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一種電容器用高介電常數(shù)薄膜的制備方法與流程

文檔序號:11835485閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種電容器用高介電常數(shù)薄膜的制備方法,其特征在于:所述的電容器用高介電常數(shù)薄膜的制備方法為:將有機(jī)溶劑和金屬氧化物以及粘合劑混合攪拌成漿料,此后使用涂覆機(jī)把漿料均勻的涂在基材薄膜的表面,涂層厚度為3-5um,然后通過卷繞系統(tǒng),使涂覆后的基材薄膜經(jīng)過溫度70℃-85℃的熱源,促使有機(jī)溶劑從基材薄膜表面充分的揮發(fā),從而基材薄膜表面恢復(fù)至干燥并且保留了高介電常數(shù)的金屬氧化物即可。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電容器用高介電常數(shù)薄膜的制備方法,其特征在于:所述的基材薄膜包含BOPP基膜和PET基膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電容器用高介電常數(shù)薄膜的制備方法,其特征在于:所述的基材薄膜選取BOPP基膜時此時有機(jī)溶劑、金屬氧化物以及粘合劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)依次為:36%-40%、32%-34%、28%-30%。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種電容器用高介電常數(shù)薄膜的制備方法,其特征在于:所述的基材薄膜選取BOPP基膜時此時有機(jī)溶劑為聚氨酯沖淡劑,粘合劑為無苯里印調(diào)金油,金屬氧化物為二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋇和氧化鋅的混合物,其中所述的金屬氧化物中以金屬氧化物作為百分百計各個物質(zhì)的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為二氧化鈦18%-36%、三氧化二鋁18%-32%、氧化鋇20%-34%、氧化鋅10%-30%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電容器用高介電常數(shù)薄膜的制備方法,其特征在于:所述的基材薄膜選取PET基膜時此時有機(jī)溶劑、金屬氧化物以及粘合劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)依次為:36%-40%、33%-35%、27%-30%。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的一種電容器用高介電常數(shù)薄膜的制備方法,其特征在于:所述的基材薄膜選取PET基膜時所述的有機(jī)溶劑為聚氨酯沖淡劑,粘合劑為無苯無酮聚氨酯調(diào)金油,金屬氧化物為二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋇和氧化鋅的混合物,其中所述的金屬氧化物中以金屬氧化物作為百分百計各個物質(zhì)的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為二氧化鈦28%-40%、三氧化二鋁18%-24%、氧化鋇23%-34%、氧化鋅15%-24%。

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