本技術(shù)涉及半導(dǎo)體加工，尤其涉及一種半導(dǎo)體均勻加熱裝置。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體的加工過程中，常用到加熱機構(gòu)來滿足熱制程的需要，比如硅片的氧化、雜質(zhì)擴散和退火等工序，都需要用到加熱機構(gòu)來營造滿足工序要求的高溫環(huán)境。

2、在加熱機構(gòu)中，硅片可以通過熱輻射的方式被加熱，但是硅片和加熱板都是相對固定的，加熱板上的發(fā)熱點與硅片上各部位的距離不同，導(dǎo)致硅片加熱不均勻的問題，不利于確保硅片的加工質(zhì)量統(tǒng)一性，需要進(jìn)行改進(jìn)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體均勻加熱裝置，進(jìn)行硅片的加熱，提升加熱均勻性。

2、為達(dá)此目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

3、一種半導(dǎo)體均勻加熱裝置，包括：工作臺、加熱箱、加熱板、導(dǎo)熱罩和半導(dǎo)體載臺，所述加熱箱設(shè)置在工作臺上，所述工作臺上設(shè)置有位于加熱箱中的隔熱板，所述加熱板設(shè)置在隔熱板上，所述導(dǎo)熱罩可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在加熱板上方，所述半導(dǎo)體載臺設(shè)置在導(dǎo)熱罩的上方，所述工作臺底部設(shè)置有向上延伸至導(dǎo)熱罩中的氣體導(dǎo)入管。

4、其中，所述加熱箱頂部設(shè)置有密封蓋。

5、其中，所述密封蓋上設(shè)置有泄壓閥。

6、其中，所述半導(dǎo)體載臺底部邊緣間隔設(shè)置有與隔熱板相連接的立柱。

7、其中，所述隔熱板上設(shè)置有一圈位于加熱板外側(cè)的環(huán)形導(dǎo)軌，所述導(dǎo)熱罩底部間隔設(shè)置有位于環(huán)形導(dǎo)軌上的滑塊。

8、其中，所述導(dǎo)熱罩外側(cè)設(shè)置有齒圈，所述加熱箱中設(shè)置有與齒圈嚙合的齒輪。

9、其中，所述工作臺底部設(shè)置有驅(qū)動齒輪旋轉(zhuǎn)的電機。

10、本實用新型的有益效果：一種半導(dǎo)體均勻加熱裝置，先利用加熱板進(jìn)行導(dǎo)熱罩的加熱，并通過導(dǎo)熱罩的旋轉(zhuǎn)，確保導(dǎo)熱罩被加熱板均勻加熱，再通過導(dǎo)熱罩對半導(dǎo)體載臺上的硅片進(jìn)行輻射加熱，進(jìn)一步提升了硅片上各部位的加熱均勻性，避免局部過熱的問題，有利于確保硅片的加工質(zhì)量統(tǒng)一性。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其特征在于，包括：工作臺、加熱箱、加熱板、導(dǎo)熱罩和半導(dǎo)體載臺，所述加熱箱設(shè)置在工作臺上，所述工作臺上設(shè)置有位于加熱箱中的隔熱板，所述加熱板設(shè)置在隔熱板上，所述導(dǎo)熱罩可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在加熱板上方，所述半導(dǎo)體載臺設(shè)置在導(dǎo)熱罩的上方，所述工作臺底部設(shè)置有向上延伸至導(dǎo)熱罩中的氣體導(dǎo)入管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其特征在于，所述加熱箱頂部設(shè)置有密封蓋。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其特征在于，所述密封蓋上設(shè)置有泄壓閥。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體載臺底部邊緣間隔設(shè)置有與隔熱板相連接的立柱。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其特征在于，所述隔熱板上設(shè)置有一圈位于加熱板外側(cè)的環(huán)形導(dǎo)軌，所述導(dǎo)熱罩底部間隔設(shè)置有位于環(huán)形導(dǎo)軌上的滑塊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱罩外側(cè)設(shè)置有齒圈，所述加熱箱中設(shè)置有與齒圈嚙合的齒輪。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其特征在于，所述工作臺底部設(shè)置有驅(qū)動齒輪旋轉(zhuǎn)的電機。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其包括：工作臺、加熱箱、加熱板、導(dǎo)熱罩和半導(dǎo)體載臺，所述加熱箱設(shè)置在工作臺上，所述工作臺上設(shè)置有位于加熱箱中的隔熱板，所述加熱板設(shè)置在隔熱板上，所述導(dǎo)熱罩可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在加熱板上方，所述半導(dǎo)體載臺設(shè)置在導(dǎo)熱罩的上方，所述工作臺底部設(shè)置有向上延伸至導(dǎo)熱罩中的氣體導(dǎo)入管。本技術(shù)所述的半導(dǎo)體均勻加熱裝置，通過旋轉(zhuǎn)中的導(dǎo)熱罩對半導(dǎo)體載臺上的硅片進(jìn)行輻射加熱，提升了硅片上各部位的加熱均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：周炳
受保護的技術(shù)使用者：德興市意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240511
技術(shù)公布日：2024/12/30