本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

以往，已知在半導(dǎo)體元件的外周部設(shè)有保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)的裝置(例如，專利文獻(xiàn)1)。由此，提高關(guān)斷時(shí)的耐壓性。

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2010-267655號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

提供一種微細(xì)加工容易的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的第一方式中，提供一種半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置可以具備半導(dǎo)體基板。半導(dǎo)體裝置可以具備形成于半導(dǎo)體基板的有源區(qū)。半導(dǎo)體裝置可以具備在半導(dǎo)體基板形成于有源區(qū)的外側(cè)的保護(hù)環(huán)部。保護(hù)環(huán)部可以具有形成于半導(dǎo)體基板的上表面的保護(hù)環(huán)。保護(hù)環(huán)可以形成為環(huán)狀。保護(hù)環(huán)部可以具有形成于保護(hù)環(huán)的上方的層間絕緣膜。保護(hù)環(huán)部可以具有形成于層間絕緣膜的上方的場(chǎng)板。場(chǎng)板可以沿著保護(hù)環(huán)形成為環(huán)狀。保護(hù)環(huán)部可以具有貫穿層間絕緣膜而將保護(hù)環(huán)與場(chǎng)板連接的鎢插塞。鎢插塞沿著保護(hù)環(huán)可以形成為環(huán)狀。

場(chǎng)板可以由鎢形成。在對(duì)應(yīng)的保護(hù)環(huán)和場(chǎng)板之間可以形成有多根環(huán)狀的鎢插塞。保護(hù)環(huán)部可以具有將相鄰的2個(gè)鎢插塞連接的連接插塞。在多根環(huán)狀的鎢插塞中，相鄰的2個(gè)鎢插塞之間的距離可以比1個(gè)鎢插塞的寬度大。

半導(dǎo)體裝置可以具備設(shè)置于有源區(qū)的上方的元件電極。元件電極可以由含有鋁的材料形成。半導(dǎo)體裝置可以具備形成在元件電極上的鍍層。半導(dǎo)體裝置可以具備形成在鍍層上的保護(hù)膜。保護(hù)膜可以使鍍層的一部分區(qū)域露出。

半導(dǎo)體裝置可以具備形成于有源區(qū)的半導(dǎo)體元件部。半導(dǎo)體裝置可以具備以在半導(dǎo)體元件部和保護(hù)環(huán)部之間貫穿層間絕緣膜的方式設(shè)置的空穴吸引插塞。空穴吸引插塞可以由鎢形成。

半導(dǎo)體裝置可以具備設(shè)置于有源區(qū)的上方的元件電極。場(chǎng)板可以由與元件電極相同的材料形成。

在本發(fā)明的第二方式中，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。制造方法可以包括將保護(hù)環(huán)呈環(huán)狀地形成在半導(dǎo)體基板的上表面的保護(hù)環(huán)形成步驟。制造方法可以包括在保護(hù)環(huán)的上方形成層間絕緣膜的絕緣膜形成步驟。制造方法可以包括形成沿著保護(hù)環(huán)設(shè)置成環(huán)狀且貫穿層間絕緣膜的鎢插塞的步驟。制造方法可以包括形成沿著保護(hù)環(huán)在層間絕緣膜的上方設(shè)置成環(huán)狀且與鎢插塞連接的場(chǎng)板的場(chǎng)板形成步驟。

制造方法可以包括在半導(dǎo)體基板的上表面，在被保護(hù)環(huán)包圍的有源區(qū)形成元件電極的元件電極形成步驟。元件電極可以由含有鋁的材料形成。制造方法可以包括在元件電極形成步驟和場(chǎng)板形成步驟之后對(duì)半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)冗M(jìn)行鍍覆而在元件電極上形成鍍層的鍍覆步驟。制造方法可以包括在半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)刃纬杀Ｗo(hù)膜的保護(hù)膜形成步驟。

應(yīng)予說(shuō)明，上述的發(fā)明內(nèi)容未列舉本發(fā)明的所有特征。另外，這些特征群的子組合也能夠成為發(fā)明。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的概要的俯視圖。

圖2是表示半導(dǎo)體裝置100的截面的一個(gè)例子的圖。

圖3是表示半導(dǎo)體裝置100的另一結(jié)構(gòu)例的截面圖。

圖4是鎢插塞56附近的放大截面圖。

圖5是表示半導(dǎo)體基板10的上表面的鎢插塞56的形狀例的圖。

圖6a是表示半導(dǎo)體裝置100的截面的另一例的圖。

圖6b是表示圖6a中示出的半導(dǎo)體裝置100的上表面的一個(gè)例子的圖。

圖7是放大了發(fā)射極20的附近而得到的截面圖。

圖8a是放大了發(fā)射極20的附近的另一例而得到的截面圖。

圖8b是將圖8a的導(dǎo)線42更換成引線框43的例子。

圖9是表示半導(dǎo)體裝置100的制造方法的一個(gè)例子的圖。

符號(hào)說(shuō)明

10：半導(dǎo)體基板

11：有源區(qū)

12：層間絕緣膜

13：半導(dǎo)體元件部

14：柵極結(jié)構(gòu)

16：漂移區(qū)

17：蓄積區(qū)

18：基極區(qū)

19：阱區(qū)

20：發(fā)射極電極

21：襯墊

22：發(fā)射極區(qū)

24：集電極區(qū)

26：集電極電極

30：連接部

32：基底電極

34：空穴吸引插塞

35：連接插塞

36：鍍層

38：保護(hù)膜

40：焊料部

42：導(dǎo)線

43：引線框

44：三重點(diǎn)

50：保護(hù)環(huán)部

52：場(chǎng)板

54：保護(hù)環(huán)

56：鎢插塞

58：連接插塞

100：半導(dǎo)體裝置

具體實(shí)施方式

以下，通過(guò)發(fā)明的實(shí)施方式說(shuō)明本發(fā)明，但以下的實(shí)施方式不限定權(quán)利要求的發(fā)明。另外，實(shí)施方式中說(shuō)明的特征的組合的全部并不限定為發(fā)明的解決方案所必須的。

圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的概要的俯視圖。半導(dǎo)體裝置100具備硅或化合物半導(dǎo)體等的半導(dǎo)體基板10。在半導(dǎo)體基板10設(shè)有有源區(qū)11、襯墊21和1個(gè)以上的保護(hù)環(huán)部50。

在有源區(qū)11形成有igbt(insulatedgatebipolartransistor：絕緣柵雙極型晶體管)、功率mosfet、回流二極管等半導(dǎo)體元件。襯墊21形成于有源區(qū)11內(nèi)或者與有源區(qū)11鄰接的區(qū)域。例如襯墊21與形成于有源區(qū)11的半導(dǎo)體元件的柵極電極電連接。

1個(gè)以上的保護(hù)環(huán)部50在半導(dǎo)體基板10的上表面形成于有源區(qū)11的外側(cè)。在本例中，各保護(hù)環(huán)部50以包圍有源區(qū)11的方式形成為同心狀。

至少一個(gè)保護(hù)環(huán)部50具有沿著保護(hù)環(huán)部50形成為環(huán)狀的鎢插塞(tungstenplug)56。在本例中，在各保護(hù)環(huán)部50分別設(shè)有2根鎢插塞56。

圖2是表示半導(dǎo)體裝置100的截面的一個(gè)例子的圖。在圖2中，示出有源區(qū)11和保護(hù)環(huán)部50的邊界附近的局部截面圖。在圖2中，示出一個(gè)保護(hù)環(huán)部50，但在半導(dǎo)體裝置100中，可以在半導(dǎo)體基板10的上表面呈同心狀地形成有多個(gè)保護(hù)環(huán)部50。本例中的半導(dǎo)體裝置100在有源區(qū)11具有igbt。在半導(dǎo)體基板10形成有漂移區(qū)16。漂移區(qū)16具有n-型的導(dǎo)電型。應(yīng)予說(shuō)明，各層或各區(qū)域的導(dǎo)電型也可以相反。

在漂移區(qū)16下形成有p+型的集電極區(qū)24。在集電極區(qū)24下形成有集電極電極26。在有源區(qū)11中，在漂移區(qū)16上形成有p型的基極區(qū)18?；鶚O區(qū)18可以與形成于有源區(qū)11的外側(cè)的p+型的阱區(qū)19連接。在基極區(qū)18上形成有n+型的發(fā)射極區(qū)22。

在半導(dǎo)體基板10的上表面形成有貫穿發(fā)射極區(qū)22和基極區(qū)18的多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)14。各柵極結(jié)構(gòu)14在貫穿發(fā)射極區(qū)22和基極區(qū)18的溝槽內(nèi)具有柵極絕緣膜和柵極電極。柵極絕緣膜以覆蓋溝槽內(nèi)壁的方式形成。柵極電極在溝槽內(nèi)被柵極絕緣膜包覆。柵極電極至少形成在與基極區(qū)18相對(duì)的范圍。如果對(duì)柵極電極施加預(yù)定的導(dǎo)通電壓，則在與柵極電極相對(duì)的基極區(qū)18形成溝道。

半導(dǎo)體基板10的上表面被層間絕緣膜12覆蓋。在有源區(qū)11中，在層間絕緣膜12上形成有作為元件電極的一個(gè)例子的發(fā)射極電極20。發(fā)射極電極20通過(guò)以貫穿層間絕緣膜12的方式設(shè)置的連接部30與發(fā)射極區(qū)22電連接。

連接部30可以是由鎢形成的插塞。由此，能夠以微細(xì)的間距設(shè)置連接部30，能夠使半導(dǎo)體裝置100微細(xì)化。

保護(hù)環(huán)部50具有保護(hù)環(huán)54、層間絕緣膜12、場(chǎng)板52和鎢插塞56。保護(hù)環(huán)54是以與半導(dǎo)體基板10的上表面接觸的方式形成在半導(dǎo)體基板10內(nèi)的p+型的區(qū)域。保護(hù)環(huán)54以包圍有源區(qū)11的方式呈環(huán)狀地形成在半導(dǎo)體基板10的上表面。通過(guò)設(shè)置保護(hù)環(huán)54，能夠在關(guān)斷時(shí)使在半導(dǎo)體基板10的上表面?zhèn)犬a(chǎn)生的耗盡層延伸到有源區(qū)11的外側(cè)。由此，抑制電場(chǎng)集中到有源區(qū)11的端部，使耐壓性提高。

在保護(hù)環(huán)部50中，層間絕緣膜12形成在保護(hù)環(huán)54的上方。層間絕緣膜12例如是場(chǎng)氧化膜。場(chǎng)板52以與保護(hù)環(huán)54相對(duì)的方式設(shè)置于層間絕緣膜12的上方。

場(chǎng)板52以沿著保護(hù)環(huán)54的方式形成為環(huán)狀。在與半導(dǎo)體基板10的上表面平行的面中，場(chǎng)板52的至少一個(gè)端邊以比保護(hù)環(huán)54的端邊突出的方式設(shè)置。通過(guò)對(duì)場(chǎng)板52施加電壓，能夠控制在半導(dǎo)體基板10的上表面?zhèn)犬a(chǎn)生的耗盡層的擴(kuò)展。

鎢插塞56貫穿層間絕緣膜12而將場(chǎng)板52與保護(hù)環(huán)54電連接。鎢插塞56可以通過(guò)與連接部30的同一工序形成。

鎢插塞56以沿著保護(hù)環(huán)54的方式形成為環(huán)狀。通過(guò)呈環(huán)狀連續(xù)地形成鎢插塞56，與分散地設(shè)置鎢插塞56的情況相比，能夠提高保護(hù)環(huán)54和場(chǎng)板52的電連接的可靠性。另外，能夠?qū)φ麄€(gè)保護(hù)環(huán)54施加均等的電位。

在本例中，對(duì)于一組場(chǎng)板52和保護(hù)環(huán)54形成有2個(gè)以上的鎢插塞56。2個(gè)以上的鎢插塞56在半導(dǎo)體基板10的上表面呈同心狀地配置。另外，各鎢插塞56也可以沿下述矩形配置，該矩形是4個(gè)角為圓弧狀、用直線連接相鄰的4個(gè)角并且使角變圓了的矩形。通過(guò)設(shè)置2個(gè)以上的鎢插塞56，能夠進(jìn)一步提高場(chǎng)板52和保護(hù)環(huán)54的電連接的可靠性。另外，能夠使保護(hù)環(huán)54中的電位分布變得均等。

另外，在通過(guò)蝕刻形成鎢插塞56時(shí)，如果增大鎢插塞56的直徑或?qū)挾?，則在蝕刻時(shí)鎢插塞56也會(huì)被除去。如本例所示，通過(guò)設(shè)置多個(gè)直徑小的或?qū)挾日逆u插塞56，能夠容易地形成鎢插塞56，并且能夠增加與場(chǎng)板52和保護(hù)環(huán)54的接觸面積。

場(chǎng)板52可以由鎢形成。此時(shí)，場(chǎng)板52的表面被自然氧化而成為wo3。由此，與使用鋁等的情況相比，耐蝕性提高。

應(yīng)予說(shuō)明，場(chǎng)板52可以與鎢插塞56一體地形成。例如，在層間絕緣膜12形成插塞用的開(kāi)口之后，在層間絕緣膜12上形成鎢膜。并且，根據(jù)場(chǎng)板52的形狀，通過(guò)光刻法等使鎢膜圖案化。由此，能夠用同一工序形成鎢插塞56和場(chǎng)板52。

另外，優(yōu)選在有源區(qū)11形成柵極結(jié)構(gòu)14等且在層間絕緣膜12設(shè)置了插塞用的開(kāi)口之后，形成場(chǎng)板52。作為比較例，在由多晶硅形成場(chǎng)板的情況下，為了不增加工序數(shù)，有時(shí)用同一工序形成柵極結(jié)構(gòu)14的多晶硅電極和場(chǎng)板。此時(shí)，在形成了場(chǎng)板之后形成層間絕緣膜和插塞用的開(kāi)口。

但是，在形成了場(chǎng)板之后形成層間絕緣膜和開(kāi)口的情況下，由于場(chǎng)板的高低差而導(dǎo)致難以在場(chǎng)板的附近進(jìn)行微細(xì)的加工。因此，在形成微細(xì)結(jié)構(gòu)的有源區(qū)的情況下，必須增加場(chǎng)板與有源區(qū)之間的間隔，芯片尺寸會(huì)增大。

相對(duì)于此，通過(guò)在設(shè)置了層間絕緣膜12和開(kāi)口之后形成場(chǎng)板52，能夠在有源區(qū)11的附近形成場(chǎng)板52。因此，能夠縮小芯片尺寸。

優(yōu)選用同一工序形成場(chǎng)板52、鎢插塞56和連接部30。由此，能夠縮短制造工序。然而，場(chǎng)板52的材質(zhì)不限于鎢。場(chǎng)板52可以由與發(fā)射極電極20相同的材料形成，也可以由其它材料形成。

圖3是表示半導(dǎo)體裝置100的另一結(jié)構(gòu)例的截面圖。本例的半導(dǎo)體裝置100相對(duì)于圖2中示出的半導(dǎo)體裝置100還具備基底電極32。其它結(jié)構(gòu)與圖2中示出的半導(dǎo)體裝置100相同。在本例中，基底電極32、場(chǎng)板52和連接部30由鎢形成。

基底電極32設(shè)置在發(fā)射極電極20與層間絕緣膜12之間。優(yōu)選基底電極32通過(guò)與場(chǎng)板52的同一工序形成。

圖4是鎢插塞56附近的放大截面圖。相鄰的2個(gè)鎢插塞56的距離l1可以比1根鎢插塞56的寬度l2大。作為一個(gè)例子，一個(gè)鎢插塞56的寬度l2為0.4μm以上且0.6μm以下。另外，鎢插塞56的距離l1為0.8μm以上且1.2μm以下。

如果使距離l1比寬度l2大，則被夾在相鄰的鎢插塞56之間的層間絕緣膜12的形狀穩(wěn)定，可抑制鎢插塞56的形成不良。因此，接觸電阻穩(wěn)定，元件耐壓性和/或在未流動(dòng)電流的關(guān)斷狀態(tài)下的泄漏電流等電特性的長(zhǎng)期可靠性提高。另外，即便使鎢插塞56為如條紋狀或環(huán)狀那樣在長(zhǎng)度較長(zhǎng)方向的長(zhǎng)度比較大的形狀，也能夠抑制鎢插塞56的形狀的潰散。鎢插塞56的高度l3可以是與寬度l2相同的程度，或者可以比寬度l2短?；蛘?，高度l3可以為寬度l2的70％以上，也可以為80％以上。由此，能夠沒(méi)有空隙地將鎢埋入到形成于層間絕緣膜12的槽中。

圖5是表示半導(dǎo)體基板10的上表面的鎢插塞56的形狀例的圖。保護(hù)環(huán)部50還可以具有將相鄰的2個(gè)鎢插塞56連接的連接插塞58。連接插塞58由導(dǎo)電材料形成。由此，能夠使相鄰的2個(gè)鎢插塞56中的電位分布變得均等。

連接插塞58在設(shè)置成環(huán)狀的鎢插塞56的環(huán)繞方向可以分散地設(shè)有多個(gè)。由此，即使在因制造偏差等而導(dǎo)致鎢插塞56在環(huán)繞方向斷開(kāi)的情況下，也能夠使鎢插塞56中的電位分布變得均等。

連接插塞58可以形成到與鎢插塞56相同的深度。連接插塞58可以由鎢形成。連接插塞58可以通過(guò)與鎢插塞56的同一工序形成。

圖6a是表示半導(dǎo)體裝置100的截面的另一例的圖。本例的半導(dǎo)體裝置100除了圖2中示出的半導(dǎo)體裝置100的構(gòu)成以外，還具備1個(gè)以上的空穴吸引插塞34。

空穴吸引插塞34由鎢形成?？昭ㄎ迦?4在形成有柵極結(jié)構(gòu)14和發(fā)射極區(qū)22等的半導(dǎo)體元件部13與保護(hù)環(huán)部50之間貫穿層間絕緣膜12?？昭ㄎ迦?4將發(fā)射極電極20與阱區(qū)19電連接。

通過(guò)如上的構(gòu)成，能夠在半導(dǎo)體元件部13與保護(hù)環(huán)部50之間有效地吸引空穴。因此，能夠使半導(dǎo)體元件部13的工作高速化。另外，由于由鎢形成空穴吸引插塞34，所以即使在半導(dǎo)體元件部13與保護(hù)環(huán)部50之間的距離短的微細(xì)結(jié)構(gòu)中，也能夠容易地形成空穴吸引插塞34。

空穴吸引插塞34可以以包圍半導(dǎo)體元件部13的方式形成為環(huán)狀，也可以分散地形成在半導(dǎo)體元件部13的周圍。另外，可以以包圍半導(dǎo)體元件部13的方式呈同心狀地形成有多個(gè)空穴吸引插塞34。優(yōu)選空穴吸引插塞34通過(guò)與鎢插塞56的同一工序形成。

圖6b是表示圖6a中示出的半導(dǎo)體裝置100的上表面的一個(gè)例子的圖。應(yīng)予說(shuō)明，圖6a中示出的截面圖與圖6b中的a-a截面相對(duì)應(yīng)。另外，圖6b所示的半導(dǎo)體裝置100具有6根空穴吸引插塞34。

在圖6b中示出漂移區(qū)16、基極區(qū)18、阱區(qū)19、柵極結(jié)構(gòu)14、空穴吸引插塞34、連接插塞35、鎢插塞56、連接插塞58和場(chǎng)板52，省略其它結(jié)構(gòu)。例如，如圖6a所示，在形成于被夾在柵極結(jié)構(gòu)14之間的區(qū)域的基極區(qū)18的上表面的至少一部分區(qū)域使發(fā)射極區(qū)22露出，但在圖6b中省略。在形成于被夾在柵極結(jié)構(gòu)14之間的區(qū)域的基極區(qū)18的上表面，可以沿著柵極結(jié)構(gòu)14的溝槽的延伸方向交替形成發(fā)射極區(qū)22與p+型的接觸區(qū)。

在本例中，各空穴吸引插塞34與柵極結(jié)構(gòu)14的溝槽的延伸方向平行地配置?？昭ㄎ迦?4設(shè)置于在半導(dǎo)體裝置100開(kāi)關(guān)時(shí)流動(dòng)空穴的區(qū)域。另外，連接插塞35將相鄰的2個(gè)空穴吸引插塞34連接。對(duì)于連接插塞35而言，可以在相鄰的2個(gè)空穴吸引插塞34之間，在空穴吸引插塞34的延伸方向分散地設(shè)有多個(gè)。由此，能夠消除空穴吸引插塞34之間的電流不平衡，能夠提高關(guān)斷耐量。

相鄰的空穴吸引插塞34之間的長(zhǎng)度(即，相鄰的空穴吸引插塞34之間的距離)可以比半導(dǎo)體元件部13中相鄰的連接部30之間的長(zhǎng)度(即，相鄰的連接部30間的距離)短。由此，能夠進(jìn)一步提高關(guān)斷耐量。此外，半導(dǎo)體元件部13在被柵極結(jié)構(gòu)14的溝槽所夾的區(qū)域中，在基極區(qū)18的下方可以具備濃度比漂移區(qū)16的濃度高的n型的蓄積區(qū)17。另外，可以在空穴吸引插塞34的下方不具備n型的蓄積區(qū)17。由此，能夠進(jìn)一步降低導(dǎo)通電壓，并且進(jìn)一步提高關(guān)斷耐量。

應(yīng)予說(shuō)明，如圖5所示，可以形成連接2個(gè)以上的環(huán)狀的鎢插塞56的連接插塞58。另外，在柵極結(jié)構(gòu)14的溝槽與多個(gè)空穴吸引插塞34之間也可以設(shè)有連接部30。連接部30連接到基極區(qū)18。該連接部30與相鄰的空穴吸引插塞34可以通過(guò)連接插塞35連接。

圖7是放大了發(fā)射極電極20的附近而得到的截面圖。本例的半導(dǎo)體裝置100還具有鍍層36、保護(hù)膜38、焊料部40和導(dǎo)線42。鍍層36形成在發(fā)射極電極20上。

鍍層36例如含有鎳，利用化學(xué)鍍等方法形成。鍍層36形成在發(fā)射極電極20的整個(gè)上表面。鍍層36可以比發(fā)射極電極20厚，也可以比發(fā)射極電極20薄。為了防止鎳的氧化，可以在鎳表面形成置換au(金)鍍層。

發(fā)射極20由比場(chǎng)板52更容易鍍覆的材料形成。例如發(fā)射極電極20由鋁或含有鋁的合金形成。作為一個(gè)例子，發(fā)射極電極20由alsi合金形成。另外，本例中的場(chǎng)板52由鎢或含有鎢的合金形成。由于鎢是穩(wěn)定的材料，所以即使利用預(yù)處理除去鎢表面的氧化被膜而使表面有源化，在有源化后的水洗中氧化膜也會(huì)迅速形成。因此，難以在場(chǎng)板52的表面形成鍍層。

保護(hù)膜38在形成鍍層36之后形成于半導(dǎo)體基板10的整個(gè)上方。然而，保護(hù)膜38在鍍層36上覆蓋鍍層36的一部分區(qū)域。以使鍍層36的一部分區(qū)域露出的方式在保護(hù)膜38形成開(kāi)口。保護(hù)膜38例如由聚酰亞胺形成。保護(hù)膜38也可以形成在場(chǎng)板52上。

焊料部40形成在保護(hù)膜38的開(kāi)口部分，將導(dǎo)線42與鍍層36電連接。在本例中，由于場(chǎng)板52由鎢等形成，所以在形成鍍層36的情況下，即使不用保護(hù)膜等覆蓋場(chǎng)板52，也能夠在發(fā)射極電極20選擇性地形成鍍層36。并且，由于在形成鍍層36之后形成保護(hù)膜38和開(kāi)口，所以能夠在鍍層36上形成開(kāi)口。即，由于開(kāi)口的側(cè)壁在鍍層36的上表面終止，所以能夠防止焊料部40等沿著開(kāi)口的側(cè)壁到達(dá)發(fā)射極電極20。由此，能夠保護(hù)發(fā)射極電極20等。應(yīng)予說(shuō)明，保護(hù)膜38的開(kāi)口、焊料部40和導(dǎo)線42可以分散地形成多組。

圖8a是放大了發(fā)射極電極20的附近的另一例而得到的截面圖。在本例中，在發(fā)射極電極20上形成有保護(hù)膜38。另外，形成于保護(hù)膜38的開(kāi)口的側(cè)壁在發(fā)射極電極20的上表面終止。在開(kāi)口內(nèi)形成有鍍層36、焊料部40和導(dǎo)線42。鍍層36以保護(hù)膜38為掩模而形成。圖8b是將圖8a的導(dǎo)線42更換成引線框43的例子。

在圖8a和圖8b的例子中，存在保護(hù)膜38、鍍層36和發(fā)射極電極20的各端部重疊的三重點(diǎn)44。因此，焊料部40的焊料等有時(shí)穿過(guò)保護(hù)膜38的側(cè)壁與鍍層36的側(cè)壁之間而到達(dá)發(fā)射極電極20。在圖7所示出的例子中，由于不存在三重點(diǎn)44，所以如上所述，能夠提高發(fā)射極電極20等的可靠性。應(yīng)予說(shuō)明，在圖7的例子中，也可以將導(dǎo)線42更換成引線框43。

另外，在圖8a和圖8b所示出的例子中，由于在形成保護(hù)膜38之后形成鍍層36，所以如果在高溫下進(jìn)行鍍覆，則有可能給保護(hù)膜38造成損傷。因此，成為在低溫下形成鍍層36，而這樣有效地形成鍍層36比較困難。與此相對(duì)，在圖7的例子中，能夠在高溫下形成鍍層36。

圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的制造方法的一個(gè)例子的圖。首先，在元件形成步驟s900中，形成半導(dǎo)體基板10中的各雜質(zhì)區(qū)域和柵極結(jié)構(gòu)14。另外，元件形成步驟s900包括形成層間絕緣膜12的絕緣膜形成步驟和形成保護(hù)環(huán)54的保護(hù)環(huán)形成步驟。

接下來(lái)，在鎢形成步驟s902中，在層間絕緣膜12形成貫穿孔之后在層間絕緣膜12上沉積鎢。由此，形成貫穿間絕緣膜12的鎢插塞56和連接部30。另外，鎢形成步驟s902包括形成場(chǎng)板52的場(chǎng)板形成步驟。在s902中，使沉積在層間絕緣膜12上的鎢圖案化而形成場(chǎng)板52。

接下來(lái)，在元件電極形成步驟s904中，利用含有鋁的材料在有源區(qū)11中的半導(dǎo)體基板10的上表面的上方形成發(fā)射極電極20。如圖3所示，也可以在基底電極32上形成發(fā)射極電極20。此時(shí)，在鎢形成步驟s902中形成基底電極32。

接著，在鍍覆步驟s906中，在半導(dǎo)體基板10的上表面?zhèn)刃纬慑儗?6。此時(shí)，也可以不形成覆蓋場(chǎng)板52的掩模。通過(guò)鍍覆步驟s906，在發(fā)射極電極20的上表面選擇性地形成鍍層36。

接下來(lái)，在基板厚度調(diào)整步驟s908中，根據(jù)預(yù)定的耐壓性磨削半導(dǎo)體基板10的下表面?zhèn)龋{(diào)整半導(dǎo)體基板10的厚度。接下來(lái)，在保護(hù)膜形成步驟s910中，在半導(dǎo)體基板10的上表面?zhèn)刃纬杀Ｗo(hù)膜38。保護(hù)膜38的形成也可以在基板厚度的調(diào)整之前進(jìn)行。

接著，在下表面電極形成步驟s912中，在半導(dǎo)體基板10的下表面形成集電極電極等。另外，在保護(hù)膜38的預(yù)定的位置形成開(kāi)口，形成焊料部40和導(dǎo)線42。

通過(guò)如上的方法，能夠制造使用了鎢插塞56的半導(dǎo)體裝置100。另外，能夠制造具有圖7所示出的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置100。

以上，使用實(shí)施方式說(shuō)明了本發(fā)明，但本發(fā)明的技術(shù)的范圍不限于上述實(shí)施方式中記載的范圍。對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行各種變更或改良對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是明確的。根據(jù)權(quán)利要求書(shū)的記載可知其進(jìn)行了各種變更或改良的方式也包括在本發(fā)明的技術(shù)方案內(nèi)。

在本說(shuō)明書(shū)中，“上”、“下”、“上方”、“下方”、“上表面”、“下表面”這些用語(yǔ)不限于重力方向的上下。這些用語(yǔ)表示在任意軸的相對(duì)的方向。