芯片后組裝扇出型封裝結構及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種芯片后組裝扇出型封裝結構及其生產(chǎn)工藝，屬于微電子先進封裝技術領域。
【背景技術】
[0002]目前主流的扇出型封裝還是基于晶圓工藝基礎上的注塑(molding)方式，其中主要的扇出的RDL應用濺射金屬薄膜作為種子層或圓片的方式，該結構所制作的封裝的熱管理性能有很大的限制；另外工藝方面也是具有成本高，工藝復雜等特點，所以導致了成本高和性能不高等特點。
[0003]現(xiàn)有的基于基板工藝或晶圓工藝的多數(shù)扇出封裝工藝均是基于埋置芯片的方式開展的，該方式在芯片埋置后無法進行返修等，所以極大地限制扇出型封裝結構的良率以及大規(guī)模的應用。另外在基于基板的埋置工藝過程中不能夠使用Al焊盤的芯片，在后面化學鍍銅以及電鍍會有問題。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術中存在的不足，提供一種芯片后組裝扇出型封裝結構及其生產(chǎn)工藝，主要解決了芯片鋁焊盤無法與基板工藝兼容的問題和扇出型裝良率的問題，降低了封裝成本。
[0005]按照本發(fā)明提供的技術方案，所述芯片后組裝扇出型封裝結構，其特征是:包括扇出型封裝基板，在扇出型封裝基板的上表面設置焊盤，在扇出型封裝基板的下表面設置阻焊層，阻焊層中布置RDL線路層，在扇出型封裝基板上設有連通上下表面的通孔，通孔中填充金屬，RDL線路層和焊盤通過通孔中的金屬互連，在RDL線路層的焊盤上設有BGA球；在所述扇出型封裝基板的上表面設有介質材料，扇出型封裝基板上表面的焊盤嵌入介質材料中，在介質材料上表面設有基板壩體，在基板壩體上開設槽體，槽體由基板壩體的上表面延伸至介質材料的表面，在槽體中貼裝芯片；所述芯片的正面設有芯片焊盤，芯片焊盤上設有凸點，芯片的正面朝下設置，芯片焊盤和凸點嵌入介質材料中，凸點與扇出型封裝基板上表面的焊盤連接。
[0006]進一步的，在所述芯片與基板壩體之間的間隙中填充介質材料。
[0007]進一步的，所述扇出型封裝基板為單層、兩層或多層封裝基板。
[0008]進一步的，所述槽體的高度和寬度與芯片的高度和寬度相匹配。
[0009]所述芯片后組裝扇出型封裝結構的生產(chǎn)工藝，其特征是，包括以下步驟:
(1)在芯片的芯片焊盤上植凸點；
(2)制作扇出型封裝基板，在扇出型封裝基板上表面的焊盤表面進行鎳金或鎳鈀金處理，焊盤與扇出型封裝基板下表面的RDL線路層互連；
(3)在扇出型封裝基板的上表面貼裝介質材料，在介質材料上臨時貼裝基板壩體，在基板壩體上開設有槽體，槽體由基板壩體的表面延伸至介質材料的表面；在介質材料上對應于扇出型封裝基板焊盤的位置開設窗口；
(4)將芯片貼裝到扇出型封裝基板的上表面，芯片的凸點與扇出型封裝基板的焊盤共晶鍵合;
(5)將介質材料進行融化填充在芯片與基板壩體之間；
(6)在扇出型封裝基板的下表面植BGA球，從而形成完整的封裝結構。
[0010]進一步的，所述凸點為金凸點。
[0011]進一步的，所述步驟(5)中，采用高溫熱壓的方式將基板壩體臨時鍵合的介質材料融化后填充在芯片與基板壩體之間。
[0012]進一步的，所述步驟(5)中，通過點膠的方式在芯片和基板壩體之間填充介質材料。
[0013]本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
(1)本發(fā)明采用后組裝的芯片，有效提高扇出型封裝的良率，更好地解決了扇出型封裝大規(guī)模應用所面臨的良率比較低的問題；本發(fā)明主要是在組裝之前可以有選擇性對基板進行排除，從而將基板的良率對最終扇出封裝樣品的良率影響降到最低；
(2)本發(fā)明所述封裝結構具有更好的散熱性能，后組裝的方式能夠在封裝后將芯片的背面進行裸露從而更好的利于芯片的散熱，更好的改善其封裝芯片的使用性能；
(3)本發(fā)明基于有機基板工藝開展的板級扇出型封裝技術，具有成本低，可適用于大規(guī)模生產(chǎn)等特點。
【附圖說明】
[0014]圖1為在芯片焊盤上植凸點的示意圖。
[0015]圖2為扇出型封裝基板的示意圖。
[0016]圖3為基板筑現(xiàn)的不意圖。
[0017]圖4為凸點共晶鍵合進行芯片貼裝的示意圖。
[0018]圖5為在芯片和基板壩體之間填充介質材料的示意圖。
[0019]圖6為本發(fā)明的結構示意圖。
[0020]圖中序號:扇出型封裝基板1、阻焊層2、RDL線路層3、焊盤4、BGA球5、通孔6、介質材料7、基板壩體8、槽體9、芯片10、芯片焊盤11、凸點12。
【具體實施方式】
[0021]下面結合具體附圖對本發(fā)明作進一步說明。
[0022]下文將參考附圖更完整地描述本公開內容，其中在附圖中顯示了本公開內容的實施方式。但是這些實施方式可以用許多不同形式來實現(xiàn)并且不應該被解釋為限于本文所述的實施方式。相反地，提供這些實例以使得本公開內容將是透徹和完整的，并且將全面地向本領域的熟練技術人員表達本公開內容的范圍。應當注意，雖然在下文將描述一個相對完整的芯片封裝器件的制作工藝，但是其中有的工藝步驟是可選的，并且存在替換的實施方式。
[0023]如圖6所示:所述芯片后組裝扇出型封裝結構，包括扇出型封裝基板I，在扇出型封裝基板I的上表面設置焊盤4，在扇出型封裝基板I的下表面設置阻焊層2，阻焊層2中布置RDL線路層3，在扇出型封裝基板I上設有連通上下表面的通孔6，通孔6中填充金屬，RDL線路層3和焊盤4通過通孔6中的金屬互連，在RDL線路層3的焊盤上設有BGA球5 ；在所述扇出型封裝基板I的上表面設有介質材料7，扇出型封裝基板I上表面的焊盤4嵌入介質材料7中，在介質材料7上表面設有基板壩體8，在基板壩體8上開設槽體9，槽體9由基板壩體8的上表面延伸至介質材料7的表面，在槽體9中貼裝芯片10，芯片10的高度和寬度與槽體9的高度和寬度相匹配；所述芯片10的正面設有芯片焊盤11，芯片焊盤11上設有凸點12，芯片10的正面朝下設置，芯片焊盤11和凸點12嵌入介質材料7中，凸點12與扇出型封裝基板I上表面的焊盤連接。