封裝裝置及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明是有關于一種封裝裝置及其制作方法，特別是有關于一種半導體封裝裝置及其制作方法。
【背景技術】
[0002]在新一代的電子產品中，不斷追求更輕薄短小，更要求產品具有多功能與高性能，因此，集成電路(Integrated Circuit, IC)必須在有限的區(qū)域中容納更多電子元件以達到高密度與微型化的要求，為此電子產業(yè)開發(fā)新型構裝技術，將電子元件埋入基板中，大幅縮小構裝體積，也縮短電子元件與基板的連接路徑，另外還可利用增層技術(Build-Up)增加布線面積，以符合輕薄短小及多功能的潮流趨勢。
[0003]圖1為傳統(tǒng)的玻璃纖維基板封裝結構。玻璃纖維基板封裝結構10包括有玻璃纖維基板100，例如可為玻纖環(huán)氧樹脂銅箔基板FR-4型號或FR-5型號，其中玻璃纖維基板100經由激光開孔(Laser Via)而形成凹槽110與多個導通孔120，電子元件130固定在凹槽110中，金屬導電柱140設置在部份的導通孔120中，第一金屬導電層142、144分別設置在玻璃纖維基板100上且與金屬導電柱140電導通，絕緣層150覆蓋凹槽110、電子元件130及多個導通孔120，第二金屬導電層146、148設置在絕緣層150的上且與電子元件130及第一金屬導電層142、144電導通。
[0004]然而，上述傳統(tǒng)的玻璃纖維基板封裝結構，其是使用玻璃纖維材質作為基板的成本過于昂貴，并且再反復利用激光開孔技術來形成四層金屬層激光盲埋孔的疊層結構，其中，多次激光開孔加工時間較長且制作過程復雜，四層金屬層的成本亦較高，都會造成傳統(tǒng)的玻璃纖維基板封裝結構不具有產業(yè)優(yōu)勢。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明提出一種封裝裝置，其可使用封膠層(Mold Compound Layer)為無核心基板(Coreless Substrate)的主體材料，并利用電鍍導柱層形成導通孔與預封包互連系統(tǒng)(Mold Interconnect System, MIS)封裝方式于基板制作中順勢將被動元件埋入于基板內，形成簡單的兩層金屬層內埋被動元件的疊層結構。
[0006]本發(fā)明提出一種封裝裝置的制造方法，其可使用較低成本的封膠(MoldCompound)取代昂貴的玻璃纖維基板，并以較低成本的兩層金屬層電鍍導柱層流程取代昂貴的四層金屬層激光盲埋孔流程，所以加工時間較短且流程簡單。
[0007]在一實施例中，本發(fā)明提出一種封裝裝置，其包括一第一導線層、一金屬層、一介電層、一導柱層、一黏膠層、一被動兀件、一第一封膠層、一第二導線層以及一防焊層。第一導線層具有相對的一第一表面與一第二表面。金屬層設置于第一導線層的第一表面上。介電層設置于第一導線層的部分區(qū)域內，其中介電層不露出于第一導線層的第一表面，并且介電層不低于第一導線層的第二表面。導柱層設置于第一導線層的第二表面上，并且與第一導線層形成一凹型結構。黏膠層設置于凹型結構內的第一導線層與介電層上。被動元件設置于凹型結構內的黏膠層上。第一封膠層設置于導柱層的部分區(qū)域內，并且包覆被動元件，其中第一封膠層不露出于導柱層的一端。第二導線層設置于第一封膠層、導柱層的一端與被動元件上。防焊層設置于第一封膠層與第二導線層上。
[0008]在另一實施例中，本發(fā)明提出一種封裝裝置的制造方法，其步驟包括:提供一金屬載板，其具有相對的一第一側面與一第二側面；形成一介電層于金屬載板的第二側面上；形成一第一導線層于金屬載板的第二側面上，其中介電層設置于第一導線層的部分區(qū)域內，介電層不低于第一導線層；形成一導柱層于第一導線層上，其中導柱層與第一導線層形成一凹型結構；形成一黏膠層于凹型結構內的第一導線層與介電層上；提供一被動元件設置于凹型結構內的黏膠層上；形成一第一封膠層包覆介電層、第一導線層、黏膠層、被動元件、導柱層與金屬載板的第二側面；露出導柱層的一端與被動兀件；形成一第二導線層于第一封膠層及露出的導柱層的一端與被動兀件上；形成一防焊層于第一封膠層與第二導線層上；移除金屬載板的部分區(qū)域以形成一窗口，其中第一導線層與介電層從窗口露出。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:可使用封膠層(Mold Compound Layer)為無核心基板(Coreless Substrate)的主體材料，并利用電鍍導柱層形成導通孔與預封包互連系統(tǒng)(Mold Interconnect System, MIS)封裝方式于基板制作中順勢將被動元件埋入于基板內，形成簡單的兩層金屬層內埋被動元件的疊層結構；此外，可使用較低成本的封膠(MoldCompound)取代昂貴的玻璃纖維基板，并以較低成本的兩層金屬層電鍍導柱層流程取代昂貴的四層金屬層激光盲埋孔流程，所以加工時間較短且流程簡單。
【附圖說明】
[0010]圖1為傳統(tǒng)的玻璃纖維基板封裝結構；
[0011]圖2為本發(fā)明一實施例的封裝裝置示意圖；
[0012]圖3為本發(fā)明一實施例的封裝裝置制作方法流程圖；
[0013]圖4A至圖4R為本發(fā)明一實施例的封裝裝置制作示意圖。
[0014]附圖標記說明:10_玻璃纖維基板封裝結構；100-玻璃纖維基板；110-凹槽；120-導通孔；130-電子兀件；140_金屬導電柱；142、144-第一金屬導電層；146、148-第二金屬導電層；150_絕緣層；20_封裝裝置；200_第一導線層；202_第一表面；204_第二表面；210_金屬層；220_介電層；230-導柱層；232_凹型結構；234_部分區(qū)域；236_導柱層的一端；240_黏膠層；250_被動元件；260-第一封膠層；270_第二導線層；280_防焊層；290_外接元件；292_第二封膠層；294_金屬球；30_制作方法；步驟S302-步驟S336 ；300-金屬載板；302_第一側面；304_第二側面；306_窗口 ；310_第一光阻層；320_第二光阻層；C-切割制作過程。
【具體實施方式】
[0015]圖2為本發(fā)明一實施例的封裝裝置示意圖。封裝裝置20，其包括一第一導線層200、一金屬層210、一介電層220、一導柱層230、一黏膠層240、一被動兀件250、一第一封膠層260、一第二導線層270以及一防焊層280。第一導線層200具有相對的一第一表面202與一第二表面204。金屬層210設置于第一導線層200的第一表面202上。介電層220設置于第一導線層200的部分區(qū)域內，其中介電層220不露出于第一導線層200的第一表面202，并且介電層220不低于第一導線層200的第二表面204。導柱層230設置于第一導線層200的第二表面204上，并且與第一導線層200形成一凹型結構232。黏膠層240設置于凹型結構232內的第一導線層200與介電層220上。被動元件250設置于凹型結構232內的黏膠層240上。第一封膠層260設置于導柱層230的部分區(qū)域234內，并且包覆被動元件250,其中第一封膠層260不露出于導柱層230的一端236。在本實施例中，第一封膠層260設置于導柱層230的全部區(qū)域內，但并不以此為限。此外，第一封膠層260具有酚醛基樹月旨(Novolac-Based Resin)、環(huán)氧基樹月旨(Epoxy-Based Resin)、娃基樹月旨(Silicone-BasedResin)或其他適當的包覆劑，但并不以此為限。第二導線層270設置于第一封膠層260、導柱層230的一端236與被動兀件250上。防焊層280設置于第一封膠層260與第二導線層270 上。
[0016]其中，封裝裝置20更可包括一外接元件290、一第二封膠層292及多個金屬球294。外接兀件290設置并電連結于第一導線層200的第一表面202上。第二封膠層292設置于外接兀件290與第一導線層200的第一表面202上。多個金屬球294設置于第二導線層270上。在一實施例中,外接元件290為一主動元件、一被動元件、一半導體晶片或一軟性電路板，但并不以此為限。
[0017]圖3為本發(fā)明一實施例的封裝裝置制作方法流程圖，圖4A至圖4R為本發(fā)明一實施例的封裝裝置制作示意圖。封裝裝置20的制作方法30，其步驟包括:
[0018]步驟S302，如圖4A所示，提供一金屬載板300，其具有相對的一第一側面302與一第二側面304。
[0019]步驟S304，如圖4B所示，形成一介電層220于金屬載板300的第二側面304上并形成一第一光阻層310于金屬載板的第一側面302上。在本實施例中，介電層220是應用涂布制作過程，再經過微影制作過程(Photolithography)與蝕刻制作過程(Etch Process)所形成，第一光阻層310是應用壓合干膜光阻制作過程所形成，但并不以此為限。
[0020]步驟S306，如圖4C所示，形成一第一導線層200于金屬載板300的第二側面304上，其中介電層220設置于第一導線層200的部分區(qū)域內，介電層220不低于第一導線層200。在本實施例中,第一導線層200是應用電鍍(Electrolytic Plating)技術所形成,但并不以此為限。其中第一導線層200可以為圖案化導線層，其包括至少一走線與至少一晶片座，第一導線層200的材質可以為金屬，例如是銅。
[0021]步驟S308，如圖4D所示，形成一第二光阻層320于介電層220與第一導線層200上。在本實施例中，第二光阻層320是應用壓合干膜光阻制作過程所形成，但并不以此為限。
[0022]步驟S310，如圖4E所示，移除第二光阻層320的部分區(qū)域以露出第一導線層200。在本實施例中，移除第二光阻層320的部分區(qū)域是應用微影制作過程(Photolithography)技術所達成，但并不以此為限。
[0023]步驟S312，如圖4F所示，形成一導柱層230于第一導線層200上。在本實施例中，導柱層230是應用電鍍(Electrolytic Plating)技術所形成,但并不以此為限。其中，導柱層230包括至少一導電柱，其形成對應于第一導線層200的走線與晶片座上，導柱層230的材質可以為金屬，例如是銅。
[0024]步驟S314，如圖4G所示，移除第一光阻層310與第二光阻層320而形成介電層220于金屬載板300的第二側面304上,形成第一導線層200于金屬載板300的第二側面302上，其中介電層220設置于第一導線層200的部分區(qū)域內，介電層220不低于第一導線層200，以及形成導柱層230于第一導線層200上，其中導柱層230與第一導線層200形成一凹型結構232。
[0025]步驟S316，如圖4H所示，形成一黏膠層240于凹型結構232內的第一導線層200與介電層220上。在本實施例中，黏膠層240具有絕緣的功效。
[0026]步驟S318，如圖41所示，提供一被動元件250設置于凹型結構232內的黏膠層240上。
[0027]步驟S320，如圖4