技術(shù)特征：

1.一種基于Spiro-OMeTAD/PbS復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，包括透明導(dǎo)電襯底和依次層疊于透明導(dǎo)電襯底上的金屬氧化物電子傳輸層、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層以及金屬電極層；其特征在于：所述的空穴傳輸層通過以下方式得到：先在鈣鈦礦吸光層上旋涂一層Spiro-OMeTAD層，再在真空條件下通過熱蒸發(fā)法將高純度的硫化鉛粉末沉積在Spiro-OMeTAD層上，形成一層p型硫化鉛薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于Spiro-OMeTAD/PbS復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于：所述的硫化鉛粉末的純度高于99.99%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于Spiro-OMeTAD/PbS復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于：所述的p型硫化鉛薄膜的厚度為20~70nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于Spiro-OMeTAD/PbS復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于：所述的透明導(dǎo)電襯底為FTO導(dǎo)電玻璃；所述的鈣鈦礦層吸光層為CH₃NH₃PbI₃薄膜或[CH₃NH₃]_x[CH(NH₂)₂]_1-xPbI₃薄膜，其中，0＜x＜1；所述的金屬氧化物電子傳輸層為SnO₂薄膜；所述的金屬電極層為金電極。

5.一種制備權(quán)利要求1-4任一項所述的基于Spiro-OMeTAD/PbS復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池的方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）先將透明導(dǎo)電襯底采用半導(dǎo)體工藝清洗，用氮氣吹干；

（2）然后用甩膠機將金屬氧化物的前驅(qū)體溶液均勻地旋涂在透明導(dǎo)電襯底上，在200攝氏度條件下退火一個小時，得到金屬氧化物電子傳輸層；

（3）在金屬氧化物電子傳輸層上旋涂一層鈣鈦礦吸光層，退火處理；

（4）空穴傳輸層的制備：

（4-）先將雙三氟甲基磺酸亞酰胺鋰溶解在乙腈中，攪拌均勻，得到雙三氟甲基磺酸亞酰胺鋰的乙腈溶液；然后將Spiro-OMeTAD溶解在氯苯中，添加4-叔丁基吡啶和雙三氟甲基磺酸亞酰胺鋰的乙腈溶液，40攝氏度下攪拌24小時，得到Spiro-OMeTAD溶液；

（4-）將Spiro-OMeTAD溶液均勻地旋涂在經(jīng)過退火的鈣鈦礦吸光層上，置于干燥柜中氧化24小時；

（4-）真空條件下通過熱蒸發(fā)法在氧化好的Spiro-OMeTAD層上方均勻沉積一層p型硫化鉛薄膜，并使用膜厚監(jiān)控儀控制p型硫化鉛薄膜的厚度為20~70nm；

（5）熱蒸發(fā)法在空穴傳輸層上制備金屬電極層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述的金屬氧化物前驅(qū)體溶液的配置方式為：將0.025~0.2 mol/L的SnCl₂?2H₂O乙醇溶液攪拌10~40分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述的鈣鈦礦吸光層的制備方式包括如下步驟：

（1）預(yù)先合成（）CH₃NH₃I或（）CH₃NH₃I 和CH(NH₂)₂I，將其與PbI₂一同溶解在二甲基甲酰胺和二甲基亞砜的混合溶液中，60攝氏度下攪拌24小時，得到鈣鈦礦前驅(qū)液；其中，二甲基甲酰胺和二甲基亞砜的體積比為4:1，鈣鈦礦前驅(qū)液中CH₃NH₃I 和 CH(NH₂)₂I的總量與PbI₂的摩爾比為1:1；

（2）用勻膠機將配置好的鈣鈦礦前驅(qū)液均勻地旋涂在經(jīng)過退火的電子傳輸層上，先以500rpm的轉(zhuǎn)速低速旋涂6s，再以4000rpm的轉(zhuǎn)速高速旋涂30s，在高速旋涂開始的第10~15s滴加氯苯；

（3）在100攝氏度下退火10分鐘。

8.權(quán)利要求1-4任一項所述的基于Spiro-OMeTAD/PbS復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池在光電領(lǐng)域中的應(yīng)用。