技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法，采用將多晶硅原料摻入硼后熔融并在暗光處理下生長(zhǎng)、切片得到硅片，將硅片清洗后放入還原性氣氛中進(jìn)行退火處理，取出硅片后進(jìn)行清洗和制絨，待制絨后進(jìn)行磷擴(kuò)散、刻蝕及減反射膜的沉積，最后制備電極并燒結(jié)，即得；本發(fā)明所述抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法易于實(shí)現(xiàn)，有效抑制了摻硼晶體硅的光衰減特性，大大提升了光電轉(zhuǎn)換效率，具有廣闊的應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：佘延英
受保護(hù)的技術(shù)使用者：桂林融通科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611084580
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.02.22