1.一種薄膜晶體管，包括形成在襯底上的源電極、漏電極和有源層，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：
至少分布在所述有源層的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形與所述溝道區(qū)接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：
與所述有源層的源電極接觸區(qū)接觸且與所述第一導(dǎo)電圖形間隔開的第二導(dǎo)電圖形；和/或
與所述有源層的漏電極接觸區(qū)接觸且與所述第一導(dǎo)電圖形間隔開的第三導(dǎo)電圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電圖形呈陣列排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，每一所述第一導(dǎo)電圖形的延伸方向與從所述源電極到所述漏電極的第一方向平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導(dǎo)電圖形、所述第二導(dǎo)電圖形和所述第三導(dǎo)電圖形均是金屬納米線。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，每一所述第一導(dǎo)電圖形的長度為Lx，在第一方向上相鄰第一導(dǎo)電圖形之間的間距為Ly，Ly/Lx的取值為0.3～0.7。
7.一種顯示基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6中任一項所述的薄膜晶體管。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的顯示基板。
9.一種薄膜晶體管的制作方法，包括在襯底上形成源電極、漏電極和有源層的步驟，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，其特征在于，所述制作方法還包括：
形成至少分布在所述有源層的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形與所述溝道區(qū)接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，形成所述第一導(dǎo)電圖形的步驟包括：
在待形成所述第一導(dǎo)電圖形的襯底上涂覆光刻膠；
通過壓印將模板上的圖案轉(zhuǎn)印在光刻膠上，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)所述圖案；
沉積導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包括位于光刻膠保留區(qū)域上的第一部分和位于光刻膠未保留區(qū)域與所述襯底相接觸的第二部分；
對光刻膠進行曝光顯影，去除光刻膠保留區(qū)域的光刻膠和所述第一部分，保留所述第二部分形成所述第一導(dǎo)電圖形。