本發(fā)明涉及薄膜晶體管制作領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)薄膜晶體管的制作方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)薄膜晶體管(OTFT，Organic Thin Film Transistor)是一種使用有機(jī)物作為半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管，多用于塑料基板，因其具有可卷曲以及制程成本低等特點(diǎn)，成為當(dāng)前最具潛力的下一代柔性顯示器的陣列基板元件。

有機(jī)薄膜晶體管的制作方法相對(duì)傳統(tǒng)無(wú)機(jī)薄膜晶體管的制作方法更為簡(jiǎn)單，其對(duì)成膜氣氛的條件及純度的要求都很低，因此其制作成本更低。且有機(jī)薄膜晶體管具有優(yōu)異的柔韌性，適用于柔性顯示、電子皮膚以及柔性傳感器等領(lǐng)域。

目前有機(jī)薄膜晶體管的源漏極的電極材料一般選擇功函數(shù)較高的金屬金(Au)，以匹配有機(jī)半導(dǎo)體(OSC,Organic semiconductors)材料的HOMO能級(jí)，減小空穴傳輸勢(shì)壘，降低接觸電阻。但金屬金屬于貴金屬，價(jià)格高昂，材料成本過(guò)高。為了縮減材料成本，也可選擇其他金屬代替金屬金，如選擇金屬銀(Ag)替代金屬金，但使用其他金屬(如金屬銀)制作有機(jī)薄膜晶體管的源漏極時(shí)，源漏極容易被等離子體刻蝕時(shí)的等離子體氧化，從而降低了源漏極的電子空穴傳導(dǎo)能力。

故，有必要提供一種有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種可加強(qiáng)源漏極的電子空穴傳導(dǎo)能力的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法；以解決現(xiàn)有的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中源漏極容易被等離子體刻蝕時(shí)的等離子體氧化，從而源漏極的電子空穴傳導(dǎo)能力較差的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，其包括：

提供一襯底基板，并在所述襯底基板上制作有機(jī)薄膜晶體管的源極以及漏極；

在所述襯底基板的非溝道區(qū)域涂布光阻；

在所述襯底基板的所有區(qū)域上沉積溝道薄膜；

對(duì)所述光阻進(jìn)行剝離操作，以將所述非溝道區(qū)域上的溝道薄膜剝離，從而形成所述有機(jī)薄膜晶體管的溝道；

在所述襯底基板的所有區(qū)域上制作絕緣層；以及

在所述絕緣層上制作所述有機(jī)薄膜晶體管的柵極。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，在所述襯底基板的非溝道區(qū)域涂布光阻的步驟包括：

在所述襯底基板上沉積光阻層；

經(jīng)過(guò)曝光、顯影工藝去除溝道區(qū)域的光阻，留下非溝道區(qū)域的光阻。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，所述在所述襯底基板上制作有機(jī)薄膜晶體管的源極以及漏極的步驟包括：

在所述襯底基板上沉積第一金屬層；以及

對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖形化處理，以形成所述有機(jī)薄膜晶體管的源極以及漏極。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，所述第一金屬層為銀金屬層。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，所述在所述絕緣層上制作所述有機(jī)薄膜晶體管的柵極的步驟包括：

在所述絕緣層上沉積第二金屬層；以及

對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行圖形化處理，以形成所述有機(jī)薄膜晶體管的柵極。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，所述第二金屬層為鋁金屬層、銅金屬層或鉬金屬層。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，溝道區(qū)域的所述溝道薄膜的兩端分別與所述源極和所述漏極連接。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，所述對(duì)所述光阻進(jìn)行剝離操作的具體步驟為：將所述光阻浸泡在剝離液中進(jìn)行剝離操作。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，所述溝道薄膜為有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，所述絕緣層為有機(jī)絕緣層。

在本發(fā)明所述的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中，所述柵極在所述溝道上的投影的中心與所述溝道的中心基本重合。

相較于現(xiàn)有的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法，本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法通過(guò)對(duì)非溝道區(qū)域的光阻進(jìn)行剝離操作，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)非溝道區(qū)域的溝道薄膜進(jìn)行剝離，從而不需要采用等離子體刻蝕的方式對(duì)非溝道區(qū)域的溝道薄膜進(jìn)行去除；從而避免了源漏極的金屬材料被氧化，提高了有機(jī)薄膜晶體管的源漏極的電子空穴傳導(dǎo)能力；解決了現(xiàn)有的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中源漏極容易被等離子體刻蝕時(shí)的等離子體氧化，從而源漏極的電子空穴傳導(dǎo)能力較差的技術(shù)問(wèn)題。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的流程圖；

圖2A為本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的制作示意圖之一；

圖2B為本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的制作示意圖之二；

圖2C為本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的制作示意圖之三；

圖2D為本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的制作示意圖之四；

圖2E為本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的制作示意圖之五；

圖2F為本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的制作示意圖之六。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。

本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管可作為柔性顯示器的陣列基板元件，由于該有機(jī)薄膜晶體管的源漏極的電子空穴傳導(dǎo)能力較強(qiáng)，因此可較好的提高相應(yīng)柔性顯示器的畫面顯示品質(zhì)。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。本優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法包括：

步驟S101，提供一襯底基板，并在襯底基板上制作有機(jī)薄膜晶體管的源極以及漏極；

在該步驟中：提供一襯底基板21，隨后在襯底基板21上沉積第一金屬層，該第一金屬層優(yōu)選為銀金屬層，以較好的提高有機(jī)薄膜晶體管的電子空穴傳導(dǎo)效率。

隨后對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖像化處理，如使用光刻工藝對(duì)非源極以及漏極區(qū)域的第一金屬層進(jìn)行去除，從而形成有機(jī)薄膜晶體管的源極22以及漏極23,如圖2A所示。

步驟S102，在襯底基板的非溝道區(qū)域涂布光阻；

襯底基板21包括非溝道區(qū)域以及需要設(shè)置有機(jī)薄膜晶體管的溝道的溝道區(qū)域；在本步驟中，在襯底基板21的非溝道區(qū)域涂布光阻，以便后續(xù)使用lift-off剝離工藝對(duì)非溝道區(qū)域上的溝道薄膜進(jìn)行剝離。

具體的，可先在襯底基板上沉積光阻層，隨后經(jīng)過(guò)曝光、顯影工藝去除溝道區(qū)域的光阻，留下非溝道區(qū)域的光阻。如圖2B所示，非溝道區(qū)域上設(shè)置有光阻24。隨后轉(zhuǎn)到步驟S103。

步驟S103，在襯底基板的所有區(qū)域上沉積溝道薄膜；

在襯底基板21的所有區(qū)域沉積溝道薄膜25，該溝道薄膜25優(yōu)選為有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，其中溝道區(qū)域的溝道薄膜25的兩端分別與有機(jī)薄膜晶體管的源極22和漏極23連接，這樣溝道區(qū)域的溝道薄膜25可以成為有機(jī)薄膜晶體管的溝道。如圖2C所示，在襯底基板21上設(shè)置有溝道薄膜25，隨后轉(zhuǎn)到步驟S104。

步驟S104，對(duì)光阻進(jìn)行剝離操作，以將非溝道區(qū)域上的溝道薄膜剝離，從而形成有機(jī)薄膜晶體管的溝道；

將光阻24浸泡在剝離液中進(jìn)行剝離操作，同時(shí)由于光阻24的剝離，光阻24上的非溝道區(qū)域的溝道薄膜25也隨著光阻24一起剝離，從而在襯底基板21上只剩下處于溝道區(qū)域的溝道薄膜25，即形成有機(jī)薄膜晶體管的溝道。如圖2D所示。

這里不需要使用等離子體刻蝕的工藝對(duì)非溝道區(qū)域的溝道薄膜25進(jìn)行去除處理，因此可以避免對(duì)有機(jī)薄膜晶體管的源極以及漏極的氧化，提升有機(jī)薄膜晶體管的電子空穴傳導(dǎo)能力。隨后轉(zhuǎn)到步驟S105。

步驟S105，在襯底基板的所有區(qū)域上制作絕緣層；

在襯底基板21的所有區(qū)域上制作絕緣層26，該絕緣層26可為有機(jī)絕緣層，以便對(duì)有機(jī)薄膜晶體管的源漏極以及柵極進(jìn)行隔離。如圖2E所示，在襯底基板21上制作絕緣層26。隨后轉(zhuǎn)到步驟S106。

步驟S106，在絕緣層上制作有機(jī)薄膜晶體管的柵極。

在絕緣層26上制作有機(jī)薄膜晶體管的柵極27。具體的，在絕緣層26上沉積第二金屬層，該第二金屬層優(yōu)選為鋁金屬層、銅金屬層或鉬金屬層。

隨后對(duì)第二金屬層進(jìn)行圖像化處理，如使用光刻工藝對(duì)非柵極區(qū)域的第二金屬層進(jìn)行去除，從而形成有機(jī)薄膜晶體管的柵極27。為了進(jìn)一步提高有機(jī)薄膜晶體管的性能，這里優(yōu)選柵極27在溝道上的投影的中心與溝道的中心基本重合。如圖2F所示，在絕緣層26上制作有機(jī)薄膜晶體管的柵極27。

這樣即完成了本優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法的有機(jī)薄膜晶體管的制作流程。

本發(fā)明的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法通過(guò)對(duì)非溝道區(qū)域的光阻進(jìn)行剝離操作，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)非溝道區(qū)域的溝道薄膜進(jìn)行剝離，從而不需要采用等離子體刻蝕的方式對(duì)非溝道區(qū)域的溝道薄膜進(jìn)行去除；從而避免了源漏極的金屬材料被氧化，提高了有機(jī)薄膜晶體管的源漏極的電子空穴傳導(dǎo)能力；解決了現(xiàn)有的有機(jī)薄膜晶體管的制作方法中源漏極容易被等離子體刻蝕時(shí)的等離子體氧化，從而源漏極的電子空穴傳導(dǎo)能力較差的技術(shù)問(wèn)題。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。