1.一種抑制太陽電池光衰減的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將多晶硅原料摻入硼后混合均勻，并放入單晶爐中升溫至1380～1460℃，熔融后生長得到摻硼的直拉單晶硅，切片并清洗得到硅片A；
(2)將步驟(1)中得到的硅片A放入還原性氣氛中進(jìn)行退火處理；
(3)將步驟(2)中退火后得到的硅片A進(jìn)行太陽電池的制備，包括：對硅片A進(jìn)行清洗和制絨，待制絨后進(jìn)行磷擴(kuò)散、刻蝕及減反射膜的沉積，最后制備電極并燒結(jié)，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述抑制太陽電池光衰減的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中單晶爐升溫至1420℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述抑制太陽電池光衰減的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中生長過程采用暗光處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求3中所述抑制太陽電池光衰減的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中退火溫度為600～800℃，保溫時間為1～8小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中所述抑制太陽電池光衰減的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中還原性氣氛由一氧化碳、氮?dú)夂图淄榻M成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5中所述抑制太陽電池光衰減的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中還原性氣氛中一氧化碳、氮?dú)夂图淄榈捏w積比為2:1:2。