用于有機電致發(fā)光裝置的材料和包括其的有機電致發(fā)光裝置的制作方法
相關申請的交叉參考
本專利申請要求2014年10月28日提交的日本專利申請第2014-219497號和于2015年4月28日提交的第2015-092410號的優(yōu)先權和權益，兩篇的全部內容通過引用并入本文。
背景技術：
本公開在本文涉及用于有機電致發(fā)光裝置的材料和包括其的有機電致發(fā)光裝置。例如，本公開在本文涉及具有高發(fā)光效率和長壽命的用于有機電致發(fā)光裝置的材料，以及包括其的有機電致發(fā)光裝置。
近來，積極開展作為一種類型的圖像顯示器的有機電致發(fā)光(EL)顯示器的開發(fā)。有機EL裝置是所謂的自發(fā)光顯示器并且不同于液晶顯示器。有機EL裝置通過經(jīng)由從發(fā)光層的陽極和陰極注入的空穴和電子的復合從其發(fā)光層中的發(fā)光材料(包括有機材料)發(fā)光而顯示圖像。
作為有機EL裝置，有機裝置可以包括，例如陽極、布置在所述陽極上的空穴傳輸層、布置在所述空穴傳輸層上的發(fā)光層、布置在所述發(fā)光層上的電子傳輸層和布置在所述電子傳輸層上的陰極?？昭◤乃鲫枠O注入，并且所注入的空穴經(jīng)由空穴傳輸層移動并且注入到發(fā)光層中。電子從所述陰極注入，并且所注入的電子經(jīng)由電子傳輸層移動并且注入到發(fā)光層中。所注入的空穴和電子復合以在發(fā)光層中產(chǎn)生激子。有機EL裝置利用通過激子的輻射失活產(chǎn)生的光而發(fā)光。但是，有機EL裝置的構型并不限于此，并且各種改進是可能的。
當有機EL裝置應用于顯示裝置時，需要有機EL裝置的高效率和長壽命。但是，在有機EL裝置中-特別是在藍色發(fā)光區(qū)中(與綠色發(fā)光區(qū)和紅色發(fā)光區(qū)比較)，驅動電壓較高且發(fā)光效率不夠。為了實現(xiàn)有機EL裝置的高效率和長壽命，已檢查增加空穴傳輸層的標準化、穩(wěn)定化和耐久性的方式。
作為在空穴傳輸層中利用的空穴傳輸材料，已利用各種化合物諸如芳族胺化合物。但是，與解決裝置的短壽命相關的問題仍存在。例如，已建議被芳基或雜芳基取代的胺衍生物作為對于增加有機EL裝置的壽命有用的材料。然而，利用如上提及的材料的有機EL裝置具有不充分的發(fā)光壽命。因此，目前期望具有較高效率和長發(fā)光壽命的有機EL裝置。
技術實現(xiàn)要素：
根據(jù)本公開的實施方式，用于有機EL裝置的材料由式1表示。
式1
在式1中，X1為O或S；Ar1和Ar2各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、甲硅烷基、鹵素原子、氘原子、氫原子、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的10至30個碳原子的且包括氧原子或硫原子的二苯并雜環(huán)基團；Ar3和Ar4各自獨立地為甲硅烷基、或為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基；L1和L2各自獨立地為直接鍵聯(lián)、或選自甲硅烷基和取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的亞芳基的二價基團；L3為選自甲硅烷基和取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的亞芳基的二價基團；n為0至3的整數(shù)；m為0至4的整數(shù)；且n+m≥1。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，具有高電子耐受性的取代的二苯并雜環(huán)基團被引入(例如，連接至)胺基團(或胺化合物)中，從而利用用于有機EL裝置的材料的層的壽命可增加，且有機EL裝置的壽命可增加。因為二苯并雜環(huán)基團包括取代基，所以材料的非晶性質可得以改善(例如，材料的結晶度可被降低)，電荷遷移性可增加，且高發(fā)光效率可得以實現(xiàn)。
在實施方式中，由式1表示的化合物可以是由式2或式3表示的化合物。
式2
式3
在式2和3中，X2為O或S；Ar5和Ar6各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、甲硅烷基、鹵素原子、氘原子、氫原子、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的10至30個碳原子的且包括氧原子或硫原子的二苯并雜環(huán)基團；Ar7和Ar8各自獨立地為甲硅烷基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基；L4和L5各自獨立地為直接鍵聯(lián)、或為選自甲硅烷基和取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的亞芳基的二價基團；L6為直接鍵聯(lián)或為選自取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至24個碳原子的亞芳基和甲硅烷基的二價基團；R1至R8各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的5至30個碳原子的雜芳基、具有1至15個碳原子的烷基、甲硅烷基、鹵素原子、氫原子或氘原子；n為0至3的整數(shù)；m為0至4的整數(shù)；且n+m≥1。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式1中，L3包括間亞苯基或對亞苯基，并且二苯并雜環(huán)基團在連接于胺基團的亞苯基的間位或對位處連接。二苯并雜環(huán)基團經(jīng)由直接鍵聯(lián)或L6與亞苯基結合。材料的分子對稱性可被破壞，材料的非晶性質可得以進一步改善，且電荷遷移性可增加，從而實現(xiàn)有機EL裝置的長壽命和高發(fā)光效率。
在實施方式中，由式2表示的化合物可以為由式4表示的化合物。
式4
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式2中，R1至R4各自獨立地為氫原子，并且有機EL裝置的長壽命和高效率可得以實現(xiàn)。
在實施方式中，由式4表示的化合物可以為由式5表示的化合物。
式5
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式4中，L4和L5各自獨立地為直接鍵聯(lián)，Ar8為苯基，m為1，n為0，并且二苯并雜環(huán)基團在4位與間亞苯基成鍵。由于二苯并雜環(huán)基團中具有高電子密度的部分被取代，材料可得以穩(wěn)定，且有機EL裝置的長壽命和高效率可得以實現(xiàn)。
在實施方式中，由式3表示的化合物可以為由式6表示的化合物。
式6
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式3中，因為R5至R8各自為氫原子，所以有機EL裝置的長壽命和高效率可得以實現(xiàn)。
在實施方式中，由式6表示的化合物可以為由式7表示的化合物。
式7
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式6中，L4和L5各自為直接鍵聯(lián)，Ar8為苯基，m為1，n為0，二苯并雜環(huán)基團在4位與對亞苯基結合(例如，鍵合)，并且二苯并雜環(huán)基團中具有高電子密度的部分被取代。因此，材料可得以穩(wěn)定，并且有機EL裝置的長壽命和高效率可得以實現(xiàn)。
根據(jù)本公開的實施方式，有機EL裝置包括在發(fā)光層與陽極之間的多個堆疊層中的至少一層中的用于有機EL裝置的材料。
在實施方式中，包括用于有機EL裝置的材料的第一層可與發(fā)光層相鄰。
因為在根據(jù)實施方式的有機EL裝置中第一層與發(fā)光層相鄰布置，所以布置在第一層與陽極之間的空穴傳輸層可被未在發(fā)光層中消耗的電子鈍化，可以防止發(fā)光層中產(chǎn)生的具有激發(fā)態(tài)的能量擴散到空穴傳輸層中，并且整個裝置的電荷平衡可得以控制。因此，發(fā)光效率和長壽命的增加可得以實現(xiàn)。
在實施方式中，多個堆疊層可以包括第二層，所述第二層包括具有范圍為約-9.0eV至約-4.0eV的最低未占分子軌道(LUMO)水平的受電子性化合物，并且第二層可以在陽極與第一層之間。
因為根據(jù)實施方式的有機EL裝置包括第二層，來自陽極的空穴注入性質可得以改善，并且發(fā)光效率可得以改善。
在實施方式中，多個堆疊層可以包括第三層，所述第三層包括由式8表示的胺衍生物，并且第三層可以在第一層與第二層之間。
式8
在式8中，Ar9、Ar10和Ar11各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至50個碳原子的芳基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的5至50個碳原子的雜芳基；Ar12為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至50個碳原子的芳基、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的5至50個碳原子的雜芳基、或取代的或未取代的具有1至50個碳原子的烷基；L7為直接鍵聯(lián)、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至18個碳原子的亞芳基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的5至15個碳原子的亞雜芳基。
因為根據(jù)實施方式的有機EL裝置在空穴傳輸層中包括具有咔唑基的化合物，所以空穴傳輸性質和電流耐久性可得以改善，并且發(fā)光效率和壽命可增加。
因為根據(jù)實施方式的有機EL裝置在布置于發(fā)光層與陽極之間的多個堆疊層中的至少一層中利用用于有機EL裝置的材料，所以高發(fā)光效率和長壽命可得以實現(xiàn)。例如，顯著效果可從綠色發(fā)光區(qū)至藍色發(fā)光區(qū)獲得。
附圖說明
附圖被包括以提供對本公開的進一步理解，且被并入，并構成本說明書的一部分。附圖舉例說明本公開的示例實施方式，且與說明書一起用來解釋本公開的原理。在附圖中：
圖1為舉例說明根據(jù)實施方式的有機EL裝置100的示意圖；
圖2為舉例說明根據(jù)另一實施方式的有機EL裝置200的示意圖；
圖3為舉例說明根據(jù)另一實施方式的有機EL裝置300的示意圖；以及
圖4為舉例說明根據(jù)另一實施方式的有機EL裝置400的示意圖。
具體實施方式
本公開的發(fā)明人徹底檢查以解決上述缺陷并且發(fā)現(xiàn)對于利用用于有機EL裝置的材料的層而言高效率和長壽命可得以實現(xiàn)，其中具有高電子耐受性的取代的二苯并雜環(huán)基團被引入胺基團中，從而獲得具有高效率和長壽命的有機EL裝置。
在下文，根據(jù)本公開的實施方式的用于有機EL裝置的材料和包括其的有機EL裝置將參考附圖來描繪。但是，根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料和包括其的有機EL裝置以不同形式具體化并且不應解釋為限于本文列出的實施方式。在附圖中，相同的參考數(shù)字通篇是指相同的元件或者具有相同作用的元件，并且將不再提供其重復解釋。
根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料為由下列式1表示的包括取代的二苯并雜環(huán)基團的胺化合物。
式1
在根據(jù)實施方式的式1的用于有機EL裝置的材料中，X1為O或S；Ar1和Ar2各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、甲硅烷基、鹵素原子、氘原子、氫原子、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的10至30個碳原子的且包括氧原子或硫原子的二苯并雜環(huán)基團；Ar3和Ar4各自獨立地為甲硅烷基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基；L1和L2各自獨立地為直接鍵聯(lián)、或為選自甲硅烷基和取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的亞芳基的二價基團；L3為選自甲硅烷基和取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的亞芳基的二價基團；n為0至3的整數(shù)；m為0至4的整數(shù)；且n+m≥1。
在本公開中，術語“取代的或未取代的”可對應于未取代的基團；被選自以下的至少一個取代基取代的基團：氘原子、鹵素原子、氰基、硝基、氨基、氧化膦基團、烷氧基、芳氧基、烷基硫氧基、芳基硫氧基、烷基磺酰基、芳基磺?；?、甲硅烷基、硼基、烷基、環(huán)烷基、烯基、芳基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、烷基胺基、雜芳基胺基、芳基胺基和雜環(huán)基團；或被通過連接上文所述的兩個或更多個取代基獲得的取代基取代的基團。例如，“通過連接兩個或更多個取代基獲得的取代基”可以為聯(lián)苯基。例如，聯(lián)苯基可被解釋為芳基或通過連接兩個或更多個苯基獲得的取代基。
在式1中，用作Ar1和Ar2的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基可以包括苯基、萘基、蒽基、菲基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、四聯(lián)苯基、芴基、苯并菲基、聯(lián)苯撐基、芘基、苯并熒蒽基、屈基、苯基萘基、萘基苯基等，而并不局限于此。
用作Ar1和Ar2的具有用于形成環(huán)的10至30個碳原子的且包括氧原子或硫原子的二苯并雜環(huán)基團可以包括二苯并呋喃基、二苯并噻吩基等。
用作Ar1和Ar2的甲硅烷基可以包括三烷基甲硅烷基、三芳基甲硅烷基、單烷基二芳基甲硅烷基和二烷基單芳基甲硅烷基，并且可以包括，例如，三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等。
用作Ar1和Ar2的鹵素原子可以包括氟原子(F)、氯原子(Cl)和溴原子(Br)。
在一個實施方式中，在式1中，具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基或氫原子可用作Ar1和/或Ar2。
在式1中，用作Ar3和Ar4的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基可與用作Ar1和Ar2的芳基相同。此外，用作Ar3和Ar4的甲硅烷基可與用作Ar1和Ar2的甲硅烷基相同。
在式1中，在二價基團中用作L1至L3的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的亞芳基可以包括亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基、亞萘基、亞蒽基、亞芴基、亞苯并菲基等，而并不局限于此。
二價基團中用作L1至L3的二價甲硅烷基可以包括二甲基甲硅烷基和二苯基亞甲硅烷基。
用作Ar1和Ar2的芳基、包括氧原子或硫原子的二苯并雜環(huán)基團或甲硅烷基，以及用作Ar3和Ar4的芳基和甲硅烷基以及用作L1至L3的亞芳基的取代基可以包括苯基、萘基、蒽基、菲基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、四聯(lián)苯基、芴基、苯并菲基、聯(lián)苯撐基、芘基、苯并熒蒽基、屈基、苯基萘基、萘基苯基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。在一個實施方式中，可以利用苯基、萘基、聯(lián)苯基、苯基萘基、萘基苯基、三甲基甲硅烷基和三苯基甲硅烷基。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，經(jīng)由L3與胺的氮原子(N)結合(例如，鍵合)的取代的二苯并雜環(huán)基團被引入。因為取代的二苯并雜環(huán)具有高電子耐受性，所以由于電子未在發(fā)光層中消耗而導致的材料的劣化可被抑制(例如，減少或防止)。此外，由于二苯并雜環(huán)基團具有取代基，所以材料的非晶性質可得以改善，并且電荷遷移性可增加。因此，有機EL裝置的長壽命和高效率可得以實現(xiàn)。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，式1的L3中可包括間亞苯基或對亞苯基。根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料可以為由下列式2或式3表示的胺化合物。
式2
式3
在根據(jù)實施方式的式2和式3的用于有機EL裝置的材料中，X2為O或S；Ar5和Ar6各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的10至30個碳原子的且包括氧原子或硫原子的二苯并雜環(huán)基團、甲硅烷基、鹵素原子、氘原子或氫原子；Ar7和Ar8各自獨立地為甲硅烷基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基；L4和L5各自獨立地為直接鍵聯(lián)、或為選自甲硅烷基和取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的亞芳基的二價基團；L6為直接鍵聯(lián)或為選自取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至24個碳原子的亞芳基和甲硅烷基的二價基團，R1至R8各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的5至30個碳原子的雜芳基、具有1至15個碳原子的烷基、甲硅烷基、鹵素原子、氫原子或氘原子；n為0至3的整數(shù)；m為0至4的整數(shù)；且n+m≥1。
在式2和3中，用作Ar5和Ar6的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、具有用于形成環(huán)的10至30個碳原子的且包括氧原子或硫原子的二苯并雜環(huán)基團、甲硅烷基和鹵素原子可以與由式1表示的化合物中用作Ar1和Ar2的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、具有用于形成環(huán)的10至30個碳原子且包括氧原子或硫原子的二苯并雜環(huán)基團、甲硅烷基和鹵素原子相同。
在式2和3中，Ar5和Ar6可各自獨立地為具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基或氫原子。
在式2和3中，用作Ar7和Ar8的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基可以與由式1表示的化合物中用作Ar1和Ar2的芳基相同。此外，用作Ar3和Ar4的甲硅烷基可以與由式1表示的化合物中用作Ar1和Ar2的甲硅烷基相同。
在式2和3中，用作L4和L5的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的亞芳基和甲硅烷基的二價基團可以與由式1表示的化合物中用作L1至L3的亞芳基和甲硅烷基的二價基團相同。
在式2和3中，用作L6的具有用于形成環(huán)的6至24個碳原子的亞芳基可以包括亞苯基、亞聯(lián)苯基、亞三聯(lián)苯基、亞萘基、亞蒽基、亞芴基、亞苯并菲基等，而并不局限于此。
用作L6的二價甲硅烷基可以與由式1表示的化合物中用作L1至L3的二價甲硅烷基相同。
式2和3中用作R1至R8的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基可以包括苯基、萘基、蒽基、菲基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、四聯(lián)苯基、芴基、苯并菲基、聯(lián)苯撐基、芘基、苯并熒蒽基、屈基、苯基萘基、萘基苯基等，而并不局限于此。
此外，用作R1至R8的具有用于形成環(huán)的5至30個碳原子的雜芳基可以包括吡啶基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、喹喔啉基、苯并咪唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，而并不局限于此。
用作R1至R8的具有1至15個碳原子的烷基可以包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基-叔丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯-叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-叔丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘-叔丁基、1,2,3-三碘丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基-叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3-二硝基-叔丁基、1,2,3-三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降冰片基、2-降冰片基等。
此外，用作R1至R8的甲硅烷基可以包括三烷基甲硅烷基、三芳基甲硅烷基、單烷基二芳基甲硅烷基、二烷基單芳基甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等。
此外，用作R1至R8的鹵素原子可以包括氟原子(F)、氯原子(Cl)、溴原子(Br)等。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式1的L3中包括間亞苯基或對亞苯基。向由式2或3表示的根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料，在直接或經(jīng)由L6與胺基團結合(例如，鍵合)的亞苯基的間位或對位處引入二苯并雜環(huán)基團。因此，分子的對稱性可被破壞，并且材料的非晶性質可進一步得以改善。因此，電荷遷移性可增加，并且有機EL裝置的長壽命和高效率可得以實現(xiàn)。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，式2中的R1至R4可以各自為氫原子。即，根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料可以為由下列式4表示的胺化合物。
式4
通過在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料的式2中對于R1至R4中的每一個利用氫原子，有機EL裝置的長壽命和高效率可得以實現(xiàn)。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式4中，L4和L5各自獨立地為直接鍵聯(lián)，Ar8為苯基，m為1，n為0，且二苯并雜環(huán)基團在4位與間亞苯基結合(例如，鍵合)。根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料可以為由下列式5表示的胺化合物。
式5
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式4中，L4和L5各自獨立地為直接鍵聯(lián)，Ar8為苯基，m為1，n為0，且二苯并雜環(huán)基團在4位與間亞苯基結合(例如，鍵合)。二苯并雜環(huán)基團的4位為具有高電子密度和高反應性的一部分?？赏ㄟ^二苯并雜環(huán)基團在具有高反應性的4位的取代來穩(wěn)定化合物。因此，利用根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料的層的長壽命可得以實現(xiàn)，并且有機EL裝置的壽命可進一步增加。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，式3中的R5至R8可以各自為氫原子。根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料可以為由下列式6表示的胺化合物。
式6
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式3中，R5至R8各自為氫原子，并且有機EL裝置的長壽命和高效率可得以實現(xiàn)。
在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，在式6中，L4和L5各自獨立地為直接鍵聯(lián)，Ar8為苯基，m為1，n為0，且二苯并雜環(huán)基團在4位與間亞苯基結合(例如，鍵合)。根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料可以為由下列式7表示的胺化合物。
式7
根據(jù)實施方式，如果L4和L5各自獨立地為直接鍵聯(lián)，Ar8為苯基，m為1，n為0，且二苯并雜環(huán)基團在4位與間亞苯基結合(例如，鍵合)，則由式6表示的用于有機EL裝置的材料可得以穩(wěn)定。因此，利用根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料的層的長壽命可得以實現(xiàn)，并且有機EL裝置的壽命的增加可得以實現(xiàn)。
根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料可以包括下面化合物組1中的至少一種化合物。
化合物組1
可在布置于有機EL裝置的發(fā)光層與陽極之間的堆疊層中的至少一個層中利用(例如，在彼此堆疊的多個層中的至少一個層中利用)根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。如上所述，在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，具有高電子耐受性的取代的二苯并雜環(huán)基團經(jīng)由連接體被引入(例如，連接于)胺基團的氮原子(N)中。因此，利用根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料的層的電子耐受性可得以改善，其耐久性可得以改善，且有機EL裝置的長壽命可得以實現(xiàn)。由于二苯并雜環(huán)基團包括取代基，所以材料的非晶性質可得以改善，電荷遷移性可增加，且高發(fā)光效率可得以實現(xiàn)。
包括根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料的層可以為在布置在有機EL裝置的發(fā)光層與陽極之間的堆疊層中與發(fā)光層相鄰布置的層。由于包括根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料的層與發(fā)光層相鄰布置，所以包括根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料的層與陽極之間的層由于電子所致的劣化可被抑制(例如，減少或防止)。
(有機EL裝置1)
將解釋利用根據(jù)本公開的實施方式的用于有機EL裝置的材料的有機EL裝置。圖1為舉例說明根據(jù)本公開的實施方式的有機EL裝置100的示意圖。有機EL裝置100可以包括，例如，基板102、陽極104、空穴注入層106、空穴傳輸層108、發(fā)光層110、電子傳輸層112、電子注入層114和陰極116。在實施方式中，可在布置于發(fā)光層與陽極之間的堆疊層中的至少一個層中利用根據(jù)本公開的實施方式的用于有機EL裝置的材料。
在空穴傳輸層108中利用根據(jù)本公開的用于有機EL裝置的材料的情況將作為實施方式解釋。
基板102可以為透明玻璃基板、利用硅形成的半導體基板、或樹脂的柔性基板等。
陽極104可布置在基板102上并且可利用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等形成。
空穴注入層(HIL)106可利用適合的材料形成至在約10nm至約150nm的范圍內的厚度。例如，可包括含有三苯基胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-異丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸鹽(PPBI)、N,N’-二苯基-N,N’-雙-[4-(苯基-間-甲苯-氨基)-苯基]-聯(lián)苯基-4,4’-二胺(DNTPD)、適合的酞菁化合物(諸如銅酞菁)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、4,4’,4”-三{N,N-二苯基氨基}三苯基胺(TDATA)、4,4’,4”-三(N,N-2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)等。
空穴傳輸層(HTL)108可利用根據(jù)本公開的用于有機EL裝置的材料形成于空穴注入層106上至范圍為約10nm至約150nm的厚度。包括根據(jù)本公開的用于有機EL裝置的材料的空穴傳輸層108可通過真空蒸鍍方法形成。
發(fā)光層(EL)110可利用適合主體材料形成于空穴傳輸層108上至范圍為約10nm至約60nm的厚度。發(fā)光層110中利用的適合的主體材料可以包括，例如，三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、4,4’-N,N’-二咔唑-聯(lián)苯(CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基芳烴(DSA)、4,4’-雙(9-咔唑)-2,2’-二甲基-聯(lián)苯(dmCBP)等。
發(fā)光層110中利用的主體材料可選自蒽衍生物、芘衍生物、熒蒽衍生物、屈衍生物、苯并蒽衍生物和苯并菲衍生物。在一個實施方式中，發(fā)光層110可以包括蒽衍生物或芘衍生物。作為發(fā)光層110中利用的蒽衍生物，可利用由下列式9表示的化合物。
式9
在式9中，R11至R20各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的1至30個碳原子的雜芳基、具有1至15個碳原子的烷基、甲硅烷基、鹵素原子、氫原子或氘原子。此外，g和h各自獨立地為0至5的整數(shù)。多個相鄰R11至R20可成鍵以形成飽和的或不飽和的環(huán)。
用作R11至R20的取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的1至30個碳原子的雜芳基可以包括苯并噻唑基、噻吩基、噻吩并噻吩基、噻吩并噻吩并噻吩基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基等，而并不局限于此。
用作R11至R20的取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的1至30個碳原子的雜芳基可以包括苯并噻唑基、噻吩基、噻吩并噻吩基、噻吩并噻吩并噻吩基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、N-芳基咔唑基、N-雜芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、喹喔啉基等，而并不局限于此。
用作R11至R20的具有1至15個碳原子的烷基可以包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基-叔丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯-叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-叔丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘-叔丁基、1,2,3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1,2-二氨基乙基、1,3-二氨基異丙基、2,3-二氨基-叔丁基、1,2,3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基-叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3-二硝基-叔丁基、1,2,3-三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降冰片基、2-降冰片基等，而并不局限于此。
根據(jù)實施方式的有機EL裝置的發(fā)光層110中利用的蒽衍生物可以包括下面化合物a-1至a-12中的至少一個。
發(fā)光層110可以包括，作為摻雜劑材料的苯乙烯基衍生物(諸如1,4-雙[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB),4-(二-對甲苯基氨基)-4’-[(二-對甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)、或N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基-N-苯基苯胺(N-BDAVBI))、苝及其衍生物(諸如2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBPe))、芘及其衍生物(諸如1,1-二芘、1,4-二芘基苯或1,4-雙(N,N-二苯基氨基)芘)等，而并不局限于此。
利用三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)或具有含氮的芳族環(huán)的材料(例如，包括吡啶環(huán)的材料諸如1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、包括三嗪環(huán)的材料諸如2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)聯(lián)苯-3-基)1,3,5-三嗪和包括咪唑衍生物的材料諸如2-(4-N-苯基苯并咪唑基-1-基苯基)-9,10-二萘基蒽)，電子傳輸層(ETL)112可形成于發(fā)光層110上至范圍為約15nm至約50nm的厚度。
利用包括例如氟化鋰(LiF)、鋰-8-羥基喹啉(Liq)等的材料，電子注入層(EIL)114可形成于電子傳輸層112上至范圍為約0.3nm至約9nm的厚度。
陰極116可布置在電子注入層114上并且可利用金屬(諸如鋁(Al)、銀(Ag)、鋰(Li)、鎂(Mg)、鈣(Ca)或其混合物)和透明材料(諸如ITO或IZO)形成。
構成如上所述的根據(jù)本公開的有機EL裝置的每個電極和每個層可通過選擇適當?shù)膶有纬煞椒ㄐ纬?，所述層形成方法取決于所利用的材料，諸如真空蒸鍍法、濺射法、或各種適合的涂布法。利用根據(jù)本公開的用于有機EL裝置的材料形成的空穴傳輸層108可通過真空蒸鍍法形成。
在根據(jù)本公開的有機EL裝置100中，能夠實現(xiàn)長壽命和高效率的空穴傳輸層可利用根據(jù)本公開的用于有機EL裝置的材料來形成。
在根據(jù)本公開的有機EL裝置100中，根據(jù)本公開的用于有機EL裝置的材料可用作空穴注入層的材料。如上所述，具有長壽命和高效率的有機EL裝置可利用布置在發(fā)光層與陽極之間的堆疊層中的至少一個層中的根據(jù)本公開的用于有機EL裝置的材料來制造。
(有機EL裝置2)
將解釋利用根據(jù)本公開的實施方式的用于有機EL裝置的材料的另一有機EL裝置。圖2為舉例說明根據(jù)本公開的另一實施方式的有機EL裝置200的示意圖。在圖2中，相同的參考數(shù)字可表示相同的部件，或者與圖1所示的有機EL裝置100中的那些具有大致上相同的功能的部件，并且將不再提供其重復解釋。
有機EL裝置200可以包括基板102、陽極104、空穴傳輸帶201、發(fā)光層110、電子傳輸層112、電子注入層114和陰極116?？昭▊鬏攷?01可以包括布置在陽極側的第一層203和布置在第一層203與發(fā)光層110之間的第二層207。在空穴傳輸帶201中，第三層205可布置在陽極104與第二層207之間。但是，不特別限制第三層205的位置，并且其可布置在第一層203與第二層207之間。在空穴傳輸帶201中，另一空穴傳輸層可布置在第一層203與第三層205之間，以及在第三層205與第二層207之間。在有機EL裝置200中，可在與發(fā)光層110相鄰的第二層207中適當利用用于有機EL裝置的材料。
布置在空穴傳輸帶201的陽極側的第一層203可以包括具有在約-9.0eV至約-4.0eV范圍內的LUMO水平的受電子性化合物。第一層203可利用摻雜有受電子性化合物的空穴傳輸化合物形成或可僅利用受電子性化合物形成。受電子性化合物的實例可以為化合物ac1至ac14中的至少一個。然而，根據(jù)本公開的受電子性化合物并不限于此。
在受電子性化合物ac1至ac14中，R為氫原子、氘原子、鹵素原子、具有1至10個碳原子的氟烷基、氰基、具有1至10個碳原子的烷氧基、具有1至10個碳原子的烷基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基。然而，分子中所有R可以不為(例如，所有R中的至少一個不為)氫原子、氘原子或氟。Ar各自獨立地為具有吸電子基團的取代的芳基或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的3至30個碳原子的雜芳基；Y為次甲基(-CH＝)或氮原子(-N＝)；Z為擬鹵素原子或硫(S)原子；且X為由下列式X1至X7表示的取代基中的一種。
在式X5至X7中，Ra為氫原子、氘原子、鹵素原子、具有1至10個碳原子的氟烷基、氰基、具有1至10個碳原子的烷氧基、具有1至10個碳原子的烷基、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的3至30個碳原子的雜芳基。
由R、Ar和Ra表示的取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至30個碳原子的芳基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的3至30個碳原子的雜芳基的實例可以包括苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-并四苯基、2-并四苯基、9-并四苯基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-聯(lián)苯基、3-聯(lián)苯基、4-聯(lián)苯基、對三聯(lián)苯-4-基、對三聯(lián)苯-3-基、對三聯(lián)苯-2-基、間三聯(lián)苯-4-基、間三聯(lián)苯-3-基、間三聯(lián)苯-2-基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、對叔丁基苯基、對(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯(lián)苯基、4”-叔丁基-對三聯(lián)苯-4-基、熒蒽基、芴基、1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡啶基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-吲哚基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1-異吲哚基、2-異吲哚基、3-異吲哚基、4-異吲哚基、5-異吲哚基、6-異吲哚基、7-異吲哚基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-苯并呋喃基、3-苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6-苯并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3-異苯并呋喃基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、7-異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹啉基、4-喹啉基、5-喹啉基、6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3-異喹啉基、4-異喹啉基、5-異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-菲啶基、2-菲啶基、3-菲啶基、4-菲啶基、6-菲啶基、7-菲啶基、8-菲啶基、9-菲啶基、10-菲啶基、1-吖啶基、2-吖啶基、3-吖啶基、4-吖啶基、9-吖啶基、1,7-菲咯啉-2-基、1,7-菲咯啉-3-基、1,7-菲咯啉-4-基、1,7-菲咯啉-5-基、1,7-菲咯啉-6-基、1,7-菲咯啉-8-基、1,7-菲咯啉-9-基、1,7-菲咯啉-10-基、1,8-菲咯啉-2-基、1,8-菲咯啉-3-基、1,8-菲咯啉-4-基、1,8-菲咯啉-5-基、1,8-菲咯啉-6-基、1,8-菲咯啉-7-基、1,8-菲咯啉-9-基、1,8-菲咯啉-10-基、1,9-菲咯啉-2-基、1,9-菲咯啉-3-基、1,9-菲咯啉-4-基、1,9-菲咯啉-5-基、1,9-菲咯啉-6-基、1,9-菲咯啉-7-基、1,9-菲咯啉-8-基、1,9-菲咯啉-10-基、1,10-菲咯啉-2-基、1,10-菲咯啉-3-基、1,10-菲咯啉-4-基、1,10-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-1-基、2,9-菲咯啉-3-基、2,9-菲咯啉-4-基、2,9-菲咯啉-5-基、2,9-菲咯啉-6-基、2,9-菲咯啉-7-基、2,9-菲咯啉-8-基、2,9-菲咯啉-10-基、2,8-菲咯啉-1-基、2,8-菲咯啉-3-基、2,8-菲咯啉-4-基、2,8-菲咯啉-5-基、2,8-菲咯啉-6-基、2,8-菲咯啉-7-基、2,8-菲咯啉-9-基、2,8-菲咯啉-10-基、2,7-菲咯啉-1-基、2,7-菲咯啉-3-基、2,7-菲咯啉-4-基、2,7-菲咯啉-5-基、2,7-菲咯啉-6-基、2,7-菲咯啉-8-基、2,7-菲咯啉-9-基、2,7-菲咯啉-10-基、1-吩嗪基、2-吩嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、10-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4-吩噁嗪基、10-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、2-噁二唑基、5-噁二唑基、3-呋咕基、2-噻吩基、3-噻吩基、2-甲基吡咯-1-基、2-甲基吡咯-3-基、2-甲基吡咯-4-基、2-甲基吡咯-5-基、3-甲基吡咯-1-基、3-甲基吡咯-2-基、3-甲基吡咯-4-基、3-甲基吡咯-5-基、2-叔丁基吡咯-4-基、3-(2-苯基丙基)吡咯-1-基、2-甲基-1-吲哚基、4-甲基-1-吲哚基、2-甲基-3-吲哚基、4-甲基-3-吲哚基、2-叔丁基-1-吲哚基、4-叔丁基-1-吲哚基、2-叔丁基-3-吲哚基、4-叔丁基-3-吲哚基等。
由R和Ra表示的具有1至10個碳原子的氟烷基的實例可以包括全氟烷基(諸如三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基或十七氟辛烷基)、單氟甲基、二氟甲基、三氟乙基、四氟丙基、八氟戊基等。
由R和Ra表示的具有1至10個碳原子的烷基的實例可以包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基-叔丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯-叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-叔丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘-叔丁基、1,2,3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1,2-二氨基乙基、1,3-二氨基異丙基、2,3-二氨基-叔丁基、1,2,3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基-叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3-二硝基-叔丁基、1,2,3-三硝基丙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、1-降冰片基、2-降冰片基等。
由R和Ra表示的具有1至10個碳原子的烷氧基可以為由–OY表示的基團。Y的實例可以包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥甲基、1-羥乙基、2-羥乙基、2-羥基異丁基、1,2-二羥基乙基、1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基-叔丁基、1,2,3-三羥基丙基、氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-氯異丁基、1,2-二氯乙基、1,3-二氯異丙基、2,3-二氯-叔丁基、1,2,3-三氯丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-叔丁基、1,2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、1,2-二碘乙基、1,3-二碘異丙基、2,3-二碘-叔丁基、1,2,3-三碘丙基、氨基甲基、1-氨基乙基、2-氨基乙基、2-氨基異丁基、1,2-二氨基乙基、1,3-二氨基異丙基、2,3-二氨基-叔丁基、1,2,3-三氨基丙基、氰基甲基、1-氰基乙基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、1,2-二氰基乙基、1,3-二氰基異丙基、2,3-二氰基-叔丁基、1,2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、1,2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3-二硝基-叔丁基、1,2,3-三硝基丙基等。
由R和Ra表示的鹵素原子可以包括氟、氯、溴和碘。
在受電子性化合物摻雜于另一空穴傳輸化合物中的情況下，適合的空穴傳輸化合物可用作第一層203中所包括的空穴傳輸化合物。作為適合的空穴傳輸化合物，可利用具有咔唑基的化合物，而并不局限于此。具有咔唑基的空穴傳輸化合物可為例如由下列式8表示的胺衍生物。
式8
在式8中，Ar9、Ar10和Ar11各自獨立地為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至50個碳原子的芳基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的5至50個碳原子的雜芳基；Ar12為取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至50個碳原子的芳基、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的5至50個碳原子的雜芳基、或取代的或未取代的具有1至50個碳原子的烷基；和L7為直接鍵聯(lián)、取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的6至18個碳原子的亞芳基、或取代的或未取代的具有用于形成環(huán)的5至15個碳原子的亞雜芳基。
在一個實施方式中，Ar9至Ar11可各自獨立地為苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、茚基、吡喃基、乙酰萘基、熒蒽基、苯并菲基、吡啶基、吡喃基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、喹喔啉基、苯并咪唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基等。例如，可利用所述苯基、所述聯(lián)苯基、所述三聯(lián)苯基、所述芴基、所述咔唑基、所述二苯并呋喃基等。
作為Ar12，所述芳基和雜芳基可以與如Ar9至Ar11所例示的官能團相同，所述烷基可以為例如甲基或乙基。
除直接鍵聯(lián)之外，L7還可以包括亞苯基、亞聯(lián)苯基、三亞聯(lián)苯基、亞萘基、亞蒽基、亞菲基、亞芴基、芴二基、茚滿二基(indandiyl)、芘二基、苊二基、熒蒽二基、三亞苯基二基、吡啶二基、吡喃二基、喹啉二基、異喹啉二基、苯并呋喃二基、苯并噻吩二基、吲哚二基、咔唑二基、苯并噁唑二基、苯并噻唑二基、喹喔啉二基、苯并咪唑二基、二苯并呋喃二基等。例如，可利用所述亞苯基、所述亞三聯(lián)苯基、所述芴二基、所述咔唑二基、所述二苯并呋喃二基等。
由式8表示的化合物可以包括化合物270至285中的至少一種。
在空穴傳輸帶201中，第三層205可以包括由式8表示的化合物。第三層205中包括的由式8表示的化合物可以為化合物270至285中的至少一種。
構成如上所述的根據(jù)本公開的有機EL裝置200的每個電極和每個層可通過選擇適當?shù)膶有纬煞椒ㄐ纬?，所述層形成方法取決于所利用的材料，諸如真空蒸鍍法、濺射法、或各種適合的涂布法。此外，利用根據(jù)本公開的用于有機EL裝置的材料形成的第二層207可通過真空蒸鍍法形成。
在有機EL裝置200的空穴傳輸帶201中，包括具有在約-9.0eV至約-4.0eV范圍內的LUMO水平的受電子性化合物的第一層203中的至少一個與陽極104相鄰布置，并且包括根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料的第二層207中的至少一個與發(fā)光層110相鄰布置。根據(jù)實施方式的有機EL裝置200包括在空穴傳輸?shù)诙?07中的具有高電子耐受性和改善的非晶性質的根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料，所述空穴傳輸?shù)诙?07在空穴傳輸帶201中與發(fā)光層110相鄰布置，并且陽極104與第二層207之間的空穴傳輸層可被來自未在發(fā)光層110中消耗的電子鈍化。此外，可以減少或防止發(fā)光層110中產(chǎn)生的具有激發(fā)態(tài)的能量擴散到在陽極104與第二層207之間的空穴傳輸層中，并且可以調節(jié)空穴有機EL裝置200的電荷平衡。通過布置與發(fā)光層110相鄰的包括用于有機EL裝置的材料的第二層207，可抑制第一層203中所包括的受電子性化合物擴散到發(fā)光層110中。
根據(jù)實施方式，作為第二層207中所包括的用于有機EL裝置的材料，可利用式1化合物，其中二苯并雜環(huán)基團為二苯并呋喃，L3包括間亞苯基或對亞苯基，且胺基團包括萘基、聯(lián)苯基或萘基苯基的取代基。根據(jù)另一實施方式，作為第二層207中所包括的用于有機EL裝置的材料，可利用由式4或6表示的化合物，該化合物包括具有萘基、聯(lián)苯基或萘基苯基的取代基的胺基團。
在有機EL裝置200中，包括受電子性化合物的第一層203可鄰近陽極104布置，例如與陽極104相鄰(例如，接觸)。通過布置與陽極104相鄰的包括受電子性化合物的層，來自陽極104的空穴注入性質可得以改善。在第一層203中包括由式8表示的具有咔唑基的空穴傳輸化合物的情況下，電荷傳輸性質和電流耐久性可得以改善。
在有機EL裝置200中，包括具有咔唑基且由式8表示的化合物的第三層205可比第一層203更鄰近發(fā)光層110布置。通過在空穴傳輸帶201中包括具有咔唑基的化合物，電荷傳輸性質和電流耐久性可得以改善。此外，因為第三層205包括由式8表示的化合物，所以在陽極104與第三層205之間的空穴傳輸層可被來自未在發(fā)光層110中消耗的電子鈍化，并且可以減少或防止發(fā)光層110中產(chǎn)生的具有激發(fā)態(tài)的能量擴散到在陽極104與第三層205之間的空穴傳輸層中。此外，由式8表示的化合物(其為具有咔唑基的胺衍生物)可抑制(例如，減少或防止)第一層203中所包括的受電子性化合物擴散到發(fā)光層110中。
在根據(jù)實施方式的有機EL裝置200中，根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料可用作與發(fā)光層110相鄰的第二層207的材料，包括受電子性化合物的第一層203可與陽極104相鄰布置，并且包括由式8表示的化合物的第三層205可布置在第一層203與第二層207之間。因此，有機EL裝置的高效率和長壽命可得以實現(xiàn)。
根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料可應用于利用薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣型的有機EL顯示器。
(制造方法)
可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物17的合成方法
(反應式14中化合物A的合成)
首先，合成下列化合物A。在氬氣氣氛下，將53.8g N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-N-(4-溴苯基)-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺、6.46g Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2、33.3g KOAc和33.0g雙(頻哪醇合)二硼加入至2L燒瓶，隨后在真空下在二噁烷溶劑中脫氣且在約100℃攪拌約12小時。之后，蒸餾溶劑，向其加入CH2Cl2和水，分離有機相，向其加入硫酸鎂和活化粘土(例如向有機相加入)，執(zhí)行抽吸過濾，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離以生成56.8g為白色固體的化合物A(產(chǎn)率98％)。通過FAB-MS測量的化合物A的分子量為523。
反應式14
(反應式15中化合物B的合成)
然后，合成下列化合物B。在氬氣氣氛下，將10.0g化合物A、6.00g 1-碘-3-溴苯、1.54g Pd(PPh3)4和5.25g碳酸鉀加入至300ml三頸燒瓶，之后于約90℃在450mL甲苯和60mL水的混合物溶劑中加熱并且攪拌約8小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和己烷的混合物溶劑重結晶以生成9.29g為白色固體的化合物B(產(chǎn)率87％)。通過FAB-MS測量的化合物B的分子量為553。
反應式15
(反應式16中化合物C的合成)
然后，合成下列化合物C。進行與用于合成化合物A的方法的程序大致上相同的程序(除了利用4.00g化合物B代替N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-N-(4-溴苯基)-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺)以生成4.12g為淡黃色固體的化合物C(產(chǎn)率95％)。通過FAB-MS測量的化合物C的分子量為599。
反應式16
(反應式17中化合物D的合成)
合成下列化合物D。在氬氣氣氛下，將2.70g化合物C、3.70g 4,6-二溴二苯并呋喃、0.34g Pd(PPh3)4和1.25g碳酸鉀加入至300ml三頸燒瓶，之后于約90℃在50mL甲苯和20mL水的混合物溶劑中加熱且攪拌約8小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和己烷的混合物溶劑重結晶以生成1.78g為白色固體的化合物D(產(chǎn)率55％)。通過FAB-MS測量的化合物D的分子量為686。
反應式17
(反應式18中化合物17的合成)
在氬氣氣氛下，將7.18g化合物D、2.10g苯基硼酸、1.14g Pd(PPh3)4和3.55g碳酸鉀加入至300ml三頸燒瓶，之后于約90℃在150mL甲苯和60mL水的混合物溶劑中加熱且攪拌約8小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和己烷的混合物溶劑重結晶以生成6.79g為白色固體的化合物17(產(chǎn)率95％)。
式18
通過FAB-MS測量的化合物17的分子量為715。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物17的化學位移值(δ)為7.85(d,2H,J＝7.80Hz),7.81(d,2H,J＝7.90Hz),7.70(s,1H),7.58-7.50(m,19H),7.48-7.41(m,7H),6.69-6.65(m,6H))。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物5的合成方法
通過進行與合成化合物17所述大致上相同的程序(除了利用4,6-二溴二苯并噻吩代替4,6-二溴二苯并呋喃)合成化合物5。通過FAB-MS測量的化合物5的分子量為732。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物5的化學位移值(δ)為7.89(d,2H,J＝7.90Hz),7.83(d,2H,J＝7.70Hz),7.72(s,1H),7.68-7.55(m,19H),7.48-7.41(m,7H),6.71-6.67(m,6H)。根據(jù)結果，所合成的白色固體被確定為化合物5。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物77的合成方法
通過進行與合成化合物17所述大致上相同的程序(除了利用2,8-二溴二苯并噻吩代替4,6-二溴二苯并呋喃)合成化合物77。通過FAB-MS測量的化合物77的分子量為732。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物77的化學位移值(δ)為7.80(d,2H,J＝7.90Hz),7.73(d,2H,J＝7.70Hz),7.70(d,2H,J＝7.90Hz),7.79(s,1H),7.64-7.55(m,17H),7.48-7.41(m,7H),6.71-6.67(m,6H)。根據(jù)結果，所合成的白色固體被確定為化合物77。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物89的合成方法
通過進行與合成化合物17所述大致上相同的程序(除了利用2,8-二溴二苯并呋喃代替4,6-二溴二苯并呋喃)合成化合物89。通過FAB-MS測量的化合物89的分子量為715。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物89的化學位移值(δ)為7.82(d,2H,J＝7.84Hz),7.78(d,2H,J＝7.90Hz),7.70(d,2H,J＝7.88Hz),7.68(s,1H),7.66-7.57(m,17H),7.51-7.41(m,7H),6.68-6.64(m,6H)。根據(jù)結果，所合成的白色固體被確定為化合物89。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物141的合成方法
通過進行與合成化合物17所述大致上相同的程序(除了利用3,7-二溴二苯并呋喃代替4,6-二溴二苯并呋喃)合成化合物141。通過FAB-MS測量的化合物141的分子量為715。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物141的化學位移值(δ)為7.95(d,2H,J＝7.80Hz),7.75(d,2H,J＝7.70Hz),7.70(s,1H),7.64(d,2H,J＝7.90Hz),7.57-7.51(m,19H),7.48-7.40(m,5H),6.72-6.65(m,6H)。根據(jù)結果，所合成的白色固體被確定為化合物141。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物213的合成方法
(反應式19中化合物F的合成)
首先，合成下列化合物F。在氬氣氣氛下，將30.0g化合物E、16.4g 4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)苯胺、4.34g Pd(PPh3)4和31.8g K3PO4加入至1,000mL三頸燒瓶，之后于約80℃在400mL甲苯和70mL水的混合物溶劑中加熱且攪拌約8小時。空氣冷卻后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙腈的混合物溶劑重結晶以生成27.7g為黃色固體的化合物F(產(chǎn)率90％)。通過FAB-MS測量的化合物F的分子量為411。
反應式19
(反應式20中化合物G的合成)
合成下列化合物G。在氬氣氣氛下，將25.0g化合物F、14.2g 4-溴聯(lián)苯、1.99g Pd2(dba)3、1.20g三叔丁基膦和8.89g NaOtBu加入至1,000mL三頸燒瓶，之后在300mL的甲苯溶劑中加熱、回流且攪拌約8小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙醇的混合物溶劑重結晶以生成17.5g為黃色固體的化合物G(產(chǎn)率51％)。通過FAB-MS測量的化合物G的分子量為564。
反應式20
(反應式21中化合物213的合成)
在氬氣氣氛下，將4.00g化合物G、2.0g 1-(4-溴苯基)萘、0.31g Pd2(dba)3、0.52g三叔丁基膦和1.09g NaOtBu加入至200mL三頸燒瓶，之后在60mL的甲苯溶劑中加熱、回流且攪拌約6小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙醇的混合物溶劑重結晶以生成4.025g為黃色固體的化合物213(產(chǎn)率74％)。
反應式21
通過FAB-MS測量的化合物213的分子量為766。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物213的化學位移值(δ)為8.31(s,1H),8.16(d,1H,J＝6.10Hz),7.99(d,1H,J＝7.00Hz),7.96(d,1H,J＝7.20Hz),7.96-7.88(m,3H),7.87-7.82(m,2H),7.73(d,1H,J＝7.10Hz),7.67-7.53(m,10H),7.51-7.42(m,9H),7.37-7.25(m,10H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物169的合成
在上面解釋的化合物17的合成方法中合成化合物D時，利用化合物A代替化合物C以制備中間體，并且通過進行與制備化合物17所述大致上相同的程序利用該中間體合成化合物169。通過FAB-MS測量的化合物169的分子量為640。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物169的化學位移值(δ)為8.01-7.89(m,6H),7.68-7.61(m,6H),7.56-7.41(m,12H),7.39-7.27(m,9H).
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物181的合成
通過進行與合成化合物169所述大致上相同的程序(除了利用N,N-雙([1,1’-聯(lián)苯基]-4-基)-4’-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜戊硼烷-2-基)-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺代替化合物A)合成化合物181。通過FAB-MS測量的化合物181的分子量為716。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物181的化學位移值(δ)為8.03-7.85(m,6H),7.71-7.67(m,8H),7.53-7.40(m,14H),7.37-7.29(m,9H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物216的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用1-碘萘代替1-(4-溴苯基)萘)合成化合物216。通過FAB-MS測量的化合物216的分子量為690。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物216的化學位移值(δ)為8.27(s,1H),8.03(d,1H,J＝7.10Hz),7.99-7.88(m,3H),7.86-7.78(m,4H),7.72(d,1H,J＝6.80Hz),7.62(d,1H,J＝6.80Hz),7.58-7.38(m,16H),7.32-7.22(m,3H),7.20-7.09(m,5H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物13的合成
(反應式22中化合物H的合成)
首先，合成下列化合物H。在氬氣氣氛下，將29.0g化合物E、13.4g 4-氯苯基硼酸、3.14g Pd(PPh3)4、38.8g K2CO3加入至1,000mL三頸燒瓶，之后于約80℃在300mL甲苯和60mL水的混合物溶劑中加熱且攪拌約4小時。空氣冷卻后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙腈的混合物溶劑重結晶以生成28.2g為白色固體的化合物H(產(chǎn)率90％)。通過FAB-MS測量的化合物H的分子量為430。
反應式22
(化合物13的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物H代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-苯基-1-萘基胺代替化合物G)合成化合物13。通過FAB-MS測量的化合物13的分子量為614。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物13的化學位移值(δ)為8.27-8.26(2H,m),8.02-7.89(6H,m),7.83-7.78(2H,m),7.72(2H,d,J＝6.0Hz),7.63(2H,d,J＝6.6Hz),7.56-7.39(11H,m),7.27-7.21(3H,m),7.14-7.09(3H,m)7.06(2H,d,J＝7.8Hz),6.97(1H,d,J＝6.0Hz)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物23的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用2-溴萘代替1-(4-溴苯基)萘)合成化合物23。通過FAB-MS測量的化合物23的分子量為690。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物23的化學位移值(δ)為8.25(s,1H),8.00(d,1H,J＝7.10Hz),7.99-7.88(m,3H),7.82-7.75(m,4H),7.73(d,1H,J＝6.90Hz),7.62(d,1H,J＝6.80Hz),7.60-7.48(m,16H),7.32-7.22(m,3H),7.18-7.11(m,5H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物170的合成
(N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺的合成)
首先，合成下列N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺。在氬氣氣氛下，將4.22g4-溴聯(lián)苯、4.05g 1-(4-氨基苯基)萘、0.78g(DPPF)PdCl2、1.60g DPPF和1.77g NaOtBu加入至300mL三頸燒瓶，之后于120mL的THF溶劑中加熱、回流且攪拌約3小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙醇的混合物溶劑重結晶以生成6.31g為黃色固體的目標產(chǎn)物(產(chǎn)率92％)。
反應式23
(反應式24中化合物170的合成)
在氬氣氣氛下，將3.59g化合物I、2.71g N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺、0.30g Pd2(dba)3、0.54g三叔丁基膦和2.18g NaOtBu加入至200mL三頸燒瓶，之后在65mL的甲苯溶劑中加熱、回流且攪拌約4小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物通過硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙醇的混合物溶劑重結晶以生成4.19g為黃色固體的化合物170(產(chǎn)率81％)。通過FAB-MS測量的化合物170的分子量為689。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物170的化學位移值(δ)為8.01-7.92(m,7H),7.69-7.42(m,20H),7.38-7.33(m,8H)。
反應式24
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物217的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用1-碘萘代替1-(4-溴苯基)萘和利用化合物F代替化合物G)合成化合物217。通過FAB-MS測量的化合物217的分子量為664。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物217的化學位移值(δ)為8.24(t,1H,J＝1.2Hz),8.11(d,2H,J＝8.6Hz),7.98-7.84(m,6H),7.78-7.69(m,4H),7.63-7.31(m,15H),7.20(t,2H,J＝7.5Hz),6.98(t,1H,J＝7.4Hz),6.72(d,2H,J＝8.7Hz)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物218的合成
(N-[4-(1-萘基)苯基]-苯基-4-胺的合成)
首先，合成下列N-[4-(1-萘基)苯基]-苯基-4-胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺所述大致上相同的程序(除了利用二溴苯代替4-溴聯(lián)苯)。通過FAB-MS測量的分子量為295。
式25
(化合物218的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物H代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[4-(1-萘基)苯基]-苯基-4-胺代替化合物G)合成化合物218。通過FAB-MS測量的化合物218的分子量為690。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物218的化學位移值(δ)為8.31(S,1H),8.08-8.02(m,1H),7.99-7.78(m,7H),7.72(d,1H,J＝7.5Hz),7.64-7.21(m,24H),7.09(t,1H,J＝7.2)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物220的合成
(4-(1-萘基)-N-[4-(1-萘基)苯基]-苯胺的合成)
首先，合成下列4-(1-萘基)-N-[4-(1-萘基)苯基-苯胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺所述大致上相同的程序(除了利用1-(4-溴苯基)萘代替4-溴聯(lián)苯)。通過FAB-MS測量的分子量為421。
式26
(化合物220的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物H代替1-(4-溴苯基)萘和利用4-(1-萘基)-N-[4-(1-萘基)苯基]-苯胺代替化合物G)合成化合物220。通過FAB-MS測量的化合物220的分子量為816。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物220的化學位移值(δ)為8.78(d,J＝7.8Hz,2H),8.70(d,J＝7.8Hz,2H),8.29(d,J＝8.1Hz,2H),8.24(t,J＝1.5Hz,1H),7.95(d,J＝7.8Hz,2H),7.84(d,J＝7.8Hz,2H),7.79(d,J＝8.0Hz,1H),7.73-7.38(m,20H),7.18(t,J＝7.5Hz,2H),6.98(t,J＝7.5Hz,1H),6.89(d,J＝7.8Hz,2H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物222的合成
(N-9-菲基-9-菲胺的合成)
首先，合成下列N-9-菲基-9-菲胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺大致上相同的程序(除了利用9-溴菲代替4-溴聯(lián)苯和利用9-氨基菲代替1-(4-氨基苯基)萘)。通過FAB-MS測量的分子量為369。
式27
(化合物222的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物H代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-9-菲基-9-菲胺代替化合物G)合成化合物222。通過FAB-MS測量的化合物222的分子量為764。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物222的化學位移值(δ)為8.78(d,J＝7.8Hz,2H),8.70(d,J＝7.8Hz,2H),8.29(d,J＝8.1Hz,2H),8.24(t,J＝1.5Hz,1H),7.95(d,J＝7.8Hz,2H),7.84(d,J＝7.8Hz,2H),7.79(d,J＝8.0Hz,1H),7.73-7.38(m,20H),7.18(t,J＝7.5Hz,H),6.98(t,J＝7.5Hz,1H),6.89(d,J＝7.8Hz,2H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物225的合成
(N-[4-(1-萘基)苯基]-1-萘胺的合成)
首先，合成下列N-[4-(1-萘基)苯基]-1-萘胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺所述大致上相同的程序(除了利用1-碘萘代替4-溴聯(lián)苯)。通過FAB-MS測量的分子量為345。
式28
(化合物225的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物E代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[4-(1-萘基)苯基]-1-萘胺代替化合物G)合成化合物225。通過FAB-MS測量的化合物225的分子量為664。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物225的化學位移值(δ)為8.08(d,1H,J＝8.1Hz),7.98-7.84(m,7H),7.83-7.75(m,3H),7.64(d,1H,J＝7.5Hz),7.56(d,1H,J＝7.8Hz),7.54-7.43(m,8H),7.43-7.33(m,6H),7.25(m,3H),7.16(d,2H,J＝8.4Hz),7.12(m,1H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物226的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物E代替1-(4-溴苯基)萘和利用4-(1-萘基)-N-[4-(1-萘基)苯基]-苯胺代替化合物G)合成化合物226。通過FAB-MS測量的化合物226的分子量為740。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物226的化學位移值(δ)為8.02(d,2H,J＝8.4),7.96-7.81(m,9H),7.69-7.56(m,3H),7.54-7.30(m,23H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物229的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物I代替1-(4-溴苯基)萘和利用1,1’-二萘基胺代替化合物G)合成化合物229。通過FAB-MS測量的化合物229的分子量為588。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物229的化學位移值(δ)為8.12(d,2H,J＝8.70Hz),7.95-7.86(m,6H),7.77-7.73(m,4H),7.65(dd,1H,J＝1.20,7.60Hz),7.58(dd,1H,J＝1.20,7.60Hz),7.52-7.47(m,2H),7.46-7.28(m,11H),6.81(d,1H,J＝9.00Hz)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物231的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物I代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[4-(1-萘基)苯基]-1-萘胺代替化合物G)合成化合物231。通過FAB-MS測量的化合物231的分子量為664。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物231的化學位移值(δ)為8.09(d,J＝8.0Hz,1H),8.05(d,J＝8.1Hz,1H),8.00-7.81(m,10H),7.66(d,J＝7.8Hz,1H),7.62(d,J＝7.8Hz,1H),7.60-7.33(m,15H),7.29-7.2(m,4H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物232的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物I代替1-(4-溴苯基)萘和利用4-(1-萘基)苯基]-N-[4-(1-萘基)苯基]-苯胺代替化合物G)合成化合物232。通過FAB-MS測量的化合物232的分子量為740。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物232的化學位移值(δ)為8.10(m,2H),7.95-8.05(m,7H),7.87(d,2H,J＝7.90Hz),7.70(dd,1H,J1＝1,20Hz,J2＝3,70Hz),7.67(dd,1H,J1＝1,20Hz,J2＝3,70Hz),7.58-7.34(m,21H),7.24-7.28(m,2H),7.17(d,1H,J＝7.10Hz)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物243的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用1-(3-溴苯基)萘代替1-(4-溴苯基)萘)合成化合物243。通過FAB-MS測量的化合物243的分子量為766。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物243的化學位移值(δ)為8.29(t,1H,J＝1.2Hz),8.01-7.81(m,8H),7.73(dd,1H,J＝7.62Hz),7.66-7.40(m,18H),7.35-7.28(m,8H),7.22-7.16(m,3H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物244的合成
(N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-9-菲胺的合成)
首先，合成下列N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-9-菲胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺所述大致上相同的程序(除了利用9-氨基菲代替1-(4-氨基苯基)萘)。通過FAB-MS測量的分子量為345。
式29
(化合物244的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物H代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-9-菲胺代替化合物G)合成化合物244。通過FAB-MS測量的化合物244的分子量為740。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物244的化學位移值(δ)為8.78(d,J＝8.0Hz,1H),8.74(d,J＝8.0Hz,1H),8.28(t,J＝1.2Hz,1H),8.13(d,J＝8.0Hz,1H),7.97(d,J＝8.0Hz,2H),7.87(d,J＝8.1Hz,2H),7.81(d,J＝8.1Hz,2H),7.75-7.36(m,19H),7.34-7.16(m,6H),7.11(t,J＝7.5Hz,2H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物245的合成
(N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-2-菲胺的合成)
首先，合成下列N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-2-菲胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺所述大致上相同的程序(除了利用2-氨基菲代替1-(4-氨基苯基)萘)。通過FAB-MS測量的分子量為345。
式30
(化合物245的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物E代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-2-菲胺代替化合物G)合成化合物245。通過FAB-MS測量的化合物245的分子量為664。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物245的化學位移值(δ)為8.56(d,J＝7.8Hz,1H),8.52(d,J＝8.0Hz,1H),8.00-7.91(m,4H),7.83(d,J＝8.0Hz,1H),7.77(t,J＝1.5Hz,1H),7.71-7.24(m,25H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物246的合成
(反應式31中化合物M的合成)
首先，合成下列化合物M。在氬氣氣氛下，將29.0g化合物E、13.4g 3-氯苯基硼酸、3.14g Pd(PPh3)4和38.8g K2CO3加入至1,000mL三頸燒瓶，之后于約80℃在300mL甲苯和60ml水的混合物溶劑中加熱且攪拌約4小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物利用硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙腈的混合物溶劑重結晶以生成28.2g為白色固體的化合物M(產(chǎn)率90％)。通過FAB-MS測量的化合物M的分子量為430。
反應式31
(化合物246的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物M代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺代替化合物G)合成化合物246。通過FAB-MS測量的化合物246的分子量為766。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物246的化學位移值(δ)為8.28(s,1H),8.05-7.80(m,8H),7.70(t,2H,J＝8.2Hz),7.62-7.25(m,28H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
反應式32中化合物251的合成
在氬氣氣氛下，將4.79g化合物E、3.71g N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺、0.40g Pd2(dba)3、0.72g三叔丁基膦和2.90g NaOtBu加入至200mL三頸燒瓶，之后在87mL的甲苯溶劑中加熱且攪拌約5小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物利用硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙醇的混合物溶劑重結晶以生成5.50g為白色固體的化合物251(產(chǎn)率80％)。通過FAB-MS測量的化合物251的分子量為689。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物251的化學位移值(δ)為8.00(d,J＝8.4Hz,1H),7.98-7.93(m,4H),7.89(d,J＝8.1Hz,1H),7.83(d,J＝8.4Hz,1H),7.79(t,J＝2.1Hz,1H),7.68-7.65(m,2H),7.62-7.53(m,3H),7.52-7.26(m,22H)。
反應式32
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物235的合成
(反應式33中化合物J的合成)
首先，合成下列化合物J。在氬氣氣氛下，將27.6g化合物E、12.4g 4-氯苯基硼酸、3.10g Pd(PPh3)4和37.8g K2CO3加入至1,000mL三頸燒瓶，之后于約80℃在300mL甲苯和60ml水的混合物溶劑中加熱且攪拌約4小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物利用硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙腈的混合物溶劑重結晶以生成26.8g為白色固體的化合物J(產(chǎn)率90％)。通過FAB-MS測量的化合物J的分子量為430。
反應式33
(化合物235的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物J代替1-(4-溴苯基)萘和利用1,1’-二萘基胺代替化合物G)合成化合物235。通過FAB-MS測量的化合物235的分子量為664。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物235的化學位移值(δ)為8.22-8.15(4H,m),8.07(2H,d,J＝7.80Hz),8.03-7.90(4H,m),7.81-7.69(8H,m),7.50-7.35(9H,m),7.37-7.28(6H,m)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物242的合成
(反應式34中化合物K的合成)
在氬氣氣氛下，將8.51g 4-苯基苯酚、10.0g 3-溴-2-氟-芐腈和13.8g碳酸鉀加入至200mL三頸燒瓶，之后在72mL的DMF溶劑中加熱且回流約3小時?？諝饫鋮s后，加入水和乙酸乙酯，分離有機層，并且蒸餾溶劑。向由此獲得的粗產(chǎn)物加入20.0g氫氧化鈉、140mL二噁烷、140mL乙醇和60mL水，之后加熱且回流約20小時。由此獲得的粗產(chǎn)物利用硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和甲醇的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和乙醇的混合物溶劑重結晶以生成14.2g為黃色固體的目標產(chǎn)物(化合物K)(產(chǎn)率77％)。
反應式34
(反應式35中化合物L的合成)
在氬氣氣氛下，將6.80g化合物K、0.343g Rh(acac)(cod)和1.53g碘化鉀加入至30mL兩頸燒瓶，之后于約160℃在5.22mL Ac2O溶劑中加熱且攪拌約10小時?？諝饫鋮s后，加入水和氯仿，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物利用硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和己烷的混合物溶劑重結晶以生成1.19g為黃色固體的目標產(chǎn)物(化合物L)(產(chǎn)率20％)。
反應式35
(反應式36中化合物242的合成)
合成下列化合物242。在氬氣氣氛下，將1.51g化合物A、0.85g化合物L、1.54g Pd(PPh3)4和1.65g K2CO3加入至300mL三頸燒瓶，之后在20mL甲苯和5ml水的混合物溶劑中于約90℃加熱且攪拌約8小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物利用硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和己烷的混合物溶劑重結晶以生成1.48g為白色固體的化合物242(產(chǎn)率88％)。通過FAB-MS測量的化合物242的分子量為640。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物242的化學位移值(δ)為8.15(d,1H,J＝1.20Hz),8.01(d,1H,J＝8.10Hz),7.79(d,1H,J＝0.90Hz),7.71-7.68(m,3H),7.65-7.51(m,13H),7.47(d,1H,J＝7.80Hz),7.43-7.21(m,13H)。
反應式36
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物248的合成
(反應式37中共化合物N的合成)
合成下列化合物N。在氬氣氣氛下，將1.02g聯(lián)苯基硼酸、3.70g 4,6-二溴二苯并呋喃、0.24g Pd(PPh3)4和1.00g碳酸鉀加入至300mL三頸燒瓶，之后于約90℃在50mL甲苯和20mL水的混合物溶劑中加熱且攪拌約8小時?？諝饫鋮s后，加入水，分離有機層，并且蒸餾溶劑。由此獲得的粗產(chǎn)物利用硅膠柱色譜(利用二氯甲烷和己烷的混合物溶劑)分離并且利用甲苯和己烷的混合物溶劑重結晶以生成1.08g為白色固體的化合物N(產(chǎn)率54％)。通過FAB-MS測量的化合物N的分子量為399。
反應式37
(化合物248的合成)
通過進行與合成化合物D所述大致上相同的程序(除了利用化合物N代替4,6-二溴二苯并呋喃和利用化合物A代替化合物C)合成化合物248。通過FAB-MS測量的化合物248的分子量為716。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物248的化學位移值(δ)為8.09(d,2H,J＝8.40Hz),8.01-7.89(m,4H),7.74-7.72(m,3H),7.68-7.42(m,17H),7.37-7.21(m,11H)。根據(jù)結果，所合成的白色固體被確定為化合物248。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物253的合成
(N-[4-(2-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺的合成)
首先，合成下列N-[4-(2-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺所述大致上相同的程序(除了利用2-(4-氨基苯基)萘代替1-(4-氨基苯基)萘)。通過FAB-MS測量的分子量為371。
式38
(化合物253的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物H代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[4-(2-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺代替化合物G)合成化合物253。通過FAB-MS測量的化合物253的分子量為766。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物253的化學位移值(δ)為8.32(t,J＝1.5Hz,1H),8.05(s,1H),8.02-7.97(m,2H),7.96-7.82(m,6H),7.78-7.73(m,2H),7.72-7.53(m,11H),7.52-7.41(m,6H),7.37-7.24(m,10H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物254的合成
(N-2-二苯并呋喃基-2-二苯并呋喃胺的合成)
合成下列N-2-二苯并呋喃基-2-二苯并呋喃胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺所述大致上相同的程序(除了利用3-溴二苯并呋喃代替4-溴聯(lián)苯和利用3-氨基二苯并呋喃代替1-(4-氨基苯基)萘)。通過FAB-MS測量的分子量為349。
式39
(化合物254的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物H代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-2-二苯并呋喃基-2-二苯并呋喃胺代替化合物G)合成化合物254。通過FAB-MS測量的化合物254的分子量為668。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物254的化學位移值(δ)為7.99-7.95(m,8H),7.83(d,2H,J＝8.4Hz),7.66(d,2H,J＝7.8Hz),7.54-7.29(m,15H),7.23(d,2H,J＝8.4Hz)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物256的合成
(N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-1-萘胺的合成)
合成下列N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-1-萘胺。進行與合成N-[4-(1-萘基)苯基]-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺所述大致上相同的程序(除了利用1-氨基萘代替1-(4-氨基苯基)萘)。通過FAB-MS測量的分子量為295。
式40
(化合物256的合成)
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物I代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-1-萘胺代替化合物G)合成化合物256。通過FAB-MS測量的化合物256的分子量為614。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物256的化學位移值(δ)為8.02(d,1H,J＝8.50Hz),7.90-7.88(m,5H),7.84-7.80(m,3H),7.68-7.37(m,17H),7.29(dt,1H,J＝9.10,2.30Hz),7.23-7.15(m,4H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物257的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物E代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-胺代替化合物G)合成化合物257。通過FAB-MS測量的化合物257的分子量為640。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物257的化學位移值(δ)為7.95(m,4H),7.74(m,1H),7.66(m,1H),7.64(m,1H),7.58(m,2H),7.55(m,3H),7.54-7.15(m,21H)。
此外，可例如如下合成根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料。
化合物258的合成
通過進行與合成化合物213所述大致上相同的程序(除了利用化合物E代替1-(4-溴苯基)萘和利用N-[1,1’-聯(lián)苯基]-4-基-1-萘胺代替化合物G)合成化合物258。通過FAB-MS測量的化合物258的分子量為614。通過1H-NMR(CDCl3)測量的化合物258的化學位移值(δ)為8.01(d,1H,J＝8.44Hz),7.99-7.90(m,4H),7.88(d,1H,J＝8.44Hz),7.77(d,1H,J＝7.92Hz),7.71(t,1H,J＝1.98Hz),7.64(dd,1H,J＝1.23,7.61Hz),7.57-7.22(m,19H),7.11(dt,2H,J＝9.14,2.39Hz),7.04(ddd,1H,J＝8.13,2.31,1.00Hz)。
[實施例]
根據(jù)實施例1至9的有機EL裝置通過上述的制造方法利用化合物5、化合物17、化合物77、化合物89、化合物141、化合物169、化合物181、化合物213和化合物216的空穴傳輸材料來制造。
作為對比例，根據(jù)對比例1至5的有機EL裝置利用比較化合物C1至C5的空穴傳輸材料來制造。
根據(jù)實施例1至9的有機EL裝置300示于圖3中。在實施例1至9中，透明玻璃基板用作基板302，陽極304利用ITO形成至約150nm的層厚度，空穴注入層306利用2-TNATA形成至約60nm的層厚度，空穴傳輸層308形成至約30nm的層厚度，發(fā)光層310利用摻雜有3％TBP的AND形成至約25nm的層厚度，電子傳輸層312利用Alq3形成至約25nm的層厚度，電子注入層314利用LiF形成至約1nm的層厚度，且陰極316利用Al形成至約100nm的層厚度。
對于有機EL裝置300，評價驅動電壓和半衰期。以約10mA/cm2的電流密度獲得電壓和發(fā)光效率，并且半衰期為使亮度值從約1,000cd/m2的起始亮度至減半的時間段。評價結果示于表1中。
表1
參考表1，與根據(jù)對比例1至5的那些相比，根據(jù)實施例1至9的有機EL裝置具有較長壽命以及改善的發(fā)光效率。在實施例1至9中，具有高電子耐受性的取代的二苯并雜環(huán)基團被引入胺基團中，于是，空穴傳輸層的電子耐受性得以改善，且其壽命增加。在實施例1至4中，通過用取代的二苯并雜環(huán)基團取代胺基團中的間亞苯基，分子對稱性被破壞，非晶性質得以改善，且獲得高裝置效率。在實施例5至9中，通過用取代的二苯并雜環(huán)基團取代胺基團中的對亞苯基，分子對稱性被破壞，非晶性質得以改善，且獲得高裝置效率。如果如對比例1、3、4和5中存在未取代的二苯并雜環(huán)基團，二苯并雜環(huán)中具有高電子密度的基團未被取代基取代，那么它將表明，材料容易劣化，且裝置壽命下降。在對比例1、3和5中，比較化合物C1、C3和C5在二苯并呋喃中不包括取代基并且與實施例1至9相比具有不充分的非晶性質，從而具有短裝置壽命和低發(fā)光效率。在對比例2中，包括咔唑基團，且空穴傳輸層的受電子性性質增加，電子保持于空穴傳輸層中，且裝置壽命劣化。
根據(jù)表1的結果，鑒于對比例的化合物，如果根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料用作空穴傳輸材料，則實現(xiàn)長壽命和高效率。由于根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料包括在胺化合物中的取代的二苯并雜環(huán)基團，所述胺化合物顯示空穴傳輸性質，材料的電子耐受性和非晶性質得以改善，且高發(fā)光效率和長壽命得以實現(xiàn)。
此外，根據(jù)實施例10至43的有機EL裝置利用化合物5、化合物13、化合物17、化合物23、化合物77、化合物89、化合物141、化合物169、化合物170、化合物181、化合物213、化合物216、化合物217、化合物218、化合物220、化合物222、化合物225、化合物226、化合物229、化合物231、化合物232、化合物235、化合物242、化合物243、化合物244、化合物245、化合物246、化合物248、化合物251、化合物253、化合物254、化合物256、化合物257和化合物258作為空穴傳輸材料以及通過上述的制造方法來制造。
圖4為舉例說明根據(jù)實施例10至43的有機EL裝置400的示意圖。在實施例10至43中，陽極404利用ITO形成至約150nm的層厚度。在陽極404上，通過摻雜由結構ac14所示的下列化合物286作為受電子性化合物使HTL1形成至約10nm的層厚度作為空穴注入層408。在空穴注入層408上，HTL2利用化合物272形成至約10nm的層厚度作為第一空穴傳輸層410。在第一空穴傳輸層410上，HTL3利用根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料形成至約10nm的層厚度作為第二空穴傳輸層412。然后，發(fā)光層414通過利用化合物a-7作為主體材料以及摻雜3％化合物287作為發(fā)光材料(摻雜材料)通過共沉積形成至約25nm的層厚度。電子傳輸層416利用Alq3形成至約25nm的層厚度，電子注入層418利用LiF形成至約1nm的層厚度，以及陰極420利用Al形成至約100nm的層厚度。
式44
根據(jù)對比例6至10的有機EL裝置利用比較化合物C1至C5作為空穴傳輸材料來制造。
對于有機EL裝置400，評價驅動電壓和半衰期。以約10mA/cm2的電流密度獲得電壓和發(fā)光效率，并且半衰期為使亮度值從約1,000cd/m2的起始亮度至減半的時間段。評價結果示于表2中。
表2
參考表2中的結果，當與根據(jù)對比例6至10相比時，根據(jù)實施例10至43的有機EL裝置顯示長壽命和改善的發(fā)光效率。在實施例10至43中，第二空穴傳輸層412利用根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料形成，其中具有高電子耐受性的取代的二苯并雜環(huán)基團被引入胺化合物，具有增加的電子耐受性和長壽命。通過布置與發(fā)光層414相鄰的第二空穴傳輸層412，未在發(fā)光層414中消耗的電子由于第二空穴傳輸層412不擴散到在陽極404側的空穴傳輸帶406中，空穴傳輸帶406的層可被鈍化，并且可獲得長壽命。在利用胺基團和間亞苯基結合的化合物的根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，即，在實施例10至16、20至27、33至36、38、39、42和43中，獲得相對較高的裝置效率。在利用胺基團和對亞苯基結合的化合物的根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中，即，在實施例17至19、28至32、37、40和41中，獲得相對較長的壽命。
如果如在對比例6、8、9和10中存在未取代的二苯并雜環(huán)基團，則材料容易劣化，且裝置壽命下降，因為二苯并雜環(huán)中具有高電子密度的基團未被取代基取代。
在對比例6、8和10中，由于比較化合物C1、C3和C5在二苯并呋喃中不包括取代基，所以當與實施例10至43相比時非晶性質不充分，裝置壽命短，且發(fā)光效率低。在對比例7中，胺化合物包括咔唑基團，且第二空穴傳輸層412的受電子性性質增加，且電子保持于第二空穴傳輸層412中，從而減少裝置壽命。
通過在根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料中將取代的二苯并雜環(huán)基團引入胺化合物，材料的電子耐受性和非晶性質可得以改善。因此，有機EL裝置的高發(fā)光效率和長壽命可得以實現(xiàn)。由于根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料具有較寬的能隙，所以應用到紅色發(fā)光區(qū)是可能的。
根據(jù)實施方式，可提供具有高發(fā)光效率和長壽命的用于有機EL裝置的材料、以及包括其的有機EL裝置。根據(jù)實施方式，可提供具有高發(fā)光效率和長壽命、特別是從綠色發(fā)光區(qū)至藍色發(fā)光區(qū)的范圍內的用于有機EL裝置的材料，以及在布置于發(fā)光層與陽極之間的堆疊層中的至少一個層中包括所述材料的有機EL裝置。由于根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料在胺化合物中引入(例如，包括)具有高電子耐受性的取代的二苯并雜環(huán)基團，所以利用根據(jù)實施方式的用于有機EL裝置的材料且具有高效率和長壽命的層可得以實現(xiàn)。進一步，可制造具有高效率和長壽命的有機EL裝置。
本文所使用的術語“大致上”、“約”和類似術語作為近似術語而不是作為程度術語來使用，并且意圖解釋本領域普通技術人員公認的測量值或計算值的固有偏差。同樣，本文列舉的任何數(shù)值范圍意圖包括納入所列舉范圍的相同數(shù)值精度的所有子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍意圖包括在所列舉的最小值1.0與所列舉的最大值10.0之間(且包括端值)的，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范圍，諸如，例如，2.4至7.6。本文列舉的任何最大數(shù)值限制意圖包括被納入其中的所有較低的數(shù)值限制并且在本說明書中列舉的任何最小數(shù)值限制意圖包括被納入其中的所有較高的數(shù)值限制。因此。申請人保留修改本說明書(包括權利要求)的權利，以明確列舉被納入本文明確列舉的范圍內的任何子范圍。
諸如“中的至少一個”的表述，在一列元件之前時，修飾整列元件，而不是修飾該列中的單個元件。此外，“可”的使用在描述本發(fā)明的實施方式時是指“本公開的一個或多個實施方式”。同樣，術語“示例性”意圖是指實例或舉例說明。
上述公開的主題被認為是例證性且非限制性的，并且所附權利要求意圖覆蓋落入本公開的真正精神和范圍之內的所有此類修飾、增強和其他實施方式。因此，在法律所允許的最大程度上，本公開的范圍應由下列權利要求和其等效物可允許的最寬解釋來確定，并且不應受前述具體實施方式的約束或限制。
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