1.一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其制造步驟如下：
a、在基板（1）上切V型槽（8）以形成若干單元，在每個單元上制作通孔；
b、將不發(fā)光二極管晶粒（2）黏著于通孔內(nèi)，用環(huán)氧樹脂（3）填充使不發(fā)光二極管晶粒固定在孔內(nèi)；
c、在基板下方印刷導(dǎo)電膠形成下導(dǎo)體層（4），使之與不發(fā)光二極管晶粒下表面連接；
d、在基板上方印刷導(dǎo)電膠形成上導(dǎo)體層（5），使之與不發(fā)光二極管晶粒上表面連接；
e、采用倒裝LED晶粒（6），其N極與不發(fā)光二極管晶粒上方相連的部分上導(dǎo)體層連接，倒裝LED晶粒P極與其余上導(dǎo)體層連接；
f、在基板上方覆上硅膠層（7）封蓋整片基板及LED晶粒和上、下導(dǎo)體層；
g、將基板V型槽對應(yīng)位置的硅膠層上形成切縫（10）；
h、將基板折裂成條狀；
i、在基板兩側(cè)設(shè)置側(cè)導(dǎo)體層（8），側(cè)導(dǎo)體層連接上下導(dǎo)體層，形成端電極；
j、將條狀基板折裂成顆粒狀元件；
k、在端電極上形成具有焊錫金屬導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述基板(1)為陶瓷材質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述不發(fā)光二極管晶粒(2)為具有PN結(jié)結(jié)構(gòu)，且不發(fā)光之半導(dǎo)體元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述倒裝LED晶粒（6）外延層的襯底，其能隙高于發(fā)光外延層的能隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述倒裝LED晶粒（6）發(fā)光波長從300nm到980nm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述倒裝LED晶粒（6）采用串聯(lián)型的集成LED晶粒組成倒裝晶粒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述硅膠（7）為混合熒光粉的混粉膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述在基板V型槽對應(yīng)位置的硅膠層上形成切縫的具體過程為：采用在硅膠層上涂布感光絕緣漆，再經(jīng)曝光、顯影、去模，以形成切縫。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述倒裝LED晶粒（6）為串聯(lián)型的集成AlInGaN LED晶粒組成的倒裝晶粒。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其特征在于：所述不發(fā)光二極管晶粒與集成AlInGaN LED晶粒以并聯(lián)電路連接。