本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光二極管（OLED）具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，而量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調(diào)、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，所以上述兩種器件是目前顯示器件研究的兩個(gè)主要方向。其中，頂發(fā)射型器件由于可以獲得更大的開口率，近年來成為了研究的熱點(diǎn)。但是，頂發(fā)射器件由于需要增加光的透過率，頂電極的厚度一般較薄，導(dǎo)致電極方阻較大，電壓降嚴(yán)重，會(huì)引起顯示器的發(fā)光不均勻現(xiàn)象。

為了改善發(fā)光均勻性，往往會(huì)引入與頂電極相連通的輔助電極，通過輔助電極的高導(dǎo)電性來減小頂電極的電壓降，以改善發(fā)光亮度的均勻性。由于輔助電極通常是不透光的，因此不能制作在發(fā)光區(qū)域上。目前，輔助電極往往通過光刻工藝或者精細(xì)金屬掩膜制備，制作工藝對(duì)位精度要求高，且金屬掩膜則會(huì)隨著面板尺寸的增大在重力作用下形成應(yīng)力彎曲，導(dǎo)致對(duì)位不準(zhǔn)的問題。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有頂發(fā)射顯示發(fā)光器件的輔助電極結(jié)構(gòu)無法簡(jiǎn)化工藝的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，包括基板、位于基板上的像素電極、位于基板上的輔助電極、以及位于基板上用于分隔像素電極和輔助電極的像素bank，所述像素bank覆蓋像素電極邊緣區(qū)域以及輔助電極邊緣區(qū)域，所述輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank形成倒角狀的tape角，所述輔助電極上方依次設(shè)置有功能層和頂電極，所述像素電極上方依次設(shè)置有發(fā)光層、功能層和頂電極，且倒角狀的tape角下端的輔助電極與其上方的頂電極相連。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述像素電極邊緣區(qū)域的像素bank的tape角為30-60°。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank的tape角大于90°。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光層為聚合物發(fā)光層或小分子發(fā)光層。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述功能層依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層以及激子阻擋層；或者，所述功能層依次包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層以及激子阻擋層。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述像素電極包括反射金屬薄薄與位于反射金屬薄膜上方的透明導(dǎo)電薄膜。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述反射金屬薄薄為Al、Ag或其合金。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為ITO或IZO。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述基板為剛性基板或柔性基板。

一種如上所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件的制備方法，其中，包括步驟：

A、提供一基板，并在基板上制作圖案化的像素電極以及輔助電極；

B、在基板上制作像素bank，所述像素bank覆蓋像素電極邊緣區(qū)域以及輔助電極邊緣區(qū)域，其中，輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank成倒角狀的tape角；

C、在像素電極上沉積發(fā)光層；

D、在顯示區(qū)域蒸鍍功能層；

E、最后采用ALD工藝沉積頂電極，且倒角狀的tape角下端的輔助電極與其上方的頂電極相連。

有益效果：本發(fā)明的輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank具有倒角狀的接觸角，在蒸鍍功能層時(shí)，由于蒸鍍工藝的臺(tái)階覆蓋性較差，所以功能層無法完全覆蓋倒角狀接觸角下端的輔助電極，從而形成裸露的輔助電極區(qū)，隨后通過ALD沉積頂電極，由于ALD良好的臺(tái)階覆蓋性，沉積的頂電極會(huì)覆蓋暴露出來的輔助電極，從而形成頂電極與輔助電極的相連結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)大大簡(jiǎn)化的制作工藝，提高了制作效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件的制備方法較佳實(shí)施例的流程圖。

圖3至圖5為本發(fā)明一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件的制備方法較佳實(shí)施例的不同狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件及其制備方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，包括基板10、位于基板10上的像素電極11、位于基板10上的輔助電極12、以及位于基板10上用于分隔像素電極11和輔助電極12的像素bank 13，所述像素bank 13覆蓋像素電極11邊緣區(qū)域以及輔助電極12邊緣區(qū)域，所述輔助電極12邊緣區(qū)域的像素bank 13形成倒角狀的tapeβ，所述輔助電極12上方依次設(shè)置有功能層15和頂電極16，所述像素電極11上方依次設(shè)置有發(fā)光層14、功能層15和頂電極16，且倒角狀的tape角β下端的輔助電極12與其上方的頂電極16相連。

本發(fā)明通過在制作像素電極11的同時(shí)制作輔助電極12，像素電極11和輔助電極12在像素bank 13中均具有開口，即所述像素bank 13覆蓋像素電極11邊緣區(qū)域以及輔助電極12邊緣區(qū)域，從而露出像素電極11以及輔助電極12，同時(shí)輔助電極12邊緣區(qū)域的像素bank 13具有倒角狀的tape角β，由于常規(guī)的蒸鍍工藝具有較差的臺(tái)階覆蓋性，因此在沉積功能層15時(shí)，具有倒角狀tape角β下端的輔助電極12不能完全被功能層15覆蓋，最終采用ALD工藝（原子層沉積工藝）沉積頂電極16時(shí)，由于ALD良好的臺(tái)階覆蓋性，頂電極16會(huì)與倒角狀tape角β下端的露出的輔助電極12相連，從而形成具有輔助電極12的頂發(fā)射型顯示發(fā)光器件的制備。

其中的像素電極11和輔助電極12優(yōu)選采用相同的材料以及工藝制備，且在同一道工序中完成，不同的是，二者邊緣的像素bank 13的tape角不同。其中，像素電極11邊緣區(qū)域的像素bank 13的tape角α為小角度的tape角，其tape角α為30-60°，如45°，在實(shí)施功能層15的沉積時(shí)，功能層15會(huì)完全覆蓋小角度tape角下端的像素電極11，所以后續(xù)像素電極11與頂電極16不會(huì)相連，而輔助電極12邊緣區(qū)域的像素bank 13的tape角β為倒角狀，其tape角β大于90°，所以在實(shí)施功能層15的沉積時(shí)，功能層15不會(huì)完全覆蓋倒角狀tape角β下端的輔助電極12，而在ALD工藝沉積頂電極16時(shí)，頂電極16與露出的輔助電極12相連。

所述基板10可以是剛性基板或柔性基板，其中的剛性基板為玻璃基板等，柔性基板可以是PET基板，在基板10上具有像素電極圖案，當(dāng)顯示面板為PM(被動(dòng)式)面板時(shí)，其不具有驅(qū)動(dòng)TFT陣列，當(dāng)顯示面板為AM(主動(dòng)式)面板時(shí)，基板10上具有驅(qū)動(dòng)TFT陣列。

所述像素電極11為反射電極。另外，所述像素電極11具有雙層結(jié)構(gòu)，即像素電極11包括反射金屬薄薄與位于反射金屬薄膜上方的透明導(dǎo)電薄膜，其中反射金屬薄膜為Al、Ag或其合金，透明導(dǎo)電薄膜為ITO或IZO等透明導(dǎo)電金屬氧化物。在反射金屬薄膜上端覆蓋透明導(dǎo)電薄膜的目的是防止后續(xù)采用ALD工藝制作頂電極16時(shí)，反射金屬薄膜被氧化而在表面形成絕緣性氧化層，這種絕緣性氧化層會(huì)影響頂電極16與輔助電極12的連通。

所述像素bank 13為本領(lǐng)域常規(guī)材料制備，如常規(guī)的一些負(fù)性光阻材料。

所述發(fā)光層14為聚合物發(fā)光層或小分子發(fā)光層。所述聚合物發(fā)光層的材料包括但不限于：P-PPV、MEH-PPV、PFB、F8BT等可溶液加工的聚合物發(fā)光材料，所述小分子發(fā)光層包括可溶液加工的熒光小分子發(fā)光材料、磷光小分子材料以及延遲態(tài)熒光小分子材料及相應(yīng)的摻雜主體材料。所述發(fā)光層14采用蒸鍍或印刷工藝制備。

根據(jù)器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，在所述發(fā)光層14上可制作不同的功能層15，優(yōu)選的，所述發(fā)光層14與像素電極11之間引入空穴注入層和空穴傳輸層，以分別提高像素電極11與發(fā)光層14之間的空穴注入以及傳輸。且根據(jù)頂發(fā)射顯示發(fā)光器件所采用的器件結(jié)構(gòu)不同，即正裝結(jié)構(gòu)或倒置結(jié)構(gòu)，功能層各不一樣，當(dāng)采用正裝結(jié)構(gòu)時(shí)，所述功能層15依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層以及激子阻擋層；當(dāng)采用倒置結(jié)構(gòu)時(shí)，所述功能層15依次包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層以及激子阻擋層。

所述功能層15采用蒸鍍工藝制備，所述功能層15為器件中所有的發(fā)光像素單元共用。由于蒸鍍工藝的臺(tái)階覆蓋性較差，因此輔助電極12由于周邊的像素bank 13tape角β為倒角狀，因此蒸鍍的功能層15無法完全覆蓋輔助電極12，即只是部分覆蓋輔助電極12，當(dāng)采用ALD工藝沉積頂電極16時(shí)，由于ALD工藝的良好臺(tái)階覆蓋性，從而形成頂電極16與輔助電極12的連通。

所述頂電極16為透明電極，如ITO或IZO等透明導(dǎo)電金屬氧化物，采用ALD工藝制備，由于ALD良好的臺(tái)階覆蓋性，頂電極16能夠覆蓋倒角狀tape角β下端的輔助電極12，形成與輔助電極12的連通。

請(qǐng)參閱圖2，圖2為本發(fā)明還提供一種如上所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件的制備方法較佳實(shí)施例的流程圖，如圖所示，其包括步驟：

S1、提供一基板，并在基板上制作圖案化的像素電極以及輔助電極；

結(jié)合圖3所示，先準(zhǔn)備一基板10，在基板上采用相同的工藝和材料制作像素電極11以及輔助電極12。

S2、在基板上制作像素bank，所述像素bank覆蓋像素電極以及輔助電極邊緣區(qū)域，其中，輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank成倒角狀的tape角；

如圖3所示，像素bank 13將像素電極11與輔助電極12分隔，且像素電極11所在區(qū)域的像素bank 13其開口較大，所以形成的tape角較小，tape角范圍在30-60°，輔助電極12所在區(qū)域的像素bank 13開口較小，所以形成的tape角較大，tape角大于90°。

S3、在像素電極上沉積發(fā)光層；

如圖4所示，像素電極11上制作發(fā)光層14，以形成像素發(fā)光區(qū)。

S4、在顯示區(qū)域蒸鍍功能層；

如圖5所示，在制作功能層時(shí)，由于是在基板整個(gè)顯示區(qū)域都蒸鍍功能層，所以功能層在沉積到像素電極11所在區(qū)域之外，也會(huì)沉積到輔助電極12所在區(qū)域，但由于蒸鍍工藝的臺(tái)階覆蓋性較差，所以功能層15無法完全覆蓋輔助電極12，使輔助電極12的部分區(qū)域裸露在外。

S5、最后采用ALD工藝沉積頂電極，且倒角狀的tape角下端的輔助電極與其上方的頂電極相連。最后制得的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件。

如圖1所示，由于ALD工藝其臺(tái)階覆蓋性較好，能夠完全覆蓋輔助電極12，從而使得頂電極16與輔助電極12連通。

綜上所述，本發(fā)明的輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank具有倒角狀的tape角，在蒸鍍功能層時(shí)，由于蒸鍍工藝的臺(tái)階覆蓋性較差，所以功能層無法完全覆蓋倒角狀tape角下端的輔助電極，從而形成裸露的輔助電極區(qū)，隨后通過ALD沉積頂電極，由于ALD良好的臺(tái)階覆蓋性，沉積的頂電極會(huì)覆蓋暴露出來的輔助電極，從而形成頂電極與輔助電極的相連結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)大大簡(jiǎn)化的制作工藝，提高了制作效率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。