本實用新型屬于深紫外技術(shù)封裝領域，具體涉及一種具有多功能區(qū)塊的深紫外發(fā)光單元支架及發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

目前市場上的深紫外發(fā)光單元支架，例如深紫外LED所用的支架，其底座多數(shù)是鋁基板結(jié)構(gòu)，底座僅具有單一的LED芯片容納作用，可用于安裝單個或多個LED芯片。如圖1所示，基板上設置九宮格a，可同時容納九個相同規(guī)格的發(fā)光芯片，該支架僅提供芯片集成作用，在機械結(jié)構(gòu)上對芯片起承載及保護作用，若使用過程中不增加相應電路保護器件，則芯片壽命也相應降低，這對于成本較高的芯片來說，無疑有些浪費。

目前市場上，若需要為LED承載支架添加其它功能，則需要在支架外增加相應的器件。鑒于此，本實用新型提供一種具有多功能區(qū)塊的深紫外發(fā)光單元支架及發(fā)光裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型提供一種具有多功能區(qū)塊的深紫外發(fā)光單元支架，包括圍壩、連接層及基板，所述圍壩通過連接層安裝于基板上面，所述基板中央設有發(fā)光區(qū)，深紫外發(fā)光單元安裝于發(fā)光區(qū)內(nèi)，其中，所述基板上還設有穩(wěn)壓區(qū)、探測區(qū)及預留區(qū)，所述穩(wěn)壓區(qū)及探測區(qū)分別分布在所述發(fā)光區(qū)兩側(cè)。

進一步的，所述穩(wěn)壓區(qū)與發(fā)光區(qū)共用電源一，所述探測區(qū)單獨使用電源二。

進一步的，預留區(qū)為探測區(qū)提供電源二走線。

進一步的，連接層內(nèi)預埋有加熱導線，且所述加熱導線接通電源二。

進一步的，所述穩(wěn)壓區(qū)安裝一個或多個穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)壓二極管與深紫外發(fā)光單元并聯(lián)連接。

進一步的，所述探測區(qū)安裝一個或多個深紫外光探測器，且所述多個深紫外光探測器并聯(lián)連接。

進一步的，所述深紫外發(fā)光單元為深紫外LED。

進一步的，所述深紫外發(fā)光單元接有至少一個備用電源。

進一步的，所述基板至少包括上下兩層，上層露出焊點用于電連接，下層與上層焊點連接并鋪設電線。

本實用新型還提供一種具有上述深紫外發(fā)光單元支架的深紫外發(fā)光裝置，深紫外發(fā)光單元支架的圍壩上方加蓋有透明蓋板。

本實用新型具有如下優(yōu)點和有益效果：

本實用新型提供的具有多功能區(qū)塊的深紫外發(fā)光單元支架，包括圍壩、連接層及基板，所述圍壩通過連接層安裝于基板上面，所述基板中央設有發(fā)光區(qū)，深紫外發(fā)光單元安裝于發(fā)光區(qū)內(nèi)，其中，所述基板上還設有穩(wěn)壓區(qū)、探測區(qū)及預留區(qū)，所述穩(wěn)壓區(qū)及探測區(qū)分別分布在所述發(fā)光區(qū)兩側(cè)。如此，在基板上為芯片從多角度設置防護功能區(qū)塊，能夠有效增加芯片壽命。

結(jié)合附圖閱讀本申請實施方式的詳細描述后，本申請的其他特點和優(yōu)點將變得更加清楚。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的深紫外LED支架結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型較佳實施例提供的具有多功能區(qū)塊的深紫外發(fā)光單元支架結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a為本實用新型較佳實施例提供的基板各區(qū)塊分布示意圖；

圖3b為本實用新型較佳實施例提供的基板各功能部件安裝示意圖；

圖4為本實用新型較佳實施例提供的基板底面層示意圖；

圖5為本實用新型較佳實施例提供的連接層內(nèi)預埋加熱導線示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

圖2為本實用新型較佳實施例提供的具有多功能區(qū)塊的深紫外發(fā)光單元支架結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實施例提供的具有多功能區(qū)塊的深紫外發(fā)光單元支架，包括圍壩1、連接層2及基板3，圍壩1通過連接層2安裝于基板3上面。于此：圍壩1及連接層2均為氮化鋁陶瓷制作的絕緣體，其導熱性能良好；基板3為陶瓷基板，其表面和/或內(nèi)部嵌有導線，用于為深紫外發(fā)光單元提供電連接。

圖3a為本實用新型較佳實施例提供的基板各區(qū)塊分布示意圖。如圖3a所示，基板3中央設有發(fā)光區(qū)31，深紫外發(fā)光單元安裝于發(fā)光區(qū)31內(nèi)，其中，基板3上還設有穩(wěn)壓區(qū)32、探測區(qū)33及預留區(qū)34，穩(wěn)壓區(qū)32及探測區(qū)33分別分布在發(fā)光區(qū)31兩側(cè)。具體地，穩(wěn)壓區(qū)32安裝一個或多個穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)壓二極管與深紫外發(fā)光單元并聯(lián)連接，基于穩(wěn)壓二極管的備用考慮，當設置多個穩(wěn)壓二極管時，多個穩(wěn)壓二極管并聯(lián)連接，多個穩(wěn)壓二極管串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，即可獲得更高的穩(wěn)定電壓。探測區(qū)33安裝一個或多個深紫外光探測器，且多個深紫外光探測器并聯(lián)連接，起到深紫外光探測器主備替換的作用。

于此，深紫外發(fā)光單元為深紫外LED，其波長范圍為200-350nm，為不可見光。深紫外光探測器4的感光波段在上述波長范圍內(nèi)，當深紫外LED出現(xiàn)損壞時，探測器由于感應不到相應光線即可產(chǎn)生報警。具體地，深紫外光探測器4可為光敏二極管或其它部件，其外接蜂鳴報警器，關于采用的具體電路元件及其連接方式，本實用新型不作限定。

圖3b為本實用新型較佳實施例提供的基板各功能部件安裝示意圖。如圖3b所示，分別安裝一個深紫外光探測器4、深紫外發(fā)光單元5和一個穩(wěn)壓二極管6，為保證電源穩(wěn)定，深紫外發(fā)光單元接有至少一個備用電源。于此，由于電壓要求的不同，本實用新型提供兩個不同電壓的電源一及電源二：穩(wěn)壓區(qū)32與發(fā)光區(qū)31共用電源一，探測區(qū)33單獨使用電源二。預留區(qū)34為探測區(qū)33提供電源二走線，于其它實施例中，預留區(qū)34還可安裝其它部件，然而對此本實用新型并不作限定。

本實施例中，基板3至少包括上下兩層(圖中未示出)，上層露出焊點用于電連接，下層與上層焊點連接并提供電源。本實施例提供的基板包括三層，如前所述，上層用于表面器件連接，中層用于走線，下層即用于電源排布。請參見圖4，下層集中了各電源，其中，電源7對應集成電源一的正負極，電源8對應集成電源二的正負極。

圖5為本實用新型較佳實施例提供的連接層內(nèi)預埋加熱導線示意圖。連接層2內(nèi)預埋有加熱導線，加熱導線埋設于連接層整個周邊輪廓內(nèi)。如圖5所示，加熱導線通過外露的導電點21接通外部電源三。于此，連接層2上鋪設有焊料，為保證最佳加熱效果，加熱導線在連接層內(nèi)的鋪設位置均需保持同一水平位置，即加熱導線能夠?qū)B接層2帶有焊料的一面保持相同程度的加熱。如此，當需要為焊料加熱時，無需其它設備，只需接通外部電源三，通過導熱性能良好的連接層2，即可熔化焊料，操作簡便快捷。

本實用新型還提供一種具有上述深紫外發(fā)光單元支架的深紫外發(fā)光裝置，深紫外發(fā)光單元支架的圍壩上方加蓋有透明蓋板。具體地，透明蓋板材質(zhì)可以為石英或藍寶石，具有透光率高且耐高溫的特性，性能穩(wěn)定。關于本深紫外發(fā)光裝置的內(nèi)部設置與前述深紫外發(fā)光單元支架類似，故于此不再贅述。

以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施例，應當指出，對于本技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。