本發(fā)明涉及半導體封裝技術領域。

背景技術：

現(xiàn)有的以引線框為基片的芯片封裝工藝中，是利用銅基板蝕刻出芯片的線路，如果芯片的線路簡單、密度低，此種工藝沒什么問題。然而，對于線路復雜、密度高的芯片，利用銅基板來蝕刻處芯片的線路的弊端就凸顯出來了。如果線路或腳仔太密集，在保證尺寸不過分增大的情況下，線路就需要做得很細，而蝕刻的工藝受銅材厚底和蝕刻因子的限制，無法做到很小的線路蝕刻間隙，這就限制了芯片的線路的密度，無法將線路設計得太密集，不能靈活地設計芯片的線路。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提出一種高密度線路芯片封裝工藝，其可使芯片的線路設計得更加密集，能夠更加靈活地設計芯片的線路。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下技術方案。

高密度線路芯片封裝工藝，包括以下步驟：

電鍍：依照芯片的線路的圖案在銅基板正面電鍍形成電鍍層，該電鍍層作為所述線路；

粘晶通電：粘接晶粒并在晶粒與所述線路的焊位之間焊線以實現(xiàn)電連接；

塑封：在銅基板正面注塑形成塑膠保護層。

本發(fā)明的高密度線路芯片封裝工藝中，采用電鍍的方式來制作芯片的線路，而非傳統(tǒng)的在銅基板上蝕刻的方式，因此不再受制于蝕刻工藝中銅材厚底和蝕刻因子，由于電鍍工藝的特點，能做出更細的線路，故可使芯片的線路設計得更加密集，也能夠更加靈活地設計芯片的線路，實現(xiàn)芯片的高密度線路。芯片的線路包括導線、焊線焊位和錫球焊位。

較佳地，電鍍步驟為：依照晶粒粘接區(qū)域的圖案和芯片的線路的圖案在銅基板正面電鍍形成電鍍層，該電鍍層部分作為所述線路，部分作為晶圓底座；

粘晶通電步驟中，將晶粒粘接在晶圓底座上。

較佳地，在塑封步驟之前，還包括以下步驟：

微蝕：輕微蝕刻銅基板正面，以將所述電鍍層邊緣下方的銅部分蝕去，形成鎖膠槽。

形成鎖膠槽后，在后續(xù)的塑封步驟中注塑時，膠料會流入鎖膠槽內，凝固形成塑膠保護層后，將扣住所述電鍍層，在注塑后，塑膠能更好的與引線框基片(即電鍍層)結合，避免出現(xiàn)塑膠保護層與引線框脫離，塑膠保護層與電鍍層這樣牢固地結合，在后續(xù)的粘接錫球等工序操作時可避免電鍍層脫落，保證封裝形成的芯片的可靠性。

較佳地，微蝕步驟在電鍍步驟之后，粘晶通電步驟之前。利用電鍍層本身的抗蝕性，不需要貼膜、曝光和顯影來保護電鍍層。微蝕步驟在粘接晶粒和焊線之前，更具有實際操作的可能和價值，不會對晶粒和所焊的線造成損傷。

較佳地，在塑封步驟之后，還包括以下步驟：

全蝕：將銅基板全部蝕去；

制作背面保護層：在芯片背面的相應位置涂覆保護層，此保護層作為背面保護層；

制作外腳：在芯片背面的相應位置制作外腳，外腳與所述線路的相應位置連接。

較佳地，所述背面保護層為焊接掩膜，制作外腳步驟具體地：在芯片背面的相應位置粘貼錫球作為外腳，錫球與所述線路的相應位置連接。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的高密度線路芯片封裝工藝的步驟示意圖；

圖2為圖2中A處的放大示意圖；

圖3為圖2中B處的放大示意圖；

圖4為采用本發(fā)明的高密度線路芯片封裝工藝制成的芯片的部分線路的示意圖。

附圖標記包括：

銅基板1，芯片的線路2，導線21，焊線焊位22，錫球焊位23，晶圓底座3，鎖膠槽4，晶粒5，導線6，塑膠保護層7，焊接掩膜8，錫球9。

具體實施方式

以下結合具體實施例對本發(fā)明作詳細說明。

如圖1所示，本實施例的高密度線路芯片封裝工藝包括如下步驟：

電鍍：在銅基板1正面依照芯片的線路2的圖案電鍍形成作為線路2的電鍍層。線路2參見圖4，線路2包括導線21(與焊接的導線6不同)、焊線焊位22和錫球焊位23，焊線焊位22用于焊接導線6，錫球焊位23用于粘接錫球9，圖1中為簡潔示出工藝過程，對線路2的表示不完全，線路2具體參見圖4。本實施例中，在該步驟中，還可一同電鍍形成晶圓底座3，具體為，依照晶粒5粘接區(qū)域(即晶圓底座3)的圖案和芯片的線路2的圖案在銅基板1正面電鍍形成電鍍層，該電鍍層部分作為所述線路2，部分作為晶圓底座3。

電鍍步驟對應圖1中的a，具體操作可以為，在銅基板1兩面貼上感光膜，然后曝光、顯影，將底片上的線路2的圖案和晶粒5粘接區(qū)域的圖案轉移到銅基板1正面的感光膜上，然后進行電鍍形成電鍍層。

采用電鍍的方式來制作芯片的線路2，而非傳統(tǒng)的在銅基板1上蝕刻的方式，因此不再受制于蝕刻工藝中銅材厚底和蝕刻因子，由于電鍍工藝的特點，能做出更細的線路2，故可使芯片的線路2設計得更加密集。參見圖4，采用電鍍工藝來制作線路2，能夠讓導線21的位置和形狀更靈活，可輕松穿梭在錫球焊位23之間狹小的縫隙中，因此能夠更加靈活地設計芯片的線路2，實現(xiàn)芯片的高密度線路。

需要說明的是，也可不電鍍形成晶圓底座3，采用其他方式來制作粘接晶粒5的位置，例如粘貼晶粒5使用絕緣晶粒粘貼膠紙，這樣就可以設計線路2在晶粒5下面，從而實現(xiàn)更高密度；或者電鍍形成各種形狀的晶圓底座3在銅基板1背面，在背蝕后形成晶圓底座3。采用其他方式制作粘接晶粒5的位置的時候，后續(xù)工藝步驟中也作適應性調整，具體視采用何種方式來制作粘接晶粒5的位置而定，在此不詳細展開說明。

微蝕：輕微蝕刻銅基板1正面，以將所述電鍍層邊緣下方的銅部分蝕去，形成鎖膠槽4。結合圖1中的b和圖2，將銅基板1正面蝕去一層，從而使作為線路2和晶圓底座3的電鍍層的邊緣的下方出現(xiàn)縫隙，該縫隙即為鎖膠槽4。

粘晶通電：將晶粒5粘接在晶圓底座3上，并在晶粒5與線路2的焊位之間焊接導線6，以實現(xiàn)晶粒5與線路2之間的電連接。如圖1中c所示。

塑封：在銅基板1正面注塑形成塑膠保護層7。如圖1中d所示。注塑時的膠料會流入填充鎖膠槽4，固化后形成扣住電鍍層的結構，從圖3中可清晰地看出，在注塑后，塑膠能更好的與引線框基片(即電鍍層)結合，避免出現(xiàn)塑膠保護層7與引線框脫離，塑膠保護層7與電鍍層這樣牢固地結合，在后續(xù)的粘接錫球9等工序操作時可避免電鍍層脫落，保證封裝形成的芯片的可靠性。

全蝕：將銅基板1全部蝕去。如此線路2可正常工作，不通過銅基板1造成短路。此外，由于所有的銅都被蝕去了，不會有因銅氧化導致封裝產品出現(xiàn)銅與膠體分層的風險，使封裝形成的芯片的可靠性更高。此步驟如圖1中e所示。

制作背面保護層：在芯片背面的相應位置涂覆保護層，此保護層作為背面保護層。本實施例中，背面保護層為焊接掩膜8，俗稱綠油。由于銅基板1都被蝕去了，作為線路2和晶圓底座3的電鍍層就露出來了，涂覆背面保護層后，可保護線路2和晶粒5。背面保護層并非覆蓋整個背面，只覆蓋相應的位置，需預留制作外腳的位置，為此，制作背面保護層時，先在芯片背面貼上感光膜，然后曝光顯影使得需要涂覆背面保護層的位置露出來，之后涂上焊接掩膜8，經常規(guī)處理硬化后即可。

制作外腳：在芯片背面相應位置制作外腳，具體為粘接錫球9，錫球9與線路2的相應位置連接，以實現(xiàn)芯片與外部電路的連通。

制作背面保護層和外腳如圖1中的f所示。

以上所揭露的僅為本發(fā)明創(chuàng)造的優(yōu)選實施例而已，當然不能以此來限定本發(fā)明創(chuàng)造之權利范圍，因此依本發(fā)明創(chuàng)造申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明創(chuàng)造所涵蓋的范圍。