本發(fā)明涉及一種抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

太陽(yáng)能作為一種“取之不盡、用之不竭”的可再生清凈能源近年來引起了國(guó)際學(xué)術(shù)界的廣泛研究和世界各國(guó)的極大重視。在所有的光伏產(chǎn)品中,基于p型摻硼晶體硅的太陽(yáng)電池是最主要的商用產(chǎn)品,目前其市場(chǎng)占有份額達(dá)到了80％以上。為了降低光伏發(fā)電的成本,降低生產(chǎn)成本和提高電池轉(zhuǎn)換效率是晶體硅太陽(yáng)電池最主流的途徑。

對(duì)于p型摻硼晶體硅的太陽(yáng)電池而言,電池在光照使用過程中生成的硼氧復(fù)合體會(huì)導(dǎo)致光致衰減現(xiàn)象，進(jìn)而使得太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率嚴(yán)重下降。而目前解決這種問題通常使用摻雜鎵、鍺等較為貴重的金屬元素，并且極易導(dǎo)致?lián)诫s元素在硅晶體中的濃度不均勻。因此,尋找一種抑制晶體硅太陽(yáng)電池中硼氧復(fù)合體產(chǎn)生以及提高其光電轉(zhuǎn)換效率的方法成為當(dāng)下亟需解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提出了一種抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法，包括以下步驟：

(1)將多晶硅原料摻入硼后混合均勻，并放入單晶爐中升溫至1380～1460℃，熔融后生長(zhǎng)得到摻硼的直拉單晶硅，切片并清洗得到硅片A；

(2)將步驟(1)中得到的硅片A放入還原性氣氛中進(jìn)行退火處理；

(3)將步驟(2)中退火后得到的硅片A進(jìn)行太陽(yáng)電池的制備，包括：對(duì)硅片A進(jìn)行清洗和制絨；制絨后進(jìn)行磷擴(kuò)散；進(jìn)行刻蝕及減反射膜的沉積；最后制備電極并燒結(jié)，即得。

進(jìn)一步的，所述步驟(1)中單晶爐升溫至1420℃。

進(jìn)一步的，所述步驟(1)中生長(zhǎng)過程采用暗光處理。

進(jìn)一步的，所述步驟(2)中退火溫度為720℃，保溫時(shí)間為4小時(shí)。

進(jìn)一步的，所述步驟(2)中還原性氣氛由一氧化碳、氮?dú)夂图淄榻M成。

進(jìn)一步的，所述步驟(2)中還原性氣氛中一氧化碳、氮?dú)夂图淄榈捏w積比為2:1:2。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明在單晶硅生長(zhǎng)過程中采用暗光處理，初步抑制了硼氧復(fù)合體的形成。本發(fā)明在退火過程中通入的還原性氣氛中含有一氧化碳，利用一氧化碳的還原特性可以有效降低摻硼晶體硅中的含氧量，從而有效降低硼氧復(fù)合體形成的可能。此外，氣氛中含有的甲烷可以有效增加摻硼晶體硅中的含碳量，由于摻硼晶體硅中的含氧量減少，碳原子的增加并不會(huì)促進(jìn)氧沉淀的形成，減少了少子的復(fù)合強(qiáng)度和結(jié)區(qū)的漏電通道，并且由于含碳量增加可以有效抑制硼氧復(fù)合體的形成。本發(fā)明所述抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法易于實(shí)現(xiàn)，有效抑制了摻硼晶體硅的光衰減特性，大大提升了光電轉(zhuǎn)換效率，具有廣闊的應(yīng)用前景。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

一種抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法，包括以下步驟：

(1)將多晶硅原料摻入硼后混合均勻，并放入單晶爐中升溫至1420℃，熔融后在暗光處理下生長(zhǎng)得到摻硼的直拉單晶硅，切片并清洗得到硅片A；

(2)將步驟(1)中得到的硅片A放入還原性氣氛中進(jìn)行退火處理，其中，退火溫度為720℃，保溫時(shí)間為4小時(shí)，且還原性氣氛由一氧化碳、氮?dú)夂图淄榘大w積比為2:1:2組成；

(3)將步驟(2)中退火后得到的硅片A進(jìn)行太陽(yáng)電池的制備，包括：對(duì)硅片A進(jìn)行清洗和制絨，待制絨后進(jìn)行磷擴(kuò)散、刻蝕及減反射膜的沉積，最后制備電極并燒結(jié)，即得。

實(shí)施例2

一種抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法，包括以下步驟：

(1)將多晶硅原料摻入硼后混合均勻，并放入單晶爐中升溫至1380℃，熔融后在暗光處理下生長(zhǎng)得到摻硼的直拉單晶硅，切片并清洗得到硅片A；

(2)將步驟(1)中得到的硅片A放入還原性氣氛中進(jìn)行退火處理，其中，退火溫度為600℃，保溫時(shí)間為8小時(shí)，且還原性氣氛由一氧化碳、氮?dú)夂图淄榘大w積比為2:1:2組成；

(3)將步驟(2)中退火后得到的硅片A進(jìn)行太陽(yáng)電池的制備，包括：對(duì)硅片A進(jìn)行清洗和制絨，待制絨后進(jìn)行磷擴(kuò)散、刻蝕及減反射膜的沉積，最后制備電極并燒結(jié)，即得。

實(shí)施例3

一種抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法，包括以下步驟：

(1)將多晶硅原料摻入硼后混合均勻，并放入單晶爐中升溫至1460℃，熔融后在暗光處理下生長(zhǎng)得到摻硼的直拉單晶硅，切片并清洗得到硅片A；

(2)將步驟(1)中得到的硅片A放入還原性氣氛中進(jìn)行退火處理，其中，退火溫度為800℃，保溫時(shí)間為1小時(shí)，且還原性氣氛由一氧化碳、氮?dú)夂图淄榘大w積比為2:1:2組成；

(3)將步驟(2)中退火后得到的硅片A進(jìn)行太陽(yáng)電池的制備，包括：對(duì)硅片A進(jìn)行清洗和制絨，待制絨后進(jìn)行磷擴(kuò)散、刻蝕及減反射膜的沉積，最后制備電極并燒結(jié)，即得。

實(shí)施例4

一種抑制太陽(yáng)電池光衰減的制備方法，包括以下步驟：

(1)將多晶硅原料摻入硼后混合均勻，并放入單晶爐中升溫至1450℃，熔融后在暗光處理下生長(zhǎng)得到摻硼的直拉單晶硅，切片并清洗得到硅片A；

(2)將步驟(1)中得到的硅片A放入還原性氣氛中進(jìn)行退火處理，其中，退火溫度為640℃，保溫時(shí)間為6小時(shí)，且還原性氣氛由一氧化碳、氮?dú)夂图淄榘大w積比為2:1:2組成；

(3)將步驟(2)中退火后得到的硅片A進(jìn)行太陽(yáng)電池的制備，包括：對(duì)硅片A進(jìn)行清洗和制絨，待制絨后進(jìn)行磷擴(kuò)散、刻蝕及減反射膜的沉積，最后制備電極并燒結(jié)，即得。

當(dāng)然，上面只是本發(fā)明優(yōu)選的具體實(shí)施方式作了詳細(xì)描述，并非以此限制本發(fā)明的實(shí)施范圍，凡依本發(fā)明的原理、構(gòu)造以及結(jié)構(gòu)所作的等效變化，均應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。