1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：
襯底，所述襯底具有第一源極區(qū)域、第二源極區(qū)域、第一漏極區(qū)域和第二漏極區(qū)；
第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)位于所述襯底上方并且介于所述第一源極區(qū)域和所述第一漏極區(qū)域之間；以及
第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)位于所述襯底上方并且介于所述第二源極區(qū)域和所述第二漏極區(qū)域之間，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一厚度大于所述第二柵極結(jié)構(gòu)的第二厚度，并且所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極寬度小于所述第二柵極結(jié)構(gòu)的第二柵極寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)由相同的材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)包括多晶硅材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的第一柵極長度等于所述第二柵極結(jié)構(gòu)的第二柵極長度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，還包括：
掩模層，所述掩模層具有彼此隔離的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)上方，并且所述第二部分位于所述第二柵極結(jié)構(gòu)上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，還包括：
第一間隔件，所述第一間隔件圍繞所述第一柵極結(jié)構(gòu)并且圍繞所述掩模層的所述第一部分；以及
第二間隔件，所述第二間隔件圍繞所述第二柵極結(jié)構(gòu)并且圍繞所述掩模層的所述第二部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一間隔件的第三厚度大于所述第二間隔件的第四厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中，所述第一部分的第一頂面未與所述第二部分的第二頂面對準(zhǔn)。
9.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：
襯底，所述襯底具有第一源極區(qū)域、第二源極區(qū)域、第一漏極區(qū)域和第二漏極區(qū)域；
第一柵極堆疊件，所述第一柵極堆疊件位于所述襯底上方并且介于所述第一源極區(qū)域和所述第一漏極區(qū)域之間；
第二柵極堆疊件，所述第二柵極堆疊件位于所述襯底上方并且介于所述第二源極區(qū)域和所述第二漏極區(qū)域之間，其中，所述第一柵極堆疊件的第一柵極寬度小于所述第二柵極堆疊件的第二柵極寬度；
第一間隔件，所述第一間隔件圍繞所述第一柵極堆疊件；以及
第二間隔件，所述第二間隔件圍繞所述第二柵極堆疊件，其中，所述第一間隔件的第一厚度大于所述第二間隔件的第二厚度。
10.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的方法，包括：
在襯底上方形成導(dǎo)電層，其中，所述導(dǎo)電層具有第一厚部和比所述第一厚部薄的第一薄部；
在所述導(dǎo)電層上方形成第一掩模層，其中，所述第一掩模層具有第一帶狀部和第二帶狀部，所述第二帶狀部比所述第一帶狀部寬，所述第一帶狀部位于所述第一厚部上方，并且所述第二帶狀部位于所述第一薄部上方；以及
實施第一各向異性蝕刻工藝以去除由所述第一掩模層暴露的所述導(dǎo)電層。