本發(fā)明涉及顯示發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及電致發(fā)光裝置及其制備方法。

背景技術(shù)：

有源矩陣平板顯示(照明)技術(shù)，利用晶體管搭配電容存儲(chǔ)信號(hào)，來(lái)控制像素的亮度和灰階表現(xiàn)，具有可大尺寸化，較省電，高解析度，面板壽命較長(zhǎng)等特點(diǎn)，因此在顯示技術(shù)、照明技術(shù)領(lǐng)域得到了高度重視。

該技術(shù)中，晶體管形成驅(qū)動(dòng)陣列電路，決定像素的發(fā)光情況，進(jìn)而決定圖像的構(gòu)成。集成在驅(qū)動(dòng)陣列電路上的發(fā)光元件可以是主動(dòng)發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)、發(fā)光二極管(lightemittingdisplay，led)等，也可以是被動(dòng)發(fā)光的液晶(lc)單元。然而，發(fā)光元件的精密度非常高，發(fā)光元件制備過(guò)程中的任何失誤都極易導(dǎo)致整塊面板的報(bào)廢，不僅會(huì)增加生產(chǎn)成本，也會(huì)影響產(chǎn)能。例如，oled為多個(gè)功能層層疊結(jié)構(gòu)，在oled的制備過(guò)程中，可能會(huì)因?yàn)檎翦兡骋粚訒r(shí)的對(duì)位異常，而產(chǎn)生像素壞點(diǎn)，從而導(dǎo)致整個(gè)面板的報(bào)廢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中由于發(fā)光元件的制備異常而導(dǎo)致整個(gè)基板報(bào)廢的缺陷。

鑒于此，本發(fā)明提供一種電致發(fā)光裝置，包括基板；設(shè)置在所述基板上的驅(qū)動(dòng)陣列層；依次疊置在所述驅(qū)動(dòng)陣列層上的絕緣性隔離層和發(fā)光元件陣列層；所述發(fā)光元件陣列層中的電極與所述驅(qū)動(dòng)陣列層中的電極電連接。

可選地，所述隔離層上包含有第一導(dǎo)電層。

可選地，所述隔離層為形狀記憶高分子材料層。

可選地，所述形狀記憶高分子材料為熱致型或電致感應(yīng)型。

可選地，所述隔離層上開(kāi)設(shè)有通孔，所述發(fā)光元件陣列層通過(guò)所述通孔與所述驅(qū)動(dòng)陣列層電連接。

可選地，所述驅(qū)動(dòng)陣列層上部還直接設(shè)置有平坦化層，所述平坦化層上疊置有導(dǎo)電層。

可選地，所述導(dǎo)電層的功函數(shù)大于4.7ev。

本發(fā)明還提供一種電致發(fā)光裝置的制備方法，包括以下步驟：

在基板上形成驅(qū)動(dòng)陣列層；

在所述驅(qū)動(dòng)陣列層上形成絕緣性隔離層；

在所述隔離層上形成發(fā)光元件陣列層，發(fā)光元件陣列層中的電極與所述驅(qū)動(dòng)陣列層中的電極電連接；

對(duì)所述發(fā)光元件陣列層的性能進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試結(jié)果對(duì)所述電致發(fā)光裝置進(jìn)行處理。

可選地，所述隔離層通過(guò)溶液法制備。

可選地，所述根據(jù)所述性能測(cè)試結(jié)果對(duì)所述電致發(fā)光裝置進(jìn)行處理的步驟包括：

在測(cè)試合格的情況下，對(duì)所述電致發(fā)光裝置進(jìn)行封裝；

在測(cè)試不合格的情況下，剝離所述隔離層。

本發(fā)明的技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1.本發(fā)明提供的電致發(fā)光裝置，包括：基板；設(shè)置在所述基板上的驅(qū)動(dòng)陣列層；依次疊置在所述驅(qū)動(dòng)陣列層上的絕緣性隔離層和發(fā)光元件陣列層；所述發(fā)光元件陣列層與所述驅(qū)動(dòng)陣列層電連接。通過(guò)在驅(qū)動(dòng)陣列層與發(fā)光元件陣列層之間疊置絕緣性隔離層，在不損壞器件的情況下，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)陣列層與發(fā)光元件陣列層的分離，從而提高驅(qū)動(dòng)陣列層的回收利用率。

2.本發(fā)明提供的電致發(fā)光裝置，通過(guò)疊置有功函數(shù)大于4.7ev導(dǎo)電層，有效保證了陣列的發(fā)光效果。

3.本發(fā)明提供的電致發(fā)光裝置的制備方法，包括以下步驟：在基板上形成驅(qū)動(dòng)陣列層；在所述驅(qū)動(dòng)陣列層上形成隔離層；在所述隔離層上形成發(fā)光元件陣列層，所述發(fā)光元件陣列層與所述驅(qū)動(dòng)陣列層電連接；對(duì)所述發(fā)光元件陣列層的性能進(jìn)行測(cè)試，根據(jù)測(cè)試結(jié)果對(duì)所述電致發(fā)光裝置進(jìn)行處理；在測(cè)試合格的情況下，對(duì)所述電致發(fā)光裝置進(jìn)行封裝；在測(cè)試不合格的情況下，剝離所述隔離層。通過(guò)在驅(qū)動(dòng)陣列層與發(fā)光元件陣列層之間疊置絕緣性隔離層，在不損壞器件的情況下，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)陣列層與發(fā)光元件陣列層的分離，從而增加驅(qū)動(dòng)陣列層的回收利用率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例2中電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例3中電致發(fā)光裝置的制備方法流程圖；

附圖標(biāo)記：圖1：10-驅(qū)動(dòng)陣列層；11-基板；20-隔離層；21-通孔；30-第一導(dǎo)電層；40-發(fā)光元件陣列層；

圖2：10-驅(qū)動(dòng)陣列層；11-基板；20-隔離層；21-通孔；30-第一導(dǎo)電層；40-發(fā)光元件陣列層；50-平坦化層；60-第二導(dǎo)電層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種電致發(fā)光裝置，如圖1所示，包括基板11以及設(shè)置在基板11上的驅(qū)動(dòng)陣列層10。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)陣列層10為tft陣列層。本實(shí)施例中的基板11選自但不限于玻璃基板，所有能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明目的的均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

本實(shí)施例中，在驅(qū)動(dòng)陣列層10上依次疊置有絕緣性隔離層20和發(fā)光元件陣列層40。發(fā)光元件陣列層40中包括若干陣列排布的發(fā)光元件，該發(fā)光元件選自但不限于液晶單元、led、oled中的一種。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例，該發(fā)光元件為oled，即發(fā)光元件陣列層為oled陣列層40。

本實(shí)施的電致發(fā)光裝置，通過(guò)在隔離層20上開(kāi)設(shè)的貫通隔離層20的通孔21，實(shí)現(xiàn)oled陣列層40中的第一導(dǎo)電層30通過(guò)該通孔21與驅(qū)動(dòng)陣列層10電連接。但是，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于此，所有能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明中oled陣列層40與驅(qū)動(dòng)陣列層10中電連接的方式，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

oled陣列層40包括若干陣列排布的oled，驅(qū)動(dòng)陣列層10包括若干與oled陣列層40中的oled對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路陣列，各oled的第一導(dǎo)電層30與之對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路電連接。

該絕緣性隔離層20為形狀記憶高分子材料層，其受外力影響下易發(fā)生形變，從而使得驅(qū)動(dòng)陣列層10與oled陣列層40的分離，但是本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于此，所有能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明分離目的的材料均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為本發(fā)明的可選實(shí)施例，形狀記憶高分子材料為熱致型或電致感應(yīng)型。本實(shí)施例中以熱致型形狀記憶高分子材料為例，進(jìn)行詳細(xì)介紹。本實(shí)施例中的形狀記憶高分子材料選自但不限于聚苯乙烯、聚苯胺脂、聚氯乙烯中的至少一種。

本實(shí)施例中的熱致型形狀記憶高分子材料，對(duì)其加熱至120℃以上，使其發(fā)生變形，從而使得驅(qū)動(dòng)陣列層10與oled陣列層40的分離。本實(shí)施例中，在oled陣列層40的制備不合格的情況下，該分離能夠提高驅(qū)動(dòng)陣列層10的利用率，從而節(jié)約成本，使用方便。

oled陣列層40中的第一導(dǎo)電層30選用高功函數(shù)的金屬材料制成,即金屬材料的功函數(shù)大于4.7ev，例如該材料可以為金或鈹,從而降低該第一導(dǎo)電層30和空穴注入層之間的勢(shì)壘，改善空穴的注入效果，進(jìn)而改善器件的性能。

本實(shí)施例中的發(fā)光元件可以制作成頂發(fā)光器件，即oled陣列層40的出光面遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)陣列層10設(shè)置。因此，隔離層20可以為透明或不透明材料層，都能夠保證該電致發(fā)光裝置的顯示效果。

本實(shí)施例中的發(fā)光元件也可以制作成底發(fā)光器件，其中隔離層20為透明材料層，從而保證了該電致發(fā)光裝置的開(kāi)口率與顯示效果。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供一種電致發(fā)光裝置，如圖2所示，其結(jié)構(gòu)同實(shí)施例1，不同的是：該電致發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)陣列層10上部還直接設(shè)置有平坦化層50，該平坦化層50上疊置有第二導(dǎo)電層60。

第二導(dǎo)電層60的功函數(shù)大于4.7ev,即選用高功函數(shù)金屬材料制作，例如該材料可以為金或鈹。第二導(dǎo)電層60與發(fā)光元件陣列層40中的第一導(dǎo)電層30形成并聯(lián)結(jié)構(gòu)，降低發(fā)光元件陣列層40與驅(qū)動(dòng)陣列層10之間電阻阻值的同時(shí)，能夠有效降低第二導(dǎo)電層60和空穴注入層之間的勢(shì)壘，改善空穴的注入效果，進(jìn)而改善器件的性能。

本實(shí)施例中，電致發(fā)光裝置的其余結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照實(shí)施例1，在此不再贅述。

實(shí)施例3

本實(shí)施例提供一種電致發(fā)光裝置的制備方法，如圖3所示，包括以下步驟：

s10：在基板上制備驅(qū)動(dòng)陣列層。

在基板11上形成驅(qū)動(dòng)陣列層10，作為本發(fā)明的一種可選實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)陣列層10為tft陣列層。本實(shí)施例中的基板11選自但不限于玻璃基板，所有能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明目的的均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

s20：在驅(qū)動(dòng)陣列成上形成絕緣性隔離層。

在驅(qū)動(dòng)陣列層10上形成隔離層20，通過(guò)光刻或刻蝕工藝圖案化形成貫穿隔離層20露出驅(qū)動(dòng)陣列層電極的通孔21。該方法中的隔離層20制備方法選自但不限于溶液法，現(xiàn)有技術(shù)中所有能夠制備該隔離層20的方法均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。本實(shí)施例中，通過(guò)涂布等工藝在驅(qū)動(dòng)陣列層10上形成隔離層20，在通過(guò)低溫烘干，使其固化。該烘干溫度低于隔離層20的形變溫度，一般低于120℃。

進(jìn)一步地，s20步驟之前還包括有在驅(qū)動(dòng)陣列層10上部依次疊置設(shè)置有平坦化層50和第二導(dǎo)電層60的步驟。

本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層60選用功函數(shù)大于4.7ev的材料，從而降低第二導(dǎo)電層60和空穴注入層之間的勢(shì)壘，改善空穴的注入效果，進(jìn)而改善器件的性能。例如該導(dǎo)電層60的材料可以為金或鈹。

s30：在隔離層上制備發(fā)光元件陣列層40。

在隔離層上制備發(fā)光元件陣列層40，發(fā)光元件陣列層40中包括若干陣列排布的發(fā)光元件，該發(fā)光元件選自但不限于液晶單元、led，oled中的一種。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例，該發(fā)光元件為oled，即發(fā)光元件陣列層為oled陣列層40。通過(guò)在隔離層20上開(kāi)設(shè)的貫通隔離層20的通孔21，實(shí)現(xiàn)發(fā)光元件陣列層40中的第一導(dǎo)電層30通過(guò)該通孔21與驅(qū)動(dòng)陣列層10電連接。

s40：確認(rèn)發(fā)光元件陣列層40的制備效果。

經(jīng)過(guò)通電測(cè)試該發(fā)光元件陣列層，即本實(shí)施例中的oled陣列層40是否能夠點(diǎn)亮，是否存在壞點(diǎn)等，并根據(jù)該測(cè)試結(jié)果對(duì)該電致發(fā)光裝置進(jìn)行處理。

若測(cè)試不合格，則執(zhí)行步驟s42；

s42：剝離隔離層20。

該絕緣性隔離層20為形狀記憶高分子材料層，在外部條件影響下，如高溫、外力、通電等，容易發(fā)生形變，從而使得驅(qū)動(dòng)陣列層10與發(fā)光元件陣列層40的分離，但是本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于此，所有能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明分離目的的材料均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為本發(fā)明的可選實(shí)施例，形狀記憶高分子材料為熱致型或電致感應(yīng)型。本實(shí)施例中以熱致型形狀記憶高分子材料為例，進(jìn)行詳細(xì)介紹。本實(shí)施例中的形狀記憶高分子材料選自但不限于聚苯乙烯、聚苯胺脂、聚氯乙烯中的至少一種。

本實(shí)施例中的熱致型形狀記憶高分子材料，對(duì)其加熱至120℃以上，使其發(fā)生變形，從而使得驅(qū)動(dòng)陣列層10與oled陣列層40的分離。

在本實(shí)施例中的oled陣列層40的制備效果不合格的情況下，驅(qū)動(dòng)陣列層與oled陣列層40的分離能夠提高驅(qū)動(dòng)陣列層10的利用率，從而節(jié)約成本，使用方便。

剝離隔離層20后，繼續(xù)執(zhí)行步驟s30。

再執(zhí)行步驟s40，若測(cè)試合格，則執(zhí)行步驟s41；

s41：對(duì)該電致發(fā)光裝置進(jìn)行封裝。

本實(shí)施例中的制備方法，能夠在oled的制備過(guò)程中，及時(shí)發(fā)現(xiàn)oled的制備缺陷，通過(guò)隔離層實(shí)現(xiàn)oled陣列層40與驅(qū)動(dòng)陣列層10的分離，從而提高驅(qū)動(dòng)陣列的利用率，節(jié)約成本。

本實(shí)施例中的發(fā)光元件可以制作成頂發(fā)光器件，由于隔離材料層設(shè)置在oled陣列層40與驅(qū)動(dòng)陣列層10之間，因此，隔離層20可以為透明或不透明材料層，都能夠保證該電致發(fā)光裝置的顯示效果。

本實(shí)施例中的發(fā)光元件也可以制作成底發(fā)光器件，其中隔離層20為透明材料層，從而保證了該電致發(fā)光裝置的開(kāi)口率與顯示效果。

本實(shí)施例中，電致發(fā)光裝置的其余結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照實(shí)施例1，在此不再贅述。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。