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半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法與流程

文檔序號(hào):11278064閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供容易微細(xì)加工的保護(hù)環(huán)部。還提供一種半導(dǎo)體裝置,具備:半導(dǎo)體基板;有源區(qū),其形成于半導(dǎo)體基板;以及保護(hù)環(huán)部,其在半導(dǎo)體基板形成于有源區(qū)的外側(cè),保護(hù)環(huán)部具有:保護(hù)環(huán),其呈環(huán)狀地形成在半導(dǎo)體基板的上表面;層間絕緣膜,其形成于保護(hù)環(huán)的上方;場(chǎng)板,其沿著保護(hù)環(huán)在層間絕緣膜的上方形成為環(huán)狀;以及鎢插塞,其沿著保護(hù)環(huán)形成為環(huán)狀,貫穿層間絕緣膜而將保護(hù)環(huán)與場(chǎng)板連接。

技術(shù)研發(fā)人員:田中裕之;大井幸多;小野澤勇一;伊倉(cāng)巧裕;杉村和俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者:富士電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:2017.02.27
技術(shù)公布日:2017.09.26
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