述反應的能量輸出產(chǎn)生的等離子體包含水蒸氣。在一些實施方式中，該微量注射器將水注入至該容器中。在一些實施方式中，h2摩爾百分比在水蒸氣(如由微量注射器注入的水蒸氣)的摩爾百分比的1.5倍至1000倍的范圍中。

122、該動力系統(tǒng)還可包括加熱器，以使金屬(如錫或鎵或銀或銅或它們的組合)熔融而形成熔融金屬。該動力系統(tǒng)可還包括被構造用于在反應之后回收熔融金屬的熔融金屬回收系統(tǒng)，該熔融金屬回收系統(tǒng)包括從非注射器熔融金屬儲罐收集溢流的熔融金屬溢流通道。

123、熔融金屬注入系統(tǒng)可還包括位于該熔融金屬儲罐和該非注射熔融金屬儲罐中的電極；并且該點燃系統(tǒng)可包括電力源或點燃電流源以將相反電壓供應至該注射器儲罐電極和該非注射器儲罐電極；其中該電力源經(jīng)所述熔融金屬料流供應電流和功率流，以引起反應物的反應從而在該容器內(nèi)形成等離子體。

124、電力源通常遞送足以引起反應物反應而形成等離子體的電流(如高電流)電能。在某些實施方式中，電力源包括至少一個超級電容器。在多個具體實施中，來自熔融金屬點燃系統(tǒng)的電流可在10a至50,000a的范圍內(nèi)。

125、通常，熔融金屬泵系統(tǒng)被構造用于將熔融金屬從熔融金屬儲罐泵送至非注射儲罐，其中在該熔融金屬儲罐與該非注射儲罐之間形成熔融金屬料流。在一些實施方式中，該熔融金屬泵系統(tǒng)是一個或多個電磁泵并且每個電磁泵包括以下中的一種：

126、a)dc或ac導電型，其包括穿過電極提供給所述熔融金屬的dc或ac電流源和恒定或同相交替的矢量交叉磁場源，或

127、b)感應型，其包括穿過熔融金屬的短接回路的交變磁場源，其在所述金屬中感應產(chǎn)生交變電流；和同相交替的矢量交叉磁場源。

128、在一些實施方式中，熔融金屬點燃系統(tǒng)的電路由熔融金屬料流閉合而引起點燃，以進一步引起點燃(如以小于10,000hz的點燃頻率)。該注射器儲罐可包括與其中的熔融金屬接觸的電極，并且該非注射器儲罐包括與由注射器系統(tǒng)提供的熔融金屬形成接觸的電極。

129、在多個具體實施中，該非注射器儲罐在該注射器上方對準(如與該注射器豎直對準)并且該注射器被構造用于產(chǎn)生朝該非注射器儲罐取向的熔融料流，使得來自該熔融金屬料流的熔融金屬可收集在該儲罐中并且該熔融金屬料流與非注射器儲罐電極形成電接觸；并且其中該熔融金屬匯集在該非注射器儲罐電極上。在某些實施方式中，至非注射器儲罐的點燃電流可包括：

130、a)氣密密封的容許高溫的饋通件，其穿透該容器；

131、b)電極匯流條，和

132、c)電極。

133、點燃電流密度可至少出于如下原因而與容器幾何結構有關：容器幾何結構與最終等離子體形狀有關。在多個具體實施中，該容器可包括沙漏形幾何結構(如一種幾何結構，其中該容器內(nèi)表面區(qū)域中間部分的橫截面比沿長軸的每一遠端的橫截面小20％或10％或5％以內(nèi))并且在橫截面的豎直方位上取向(如長軸與重力大致平行)，其中該注射器儲罐在腰部下面并且經(jīng)構造而使得該儲罐中的熔融金屬液位大致臨近該沙漏的腰部以增加點燃電流密度。在一些實施方式中，該容器是圍繞縱向主軸對稱的。在一些實施方式中，該容器可以是沙漏形幾何結構并且包括難熔金屬襯里。在一些實施方式中，具有沙漏形幾何結構的容器的注射器儲罐可包括用于點燃電流的正電極。

134、熔融金屬可包含銀、鎵、銀-銅合金、銅或它們的組合中的至少一者。在一些實施方式中，熔融金屬具有低于700℃的熔點。例如，熔融金屬可包含鉍、鉛、錫、銦、鎘、鎵、銻或合金(諸如洛斯金屬(rose’s?metal)、希洛西弗(cerrosafe)、伍德合金(wood's?metal)、菲爾德金屬(field’s?metal)、希洛盧(cerrolow)136、希洛盧117、bi-pb-sn-cd-in-tl和鎵銦錫合金(galinstan))中的至少一者。在某些方面中，該動力產(chǎn)生系統(tǒng)的接觸熔融金屬的組件中的至少一者(如儲罐、電極)包含、包覆有或涂覆有抵抗與熔融金屬形成合金的一種或多種抗合金材料。示例性的抗合金材料是w、ta、mo、nb、nb(94.33重量％)-mo(4.86重量％)-zr(0.81重量％)、os、ru、hf、re、347ss、cr-mo?ss、硅化物涂覆物、碳，以及陶瓷諸如bn、石英、si3n4、沙帕爾陶瓷(shapal)、aln、塞隆陶瓷(sialon)、al2o3、zro2或hfo2。在一些實施方式中，該容器的至少一部分由陶瓷和/或金屬構成。陶瓷可包含金屬氧化物、石英、氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、二氧化鉿、碳化硅、碳化鋯、二硼化鋯、氮化硅和玻璃陶瓷中的至少一者。在一些實施方式中，該容器的金屬包含不銹鋼和難熔金屬中的至少一者。

135、熔融金屬可與水發(fā)生反應以原位形成原子氫。在多個具體實施中，熔融金屬是鎵并且該動力系統(tǒng)還包括鎵再生系統(tǒng)以從氧化鎵(如反應中所產(chǎn)生的氧化鎵)再生鎵。該鎵再生系統(tǒng)可包括氫氣和原子氫中的至少一者的源以將氧化鎵還原至鎵金屬。在一些實施方式中，將氫氣從在該動力產(chǎn)生系統(tǒng)外部的源遞送至該鎵再生系統(tǒng)。在一些實施方式中，原位產(chǎn)生氫氣和/或原子氫。該鎵再生系統(tǒng)可包括將電力遞送至在反應中產(chǎn)生的鎵(或鎵/氧化鎵組合)的點燃系統(tǒng)。在若干具體實施中，該電力可將鎵表面上的氧化鎵電解為鎵金屬。在一些實施方式中，該鎵再生系統(tǒng)可包括電解質(如包含堿金屬或堿土金屬鹵化物的電解質)。在一些實施方式中，該鎵再生系統(tǒng)可包括堿性ph水性電解系統(tǒng)、用以將氧化鎵運輸至該系統(tǒng)中的構件和用以使鎵返回至該容器(如返回至熔融金屬儲罐)的構件。在一些實施方式中，該鎵再生系統(tǒng)包括撇渣器和斗式提升機以從鎵表面移除氧化鎵。在多個具體實施中，動力系統(tǒng)可包括通往真空泵的排氣管線以維持排放氣體流并且還包括在該排氣管線中的靜電沉淀系統(tǒng)以收集排放氣體流中的氧化鎵顆粒。

136、在一些實施方式中，該動力產(chǎn)生系統(tǒng)通過等離子體產(chǎn)生池產(chǎn)生水/氫混合物，該混合物待引向熔融金屬池。在這些實施方式中，離子體產(chǎn)生池諸如輝光放電池引發(fā)由氣體(如包含氧和氫的混合物的氣體)形成第一等離子體；其中該等離子體產(chǎn)生池的流出物被引向熔融金屬回路(如熔融金屬、陽極、陰極、浸沒在熔融金屬儲罐中的電極)的任何部分。在經(jīng)偏壓的熔融金屬與該流出物相互作用時，可以形成第二等離子體(比等離子體產(chǎn)生池所產(chǎn)生的等離子體能量更高)。在這些實施方式中，可以向該等離子體產(chǎn)生池供給具有摩爾過量的氫的氫(h2)和氧(o2)混合物，使得流出物包含原子氫(h)和水(h2o)。該流出物中的水可以是新生水的形式，水被充分能量化并且處于一定濃度而使得它不與流出物中的其他組分發(fā)生氫鍵鍵合。該流出物可行進到涉及所述h和hoh的第二更高能反應中，該反應形成等離子體，在與熔融金屬以及所提供的穿過熔融金屬和等離子體中至少一者的外部電流相互作用時該等離子體增強，可產(chǎn)生額外的原子氫(來自流出物中的h2)以進一步傳播該第二高能反應。

137、在一些實施方式中，該動力系統(tǒng)還可包括至少一個熱交換器(如耦合至容器的壁的熱交換器、可將熱轉移至熔融金屬或從熔融金屬轉移熱或者將熱轉移至熔融金屬儲罐或從熔融金屬儲罐轉移熱的熱交換器)。在一些實施方式中，熱交換器包括(i)板式熱交換器，(ii)殼中塊式熱交換器，(iii)sic環(huán)形槽式熱交換器，(iv)sic多塊式熱交換器，以及(v)管殼式熱交換器中的一種。在某些具體實施中，管殼式熱交換器包括管道、歧管、分配器、熱交換器入口管線、熱交換器出口管線、外殼、外部冷卻劑入口、外部冷卻劑出口、擋板、用以使來自儲罐的熱熔融金屬再循環(huán)穿過熱交換器并將冷熔融金屬返回儲罐的至少一個泵，以及一個或多個水泵和水冷卻劑或者一個或多個空氣鼓風機和空氣冷卻劑用以使冷的冷卻劑流經(jīng)外部冷卻劑入口和外殼，其中冷卻劑被來自管道的熱傳遞加熱并離開外部冷卻劑出口。在一些實施方式中，管殼式熱交換器包括管道、歧管、分配器、熱交換器入口管線和熱交換器出口管線、外殼、外部冷卻劑入口、外部冷卻劑出口和包含不銹鋼的擋板，所述管道、歧管、分配器、熱交換器入口管線和熱交換器出口管線包含碳，所述碳形成襯里并獨立于所述管道、歧管、分配器、熱交換器入口管線、熱交換器出口管線膨脹。熱交換器的外部冷卻劑包含空氣，來自微型渦輪壓縮機或微型渦輪回熱器的空氣迫使冷空氣穿過外部冷卻劑入口和外殼，其中冷卻劑被來自管道的熱傳遞加熱并離開外部冷卻劑出口，并且從外部冷卻劑出口輸出的熱冷卻劑流入微型渦輪機以將熱力轉化為電。

138、在一些實施方式中，該動力系統(tǒng)包括反應功率輸出的至少一個功率轉換器或輸出系統(tǒng)，包括以下各者的群組中的至少一者：熱光伏轉換器、光伏轉換器、光電轉換器、磁流體動力轉換器、等離子體動力轉換器、熱離子轉換器、熱電轉換器、斯特林發(fā)動機(sterlingengine)、超臨界co2循環(huán)轉換器、布雷頓循環(huán)轉換器(brayton?cycleconverter)、外部燃燒器型布雷頓循環(huán)發(fā)動機或轉換器、蘭金循環(huán)發(fā)動機或轉換器、有機蘭金循環(huán)轉換器、內(nèi)部燃燒型發(fā)動機和熱力發(fā)動機、加熱器和鍋爐。該容器可包括將光從容器的內(nèi)部傳輸至光伏轉換器的透光光伏(pv)窗以及容器幾何體中的至少一者。

139、功率轉換器或輸出系統(tǒng)可包括磁流體動力(mhd)轉換器，該磁流體動力(mhd)轉換器包括連接至該容器的噴嘴、磁流體動力通道、電極、磁體、金屬收集系統(tǒng)、金屬再循環(huán)系統(tǒng)、熱交換器和任選的氣體再循環(huán)系統(tǒng)。在一些實施方式中，熔融金屬可包含銀。在具有磁流體動力轉換器的實施方式中，可將氧氣遞送至該磁流體動力轉換器以在與熔融金屬料流中的銀發(fā)生相互作用之后形成銀納米顆粒(如，其在分子態(tài)中的大小是諸如小于約10nm或小于約1nm)，其中該銀納米顆粒穿過磁流體動力噴嘴而被加速度以賦予從反應產(chǎn)生的功率的動能存量。反應物供應系統(tǒng)可將氧氣供應至轉換器并且控制氧氣至轉換器的遞送。在多個具體實施中，在磁流體動力通道中將銀納米顆粒的動能存量的至少一部分轉換為電能。此形式的電能可導致該納米顆粒的聚結。該納米顆粒可在磁流體動力轉換器的冷凝區(qū)段(在本文中也稱為mhd冷凝區(qū)段)中聚結為至少部分地吸收氧的熔融金屬，并且通過金屬再循環(huán)系統(tǒng)使包含所吸收的氧的熔融金屬返回至注射器儲罐。在一些實施方式中，可通過容器中的等離子體而將氧從金屬釋放。在一些實施方式中，使等離子體維持在磁流體動力通道和金屬收集系統(tǒng)中以增強熔融金屬對氧的吸收。

140、熔融金屬泵系統(tǒng)可包括第一級電磁泵和第二級電磁泵，其中該第一級包括用于金屬再循環(huán)系統(tǒng)的泵，而該第二級包括金屬注射器系統(tǒng)的泵。

141、由反應物誘發(fā)的反應產(chǎn)生足夠能量以便引發(fā)等離子體在容器中形成。這些反應可產(chǎn)生表征為以下中的一者或多者的氫產(chǎn)物：

142、a)分子氫產(chǎn)物h2(如包含未成對電子的h2(1/p)(p為大于1且小于或等于137的整數(shù)))，其產(chǎn)生電子順磁共振(epr)譜信號；

143、b)分子氫產(chǎn)物h2(如h2(1/4))，其epr譜包含g因子為2.0046386的主峰，所述主峰任選分裂成一系列成對峰，其成員以自旋-軌道耦合能分開，所述自旋-軌道耦合能為相應電子自旋-軌道耦合量子數(shù)的函數(shù)，其中

144、(i)基于h2(1/4)的反磁化率，所述未成對電子磁矩在所述h2(1/4)分子軌道的成對電子中感應出反磁矩；

145、(ii)所述固有成對-未成對電流相互作用的相應磁矩和由于繞核間軸的相對旋轉運動引起的磁矩產(chǎn)生所述自旋-軌道耦合能；

146、(iii)每個自旋-軌道分裂峰進一步亞分裂成匹配整數(shù)個磁通量子能量的一系列等間距的峰，所述整數(shù)個磁通量子能量為與所述躍遷中涉及的角動量分量的數(shù)量相對應的電子磁通量子量子數(shù)的函數(shù)，以及

147、(iv)此外，由于磁能隨分子軌道累積的磁鏈增加而增加，自旋-軌道分裂隨所述系列成對峰的低場側的自旋-軌道耦合量子數(shù)而增加。

148、c)對于9.820295ghz的epr頻率，

149、(i)由于磁能和h2(1/4)的自旋-軌道耦合能引起的組合位移，低場峰位置為

150、

151、(ii)具有量子化自旋-軌道分裂能es/o和電子自旋-軌道耦合量子數(shù)m＝0.5,1,2,3,5....的高場峰位置為

152、和/或

153、(iii)對于電子磁通量子量子數(shù)mφ＝1，2，3，在每個自旋-軌道峰位置的整數(shù)系列峰的間距δbφ為

154、和

155、d)在共同原子軌道中包含成對和未成對電子的氫負離子h-(如h-(1/p))，其展示出通過在400-410nm范圍內(nèi)的高分辨率可見光譜在h-(1/2)上觀察到的以h/2e為量子化單位的磁鏈。

156、e)當通過拉曼光譜期間的激光照射以及通過來自電子束的高能電子與h2(1/4)碰撞來激發(fā)h2(1/4)的轉動能級時，觀察到以h/2e為量子化單位的磁鏈；

157、f)分子分數(shù)氫(如h2(1/p))，其具有未成對電子的自旋磁矩與分子轉動引起的軌道磁矩之間的自旋-軌道耦合的拉曼光譜躍遷，其中

158、(i)轉動躍遷的能量因這些自旋-軌道耦合能量而發(fā)生位移，所述自旋-軌道耦合能量是相應電子自旋-軌道耦合量子數(shù)的函數(shù)；

159、(ii)因自旋-軌道能量而發(fā)生位移的分子轉動峰進一步因磁通量子鏈能量發(fā)生位移，其中每個能量對應于其電子磁通量子量子數(shù)，該磁通量子量子數(shù)取決于轉動躍遷中涉及的角動量分量的數(shù)量，和/或

160、(iii)觀察到的拉曼光譜峰的亞分裂或位移是由于在發(fā)生轉動躍遷時自旋磁矩與分子轉動磁矩之間的自旋-軌道耦合期間以磁通量量子h/2e為單位的磁鏈引起的；

161、g)h2(1/4)，其具有示例性的拉曼光譜躍遷，所述躍遷包括

162、(i)具有自旋-軌道耦合和磁通量子耦合的純h2(1/4)j＝0至j′＝3轉動躍遷；eraman＝δej＝0→j′+es/o，rot+eφ，rot＝11701cm-1+m528cm-1+mφ31cm-1，

163、(ii)包括j＝0至j′＝2，3轉動躍遷與j＝0至j＝1自旋轉動躍遷的協(xié)同躍遷：

164、eraman＝δej＝0→j′+es/o，rot+eφ，rot＝7801cm-1(13，652cm-1)+m528cm-1+mφ3/246cm-1，或

165、(iii)最終轉動量子數(shù)j′p＝2和j′c＝1的雙躍遷：

166、其中，在純躍遷、協(xié)同躍遷和雙躍遷中也觀察到了相應的自旋-軌道耦合和磁通量子耦合；

167、h)h2(1/4)uv拉曼峰(如在12,250-15,000cm-1區(qū)域中觀察到的在復合物gaooh:h2(1/4):h2o和暴露于反應等離子體的ni箔上記錄的，其中示例性譜線匹配具有自旋-軌道耦合和磁通量子鏈分裂的協(xié)同的純轉動躍遷δj＝3和δj＝1自旋躍遷：

168、eraman＝δej0→3+δej＝0→1+es/o，rot+eφ，rot＝13，652cm-1+m528cm-1+mφ31cm-1)；

169、i)hd(1/4)拉曼光譜的轉動能量相對于h2(1/4)的轉動能量位移了3/4倍；

170、j)hd(1/4)拉曼光譜的示例性轉動能量匹配以下的那些：

171、(i)具有自旋-軌道耦合和磁通量子耦合的純hd(1/4)j＝0至j′＝3，4轉動躍遷：

172、

173、(ii)包括j＝0至j′＝3轉動躍遷與j＝0至j＝1自旋轉動躍遷的協(xié)同躍遷：或

174、(iii)最終轉動量子數(shù)j′p＝3；j′c＝1的雙躍遷：

175、

176、其中在純躍遷和協(xié)同躍遷二者中也觀察到了自旋-軌道耦合和磁通量子耦合；

177、k)用電子束的高能電子照射的h2(1/4)-稀有氣體混合物顯示出在8.25ev處具有截止值的在紫外(150-180nm)區(qū)中的具有相等的0.25ev間隔的譜線發(fā)射，所述譜線發(fā)射匹配具有對應于h2(1/4)p分支的一系列轉動躍遷的h2(1/4)v＝1至v＝0振動躍遷，其中

178、(i)譜圖擬合很好地匹配420.515ev-42(j+1)0.01509；j＝0，1，2，3...。其中0.515ev和0.01509ev分別為普通分子氫的振動能和轉動能，

179、(ii)觀察到小衛(wèi)星線，其匹配也通過拉曼光譜觀察到的轉動自旋-軌道分裂能，以及(iii)轉動自旋-軌道分裂能間距匹配m528cm-1n＝1，1.5，其中1.5涉及m＝0.5和m＝1分裂；

180、l)通過電子束激發(fā)俘獲在kcl晶體基質中的h2(1/4)觀察到具有v＝1至v＝0振動躍遷的h2(1/4)p分支轉動躍遷的光譜發(fā)射，其中

181、(i)轉動峰匹配自由轉子的轉動峰；

182、(ii)振動能因由于h2(1/4)的振動與所述kcl基質的相互作用而引起的有效質量的增加而發(fā)生位移；

183、(iii)譜圖擬合很好地匹配包含以0.25ev間隔開的峰的5.8ev-42(j+1)0.01509；j＝0，1，2，3...，以及

184、(iv)h2(1/4)振動能位移的相對大小匹配由被俘獲在kcl中的普通h2引起的對振轉譜的相對影響；

185、m)使用hecd能量激光的拉曼光譜顯示出在8000cm-1至18,000cm-1區(qū)中的具有1000cm-1(0.1234ev)等能量間隔的系列，其中拉曼光譜轉換為熒光或光致發(fā)光光譜將匹配揭示為h2(1/4)的1/2能量虛擬振轉譜，該振轉譜對應于由5.8ev-42(j+1)0.01509；j＝0，1，2，3...給出的kcl基質中的h2(1/4)的電子束激發(fā)發(fā)射光譜，并且包含具有0.25ev能量間隔的轉動躍遷峰的基質偏移的v＝1至v＝0振動躍遷；

186、n)在高于4400cm-1的能量區(qū)中觀察到h2(1/4)的紅外轉動躍遷，其中強度隨著除了固有磁場外的磁場的施加而增加，并且還觀察到與自旋-軌道躍遷耦合的轉動躍遷；

187、o)通過x射線光電子能譜(xps)觀察到對應于496ev總能量的康普頓效應允許的h2(1/4)雙重電離；

188、p)考慮到氫和氦氣具有最快的先前已知遷移速率和相應的最短保留時間，氣相色譜法觀察到h2(1/4)，其顯示出比任何已知氣體更快的遷移速率；

189、q)極紫外(euv)光譜記錄了具有10.1nm截止值的極紫外連續(xù)輻射(例如，如對應于由新生hoh催化劑催化的分數(shù)氫反應躍遷h至h(1/4)的極紫外連續(xù)輻射)；

190、r)質子魔角自旋核磁共振譜(1h?mas?nmr)記錄了在-4ppm至-5ppm區(qū)域中的高場基質-水峰；

191、s)當多個氫產(chǎn)物分子的磁矩協(xié)同相互作用時的本體磁性諸如順磁性、超順磁性以及甚至鐵磁性，其中超順磁性(例如，如使用振動樣品磁強計測量包含反應產(chǎn)物的化合物的磁化率所觀察到的)；

192、t)通過獨特地觀察到m+2多聚體單元(例如，k+[h2：k2co3]n和k+[h2：koh]n，其中n為整數(shù))和由于氫負離子的穩(wěn)定性而產(chǎn)生的強h-峰，在暴露于來自所述反應產(chǎn)物的分子氣體源的k2co3和koh上記錄的飛行時間次級離子質譜(tof-sims)和電噴霧飛行時間次級離子質譜(esi-tof)顯示反應產(chǎn)物(例如，h2(1/4)氣體)與包含氧陰離子的無機化合物絡合，以及

193、u)由分子氫核組成的反應產(chǎn)物，所述反應產(chǎn)物表現(xiàn)得像有機分子，如有機分子基質柱上的色譜峰所證明的那樣，其斷裂成無機離子。在多個具體實施中，該反應產(chǎn)生可表征為以下各項中的一者或多者的高能特征：

194、(i)在包含h原子及新生hoh或h基催化劑的等離子體(諸如氬氣-h2、h2和h2o蒸氣等離子體)中具有超過100ev的h巴耳莫α線的異常多普勒譜線增寬，

195、(ii)h激發(fā)態(tài)譜線反轉，

196、(iii)反常的h等離子體余輝持續(xù)時間，

197、(iv)等效于大約10倍摩爾數(shù)的火藥的沖擊波傳播速度和相應的壓力，其中僅大約1％的所述功率耦合至所述沖擊波，

198、(v)來自10μl水合銀噴丸的高達20mw的光功率，和

199、(vi)在340,000w功率水平下驗證的suncell動力系統(tǒng)的量熱法。這些反應可產(chǎn)生表征為以下中的一者或多者的氫產(chǎn)物：

200、a)在以下的一個或多個范圍內(nèi)具有拉曼峰的氫產(chǎn)物：1900至2200cm-1、5500至6400cm-1和7500至8500cm-1，或者范圍1900至2200cm-1的整數(shù)倍；

201、b)具有以0.23至0.25ev的整數(shù)倍間隔開的多個拉曼峰的氫產(chǎn)物；

202、c)在1900至2000cm-1的整數(shù)倍的范圍具有紅外峰的氫產(chǎn)物；

203、d)具有以0.23至0.25ev的整數(shù)倍間隔開的多個紅外峰的氫產(chǎn)物；

204、e)具有在200至300nm的范圍內(nèi)以0.23至0.3ev的整數(shù)倍間隔開的多個uv熒光發(fā)射光譜峰的氫產(chǎn)物；

205、f)具有在200至300nm的范圍內(nèi)以0.2至0.3ev的整數(shù)倍間隔開的多個電子束發(fā)射光譜峰的氫產(chǎn)物；

206、g)具有在5000至20,000cm-1的范圍內(nèi)以1000±200cm-1的整數(shù)倍間隔開的多個拉曼光譜峰的氫產(chǎn)物；

207、h)具有處于在490至525ev的范圍內(nèi)的能量的x射線光電子能譜峰的氫產(chǎn)物；

208、i)引起高場mas?nmr基質位移的氫產(chǎn)物；

209、j)相對于tms具有大于-5ppm的高場mas?nmr或液體nmr位移的氫產(chǎn)物；

210、m)包含金屬氫化物和進一步包含氫的金屬氧化物中的至少一者的氫產(chǎn)物，其中所述金屬包含zn、fe、mo、cr、cu和w中的至少一者；

211、o)包含無機化合物mxxy和h2的氫產(chǎn)物，其中m是陽離子且x是陰離子，其具有m(mxxyh2)n的電噴霧電離飛行時間次級離子質譜(esi-tof)和飛行時間次級離子質譜(tof-sims)峰中的至少一者，其中n是整數(shù)；

212、p)包含k2co3h2和kohh2中的至少一者的氫產(chǎn)物，其具有分別為和的電噴霧電離飛行時間次級離子質譜(esi-tof)和飛行時間次級離子質譜(tof-sims)峰中的至少一者；

213、q)包含金屬氫化物和金屬氧化物中的至少一者的磁性氫產(chǎn)物，該金屬氧化物還包含氫，其中所述金屬包含zn、fe、mo、cr、cu、w和反磁金屬中的至少一者；

214、r)包含金屬氫化物和金屬氧化物中的至少一者的氫產(chǎn)物，該金屬氧化物還包含氫，其中所述金屬包含zn、fe、mo、cr、cu、w和通過磁性磁化率測量術(susceptometry)展現(xiàn)磁性的反磁金屬中的至少一者；

215、s)包含在電子順磁共振(epr)譜中不活躍的金屬的氫產(chǎn)物，其中所述epr譜包括以下中的至少一者：約2.0046±20％的g因子、epr譜分裂成具有約1至10g的間隔的一系列峰，其中每個主峰被亞分裂成具有約0.1至1g的間距的一系列峰；

216、t)包含在電子順磁共振(epr)譜中不活躍的金屬的氫產(chǎn)物，其中所述epr譜至少包括約m1?x7.43x10-27?j±20％的電子自旋-軌道耦合分裂能和約m2x?5.78x10-28?j±20％的磁通量子分裂能以及約1.58x10-23?j±20％的二聚物磁矩相互作用分裂能；

217、v)包含使用氫或氦氣載氣時具有負氣相色譜峰的氣體的氫產(chǎn)物；

218、w)具有的四極矩/e的氫產(chǎn)物，其中p是整數(shù)；

219、x)包含分子二聚物的質子氫產(chǎn)物，所述分子二聚物具有在(j+1)44.30cm-1±20cm-1的范圍內(nèi)的整數(shù)j至j+1躍遷的翻滾旋轉能，其中包含氘的該分子二聚物的對應旋轉能是包含質子的該二聚物的相應旋轉能的1/2；

220、y)包含分子二聚物的氫產(chǎn)物，所述分子二聚物具有來自以下各者的群組的至少一個參數(shù)：的氫分子的間隔距離，(ii)23cm-1±10％的氫分子之間的振動能，以及(iii)0.0011ev±10％的氫分子之間的范德華能；

221、z)包含固體的氫產(chǎn)物，所述固體具有來自以下各者的群組的至少一個參數(shù)：的氫分子的間隔距離，(ii)23cm-1±10％的氫分子之間的振動能，以及(iii)0.019ev±10％的氫分子之間的范德華能；

222、aa)具有(i)(j+1)44.30cm-1±20cm-1、(ii)(j+1)22.15cm-1±10cm-1和(iii)23cm-1±10％的ftir和拉曼光譜特征，和/或顯示的氫分子間隔的x射線或中子衍射圖案，和/或0.0011ev±10％/分子氫的汽化能的量熱測定值的氫產(chǎn)物；

223、bb)具有(i)(j+1)44.30cm-1±20cm-1、(ii)(j+1)22.15cm-1±10cm-1和(iii)

224、23cm-1±10％的ftir和拉曼光譜特征，和/或顯示的氫分子間隔的x射線或中子衍射圖案，和/或0.019ev±10％/分子氫的汽化能的量熱測定值的固體氫產(chǎn)物；

225、cc)包含氫氫負離子的氫產(chǎn)物，所述氫氫負離子是磁性的并且以在其束縛-自由結合能區(qū)中的磁單位來連接通量；和

226、dd)一種氫產(chǎn)物，其中使用有機柱采用含水溶劑，高壓液相色譜(hplc)顯示出保留時間長于載體空體積時間的色譜峰，其中通過質譜諸如esi-tof檢測所述峰顯示出至少一種無機化合物的碎片。

227、在多種具體實施中，氫產(chǎn)物可類似地表征為從各種分數(shù)氫反應器形成的產(chǎn)物(諸如通過在包含水蒸氣的氣氛中的線爆轟形成的那些)。這類產(chǎn)物可以：

228、a)包含金屬氫化物和進一步包含氫的金屬氧化物中的至少一者，其中所述金屬包含zn、fe、mo、cr、cu和w中的至少一者并且所述氫包含h；

229、b)包含無機化合物mxxy和h2，其中m是金屬陽離子且x是陰離子，并且電噴霧電離飛行時間次級離子質譜(esi-tof)和飛行時間次級離子質譜(tof-sims)中的至少一者包含m(mxxyh(1/4)2)n的峰，其中n為整數(shù)；

230、c)有磁性并且包含金屬氫化物和進一步包含氫的金屬氧化物中的至少一者，其中所述金屬包含zn、fe、mo、cr、cu、w和反磁金屬中的至少一者，并且所述氫為h(1/4)；以及

231、d)包含金屬氫化物和進一步包含氫的金屬氧化物中的至少一者，其中所述金屬包含zn、fe、mo、cr、cu、w和反磁金屬中的至少一者，并且h為h(1/4)，其中所述產(chǎn)物通過磁性磁化率測量術展現(xiàn)磁性。

232、在一些實施方式中，通過所述反應形成的氫產(chǎn)物包含與以下中的至少一者絡合的氫產(chǎn)物：(i)非氫的元素；(ii)包含h+、普通h2、普通h-和普通中的至少一者的普通氫物質；有機分子物質；和(iv)無機物質。在一些實施方式中，氫產(chǎn)物包含氧陰離子化合物。在多個具體實施中，氫產(chǎn)物(或來自包含吸氣劑的實施方式的回收氫產(chǎn)物)可包含至少一種具有選自以下群組的結構式的化合物：

233、a)mh、mh2或m2h2，其中m為堿金屬陽離子，且h或h2為氫產(chǎn)物；

234、b)mhn，其中n為1或2，m為堿土金屬陽離子，且h為氫產(chǎn)物。

235、c)mhx，其中m為堿金屬陽離子，x為諸如鹵素原子之類的中性原子、分子或諸如鹵素陰離子之類的帶單個負電荷的陰離子中的一者，且h為氫產(chǎn)物；

236、d)mhx，其中m為堿土金屬陽離子，x為帶單個負電荷的陰離子，且h為氫產(chǎn)物；

237、e)mhx，其中m為堿土金屬陽離子，x為帶雙負電荷的陰離子，且h為氫產(chǎn)物；

238、f)m2hx，其中m為堿金屬陽離子，x為帶單個負電荷的陰離子，且h為氫產(chǎn)物；

239、g)mhn，其中n為整數(shù)，m為堿金屬陽離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

240、h)m2hn，其中n為整數(shù)，m為堿土金屬陽離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

241、i)m2xhn，其中n為整數(shù)，m為堿土金屬陽離子，x為帶單個負電荷的陰離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

242、j)m2x2hn，其中n為1或2，m為堿土金屬陽離子，x為帶單個負電荷的陰離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

243、k)m2x3h，其中m為堿土金屬陽離子，x為帶單個負電荷的陰離子，且h為所述氫產(chǎn)物；

244、l)m2xhn，其中n為1或2，m為堿土金屬陽離子，x為帶雙負電荷的陰離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

245、m)m2xx'h，其中m為堿土金屬陽離子，x為帶單個負電荷的陰離子，x'為帶雙負電荷的陰離子，且h為所述氫產(chǎn)物；

246、n)mm'hn，其中n為1至3的整數(shù)，m為堿土金屬陽離子，m'為堿金屬陽離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

247、o)mm'xhn，其中n為1或2，m為堿土金屬陽離子，m'為堿金屬陽離子，x為帶單個負電荷的陰離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

248、p)mm'xh，其中m為堿土金屬陽離子，m'為堿金屬陽離子，x為帶雙負電荷的陰離子，且h為氫產(chǎn)物；

249、q)mm'xx’h，其中m為堿土金屬陽離子，m'為堿金屬陽離子，x和x'為帶單個負電荷的陰離子，且h為氫產(chǎn)物；

250、r)mxx'hn，其中n為1至5的整數(shù)，m為堿金屬或堿土金屬陽離子，x為帶單或雙負電荷的陰離子，x'為金屬或類金屬、過渡元素、內(nèi)過渡元素或稀土元素，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；s)mhn，其中n為整數(shù)，m為諸如過渡元素、內(nèi)過渡元素或稀土元素之類的陽離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

251、t)mxhn，其中n為整數(shù)，m為諸如堿金屬陽離子、堿土金屬陽離子之類的陽離子，x為另一陽離子諸如過渡元素、內(nèi)過渡元素或稀土元素陽離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hn包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

252、u)(mhmmco3)n，其中m為堿金屬陽離子或其他+1陽離子，m和n各為整數(shù)，且該化合物的氫內(nèi)容物hm包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

253、v)其中m為堿金屬陽離子或其他+1陽離子，m和n各為整數(shù)，x為帶單個負電荷的陰離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hm包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

254、w)(mhmno3)n，其中m為堿金屬陽離子或其他+1陽離子，n為整數(shù)，且該化合物的氫內(nèi)容物h包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

255、x)(mhmoh)n，其中m為堿金屬陽離子或其他+1陽離子，n為整數(shù)，且該化合物的氫內(nèi)容物h包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；

256、y)(mhmm'x)n，其中m和n各為整數(shù)，m和m'各為堿金屬或堿土金屬陽離子，x為帶單或雙負電荷的陰離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hm包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種；以及

257、z)其中m和n各為整數(shù)，m和m'各為堿金屬或堿土金屬陽離子，x和x'為帶單或雙負電荷的陰離子，且該化合物的氫內(nèi)容物hm包含所述氫產(chǎn)物中的至少一種。

258、由所述反應形成的氫產(chǎn)物的陰離子可以是一個或多個帶單個負電荷的陰離子，包括鹵離子、氫氧根離子、碳酸氫根離子、硝酸根離子、帶雙負電荷的陰離子、碳酸根離子、氧化物和硫酸根離子。在一些實施方式中，氫產(chǎn)物嵌入于晶格中(如借助使用位于(例如)容器中或排氣管線中的吸氣劑諸如k2co3)。例如，氫產(chǎn)物可嵌入于鹽晶格中。在多個具體實施中，該鹽晶格可包含堿金屬鹽、堿金屬鹵化物、堿金屬氫氧化物、堿土金屬鹽、堿土金屬鹵化物、堿土金屬氫氧化物或它們的組合。

259、還提供電極系統(tǒng)，該電極系統(tǒng)包括：

260、a)第一電極和第二電極；

261、b)熔融金屬(如熔融銀、熔融鎵)料流，其與所述第一電極和所述第二電極進行電接觸；

262、c)循環(huán)系統(tǒng)，其包括泵以從儲罐抽吸所述熔融金屬并將其傳送穿過管道(如管)以產(chǎn)生離開所述管道的所述熔融金屬料流；

263、d)電力源，其被構造用于提供所述第一電極與所述第二電極之間的電勢差；

264、其中所述熔融金屬料流同時與所述第一電極和所述第二電極接觸以在所述電極之間產(chǎn)生電流。在一些實施方式中，電力足以產(chǎn)生超過100a的電流。

265、還提供電路，該電路可包括：

266、a)加熱構件，其用于產(chǎn)生熔融金屬；

267、b)泵送構件，其用于將來自儲罐的所述熔融金屬傳送穿過管道以產(chǎn)生離開所述管道的所述熔融金屬的料流；

268、c)第一電極和第二電極，其與動力供應構件進行電氣連通以用于產(chǎn)生跨越所述第一電極和所述第二電極的電勢差；

269、其中所述熔融金屬料流同時與所述第一電極和所述第二電極接觸以在所述第一電極與所述第二電極之間形成電路。例如，在包括第一和第二電極的電路中，改良可包括跨越所述電極傳遞熔融金屬料流以準許電流在它們之間流動。

270、另外，提供用于產(chǎn)生等離子體(其可用于本文所述的動力產(chǎn)生系統(tǒng)中)的系統(tǒng)。這些系統(tǒng)可包括：

271、a)熔融金屬注射器系統(tǒng)，其經(jīng)構造用于從金屬儲罐產(chǎn)生熔融金屬料流；

272、b)電極系統(tǒng)，其用于產(chǎn)生感應電流以流經(jīng)所述熔融金屬料流；

273、c)以下各項中的至少一者：(i)經(jīng)構造用于使計量體積的水與所述熔融金屬接觸的水注入系統(tǒng)，其中所述水的一部分與所述熔融金屬的一部分反應而形成所述金屬的氧化物和氫氣，(ii)過量氫氣和氧氣的混合物，以及(iii)過量氫氣和水蒸氣的混合物，以及

274、d)動力供應器，其經(jīng)構造用于供應所述電流；

275、其中當供應電流穿過所述金屬料流時產(chǎn)生所述等離子體。在一些實施方式中，該系統(tǒng)還可包括：

276、泵送系統(tǒng)，其經(jīng)構造用于將在產(chǎn)生所述等離子體之后收集的金屬轉移至所述金屬儲罐。在一些實施方式中，該系統(tǒng)可包括：

277、金屬再生系統(tǒng)，其經(jīng)構造用于收集所述金屬氧化物并將所述金屬氧化物轉化為所述金屬；其中所述金屬再生系統(tǒng)包括陽極、陰極、電解質；其中在所述陽極與所述陰極之間供應電偏壓以將所述金屬氧化物轉化為所述金屬。在某些具體實施中，該系統(tǒng)可包括：

278、a)泵送系統(tǒng)，其經(jīng)構造用于將在產(chǎn)生所述等離子體之后收集的金屬轉移至所述金屬儲罐；和

279、b)金屬再生系統(tǒng)，其經(jīng)構造用于收集所述金屬氧化物并將所述金屬氧化物轉化為所述金屬；其中所述金屬再生系統(tǒng)包括陽極、陰極、電解質；其中

280、在所述陽極與所述陰極之間供應電偏壓以將所述金屬氧化物轉化為所述金屬；

281、其中將在所述金屬再生系統(tǒng)中再生的金屬轉移至所述泵送系統(tǒng)。在某些具體實施中，該金屬是鎵、銀或它們的組合。在一些實施方式中，該電解質是堿金屬氫氧化物(如氫氧化鈉、氫氧化鉀)。

282、本公開的用于產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)可包括：

283、a)熔融金屬注射器系統(tǒng)，其被構造用于從金屬儲罐產(chǎn)生熔融金屬料流；

284、b)電極系統(tǒng)，其用于產(chǎn)生感應電流以流經(jīng)所述熔融金屬料流；

285、c)以下各項中的至少一者：(i)被構造用于使計量體積的水與熔融金屬接觸的水注入系統(tǒng)，其中所述水的一部分與所述熔融金屬的一部分反應而形成所述金屬的氧化物和氫氣，(ii)過量氫氣與氧氣的混合物，和(iii)過量氫氣與水蒸氣的混合物，以及

286、d)動力供應器，其被構造用于供應所述電流；

287、其中當供應電流穿過所述金屬料流時產(chǎn)生所述等離子體。在一些實施方式中，該系統(tǒng)還可包括：

288、a)泵送系統(tǒng)，其被構造用于將在產(chǎn)生所述等離子體之后收集的金屬轉移至所述金屬儲罐；和

289、b)金屬再生系統(tǒng)，其被構造用于收集所述金屬氧化物并將所述金屬氧化物轉化為所述金屬；其中所述金屬再生系統(tǒng)包括陽極、陰極、電解質；其中在所述陽極與所述陰極之間供應電偏壓以將所述金屬氧化物轉化為所述金屬；

290、其中將在所述金屬再生系統(tǒng)中再生的金屬轉移至所述泵送系統(tǒng)。

291、一種用于生成等離子體的系統(tǒng)，其包括：

292、a)兩個電極，其被構造為允許熔融金屬在其間流動以完成電路；

293、b)動力源，其連接至所述兩個電極以在所述電路閉合時在所述兩個電極之間施加電流；

294、c)復合器池(如輝光放電池)，以引發(fā)從氣體形成新生水和原子氫；其中將所述復合器的流出物引向所述電路(如所述熔融金屬、所述陽極、所述陰極、浸沒在熔融金屬儲罐中的電極)；

295、其中當在整個所述電路上施加電流時，所述復合器池的所述流出物發(fā)生反應以產(chǎn)生等離子體。在一些實施方式中，該系統(tǒng)用于從等離子體生成熱量。在多個具體實施中，該系統(tǒng)用于從等離子體生成光。

296、本公開的系統(tǒng)可以包括網(wǎng)狀網(wǎng)絡(或者是網(wǎng)狀網(wǎng)絡的一部分)，該網(wǎng)狀網(wǎng)絡包括以至少一個頻帶傳輸和接收電磁信號的多個動力-系統(tǒng)-發(fā)射器-接收器節(jié)點，該頻帶的頻率可以是高頻率，因為能夠以短的間隔距離局部定位節(jié)點，其中該頻率可以在約0.1ghz至500ghz、1ghz至250ghz、1ghz至100ghz、1ghz至50ghz以及1ghz至25ghz的至少一個范圍內(nèi)。

297、在反應產(chǎn)物中測得的獨特光譜特征產(chǎn)生具有獨特特性的氫產(chǎn)物。這些氫反應產(chǎn)物可用于各種裝置中、本公開的各個部分中。

298、還提供了方法。例如，該方法可以使用本公開的一個或多個系統(tǒng)產(chǎn)生電力或光，或產(chǎn)生等離子體。在一些實施方式中，該方法包括：

299、a)對熔融金屬進行電偏壓；

300、b)引導等離子體產(chǎn)生池(如輝光放電池)的流出物與所述經(jīng)偏壓的熔融金屬相互作用并引發(fā)等離子體的形成。在某些具體實施中，等離子體產(chǎn)生池的流出物由在操作期間通過等離子體產(chǎn)生池的氫(h2)和氧(o2)氣體混合物產(chǎn)生。