技術總結
本發(fā)明的實施例提供了一種半導體器件，包括：襯底；在襯底上設置的多個鰭結構；在多個鰭結構的每個上設置的多個第一應變材料；在多個第一應變材料的每個上分別形成的多個覆蓋層，其中，至少兩個覆蓋層彼此連接；在彼此連接的至少兩個覆蓋層上設置第二應變材料。本發(fā)明的實施例還提供了一種用于制造半導體器件的方法。

技術研發(fā)人員：張智強;宋學昌;李昆穆;游明華
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201610953747
技術研發(fā)日：2016.10.27
技術公布日：2017.06.20