本實(shí)用新型涉及貼片LED技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種結(jié)構(gòu)改良型LED貼片支架。

背景技術(shù)：

在照明領(lǐng)域，LED光源因具有使用低壓電源、能耗少、適用性強(qiáng)、穩(wěn)定性高、響應(yīng)時(shí)間短、對(duì)環(huán)境無污染、多色發(fā)光等優(yōu)點(diǎn)，成為新一代主流照明光源。LED作為一種新型的綠色光源產(chǎn)品，必然是未來發(fā)展的趨勢(shì)。

現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，LED封裝SMD5730型號(hào)以及SMD5630型號(hào)一般會(huì)在凹坑3內(nèi)放置LED芯片8的碗杯，將LED芯片8固晶在碗杯的中間位置，這樣的結(jié)構(gòu)普遍存在以下的缺點(diǎn)：

1、LED芯片8離負(fù)極打線區(qū)4太遠(yuǎn)，導(dǎo)致焊接金線6拉太長(zhǎng)，線材浪費(fèi)嚴(yán)重，成本上升；2、由于焊接金線6拉太長(zhǎng)，導(dǎo)致焊接金線的弧度容易變形，焊接金線的穩(wěn)定性降低，容易出現(xiàn)斷線，在檢測(cè)拉力時(shí)容易達(dá)不到工程設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)；

3、完成貼片的LED封裝支架凹坑3上面會(huì)覆蓋一層封裝膠，當(dāng)功率型LED的工作電流達(dá)到一定值時(shí)，LED芯片結(jié)溫高，LED芯片上方的封裝膠將受到高溫?zé)竞蠛芸鞎?huì)急劇變黃和失效，從而影響產(chǎn)品的質(zhì)量；

4、現(xiàn)有技術(shù)的LED貼片支架普遍采用塑膠支架，為了增加塑膠支架的出光率，一般會(huì)將碗壁加工成高光潔度而構(gòu)成反光面，塑膠支架的反射率不太高，還會(huì)吸收一定的光，直接造成能量上的損失，而且長(zhǎng)期高溫的環(huán)境下，容易老化變黃。

鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在上述的缺陷，亟待一種有效的解決方案解決上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)改良型LED貼片支架，調(diào)整LED芯片在碗杯內(nèi)的固晶位置，使LED芯片靠近負(fù)極打線區(qū)，在降低線材成本的同時(shí)也解決了焊接金線拉力偏小的問題；設(shè)置絕緣導(dǎo)熱膠層，提高LED芯片的可靠性；凹坑內(nèi)設(shè)置有高反射率鋁內(nèi)壁反光面的高反射率碗杯，提升反射率，散熱效果良好。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：一種結(jié)構(gòu)改良型LED貼片支架，包括底座，所述底座上一體成型有凹坑，所述凹坑的底部設(shè)置有正負(fù)極隔離帶，所述正負(fù)極隔離帶將凹坑的底部劃分為居于左側(cè)的負(fù)極打線區(qū)以及居于右側(cè)的正極打線區(qū)，所述正極打線區(qū)設(shè)置有收容LED芯片的碗杯，所述碗杯前后內(nèi)壁之間的居中位置設(shè)置有LED芯片，所述凹坑的深度大于碗杯的深度，所述LED芯片的左側(cè)通過焊接金線與負(fù)極打線區(qū)連接，所述LED芯片的右側(cè)通過焊接金線與正極打線區(qū)連接，所述LED芯片左側(cè)面離碗杯的左側(cè)內(nèi)杯壁的距離少于9微米，所述負(fù)極打線區(qū)的上表面分別與正負(fù)極隔離帶的上表面、碗杯的底面水平對(duì)齊；所述負(fù)極打線區(qū)的上表面高于正極打線區(qū)的上表面。

作為優(yōu)選方案，所述碗杯的底面圍繞著LED芯片覆蓋有絕緣導(dǎo)熱膠層，所述絕緣導(dǎo)熱膠層的高度小于LED芯片的高度。

作為優(yōu)選方案，所述絕緣導(dǎo)熱膠層包括透明膠和混合于所述透明膠中的絕緣導(dǎo)熱納米粒子。

作為優(yōu)選方案，所述碗杯的內(nèi)杯壁設(shè)置有反光面，所述反光面設(shè)置為高反射率鋁內(nèi)壁反射面。

作為優(yōu)選方案，所述LED芯片左側(cè)面離碗杯的左側(cè)內(nèi)杯壁的距離設(shè)置為5-8微米。

本實(shí)用新型的有益效果是：

第一、LED芯片左側(cè)面離碗杯的左側(cè)內(nèi)杯壁的距離少于9微米，負(fù)極打線區(qū)的上表面分別與正負(fù)極隔離帶的上表面、碗杯的底面水平對(duì)齊，這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)置，減少了LED芯片與負(fù)極打線區(qū)的距離，從而縮短了連接LED芯片與負(fù)極打線區(qū)之間的焊接金線長(zhǎng)度，由于焊接金線比較短，焊接金線的弧度不易變形，解決了焊接金線拉力偏小的問題，從而提升產(chǎn)品的質(zhì)量；由于縮短了連接LED芯片與負(fù)極打線區(qū)之間的焊接金線長(zhǎng)度，因而降低了線材成本；

第二、碗杯的底面圍繞著LED芯片覆蓋有絕緣導(dǎo)熱膠層，可以降低LED芯片的溫度，避免封裝時(shí)LED芯片上方的封裝膠受高溫?zé)炯眲∽凕S和失效，提高LED芯片的可靠性，同時(shí)延長(zhǎng)LED的使用壽命；

第三、所述碗杯的內(nèi)杯壁設(shè)置有反光面，所述反光面設(shè)置為高反射率鋁內(nèi)壁反射面，提升發(fā)光率，散熱效果良好。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是第1實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是第1實(shí)施例的剖視圖。

圖4是第2實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是第2實(shí)施例的剖視圖。

圖6是第3實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是第3實(shí)施例的剖視圖。

圖8是第4實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是第4實(shí)施例的剖視圖。

其中：

底座-1 反光面-2 正極打線區(qū)-3

負(fù)極打線區(qū)4 正負(fù)極隔離帶-5 焊接金線-6

碗杯-7 LED芯片-8 凹坑-9

絕緣導(dǎo)熱膠層-10

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行說明。本實(shí)用新型的描述中，需要說明的是，術(shù)語“左側(cè)”“右側(cè)”、“前后”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。

第1實(shí)施方式：參照?qǐng)D2、圖3所示，一種結(jié)構(gòu)改良型LED貼片支架，包括底座1，底座1上一體成型有凹坑9，凹坑9的底部設(shè)置有正負(fù)極隔離帶5，正負(fù)極隔離帶5將凹坑9的底部劃分為居于左側(cè)的負(fù)極打線區(qū)4以及居于右側(cè)的正極打線區(qū)3，正極打線區(qū)3設(shè)置有收容LED芯片的碗杯7，碗杯前后內(nèi)壁之間的居中位置設(shè)置有LED芯片8，凹坑9的深度大于碗杯7的深度，LED芯片8的左側(cè)通過焊接金線6與負(fù)極打線區(qū)4連接，LED芯片8的右側(cè)通過焊接金線6與正極打線區(qū)3連接，LED芯片8左側(cè)面離碗杯7的左側(cè)內(nèi)杯壁的距離少于9微米，負(fù)極打線區(qū)4的上表面分別與正負(fù)極隔離帶5的上表面、碗杯7的底面水平對(duì)齊；負(fù)極打線區(qū)4的上表面高于正極打線區(qū)3的上表面。作為優(yōu)選的實(shí)施方式，LED芯片8左側(cè)面離碗杯7的左側(cè)內(nèi)杯壁的距離設(shè)置為5-8微米。

本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，減少了LED芯片8與負(fù)極打線區(qū)4的距離，從而縮短了連接LED芯片8與負(fù)極打線區(qū)4之間的焊接金線長(zhǎng)度，由于焊接金線6比較短，焊接金線6的弧度不易變形，解決了焊接金線6拉力偏小的問題，降低二焊時(shí)的難度，從而提升產(chǎn)品的質(zhì)量；由于縮短了連接LED芯片8與負(fù)極打線區(qū)4之間的焊接金線6長(zhǎng)度，因而降低了線材成本；

第2實(shí)施方式：參照?qǐng)D4、圖5所示，第2實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的核心結(jié)構(gòu)相同，而第2實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的主要區(qū)別在于，碗杯7的底面圍繞著LED芯片8覆蓋有絕緣導(dǎo)熱膠層10，絕緣導(dǎo)熱膠層10的高度小于LED芯片8的高度。這樣的結(jié)構(gòu)，可以降低LED芯片的溫度，避免封裝時(shí)LED芯片上方的封裝膠受高溫?zé)炯眲∽凕S和失效，提高LED芯片的可靠性，同時(shí)延長(zhǎng)LED的使用壽命。絕緣導(dǎo)熱膠層10包括透明膠和混合于所述透明膠中的絕緣導(dǎo)熱納米粒子。

第3實(shí)施方式：參照?qǐng)D6、圖7所示，第3實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的核心結(jié)構(gòu)相同，而第3實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的主要區(qū)別在于，碗杯7的內(nèi)杯壁設(shè)置有反光面2，反光面2設(shè)置為高反射率鋁內(nèi)壁反射面。通過這樣的設(shè)置，提升發(fā)光率，散熱效果良好。

第4實(shí)施方式：參照?qǐng)D8、圖9所示，第4實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的核心結(jié)構(gòu)相同，而第4實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的主要區(qū)別在于，在第1實(shí)施方式上同時(shí)設(shè)置有絕緣導(dǎo)熱膠層10以及反光面2。具體結(jié)構(gòu)是:包括底座1，底座1上一體成型有凹坑9，凹坑9的底部設(shè)置有正負(fù)極隔離帶5，正負(fù)極隔離帶5將凹坑9的底部劃分為居于左側(cè)的負(fù)極打線區(qū)4以及居于右側(cè)的正極打線區(qū)3，正極打線區(qū)3設(shè)置有收容LED芯片的碗杯7，碗杯內(nèi)前后內(nèi)壁之間的居中位置設(shè)置有LED芯片8，凹坑9的深度大于碗杯7的深度，LED芯片8的左側(cè)通過焊接金線6與負(fù)極打線區(qū)4連接，LED芯片8的右側(cè)通過焊接金線6與正極打線區(qū)3連接，LED芯片8左側(cè)面離碗杯7的左側(cè)內(nèi)杯壁的距離少于9微米，負(fù)極打線區(qū)4的上表面分別與正負(fù)極隔離帶5的上表面、碗杯7的底面水平對(duì)齊；負(fù)極打線區(qū)4的上表面高于正極打線區(qū)3的上表面。碗杯7的底面圍繞著LED芯片8覆蓋有絕緣導(dǎo)熱膠層10，絕緣導(dǎo)熱膠層10的高度小于LED芯片8的高度。碗杯7的內(nèi)杯壁設(shè)置有反光面2，反光面2設(shè)置為高反射率鋁內(nèi)壁反射面。

上述實(shí)施例僅是顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。