1.一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，包括基板、位于基板上的像素電極、位于基板上的輔助電極、以及位于基板上用于分隔像素電極和輔助電極的像素bank，所述像素bank覆蓋像素電極邊緣區(qū)域以及輔助電極邊緣區(qū)域，所述輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank形成倒角狀的tape角，所述輔助電極上方依次設(shè)置有功能層和頂電極，所述像素電極上方依次設(shè)置有發(fā)光層、功能層和頂電極，且倒角狀的tape角下端的輔助電極與其上方的頂電極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，所述像素電極邊緣區(qū)域的像素bank的tape角為30-60°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，所述輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank的tape角大于90°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層為聚合物發(fā)光層或小分子發(fā)光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，所述功能層依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層以及激子阻擋層；或者，所述功能層依次包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層以及激子阻擋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，所述像素電極包括反射金屬薄薄與位于反射金屬薄膜上方的透明導(dǎo)電薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，所述反射金屬薄薄為Al、Ag或其合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜為ITO或IZO。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其特征在于，所述基板為剛性基板或柔性基板。
10.一種如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、提供一基板，并在基板上制作圖案化的像素電極以及輔助電極；
B、在基板上制作像素bank，所述像素bank覆蓋像素電極邊緣區(qū)域以及輔助電極邊緣區(qū)域，其中，輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank成倒角狀的tape角；
C、在像素電極上沉積發(fā)光層；
D、在顯示區(qū)域蒸鍍功能層；
E、最后采用ALD工藝沉積頂電極，且倒角狀的tape角下端的輔助電極與其上方的頂電極相連。