本發(fā)明涉及了一種模組化的光電二極管封裝制造方法，屬于二極管封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品更新迭代的速度也在加快，而LED貼片元件也在向小型化、集成化發(fā)展。目前市場(chǎng)上LED貼片的封裝技術(shù)采用銅支架結(jié)合塑膠模型組成，當(dāng)作載體以固晶、焊線、點(diǎn)膠的技術(shù)進(jìn)行封裝，再經(jīng)剝粒沖壓完成封裝。

在此市場(chǎng)上的LED貼片封裝技術(shù)，其產(chǎn)品封裝后成品發(fā)光角度較小，不發(fā)光晶粒設(shè)置在發(fā)光區(qū)域硅膠內(nèi)，影響發(fā)光效率，設(shè)計(jì)空間占用較多，較不適合小型化的設(shè)計(jì)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是一種模組化的光電二極管封裝制造方法，有利于提高產(chǎn)品的發(fā)光效率，增大產(chǎn)品的發(fā)光角度，減少組件的占用空間，更適合小型化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：

一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其制造步驟如下：

a、在基板上切V型槽以形成百個(gè)以上單元，在每個(gè)單元上制作通孔；

b、將不發(fā)光二極管晶粒黏著于通孔內(nèi)，用環(huán)氧樹(shù)脂填充使不發(fā)光二極管晶粒固定在孔內(nèi)；

c、在基板下方印刷導(dǎo)電膠形成下導(dǎo)體層，使之與不發(fā)光二極管晶粒下表面連接；

d、在基板上方印刷導(dǎo)電膠形成上導(dǎo)體層，使之與不發(fā)光二極管晶粒上表面連接；

e、采用倒裝LED晶粒，其N極與不發(fā)光二極管晶粒上方相連的部分上導(dǎo)體層連接，倒裝LED晶粒P極與其余上導(dǎo)體層連接；

f、在基板上方覆上硅膠層封蓋整片基板及LED晶粒和上、下導(dǎo)體層；

g、將基板V型槽對(duì)應(yīng)位置的硅膠層上形成切縫；

h、將基板折裂成條狀；

i、在基板兩側(cè)設(shè)置側(cè)導(dǎo)體層，側(cè)導(dǎo)體層連接上下導(dǎo)體層，形成端電極；

j、將條狀基板折裂成顆粒狀元件；

k、在端電極上形成具有焊錫金屬導(dǎo)體層。

前述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，所述基板為陶瓷材質(zhì)。

前述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，所述倒裝LED芯片外延層的襯底，其能隙高于發(fā)光外延層的能隙。AlInGaN倒裝LED芯片的襯底為藍(lán)寶石Al₂O₃； Al_xGa_（1-x）As倒裝LED芯片的襯底為Al_yGa_（1-y）As, x>y。

前述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，所述倒裝LED芯片發(fā)光波長(zhǎng)從300nm到980nm之間，采用串并聯(lián)型的集成LED芯片組成。

前述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，所述不發(fā)光二極管晶?？稍O(shè)計(jì)成梯形截面以降低晶粒重心，防止晶粒側(cè)傾；在其上表面設(shè)置銀質(zhì)突塊以增加導(dǎo)電性。

前述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，所述不發(fā)光二極管晶粒作為倒裝LED芯片保護(hù)二極管。

前述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，所述硅膠為光學(xué)透明硅膠混合熒光粉的混粉膠。

前述的一種模組化的光電二極管封裝制造方法，所述在基板V型槽對(duì)應(yīng)位置的硅膠上形成切縫，其采用在硅膠上涂布感光絕緣漆，再經(jīng)曝光、顯影、去模，以形成切縫。

本發(fā)明的有益效果是：

1、采用倒裝LED晶粒，減少光通量損耗，提升其發(fā)光效率；

2、將不發(fā)光二極管封裝在陶瓷基板內(nèi)，因陶瓷的導(dǎo)熱系數(shù)大于環(huán)氧樹(shù)脂，從而大幅提升其散熱效率；

3、采用模組化的集成設(shè)計(jì)，在同一器件中兼具發(fā)光元件與電子元件的控制與保護(hù)的功能，有效減少產(chǎn)品的占用空間，滿足小型化的設(shè)計(jì)需求。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一種模組化的光電二極管封裝制造流程圖；

圖2是本發(fā)明為有切切V型槽的基板結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖；

圖3是本發(fā)明為開(kāi)孔后的基板結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖；

圖4是本發(fā)明于通孔內(nèi)固晶的側(cè)視示意圖；

圖5是本發(fā)明為不發(fā)光二極管梯形晶粒在通孔內(nèi)固晶的側(cè)視示意圖；

圖6是本發(fā)明為帶有銀質(zhì)突塊的不發(fā)光二極管晶粒封膠側(cè)視示意圖；

圖7是本發(fā)明為不發(fā)光二極管晶粒填充環(huán)氧樹(shù)脂側(cè)視示意圖；

圖8是本發(fā)明為印刷下導(dǎo)體層的側(cè)視示意圖；

圖9是本發(fā)明為印刷下導(dǎo)體層的立體示意圖；

圖10是本發(fā)明為印刷上導(dǎo)體層的立體示意圖；

圖11是本發(fā)明為L(zhǎng)ED倒裝芯片固晶的立體示意圖；

圖12是本發(fā)明為L(zhǎng)ED倒裝芯片與不發(fā)光二極管并聯(lián)電路圖；

圖13是本發(fā)明在基板上封硅膠的側(cè)視示意圖；

圖14是本發(fā)明在基板上封硅膠的立體示意圖；

圖15是本發(fā)明為對(duì)應(yīng)基板切溝位置的硅膠切縫側(cè)視示意圖；

圖16是本發(fā)明為基板折裂成條狀的立體示意圖；

圖17是本發(fā)明為基板兩側(cè)附著導(dǎo)電膠形成端子的立體示意圖；

圖18是本發(fā)明為將條狀基板折裂成顆粒的立體示意圖；

圖19是本發(fā)明為單顆產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)的立體示意圖。

圖20是本發(fā)明為單顆串聯(lián)集成LED芯片側(cè)視示意圖。

圖21是本發(fā)明為單顆串聯(lián)集成LED芯片電路圖。

具體實(shí)施方式

為進(jìn)一步闡述本產(chǎn)品的特征，以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本發(fā)明的主要結(jié)構(gòu)以及實(shí)施方法、步驟作進(jìn)一步的說(shuō)明。

如圖1-圖21所示，一種模組化的光電二極管封裝制造方法，其制造步驟如下：

a、在基板1上切V型槽8以形成數(shù)百個(gè)以上單元，在每個(gè)單元上制作通孔；

b、將不發(fā)光二極管晶粒2黏著于通孔內(nèi)，用環(huán)氧樹(shù)脂3填充使不發(fā)光二極管晶粒固定在孔內(nèi)；

c、在基板下方印刷導(dǎo)電膠形成下導(dǎo)體層4，使之與不發(fā)光二極管晶粒下表面連接；

d、在基板上方印刷導(dǎo)電膠形成上導(dǎo)體層5，使之與不發(fā)光二極管晶粒上表面連接；

e、采用倒裝LED晶粒6，其N極與不發(fā)光二極管晶粒上表面相連的部分上導(dǎo)體層連接，倒裝LED晶粒P極與其余上導(dǎo)體層（指不與不發(fā)光二極管晶粒上表面相連的上導(dǎo)體層）連接；

f、在基板上方覆上硅膠層7封蓋整片基板及LED晶粒和導(dǎo)體層；

g、將基板V型槽8對(duì)應(yīng)位置的硅膠層上形成切縫10；

h、將基板折裂成條狀；

i、在基板兩側(cè)設(shè)置側(cè)導(dǎo)體層8，側(cè)導(dǎo)體層連接上下導(dǎo)體層，形成端電極；

j、將條狀基板折裂成顆粒狀元件；

k、在端電極上形成具有焊錫金屬導(dǎo)體層。

所述不發(fā)光二極管晶粒設(shè)計(jì)成梯形截面以降低晶粒重心，防止晶粒側(cè)傾，也可在其上表面設(shè)置銀質(zhì)突塊9以增加導(dǎo)電性。該封裝產(chǎn)品其發(fā)光角度達(dá)180°，采用模組化的集成封裝技術(shù)，將保護(hù)二極管晶粒封在陶瓷基板內(nèi)，減少了組件所占用空間，并提升了產(chǎn)品發(fā)光效率，也保證了產(chǎn)品的使用安全性，增加其使用生命周期。

綜上所述，本發(fā)明提供一種模組化的集成光電二極管封裝，通過(guò)對(duì)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)及制造工藝進(jìn)行重新設(shè)計(jì)及優(yōu)化，在保護(hù)產(chǎn)品安全性的同時(shí)也提升了其光學(xué)特性，在LED市場(chǎng)將得到廣泛的應(yīng)用。

上述實(shí)施例不以任何形式限制本發(fā)明，凡采用等同替換或等效變換的方式所獲得的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍。