平坦化層的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種器件，包括非平坦化塑料基板；在非平坦化的基板上形成的電學(xué)和/或光學(xué)功能層；在功能層上方形成的平坦化層；在平坦化層上方形成的至少第一導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層，其中第一導(dǎo)體層限定用于一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的至少源電極和漏電極電路，而半導(dǎo)體層限定用于所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的半導(dǎo)體溝道。
【專(zhuān)利說(shuō)明】平坦化層
[0001]平坦化層用在電子器件領(lǐng)域以使非平坦化的表面(諸如，例如塑料基板或者金屬箔基板的表面)適合用于形成電子器件的功能層，諸如限定電子器件的電路的圖案化的導(dǎo)電層。
[0002]非平坦化的塑料和金屬箔基板的表面粗糙度被認(rèn)為使其不適合直接支撐電子器件的任何功能層;而常規(guī)方式是在形成電子器件的任何功能層之前使非平坦化的基板的表面平坦化。
[0003]本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)確定了形成可以插入在平坦化層和非平坦化的基板之間的功能層的挑戰(zhàn)，所述平坦化層用于使所述非平坦化的基板平坦化。
[0004]本發(fā)明提供了一種器件，包括:基板；用于使基板平坦化的平坦化層；在平坦化層上方形成的至少第一導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層，其中第一導(dǎo)體層限定用于一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的至少源電極和漏電極電路，而半導(dǎo)體層限定用于所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的半導(dǎo)體溝道；以及在基板和平坦化層之間的額外的功能層。
[0005]還提供了一種器件，包括:非平坦化的塑料基板;在非平坦化的基板上形成的電學(xué)和/或光學(xué)功能層;在功能層上方形成的平坦化層;在平坦化層上方形成的至少第一導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層，其中第一導(dǎo)體層限定用于一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的至少源電極和漏電極電路，而半導(dǎo)體層限定用于所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的半導(dǎo)體溝道。
[0006]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，對(duì)于使半導(dǎo)體溝道退化的波長(zhǎng)的光，功能層顯示出比基板和平坦化層小的透射率(transmittance)。
[0007]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述使半導(dǎo)體溝道退化的波長(zhǎng)的光包括可見(jiàn)光；所述器件還包括在基板的與功能層相對(duì)的另一側(cè)的背光部，所述背光部用于將可見(jiàn)光透射到光學(xué)介質(zhì)，所述光學(xué)介質(zhì)位于半導(dǎo)體溝道的與背光部相對(duì)的一側(cè)并且由晶體管器件控制;且所述功能層被圖案化，使得可見(jiàn)光能從背板透射至除了半導(dǎo)體溝道之外的區(qū)域中的所述光學(xué)介質(zhì)。
[0008]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述光學(xué)介質(zhì)是液晶光學(xué)介質(zhì)。
[0009]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，功能層包括第二導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)體層在用于所述一個(gè)或多個(gè)晶體管中的每一個(gè)的漏電極的至少一部分的下面延伸，并且經(jīng)由平坦化層電容耦接至漏電極電路。
[0010]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述第二導(dǎo)體層包括導(dǎo)體島的陣列，每一個(gè)導(dǎo)體島都在第二導(dǎo)體層內(nèi)連接至所有相鄰的導(dǎo)體島。
[0011]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，每個(gè)導(dǎo)體島在位置上基本與用于相應(yīng)的晶體管的漏電極電路的至少一部分對(duì)應(yīng)。
[0012]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述第二導(dǎo)體層由互相連接的導(dǎo)電絲的網(wǎng)格形成。
[0013]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，額外層包括為每個(gè)晶體管器件提供柵電極的第二導(dǎo)體層。
[0014]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述第二導(dǎo)體層被圖案化為獨(dú)立可尋址柵極線的陣列，每個(gè)柵極線都在相應(yīng)列的晶體管的半導(dǎo)體溝道下方延伸并且包括導(dǎo)電絲的網(wǎng)格。
[0015]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述第二導(dǎo)體層被圖案化為島的陣列，在所述第二導(dǎo)體層內(nèi)每一個(gè)島都與其他島隔離，并且每個(gè)島都可以經(jīng)由在平坦化層上方延伸的多個(gè)尋址線中的一個(gè)來(lái)尋址。
[0016]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該器件還包括在第一導(dǎo)體層的與第二導(dǎo)體層相對(duì)的一側(cè)的平坦化層上方形成的第三導(dǎo)體層，該第三導(dǎo)體層限定所述晶體管器件的陣列的柵電極電路。
[0017]本文還提供了一種操作如上所述的器件的方法，包括:控制施加到由第二導(dǎo)體層限定的所述柵電極的電壓，以減輕由柵電極電路的操作在半導(dǎo)體溝道中引發(fā)的應(yīng)力。
[0018]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法包括:使用由第二導(dǎo)體層限定的所述柵電極調(diào)整晶體管器件的閾值電壓，并使用所述柵電極電路以開(kāi)關(guān)該晶體管器件。
[0019]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，功能層包括在基板和平坦化層之間的第二導(dǎo)體層;所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件構(gòu)成顯示器件的控制電路;且所述第二導(dǎo)體層形成用于所述顯示器件的觸摸傳感器機(jī)制的底部導(dǎo)體。
[0020]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述額外層包括由互相連接的導(dǎo)電絲的網(wǎng)格形成的圖案化的第二導(dǎo)體層。
[0021]本文還提供了一種方法，包括:提供非平坦化的基板;在非平坦化的基板上形成電學(xué)和/或光學(xué)功能層;在功能層上方形成平坦化層；以及在平坦化層上方形成第一導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層，其中第一導(dǎo)體層限定用于一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的至少源電極和漏電極電路，而半導(dǎo)體層限定用于所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的半導(dǎo)體溝道。
[0022]根據(jù)該方法的一個(gè)實(shí)施例，該功能層是圖案化的層。
[0023]根據(jù)上述器件和方法的一個(gè)實(shí)施例，非平坦化的基板具有大于5nm的表面粗糙度Ra。在另一實(shí)施例中，非平坦化的基板具有大于1nm的表面粗糙度Ra，在又一實(shí)施例中，非平坦化的基板具有大于I 5nm的表面粗糙度Ra。表面粗糙度Ra是普遍使用的在Dav idWh i t ehous e 的且由 Tay I or&Franc i s Books 公司出版的 “Surface s and theirMeasurement”第3.2.1.1節(jié)中所具體描述的輪廓粗糙度參數(shù)。表面粗糙度Ra基于粗糙度輪廓從中線的垂直偏移表征表面，并且是所述垂直偏移的絕對(duì)值(大小)的算術(shù)平均數(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，非平坦化的塑料基板通過(guò)表面劃痕和/或其他表面缺陷的存在來(lái)表征。
[0024]參考附圖，在下文僅通過(guò)示例的方式詳細(xì)描述實(shí)施例，在附圖中:
[0025]圖1例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的技術(shù);以及
[0026]圖2例示了用于根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的技術(shù)的導(dǎo)電層圖案的示例。
[0027]圖1例示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示器件的示例。柔性塑料基板2(例如PET或PEN基板)支撐多個(gè)頂柵薄膜晶體管(TFT)，每一個(gè)頂柵薄膜晶體管都包括由半導(dǎo)體溝道(由圖案化的半導(dǎo)體層12提供)連接的源電極8和漏電極10，以及經(jīng)由柵極電介質(zhì)14耦接到半導(dǎo)體溝道的柵電極16。限定源電極8和漏電極10的導(dǎo)體層還限定:一組源極尋址線(未示出)，每一個(gè)源極尋址線都將TFT相應(yīng)行的源電極8連接至TFT陣列的邊緣處的相應(yīng)端子；以及延伸的漏極導(dǎo)體，每一個(gè)漏極導(dǎo)體都用作連接至柵電極16的覆蓋之外的位置的導(dǎo)電連接，用于連接至相應(yīng)TFT的上覆像素電極22的垂直層間連接20。柵電極16被設(shè)置為與上述源極尋址線垂直地延伸的平行柵極線16的陣列，并且每個(gè)柵極線16都為相應(yīng)列的TFT提供柵電極。柵極線16經(jīng)由絕緣體層18與上覆像素電極22隔離。限定柵極線16的圖案化的導(dǎo)體層還可以限定其他元件，諸如與柵極線16平行地延伸的并且與像素電極22—起形成像素電容器的COM線(未示出)。
[0028]限定源電極和漏電極8、10、源極尋址線和延伸的漏極導(dǎo)體的圖案化的導(dǎo)體層經(jīng)由平坦化層6形成在塑料基板2上。平坦化層6使塑料基板2的上表面平坦化(S卩，平坦化層6是提供表面粗糙度比塑料基板的上塑料表面的表面粗糙度低很多的上表面的第一層)，并且在即使塑料基板2的上塑料表面存在表面劃痕、表面粗糙和其他表面缺陷的情況下，確保表面質(zhì)量良好以用于沉積源極尋址線等。在沉積基板平坦化層之后上表面的表面粗糙度Ra通常小于2nm，并且優(yōu)選小于lnm。
[0029]根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的技術(shù)包括在塑料基板上沉積任何平坦化層以平坦化塑料基板2之前在塑料基板2上設(shè)置圖案化的導(dǎo)體。直接設(shè)置在非平坦化的基板2上的圖案化的導(dǎo)體層可以限定光遮擋線4的陣列。每個(gè)光遮擋線4都與相應(yīng)的柵極線16平行地延伸，基本上以相應(yīng)的柵極線為中心，并且寬度大于相應(yīng)柵極線，使得每個(gè)柵極線16都完全在相應(yīng)的光遮擋線4的覆蓋區(qū)(footprint)內(nèi)，還允許在底部導(dǎo)體層4與在制造工藝期間限定柵極線16的上部導(dǎo)體層之間能有一定程度的未對(duì)準(zhǔn)。例如，光遮擋線4的寬度可以比柵極線的寬度大大約10微米或15微米?？赏ㄟ^(guò)在限定光遮擋線4的圖案化導(dǎo)體層中限定對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(基準(zhǔn))并且使用這些對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記作為圖形化限定源電極/漏電極和柵極線16的上部導(dǎo)體層的參考，來(lái)實(shí)現(xiàn)光遮擋線4和源電極/漏電極8、10以及柵極線16之間的良好對(duì)準(zhǔn)。其中，這些上部導(dǎo)體層的形成包括在圖案化之前沉積不透光導(dǎo)體材料的覆蓋層，而上覆對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域首先被臨時(shí)遮蔽以避免不透光導(dǎo)體材料的覆蓋層蓋住對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
[0030]設(shè)置光遮擋層4是特別用于依賴(lài)自背光部26通過(guò)TFT陣列到達(dá)由TFT陣列控制的光學(xué)介質(zhì)24(諸如非反射型液晶介質(zhì))的光透射的顯示器件。光遮擋層的圖案化保護(hù)了半導(dǎo)體溝道不會(huì)受到自背光部發(fā)射的退化光的影響同時(shí)允許光自背光部26透射到光學(xué)介質(zhì)24。
[0031]光遮擋線4可由任何比基板2和平坦化層6對(duì)入射的破壞性輻射(例如可見(jiàn)光、UV光)更加不透明的材料制成。合適的材料的一些示例是:金、鋁、銅、高性能銅合金(HPC)(商業(yè)上可作為濺射靶材料)、先進(jìn)銀合金(AMO)(商業(yè)上可作為濺射靶材料)以及銀。根據(jù)期望保護(hù)半導(dǎo)體溝道不受輻射影響的程度選擇光遮擋線4的厚度。
[0032]用于形成光遮擋線4的技術(shù)的一個(gè)示例包括在塑料基板上沉積任何平坦化層之前，在塑料基板6上形成光遮擋材料的覆蓋層(通過(guò)例如濺射或其他氣相沉積技術(shù))，并然后例如通過(guò)光刻和蝕刻圖案化覆蓋層。
[0033]由塑料基板表面處的缺陷導(dǎo)致的在光遮擋線中的任何可能的不連續(xù)對(duì)于光遮擋功能都不是致命的，這是因?yàn)門(mén)FT陣列中的任何TFT的光遮擋功能都不需要與在器件邊緣處的端子的電連接。
[0034]圖案化的光遮擋層不需要由在TFT陣列的相對(duì)邊緣之間延伸的光遮擋線形成。圖案化的光遮擋線可以例如由隔離的光遮擋材料的島的陣列形成，每個(gè)島都遮擋相應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體溝道。
[0035]光遮擋層也不需要由導(dǎo)體材料形成，這是因?yàn)榭鏣FT陣列的導(dǎo)電路徑不需要用于遮擋半導(dǎo)體溝道免受破壞性的入射輻射影響的目的。然而，設(shè)置直接在非平坦化的塑料基板2上(即在塑料基板上沉積任何平坦化層之前)并且通過(guò)平坦化層6與上覆導(dǎo)體層絕緣的導(dǎo)體材料可以提供其他功能，不論其具有或不具有光遮擋功能。
[0036]例如，在塑料基板2和平坦化層6之間(即在沉積任何平坦化層之前在非平坦化的塑料基板上形成)的導(dǎo)體元件可以與層級(jí)和柵極線16相同的延伸的漏極導(dǎo)體和/或COM線一起形成電容器，因而促使電荷存儲(chǔ)在像素電極22上。該功能也可通過(guò)在塑料基板2和平坦化層6之間(即在沉積任何平坦化層之前在非平坦化的塑料基板上形成)的未圖案化導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn)。
[0037]在塑料基板2和平坦化層6之間(即在沉積任何平坦化層之前在非平坦化的塑料基板上形成)的導(dǎo)體元件4也可在半導(dǎo)體溝道與柵極線16相對(duì)的一側(cè)設(shè)置第二柵電極。這樣的第二柵電極可用于調(diào)整TFT的閾值電壓(S卩，源電極需要被偏置到該電壓以在漏電極處實(shí)現(xiàn)使相關(guān)像素的光學(xué)介質(zhì)的輸出變化的電勢(shì))，或者通過(guò)頂柵極的操作減輕在半導(dǎo)體溝道中引發(fā)的應(yīng)力的影響。例如，顯示器件的操作通常包括使柵極線順序地切換到導(dǎo)通狀態(tài)，同時(shí)保持所有其他柵極線處于截止?fàn)顟B(tài)。保持柵極線處于截止?fàn)顟B(tài)可以包括，將電壓施加至柵極線，并且在整個(gè)任何柵極線被保持在截止?fàn)顟B(tài)的時(shí)間段(幀時(shí)間)，連續(xù)施加截止電壓可以引發(fā)柵極電介質(zhì)內(nèi)部的極化效應(yīng)并導(dǎo)致可移動(dòng)離子迀移到半導(dǎo)體溝道中并迀移到半導(dǎo)體溝道內(nèi)。這樣的可移動(dòng)離子具有不期望的效應(yīng)，諸如俘獲電荷并引起TFT的閾值電壓的變化，減弱由施加到柵電極的電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)，以及化學(xué)地改變半導(dǎo)體溝道和/或柵極電介質(zhì)。在半導(dǎo)體溝道的相對(duì)側(cè)上的第二柵電極可用于抵消和/或補(bǔ)償一些上述的不期望的效應(yīng)。第二柵電極可以被布置為導(dǎo)體列，每一列都與相應(yīng)的一個(gè)柵極線16對(duì)準(zhǔn)，并且為相應(yīng)柵極線16 (第二柵電極與之對(duì)準(zhǔn))的相同列的TFT設(shè)置第二柵電極。
[0038]在塑料基板2和平坦化層6之間(即在沉積任何平坦化層之前在非平坦化的塑料基板上形成)的可尋址導(dǎo)體元件的列或行也可以在用于顯示器件的觸摸傳感器機(jī)制中設(shè)置下導(dǎo)體層。
[0039]所有這些其他功能都需要電連接至TFT陣列邊緣處的端子以施加電壓。通過(guò)參考圖2，用于更好地避免端子與位于塑料基板2和平坦化層6之間(即在沉積任何平坦化層之前在非平坦化的塑料基板上形成)的任何導(dǎo)體元件之間的電不連續(xù)的一項(xiàng)技術(shù)包括在塑料基板2上形成導(dǎo)體層4作為導(dǎo)體島36的陣列，每一個(gè)導(dǎo)體島34都由圖案化的導(dǎo)體層4內(nèi)的鏈路(links)36連接至所有相鄰的導(dǎo)體島(在X和y兩個(gè)方向上)。該項(xiàng)技術(shù)例如特別用于:(i)形成導(dǎo)體元件以與層級(jí)和柵極線16相同的延伸的漏極導(dǎo)體和/或COM線一起形成電容器；和
(ii)形成背柵電極，其功能可同時(shí)對(duì)該陣列中的所有TFT實(shí)現(xiàn)。
[0040]另一項(xiàng)技術(shù)包括將圖案化的導(dǎo)體層形成為在圖案化的導(dǎo)體層內(nèi)彼此隔離的導(dǎo)體島32的陣列，和通過(guò)平坦化層6在每一個(gè)導(dǎo)體島和在平坦化層上形成的平行導(dǎo)體線(與源極尋址線平行)的陣列中一個(gè)之間設(shè)置層間導(dǎo)體連接，每一個(gè)導(dǎo)體線都連接至相應(yīng)行的島并且連接至TFT陣列的邊緣處的相應(yīng)端子。該技術(shù)例如特別用于:(i)形成導(dǎo)體元件以與層級(jí)和柵極線相同的延伸的漏極導(dǎo)體和/或COM線一起形成電容器;和(ii)形成用于觸摸傳感器機(jī)制的導(dǎo)體的行或列。
[0041]另一項(xiàng)技術(shù)包括在塑料基板2和平坦化層6之間將導(dǎo)體層形成為互相連接的導(dǎo)電絲的非交織網(wǎng)格，諸如金屬納米線(例如銀納米線)的非交織網(wǎng)格。由這樣的非交織網(wǎng)格制成的導(dǎo)體線的陣列在任何導(dǎo)體線中都不易出現(xiàn)電不連續(xù)，因?yàn)榉墙豢椌W(wǎng)格比濺射金屬層更柔軟，而完成的器件的撓性更加不會(huì)導(dǎo)致任何線中的電不連續(xù)，即使形成網(wǎng)格的一些絲發(fā)生斷裂。使用網(wǎng)格的該項(xiàng)技術(shù)例如特別用于:(i)形成導(dǎo)體線以與層級(jí)和柵極線相同的延伸的漏極導(dǎo)體和/或COM線一起形成電容器；(ii)形成背柵極線，其功能需要同時(shí)對(duì)TFT的不同列施加不同的電壓;和(iii)形成用于觸摸傳感器機(jī)制的導(dǎo)體線。
[0042]除了上文明確提及的任何變型之外，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言清晰的是，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可對(duì)所述實(shí)施例進(jìn)行各種其他變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種器件，包括非平坦化的塑料基板;在所述非平坦化的基板上形成的電學(xué)和/或光學(xué)功能層;在所述功能層上方形成的平坦化層;在所述平坦化層上方形成的至少第一導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層，其中所述第一導(dǎo)體層限定用于一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的至少源電極電路和漏電極電路，而半導(dǎo)體層限定用于所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的半導(dǎo)體溝道。2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中對(duì)于使所述半導(dǎo)體溝道退化的波長(zhǎng)的光，所述功能層顯示出比所述基板和所述平坦化層小的透射率。3.如權(quán)利要求2所述的器件，其中使所述半導(dǎo)體溝道退化的波長(zhǎng)的所述光包括可見(jiàn)光；所述器件還包括在所述基板的與所述功能層相對(duì)的另一側(cè)的背光部，用于將可見(jiàn)光透射至位于所述半導(dǎo)體溝道的與背光部相對(duì)的一側(cè)且由所述晶體管器件控制的光學(xué)介質(zhì)；以及所述功能層被圖案化以使可見(jiàn)光能從背板透射至除了所述半導(dǎo)體溝道之外的區(qū)域中的所述光學(xué)介質(zhì)。4.如權(quán)利要求3所述的器件，其中所述光學(xué)介質(zhì)是液晶光學(xué)介質(zhì)。5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述功能層包括第二導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)體層在用于所述一個(gè)或多個(gè)晶體管中每一個(gè)的漏電極電路的至少一部分的下面延伸，并且經(jīng)由平坦化層電容耦接至漏電極電路。6.如權(quán)利要求5所述的器件，其中所述第二導(dǎo)體層包括導(dǎo)體島的陣列，每一個(gè)導(dǎo)體島都在所述第二導(dǎo)體層內(nèi)連接至所有相鄰的導(dǎo)體島。7.如權(quán)利要求6所述的器件，其中每個(gè)導(dǎo)體島在位置上基本與用于相應(yīng)晶體管的漏電極電路的至少一部分對(duì)應(yīng)。8.如權(quán)利要求5所述的器件，其中所述第二導(dǎo)體層由互相連接的導(dǎo)電絲的網(wǎng)格形成。9.如權(quán)利要求1所述的器件，其中額外層包括為每個(gè)晶體管器件設(shè)置柵極的第二導(dǎo)體層。10.如權(quán)利要求9所述的器件，其中所述第二導(dǎo)體層被圖案化為獨(dú)立可尋址柵極線的陣列，每個(gè)柵極線都在相應(yīng)列的晶體管的半導(dǎo)體溝道下方延伸并且包括導(dǎo)電絲的網(wǎng)格。11.如權(quán)利要求9所述的器件，其中所述第二導(dǎo)體層被圖案化為島的陣列，在所述第二導(dǎo)體層內(nèi)每個(gè)島都與其他島隔離，并且每個(gè)島能夠經(jīng)由在所述平坦化層上方延伸的多個(gè)尋址線中的一個(gè)來(lái)尋址。12.如權(quán)利要求9至11中的任何一項(xiàng)所述的器件，還包括在所述第一導(dǎo)體層的與所述第二導(dǎo)體層相對(duì)的一側(cè)形成的平坦化層上方的第三導(dǎo)體層，該第三導(dǎo)體層為晶體管器件的所述陣列限定柵電極電路。13.—種操作如權(quán)利要求12所述的器件的方法，包括:控制施加至由所述第二導(dǎo)體層限定的所述柵電極的電壓，以減輕由所述柵電極電路的操作在所述半導(dǎo)體溝道中引發(fā)的應(yīng)力。14.如權(quán)利要求12所述的操作器件的方法，包括:使用由所述第二導(dǎo)體層限定的所述柵電極調(diào)整所述晶體管器件的閾值電壓，并使用所述柵電極電路以開(kāi)關(guān)所述晶體管器件。15.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述額外層包括在所述基板和所述平坦化層之間的第二導(dǎo)體層;所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件組成用于顯示器件的控制電路；以及所述第二導(dǎo)體層形成用于所述顯示器件的觸摸傳感器機(jī)制的底部導(dǎo)體。16.如權(quán)利要求15所述的器件，其中所述功能層包括由互相連接的導(dǎo)電絲的網(wǎng)格形成的圖案化的第二導(dǎo)體層。17.如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的器件，其中所述非平坦化的基板具有大于5nm的表面粗糙度Ra。18.—種方法，包括:提供非平坦化的基板;在所述非平坦化的基板上形成電學(xué)和/或光學(xué)功能層;在所述功能層上方形成平坦化層；以及在所述平坦化層上方形成第一導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層，其中所述第一導(dǎo)體層限定用于一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的至少源電極電路和漏電極電路，而所述半導(dǎo)體層限定用于所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的半導(dǎo)體溝道。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述非平坦化的基板具有大于5nm的表面粗糙度Ra。20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述功能層是圖案化的層。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK105874605SQ201480046822
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2014年8月21日
【發(fā)明人】J·哈丁, M·巴拿赫
【申請(qǐng)人】弗萊克因艾伯勒有限公司