技術(shù)編號(hào)：11870308
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于Spiro-OMeTAD/PbS復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種基于Spiro-OMeTAD/PbS復(fù)合空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法，屬于光電子材料與器件領(lǐng)域。背景技術(shù)近年來，能源危機(jī)越來越緊迫，清潔能源的研究變得越來越迫切。太陽能由于其儲(chǔ)量巨大且持久穩(wěn)定，成為目前最具潛力的清潔能源之一，而太陽能電池能將太陽能直接轉(zhuǎn)化為電能，具有很大的應(yīng)用前景。鈣鈦礦太陽能電池作為第二代薄膜太陽能電池中的后起之秀，近年來發(fā)展迅速，由于其具有很高的光電轉(zhuǎn)化效率，在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。