封裝裝置及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種封裝裝置及其制作方法，特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝裝置及其 制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在新一代的電子產(chǎn)品中，不斷追求更輕薄短小，更要求產(chǎn)品具有多功能與高性能， 因此，積體電路（IntegratedCircuitiIC)必須在有限的區(qū)域中容納更多電子元件W達(dá)到 高密度與微型化的要求，為此電子產(chǎn)業(yè)開發(fā)新型構(gòu)裝技術(shù)，將電子元件埋入基板中，大幅縮 小構(gòu)裝體積，也縮短電子元件與基板的連接路徑，另外還可利用增層技術(shù)度Uild-Up)增加 布線面積，W符合輕薄短小及多功能的潮流趨勢。
[0003] 圖1為傳統(tǒng)的玻璃纖維基板封裝結(jié)構(gòu)。玻璃纖維基板封裝結(jié)構(gòu)10包括有玻璃纖 維基板100,例如可為玻纖環(huán)氧樹脂銅巧基板度ismaleimide化iazine,BT)的FR-4型號或 FR-5型號，其中玻璃纖維基板100系經(jīng)由機(jī)械鉆孔或激光鉆孔化aserVia)而形成復(fù)數(shù)個(gè) 圓形導(dǎo)通孔110,圓形導(dǎo)電柱層（circularconductivepillarlayer)120設(shè)置在圓形導(dǎo)通 孔110中，第一導(dǎo)電層132U34分別設(shè)置在玻璃纖維基板100上且與圓形導(dǎo)電柱層120電 性導(dǎo)通，絕緣層140覆蓋在玻璃纖維基板100上，并再經(jīng)由機(jī)械鉆孔或激光鉆孔而形成復(fù)數(shù) 個(gè)圓形導(dǎo)通孔110,第二導(dǎo)電層152、154設(shè)置在絕緣層150上且經(jīng)由圓形導(dǎo)電柱層120與第 一導(dǎo)電層132、134電性導(dǎo)通。
[0004] 上述傳統(tǒng)的玻璃纖維基板封裝結(jié)構(gòu)10,其應(yīng)用機(jī)械鉆孔或激光鉆孔的物理機(jī)制僅 能形成具圓形導(dǎo)通孔的圓形導(dǎo)電柱層120,然而圓形導(dǎo)電柱層120具有較大的截面積，對于 制作高密度布線的基板將造成一定的限制，使得基板的成本過于昂貴而不具備產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的 競爭。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提出一種封裝裝置，其可使用鑄?；衔飳樱∕oldingCompound Layer)為無核必基板（CorelessSubstrate)的主體材料，并利用電錐非圓形導(dǎo)電 柱層（Non-cir州Iarconductivepillarlayer)形成導(dǎo)通孔與預(yù)封包互連系統(tǒng) (MoldedInterconnectionSyste化MI巧封裝方式于基板制作中順勢將內(nèi)接元件埋入于基 板的內(nèi)，形成高密度布線面積的疊層結(jié)構(gòu)。
[0006] 本發(fā)明提出一種封裝裝置的制造方法，其可使用較低成本的封膠（Molding Compound)搭配電錐非圓形導(dǎo)電柱層的導(dǎo)通孔方法，W取代憑借對玻璃纖維基板機(jī)械鉆孔 或激光鉆孔的導(dǎo)通孔方法，其可提高布線面積，進(jìn)而提升生產(chǎn)效能。
[0007] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案包括：
[0008] -種封裝裝置，其特征在于，其包括：
[0009] -第一導(dǎo)線層，其具有相對的一第一表面與一第二表面；
[0010] 一第一導(dǎo)電柱層，其設(shè)置于該第一導(dǎo)線層的該第二表面上，其中該第一導(dǎo)電柱層 是一非圓形導(dǎo)電柱層；
[0011] 一第一鑄?；衔飳?，其設(shè)置于該第一導(dǎo)線層與該第一導(dǎo)電柱層的部分區(qū)域內(nèi)；
[0012] 一第二導(dǎo)線層，其設(shè)置于該第一鑄?；衔飳优c該第一導(dǎo)電柱層的一端上；W及
[0013] 一防焊層，其設(shè)置于該第一鑄?；衔飳优c該第二導(dǎo)線層上。
[0014] 所述的封裝裝置，其中，還包括一金屬層，其中該金屬層設(shè)置于該第一導(dǎo)線層的該 第一表面上。
[0015] 所述的封裝裝置，其中，該第一導(dǎo)電柱層與該第一導(dǎo)線層形成一凹型結(jié)構(gòu)。
[0016] 所述的封裝裝置，其中，還包括一內(nèi)接元件，其中該內(nèi)接元件設(shè)置并電性連結(jié)于該 凹型結(jié)構(gòu)內(nèi)的該第一導(dǎo)線層的該第二表面上，并且嵌設(shè)于該第一鑄?；衔飳觾?nèi)。
[0017] 所述的封裝裝置，其中，該內(nèi)接元件是一主動(dòng)元件、一被動(dòng)元件或一半導(dǎo)體晶片。
[0018] 所述的封裝裝置，其中，該第一鑄模化合物層不露出于該第一導(dǎo)線層的該第一表 面與該第一導(dǎo)電柱層的一端。
[0019] 所述的封裝裝置，其中，還包括：
[0020] -外接元件，其設(shè)置并電性連結(jié)于該第一導(dǎo)線層的該第一表面上；
[0021] 一第二鑄?；衔飳?，其設(shè)置于該外接元件與該第一導(dǎo)線層的該第一表面上，其 中該外接元件嵌設(shè)于該第二鑄?；衔飳觾?nèi)；及
[0022] 復(fù)數(shù)個(gè)金屬球，其設(shè)置于該第二導(dǎo)線層上。
[0023] 所述的封裝裝置，其中，該外接元件是一主動(dòng)元件、一被動(dòng)元件、一半導(dǎo)體晶片或 一軟性電路板。
[0024] 所述的封裝裝置，其中，該第一鑄?；衔飳泳哂欣倚鸦鶚渲∟ovolac-Based Resin)、環(huán)氧基樹脂巧poxy-BasedResin)、娃基樹脂（Silicone-BasedResin)或其他適當(dāng) 的鑄?；衔铩?br>[00巧]所述的封裝裝置，其中，該非圓形導(dǎo)電柱層是一矩形導(dǎo)電柱層、一八角形導(dǎo)電柱 層、一楠圓形導(dǎo)電柱層或任意形狀的非圓形導(dǎo)電柱層。
[0026] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括：
[0027] -種封裝裝置的制造方法，其特征在于，其步驟包括：
[0028] 提供一金屬承載板，其具有相對的一第一表面與一第二表面；
[0029] 在該金屬承載板的該第二表面上形成一第一導(dǎo)線層；
[0030] 在該第一導(dǎo)線層上形成一第一導(dǎo)電柱層，其中該第一導(dǎo)電柱層是一非圓形導(dǎo)電柱 層；
[0031] 形成一第一鑄?；衔飳影苍摰谝粚?dǎo)線層與該第一導(dǎo)電柱層并位于該金屬承 載板的該第二表面上，其中該第一導(dǎo)線層與該第一導(dǎo)電柱層嵌設(shè)于該第一鑄模化合物層 內(nèi)；
[0032] 露出該第一導(dǎo)電柱層的一端；
[0033] 在該第一鑄模化合物層與露出的該第一導(dǎo)電柱層的一端上形成一第二導(dǎo)線層；
[0034] 在該第一鑄?；衔飳优c該第二導(dǎo)線層上形成一防焊層；W及
[0035] 移除該金屬承載板的部分區(qū)域W形成一窗口，其中該第一導(dǎo)線層與該第一鑄?；?合物層從該窗口露出。
[0036] 所述的制作方法，其中，該第一導(dǎo)電柱層與該第一導(dǎo)線層形成一凹型結(jié)構(gòu)。
[0037] 所述的制作方法，其中，還包括提供一內(nèi)接元件，其中該內(nèi)接元件設(shè)置并電性連結(jié) 于該凹型結(jié)構(gòu)內(nèi)的該第一導(dǎo)線層上，并且嵌設(shè)于該第一鑄?；衔飳觾?nèi)。
[0038] 所述的制作方法，其中，該內(nèi)接元件是一主動(dòng)元件、一被動(dòng)元件或一半導(dǎo)體晶片。
[0039] 所述的制作方法，其中，還包括：
[0040] 提供一外接元件設(shè)置并電性連結(jié)于該第一導(dǎo)線層的一第一表面上；
[0041] 形成一第二鑄?；衔飳影苍撏饨釉⑽挥谠摰谝粚?dǎo)線層的該第一表面與 該第一鑄?；衔飳由?，其中該外接元件嵌設(shè)于該第二鑄模化合物層內(nèi)；及
[0042] 在該第二導(dǎo)線層上形成復(fù)數(shù)個(gè)金屬球。
[0043] 所述的制作方法，其中，在該第一導(dǎo)線層上形成該第一導(dǎo)電柱層之前的步驟包 括：
[0044] 在該金屬承載板的該第二表面上形成一第一光阻層，W及在該金屬承載板的該第 一表面上形成一第二光阻層；
[0045] 在該金屬承載板的該第二表面上形成該第一導(dǎo)線層；
[0046] 在該第一光阻層與該第一導(dǎo)線層上形成一第H光阻層；
[0047] 移除該第H光阻層的部分區(qū)域W露出該第一導(dǎo)線層；
[0048] 在該第一導(dǎo)線層上形成該第一導(dǎo)電柱層；及
[0049] 移除該第一光阻層、該第二光阻層與該第H光阻層。
[0050] 所述的制作方法，其中，形成該第一鑄?；衔飳拥牟襟E包括：
[0051]提供一鑄?；衔铮渲性撹T?；衔锞哂袠渲胺蹱畹亩趸?；
[0052] 加熱該鑄?；衔镏烈后w狀態(tài)；
[0053] 在該金屬承載板的該第二表面上注入呈液態(tài)的該鑄?；衔铮撹T?；衔镌诟?溫和高壓下包覆該內(nèi)接元件、該第一導(dǎo)線層與該第一導(dǎo)電柱層；及
[0054]固化該鑄?；衔铮乖撹T?；衔镄纬稍摰谝昏T模化合物層。
[0055] 所述的制作方法，其中，該外接元件是一主動(dòng)元件、一被動(dòng)元件、一半導(dǎo)體晶片或 一軟性電路板。