本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有TFT-LCD(薄膜晶體管液晶顯示器)行業(yè)中低世代線采用的陣列基板曝光設(shè)備精度普遍較低，使得TFT(薄膜晶體管)溝道長(zhǎng)度L比較長(zhǎng)，無法進(jìn)一步縮短，由于薄膜晶體管的開態(tài)電流與TFT的溝道寬長(zhǎng)比W/L成正比，因此，會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管的開態(tài)電流比較小；隨著高端顯示產(chǎn)品PPI(像素密度)越來越高，為了滿足顯示產(chǎn)品的充電率需求，需要提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，因此需要將薄膜晶體管的溝道寬度設(shè)計(jì)的比較大，這樣就嚴(yán)重影響了顯示基板的開口率，同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致顯示基板的負(fù)載比較大，導(dǎo)致顯示裝置的功耗顯著上升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置，能夠提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，從而可以將薄膜晶體管的溝道寬度設(shè)計(jì)的比較小。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種薄膜晶體管，包括形成在襯底上的源電極、漏電極和有源層，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，所述薄膜晶體管還包括：

至少分布在所述有源層的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形與所述溝道區(qū)接觸。

進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管還包括：

與所述有源層的源電極接觸區(qū)接觸且與所述第一導(dǎo)電圖形間隔開的第二導(dǎo)電圖形；和/或

與所述有源層的漏電極接觸區(qū)接觸且與所述第一導(dǎo)電圖形間隔開的第三導(dǎo)電圖形。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電圖形呈陣列排布。

進(jìn)一步地，每一所述第一導(dǎo)電圖形的延伸方向與從所述源電極到所述漏電極的第一方向平行。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電圖形、所述第二導(dǎo)電圖形和所述第三導(dǎo)電圖形均是金屬納米線。

進(jìn)一步地，每一所述第一導(dǎo)電圖形的長(zhǎng)度為L(zhǎng)x，在第一方向上相鄰第一導(dǎo)電圖形之間的間距為L(zhǎng)y，Ly/Lx的取值為0.3～0.7。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示基板，包括如上所述的薄膜晶體管。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括在襯底上形成源電極、漏電極和有源層的步驟，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，所述制作方法還包括：

形成至少分布在所述有源層的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形與所述溝道區(qū)接觸。

進(jìn)一步地，形成所述第一導(dǎo)電圖形的步驟包括：

在待形成所述第一導(dǎo)電圖形的襯底上涂覆光刻膠；

通過壓印將模板上的圖案轉(zhuǎn)印在光刻膠上，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)所述圖案；

沉積導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包括位于光刻膠保留區(qū)域上的第一部分和位于光刻膠未保留區(qū)域與所述襯底相接觸的第二部分；

對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，去除光刻膠保留區(qū)域的光刻膠和所述第一部分，保留所述第二部分形成所述第一導(dǎo)電圖形。

本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果：

上述方案中，薄膜晶體管包括與有源層的溝道區(qū)接觸的第一導(dǎo)電圖形，第一導(dǎo)電圖形一方面可以增加溝道區(qū)的電子輸運(yùn)通道，另一方面可以增加溝道區(qū)的電子遷移率，從而能夠顯著縮短薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度設(shè)計(jì)的比較小，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有薄膜晶體管溝道區(qū)域的示意圖；

圖2、圖3和圖5為本發(fā)明實(shí)施例薄膜晶體管溝道區(qū)域的示意圖；

圖4和圖6為本發(fā)明實(shí)施例導(dǎo)電圖形之間的有效間距和導(dǎo)電圖形的有效長(zhǎng)度的示意圖；

圖7-圖12為本發(fā)明實(shí)施例形成導(dǎo)電圖形和薄膜晶體管的有源層的示意圖。

附圖標(biāo)記

1 源電極 2 漏電極 3 有源層 41 第一導(dǎo)電圖形

42 第二導(dǎo)電圖形 43 第三導(dǎo)電圖形

5 襯底 6 光刻膠 7 模板 8 導(dǎo)電層

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

如圖1所示，現(xiàn)有薄膜晶體管包括源電極1、漏電極2和有源層3，有源層3包括與源電極1接觸的源電極接觸區(qū)、與漏電極2接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于源電極接觸區(qū)和漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，其中，溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比W/L0越大，則薄膜晶體管的開態(tài)電流Ion越大。

現(xiàn)有TFT-LCD行業(yè)中低世代線采用的陣列基板曝光設(shè)備精度普遍較低，使得TFT溝道長(zhǎng)度L0比較長(zhǎng)，無法進(jìn)一步縮短，由于薄膜晶體管的開態(tài)電流與TFT的溝道寬長(zhǎng)比W/L0成正比，因此，會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管的開態(tài)電流比較小。

本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的開態(tài)電流比較小的問題，提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示基板及顯示裝置，能夠提高薄膜晶體管的開態(tài)電流，從而可以將薄膜晶體管的溝道寬度設(shè)計(jì)的比較小。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，如圖2所示，包括形成在襯底上的源電極1、漏電極2和有源層3，所述有源層3包括用于與所述源電極1接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極2接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，如圖2所示，所述薄膜晶體管還包括：

至少分布在所述有源層3的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形41，所述第一導(dǎo)電圖形41與所述有源層3的溝道區(qū)接觸。

由于第一導(dǎo)電圖形41是導(dǎo)電的，一方面可以增加溝道區(qū)的電子輸運(yùn)通道，另一方面可以增加溝道區(qū)的電子遷移率，從而能夠顯著縮短薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度設(shè)計(jì)的比較小，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

其中，第一導(dǎo)電圖形41可以位于有源層3上，也可以位于有源層3下，只要能夠與有源層3的溝道區(qū)接觸即可，值得注意的是，每一第一導(dǎo)電圖形41僅與溝道區(qū)的部分區(qū)域相接觸，這樣第一導(dǎo)電圖形41不會(huì)導(dǎo)通源電極1和漏電極2。

第一導(dǎo)電圖形41的形狀不做限定，只要能夠在從源電極1到漏電極2的第一方向上具有有效長(zhǎng)度即可。在有源層3的溝道區(qū)可以分布有多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41，也可以分布有一個(gè)第一導(dǎo)電圖形41。

本實(shí)施例中，如圖2所示，可以在有源層3的溝道區(qū)分布有多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41，多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41呈陣列排布，能夠在溝道區(qū)增加多條電子輸運(yùn)通道，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流。

第一導(dǎo)電圖形41所能夠縮短的溝道區(qū)的長(zhǎng)度與第一導(dǎo)電圖形41在第一方向上的有效長(zhǎng)度有關(guān)，優(yōu)選地，每一第一導(dǎo)電圖形41的延伸方向與從源電極1到漏電極2的第一方向平行，這樣每一第一導(dǎo)電圖形41所能夠縮短的溝道區(qū)的長(zhǎng)度等于第一導(dǎo)電圖形41的長(zhǎng)度。

如圖4所示，每一第一導(dǎo)電圖形41的長(zhǎng)度為L(zhǎng)x，在第一方向上相鄰第一導(dǎo)電圖形41之間的間距為L(zhǎng)y，在溝道區(qū)沿第一方向分布有n個(gè)第一導(dǎo)電圖形41，源電極1和漏電極2之間的垂直距離為L(zhǎng)1，則在設(shè)置第一導(dǎo)電圖形41后，在計(jì)算溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比W/L0時(shí)，參數(shù)L0能夠降到L1-n*Lx，可以看出，L0大大降低，因此，溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比得以提升，能夠大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而還可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度W設(shè)計(jì)的比較小，減少薄膜晶體管的尺寸，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

具體地，第一導(dǎo)電圖形41可以采用納米級(jí)的金屬線，能夠有效增加溝道區(qū)的電子遷移率，第一導(dǎo)電圖形41橫截面的直徑可以小于100nm，第一導(dǎo)電圖形41的長(zhǎng)度可以小于1000nm。經(jīng)過大量的數(shù)據(jù)驗(yàn)證，在設(shè)計(jì)第一導(dǎo)電圖形41時(shí)，可以將Ly/Lx的取值設(shè)計(jì)為0.3～0.7，采用該種參數(shù)時(shí)，能夠有效增加溝道區(qū)的電子遷移率。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，如圖3所示，包括形成在襯底上的源電極1、漏電極2和有源層3，所述有源層3包括用于與所述源電極1接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極2接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，如圖3所示，所述薄膜晶體管還包括：

至少分布在所述有源層3的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形41，所述第一導(dǎo)電圖形41與所述有源層3的溝道區(qū)接觸；

與有源層3的源電極接觸區(qū)接觸且與第一導(dǎo)電圖形41間隔開的第二導(dǎo)電圖形42；和/或

與有源層3的漏電極接觸區(qū)接觸且與第一導(dǎo)電圖形41間隔開的第三導(dǎo)電圖形43。

由于第一導(dǎo)電圖形41是導(dǎo)電的，這樣通過在有源層3所在區(qū)域分布第一導(dǎo)電圖形41，一方面可以增加溝道區(qū)的電子輸運(yùn)通道，另一方面可以增加溝道區(qū)的電子遷移率，從而能夠顯著縮短薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度設(shè)計(jì)的比較小，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

其中，可以僅設(shè)置第二導(dǎo)電圖形42或第三導(dǎo)電圖形43，也可以同時(shí)設(shè)置第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43。圖3所示的實(shí)施例中，是同時(shí)設(shè)置有第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43。

由于第二導(dǎo)電圖形42是導(dǎo)電的，因此，在源電極接觸區(qū)設(shè)置第二導(dǎo)電圖形42，使得第二導(dǎo)電圖形42可以與源電極接觸區(qū)形成并聯(lián)，降低源電極接觸區(qū)的電阻；由于第三導(dǎo)電圖形43是導(dǎo)電的，因此，在漏電極接觸區(qū)設(shè)置第三導(dǎo)電圖形43，使得第三導(dǎo)電圖形43可以與漏電極接觸區(qū)形成并聯(lián)，降低漏電極接觸區(qū)的電阻。

其中，第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43可以都位于有源層3上，也可以都位于有源層3下，也可以部分位于有源層3上，另一部分位于有源層下，只要能夠與有源層3接觸即可，值得注意的是，第一導(dǎo)電圖形41僅與溝道區(qū)的部分區(qū)域相接觸，且與第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43分別間隔設(shè)置，這樣第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43不會(huì)導(dǎo)通源電極1和漏電極2。

第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43的形狀不做限定，只要能夠在從源電極1到漏電極2的第一方向上具有有效長(zhǎng)度即可。在有源層3的溝道區(qū)可以分布有多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41、多個(gè)第二導(dǎo)電圖形42和多個(gè)第三導(dǎo)電圖形43，也可以分布有一個(gè)第一導(dǎo)電圖形41、一個(gè)第二導(dǎo)電圖形42和一個(gè)第三導(dǎo)電圖形43。

本實(shí)施例中，如圖3所示，可以在有源層3的溝道區(qū)分布有多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41，多個(gè)第二導(dǎo)電圖形42和多個(gè)第三導(dǎo)電圖形43，多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41、多個(gè)第二導(dǎo)電圖形42和多個(gè)第三導(dǎo)電圖形43呈陣列排布，能夠在溝道區(qū)增加多條電子輸運(yùn)通道，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流。

第一導(dǎo)電圖形41所能夠縮短的溝道區(qū)的長(zhǎng)度與第一導(dǎo)電圖形41在第一方向上的有效長(zhǎng)度有關(guān)，優(yōu)選地，每一第一導(dǎo)電圖形41的延伸方向與從源電極1到漏電極2的第一方向平行，這樣每一第一導(dǎo)電圖形41所能夠縮短的溝道區(qū)的長(zhǎng)度等于第一導(dǎo)電圖形41的長(zhǎng)度。

如圖4所示，每一第一導(dǎo)電圖形41的長(zhǎng)度為L(zhǎng)x，在第一方向上相鄰第一導(dǎo)電圖形41之間的間距為L(zhǎng)y，在溝道區(qū)沿第一方向分布有多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41，在第一方向上多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41之間的間隔數(shù)為m，源電極1和漏電極2之間的垂直距離為L(zhǎng)1，則在設(shè)置第一導(dǎo)電圖形41后，在計(jì)算溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比W/L0時(shí)，參數(shù)L0能夠從L1降到m*Ly，可以看出，L0大大降低，因此，溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比得以提升，能夠大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而還可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度W設(shè)計(jì)的比較小，減少薄膜晶體管的尺寸，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

經(jīng)過大量的數(shù)據(jù)驗(yàn)證，在設(shè)計(jì)第一導(dǎo)電圖形41時(shí)，可以將Ly/Lx的取值設(shè)計(jì)為0.3～0.7，采用該種參數(shù)時(shí)，能夠有效增加溝道區(qū)的電子遷移率。

具體地，第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43可以采用納米級(jí)的金屬線，能夠有效增加溝道區(qū)的電子遷移率，第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43橫截面的直徑可以小于100nm，第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43的長(zhǎng)度可以小于1000nm。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，如圖5所示，包括形成在襯底上的源電極1、漏電極2和有源層3，有源層3包括用于與源電極1接觸的源電極接觸區(qū)、與漏電極2接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于源電極接觸區(qū)和漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，所述薄膜晶體管還包括：

至少分布在所述有源層3的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形41，所述第一導(dǎo)電圖形41與所述有源層3的溝道區(qū)接觸；

與有源層3的源電極接觸區(qū)接觸且與第一導(dǎo)電圖形41間隔開的第二導(dǎo)電圖形42；

與有源層3的漏電極接觸區(qū)接觸且與第一導(dǎo)電圖形41間隔開的第三導(dǎo)電圖形43。

由于第一導(dǎo)電圖形41是導(dǎo)電的，這樣通過在有源層3所在區(qū)域分布第一導(dǎo)電圖形41，一方面可以增加溝道區(qū)的電子輸運(yùn)通道，另一方面可以增加溝道區(qū)的電子遷移率，從而能夠顯著縮短薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度設(shè)計(jì)的比較小，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

由于第二導(dǎo)電圖形42是導(dǎo)電的，因此，在源電極接觸區(qū)設(shè)置第二導(dǎo)電圖形42，使得第二導(dǎo)電圖形42可以與源電極接觸區(qū)形成并聯(lián)，降低源電極接觸區(qū)的電阻；由于第三導(dǎo)電圖形43是導(dǎo)電的，因此，在漏電極接觸區(qū)設(shè)置第三導(dǎo)電圖形43，使得第三導(dǎo)電圖形43可以與漏電極接觸區(qū)形成并聯(lián)，降低漏電極接觸區(qū)的電阻。

其中，第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43可以都位于有源層3上，也可以都位于有源層3下，也可以部分位于有源層3上，另一部分位于有源層下，只要能夠與有源層3接觸即可，值得注意的是，第一導(dǎo)電圖形41僅與溝道區(qū)的部分區(qū)域相接觸，且與第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43分別間隔設(shè)置，這樣第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43不會(huì)導(dǎo)通源電極1和漏電極2。

第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43的形狀不做限定，只要能夠在從源電極1到漏電極2的第一方向上具有有效長(zhǎng)度即可。在有源層3的溝道區(qū)可以分布有多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41、多個(gè)第二導(dǎo)電圖形42和多個(gè)第三導(dǎo)電圖形43，也可以分布有一個(gè)第一導(dǎo)電圖形41、一個(gè)第二導(dǎo)電圖形42和一個(gè)第三導(dǎo)電圖形43。

本實(shí)施例中，如圖3所示，可以在有源層3的溝道區(qū)分布有多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41，多個(gè)第二導(dǎo)電圖形42和多個(gè)第三導(dǎo)電圖形43，多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41、多個(gè)第二導(dǎo)電圖形42和多個(gè)第三導(dǎo)電圖形43呈陣列排布，能夠在溝道區(qū)增加多條電子輸運(yùn)通道，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流。

第一導(dǎo)電圖形41所能夠縮短的溝道區(qū)的長(zhǎng)度與第一導(dǎo)電圖形41在第一方向上的有效長(zhǎng)度有關(guān)，本實(shí)施例中，如圖5所示，每一第一導(dǎo)電圖形41的延伸方向與從源電極1到漏電極2的第一方向成一定角度，該角度小于90°大于0°，每一第一導(dǎo)電圖形41所能夠縮短的溝道區(qū)的長(zhǎng)度等于第一導(dǎo)電圖形41在第一方向上投影的長(zhǎng)度。

如圖6所示，第一導(dǎo)電圖形41在第一方向上投影的長(zhǎng)度為L(zhǎng)x，在第一方向上相鄰第一導(dǎo)電圖形41之間的間距為L(zhǎng)y，在溝道區(qū)沿第一方向分布有多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41，在第一方向上多個(gè)第一導(dǎo)電圖形41之間的間隔數(shù)為m，源電極1和漏電極2之間的垂直距離為L(zhǎng)1，則在設(shè)置第一導(dǎo)電圖形41后，在計(jì)算溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比W/L0時(shí)，參數(shù)L0能夠從L1降到m*Ly，可以看出，L0大大降低，因此，溝道區(qū)的寬長(zhǎng)比得以提升，能夠大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而還可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度W設(shè)計(jì)的比較小，減少薄膜晶體管的尺寸，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

經(jīng)過大量的數(shù)據(jù)驗(yàn)證，在設(shè)計(jì)第一導(dǎo)電圖形41時(shí)，可以將Ly/Lx的取值設(shè)計(jì)為0.3～0.7，采用該種參數(shù)時(shí)，能夠有效增加溝道區(qū)的電子遷移率。

具體地，第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43可以采用納米級(jí)的金屬線，能夠有效增加溝道區(qū)的電子遷移率，第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43橫截面的直徑可以小于100nm，第一導(dǎo)電圖形41、第二導(dǎo)電圖形42和第三導(dǎo)電圖形43的長(zhǎng)度可以小于1000nm。

實(shí)施例四

本實(shí)施例提供了一種顯示基板，包括如上所述的薄膜晶體管。

實(shí)施例五

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。所述顯示裝置可以為：液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，其中，所述顯示裝置還包括柔性電路板、印刷電路板和背板。

實(shí)施例六

本實(shí)施例提供了一種上述薄膜晶體管的制作方法，包括在襯底上形成源電極、漏電極和有源層的步驟，所述有源層包括用于與所述源電極接觸的源電極接觸區(qū)、與所述漏電極接觸的漏電極接觸區(qū)以及位于所述源電極接觸區(qū)和所述漏電極接觸區(qū)之間的溝道區(qū)，所述制作方法還包括：

形成至少分布在所述有源層的溝道區(qū)的第一導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形與所述溝道區(qū)接觸。

由于第一導(dǎo)電圖形是導(dǎo)電的，這樣通過在有源層所在區(qū)域分布第一導(dǎo)電圖形，一方面可以增加溝道區(qū)的電子輸運(yùn)通道，另一方面可以增加溝道區(qū)的電子遷移率，從而能夠顯著縮短薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度設(shè)計(jì)的比較小，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

進(jìn)一步地，在薄膜晶體管還包括與有源層的源電極接觸區(qū)接觸且與第一導(dǎo)電圖形間隔開的第二導(dǎo)電圖形時(shí)，所述制作方法還包括形成第二導(dǎo)電圖形的步驟；在薄膜晶體管還包括與有源層的漏電極接觸區(qū)接觸且與第一導(dǎo)電圖形間隔開的第三導(dǎo)電圖形時(shí)，所述制作方法還包括形成第三導(dǎo)電圖形的步驟。

其中，可以采用構(gòu)圖工藝形成第一導(dǎo)電圖形、第二導(dǎo)電圖形和第三導(dǎo)電圖形，也可以采用壓印的方式形成第一導(dǎo)電圖形、第二導(dǎo)電圖形和第三導(dǎo)電圖形。

具體地，在采用壓印的方式形成第一導(dǎo)電圖形時(shí)，形成所述第一導(dǎo)電圖形的步驟包括：

步驟1、如圖7所示，提供一模板7，并在待形成第一導(dǎo)電圖形的襯底5上涂覆光刻膠6；

其中，襯底5上可以已經(jīng)形成有薄膜晶體管的其他組成部分，比如源電極1和漏電極2，也可以未形成薄膜晶體管的其他組成部分。

模板7的圖案與待形成的第一導(dǎo)電圖形的圖案一致。

步驟2、如圖8和圖9所示，通過壓印將模板7上的圖案轉(zhuǎn)印在光刻膠6上，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠未保留區(qū)域，可以看出，光刻膠未保留區(qū)域的圖案與模板7的圖案一致；

步驟3、如圖10所示，在沉積導(dǎo)電層8，導(dǎo)電層8包括位于光刻膠保留區(qū)域上的第一部分和位于光刻膠未保留區(qū)域與所述襯底相接觸的第二部分；

導(dǎo)電層8采用金屬制成，當(dāng)然導(dǎo)電層8還可以采用其他導(dǎo)電材料比如透明導(dǎo)電金屬氧化物材料制成，在導(dǎo)電層8采用金屬制成時(shí)，導(dǎo)電層8具體可以采用Al、Mo、Ti等金屬材料。

步驟4、如圖11所示，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，去除光刻膠保留區(qū)域的光刻膠，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠上的第一部分也隨之從襯底5上脫落，僅保留第二部分形成第一導(dǎo)電圖形41。

如果第一導(dǎo)電圖形41是制作在有源層3之下，之后如圖12所示，可以在形成有第一導(dǎo)電圖形41的襯底5上再制作有源層3。如果第一導(dǎo)電圖形41是制作在有源層3上，則步驟1中所指的襯底5上已經(jīng)形成有有源層3。

本實(shí)施例形成的薄膜晶體管包括與有源層的溝道區(qū)接觸的第一導(dǎo)電圖形，第一導(dǎo)電圖形一方面可以增加溝道區(qū)的電子輸運(yùn)通道，另一方面可以增加溝道區(qū)的電子遷移率，從而能夠顯著縮短薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度，大大提升薄膜晶體管的開態(tài)電流，使得薄膜晶體管很容易滿足高PPI顯示產(chǎn)品的充電率要求，因而可以將薄膜晶體管溝道區(qū)的寬度設(shè)計(jì)的比較小，有利于提升顯示基板的開口率，降低顯示裝置的功耗。

進(jìn)一步地，在薄膜晶體管還包括有第二導(dǎo)電圖形和/或第三導(dǎo)電圖形時(shí)，可以在形成第一導(dǎo)電圖形的同時(shí)形成第二導(dǎo)電圖形和/或第三導(dǎo)電圖形。如果采用壓印的方式形成第一導(dǎo)電圖形、第二導(dǎo)電圖形和/或第三導(dǎo)電圖形，則提供的模板的圖案與第一導(dǎo)電圖形、第二導(dǎo)電圖形和/或第三導(dǎo)電圖形的圖案一致，即可在形成第一導(dǎo)電圖形的同時(shí)形成第二導(dǎo)電圖形和/或第三導(dǎo)電圖形。

在本發(fā)明各方法實(shí)施例中，所述各步驟的序號(hào)并不能用于限定各步驟的先后順序，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，對(duì)各步驟的先后變化也在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

可以理解，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時(shí)，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。