本發(fā)明涉及機(jī)光電材料領(lǐng)域，特別是一種通過表面注入互穿網(wǎng)狀聚合物對(duì)有機(jī)薄膜晶體管絕緣層優(yōu)化的方法。

背景技術(shù)：

絕緣層作為有機(jī)薄膜晶體管重要組成部分，其作用主要起到隔離柵極與有源層或源漏電極的作用，絕緣層不僅要有較低的漏電流和較高的電容，而且能夠與有源層形成良好的接觸面，不能對(duì)有源層薄膜的生長(zhǎng)產(chǎn)生影響。在有機(jī)薄膜晶體管中無機(jī)材料和有機(jī)材料均可以用來制備絕緣層。其中最常用的是SiO₂，它具有較好的絕緣特性，但是不能與有機(jī)薄膜接觸形成較好的接觸界面，在其上制備有源層時(shí)需要進(jìn)行修飾，此外制備SiO₂一般采用熱生長(zhǎng)法，制備成本較高 。

采用有機(jī)材料制備絕緣層有眾多優(yōu)點(diǎn)，制備不需要高真空高溫等苛刻的工藝條件，制作成本也較低，并且有機(jī)絕緣膜能夠較好地匹配有機(jī)材料制備的有源層，有助于形成良好的絕緣膜與有源層的接觸界面。盡管有機(jī)絕緣材料擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但有機(jī)絕緣材料存在易老化和不致密等缺點(diǎn)而影響器件的性能。運(yùn)用新材料和探尋新的工藝方法來改善有機(jī)絕緣層材料性能，對(duì)提高有機(jī)薄膜晶體管的性能具有重要的意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種通過雙交聯(lián)反應(yīng)對(duì)有機(jī)薄膜晶體管絕緣層優(yōu)化的方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種通過雙交聯(lián)反應(yīng)對(duì)有機(jī)薄膜晶體管絕緣層優(yōu)化的方法，提供一有機(jī)薄膜晶體管，該有機(jī)薄膜晶體管包括自下而上依次設(shè)置的基底、絕緣層、有源層以及源漏電極；所述絕緣層通過采用溶液法，并利用旋涂工藝或刮涂工藝在所述基底中的柵極上形成絕緣層膜后，將液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液滲入該絕緣層中，并經(jīng)過UV光處理，使所述小分子單體溶液中的小分子單體聚合固化嵌入絕緣層的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，進(jìn)行對(duì)所述絕緣層表面改性。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述溶液法中采用的溶液為聚乙烯苯酚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇或全氟樹脂；所述液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液采用甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯或二甲基丙烯酸乙二醇酯。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述絕緣層膜的膜厚為500nm至2000nm，且經(jīng)過熱交聯(lián)或光交聯(lián)反應(yīng)后生成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的聚合物。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述基底包括襯底與柵極；所述基底采用已制備好柵極的的柔性材料或硬質(zhì)材料；所述柔性材料包括含ITO膜的PET以及PI；所述硬質(zhì)材料包括高摻雜硅片以及ITO玻璃；

所述有源層通過采用旋涂工藝、刮圖工藝或噴墨打印工藝進(jìn)行制備；

所述源漏電極采用的材料為Au、Ag或Al。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，該方法適用于制備底柵頂接觸結(jié)構(gòu)或底柵底接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，通過該方法制備底柵頂接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管的制備步驟如下：

步驟S11：準(zhǔn)備好已洗干凈的基底，該基底采用硬質(zhì)材料，包括高摻雜硅片或ITO玻璃；或已制備好柵極的柔性材料，包括含ITO膜的PET與PI；

步驟S12：采用旋涂工藝或刮涂工藝在所述步驟S11中的基底上制備一層500nm至2000nm的絕緣層薄膜，并經(jīng)過熱交聯(lián)或光交聯(lián)反應(yīng)形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的聚合物；

步驟S13：使用膠頭滴管將液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液滴在所述絕緣層模上，并鋪滿整個(gè)絕緣層表面，然后靜置；

步驟S14：使用高速轉(zhuǎn)速的旋涂機(jī)，將絕緣層膜表面多余的液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液通過離心力清除掉；

步驟S15：將滲入液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液的絕緣層的樣品放在紫外燈下照射，使其發(fā)生光交聯(lián)反應(yīng)，使其聚合固化；

步驟S16：采用旋涂工藝、刮圖工藝或噴墨打印工藝制備30nm至50nm的有源層；

步驟S17：采用熱蒸發(fā)的方式并利用掩膜版真鍍出源漏電極。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，通過該方法制備底柵底接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管的制備步驟如下：

步驟S21：準(zhǔn)備好已洗干凈的基底，該基底采用硬質(zhì)材料，包括高摻雜硅片或ITO玻璃；或已制備好柵極的柔性材料，包括含ITO膜的PET與PI；

步驟S22：采用旋涂工藝或刮涂工藝在所述步驟S11中的基底上制備一層500nm至2000nm的絕緣層薄膜，并經(jīng)過熱交聯(lián)或光交聯(lián)反應(yīng)形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的聚合物；

步驟S23：使用膠頭滴管將液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液滴在所述絕緣層模上，并鋪滿整個(gè)絕緣層表面，然后靜置；

步驟S24：使用高速轉(zhuǎn)速的旋涂機(jī)，將絕緣層膜表面多余的液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液通過離心力清除掉；

步驟S25：將滲入液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液的絕緣層的樣品放在紫外燈下照射，使其發(fā)生光交聯(lián)反應(yīng)，使其聚合固化；

步驟S26：采用熱蒸發(fā)的方式并利用掩膜版真鍍出源漏電極；

步驟S27：采用旋涂工藝、刮圖工藝或噴墨打印工藝制備30nm至50nm的有源層。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，將1-3%質(zhì)量的巴斯夫光引發(fā)劑和3%質(zhì)量的EGDMA交聯(lián)劑完全溶解在液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液中，其中，EGDMA既能作為交聯(lián)劑，也能為作液態(tài)小分子單體。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述液態(tài)小分子單體溶液在絕緣層表面靜置1s至5s，得到不同滲透厚度的有機(jī)小分子單體層。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述旋涂機(jī)采用3000 rpm至5000 rpm的轉(zhuǎn)速將絕緣層表面多余的有機(jī)小分子單體溶液清除掉，以保持絕緣表面較低的表面粗糙度。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，使用長(zhǎng)波段的紫外光，且將紫外燈在距離所述絕緣層表面2cm至10cm的范圍內(nèi)照射10min，將液態(tài)有機(jī)小分子單體完全聚合固化嵌入于所述絕緣層中。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有以下有益效果：通過本發(fā)明所提供的方法制作的有機(jī)薄膜晶體管，通過對(duì)絕緣層表面改性，增加絕緣層薄膜加致密以及改善絕緣層表面化學(xué)性能和薄膜形貌，從而提高該薄膜晶體管的遷移率和減小薄膜晶體管的漏電流。本發(fā)明中所采用的光交聯(lián)反應(yīng)方式，操作簡(jiǎn)單，成本低，有利于推廣運(yùn)用，具備顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益，且得到的有機(jī)薄膜晶體管具有較好的光電性能。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一種通過雙交聯(lián)反應(yīng)對(duì)有機(jī)薄膜晶體管絕緣層優(yōu)化的方法中所采用的有機(jī)薄膜晶體管的三維結(jié)構(gòu)示意圖，其中：100為源漏電極，110為有機(jī)半導(dǎo)體層，120為經(jīng)過表面改性的絕緣層，130為P-型高參雜硅。

圖2（a）是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例1進(jìn)行表面改性前后的接觸角測(cè)試圖。

圖2（b）是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例2進(jìn)行表面改性前后的接觸角測(cè)試圖。

圖2（c）是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例3進(jìn)行表面改性前后的接觸角測(cè)試圖。

圖2（d）是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例4進(jìn)行表面改性前后的接觸角測(cè)試圖。

圖3（a）是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例1進(jìn)行表面改性前后的原子力顯微鏡圖。

圖3（b）是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例2進(jìn)行表面改性前后的原子力顯微鏡圖。

圖3（c）是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例3進(jìn)行表面改性前后的原子力顯微鏡圖。

圖3（d）是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例4進(jìn)行表面改性前后的原子力顯微鏡圖。

圖4是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例1、2、3、4進(jìn)行表面改性前后器件的漏電流變化大小。

圖5是本發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法中實(shí)例1、2、3、4進(jìn)行表面改性前后器件的轉(zhuǎn)移特性曲線變化情況。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行具體說明。

本發(fā)明提供一種通過表面注入互穿網(wǎng)狀聚合物對(duì)有機(jī)薄膜晶體管絕緣層優(yōu)化的方法，提供一有機(jī)薄膜晶體管，該有機(jī)薄膜晶體管包括自下而上依次設(shè)置的基底、絕緣層、有源層以及源漏電極；所述絕緣層通過采用溶液法，并利用旋涂工藝或刮涂工藝在所述基底中的柵極上形成絕緣層膜后，將液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液滲入該絕緣層中，并經(jīng)過UV光處理，使所述小分子單體溶液中的小分子單體聚合固化嵌入絕緣層的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，進(jìn)行對(duì)所述絕緣層表面改性。其中，如圖1所示，100為源漏電極，110為有機(jī)半導(dǎo)體層，120為經(jīng)過表面改性的絕緣層，130為P-型高參雜硅。

進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，所述溶液法中采用的溶液為聚乙烯苯酚（PVP）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚乙烯醇（PVA）或全氟樹脂（CYTOP）；所述液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液采用甲基丙烯酸（MAA）、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯(2-HEMA)或二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)。

進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，所述絕緣層膜的膜厚為500nm至2000nm，且經(jīng)過熱交聯(lián)或光交聯(lián)反應(yīng)后生成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的聚合物。

進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，所述基底包括襯底與柵極；所述基底采用已制備好柵極的的柔性材料或硬質(zhì)材料；所述柔性材料包括含ITO膜的PET以及PI；所述硬質(zhì)材料包括高摻雜硅片以及ITO玻璃；

所述有源層通過采用旋涂工藝、刮圖工藝或噴墨打印工藝進(jìn)行制備；

所述源漏電極采用的材料為Au、Ag或Al。

進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，該方法適用于制備底柵頂接觸結(jié)構(gòu)或底柵底接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管。

較佳的，通過采用本發(fā)明中所提出的方法制備底柵頂接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管的制備步驟如下：

步驟S11：準(zhǔn)備好已洗干凈的基底，該基底采用硬質(zhì)材料，包括高摻雜硅片或ITO玻璃；或已制備好柵極的柔性材料，包括含ITO膜的PET與PI；

步驟S12：采用旋涂工藝或刮涂工藝在所述步驟S11中的基底上制備一層500nm至2000nm的絕緣層薄膜，并經(jīng)過熱交聯(lián)或光交聯(lián)反應(yīng)形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的聚合物；

步驟S13：使用膠頭滴管將液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液滴在所述絕緣層模上，并鋪滿整個(gè)絕緣層表面，然后靜置；

步驟S14：使用高速轉(zhuǎn)速的旋涂機(jī)，將絕緣層膜表面多余的液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液通過離心力清除掉；

步驟S15：將滲入液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液的絕緣層的樣品放在紫外燈下照射，使其發(fā)生光交聯(lián)反應(yīng)，使其聚合固化；

步驟S16：采用旋涂工藝、刮圖工藝或噴墨打印工藝制備30nm至50nm的有源層；

步驟S17：采用熱蒸發(fā)的方式并利用掩膜版真鍍出源漏電極。

在本實(shí)施例中，將1-3%質(zhì)量的巴斯夫光引發(fā)劑（Irgacure 651）和3%質(zhì)量的交聯(lián)劑（EGDMA）完全溶解在液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液中，其中，EGDMA既能作為交聯(lián)劑，也能為作液態(tài)小分子單體。所述液態(tài)小分子單體溶液在絕緣層表面靜置1s至5s，得到不同滲透厚度的有機(jī)小分子單體層，其中靜置2s的效果最佳。所述旋涂機(jī)采用3000 rpm至5000 rpm的轉(zhuǎn)速將絕緣層表面多余的有機(jī)小分子單體溶液清除掉，以保持絕緣表面較低的表面粗糙度。使用長(zhǎng)波段的紫外光，且將紫外燈在距離所述絕緣層表面2cm至10cm的范圍內(nèi)照射10min，將液態(tài)有機(jī)小分子單體完全聚合固化嵌入于所述絕緣層中。

較佳的，通過采用本發(fā)明中所提出的方法制備底柵底接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)薄膜晶體管的制備步驟如下：

步驟S11：準(zhǔn)備好已洗干凈的基底，該基底采用硬質(zhì)材料，包括高摻雜硅片或ITO玻璃；或已制備好柵極的柔性材料，包括含ITO膜的PET與PI；

步驟S12：采用旋涂工藝或刮涂工藝在所述步驟S11中的基底上制備一層500nm至2000nm的絕緣層薄膜，并經(jīng)過熱交聯(lián)或光交聯(lián)反應(yīng)形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的聚合物；

步驟S13：使用膠頭滴管將液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液滴在所述絕緣層模上，并鋪滿整個(gè)絕緣層表面，然后靜置；

步驟S14：使用高速轉(zhuǎn)速的旋涂機(jī)，將絕緣層膜表面多余的液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液通過離心力清除掉；

步驟S15：將滲入液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液的絕緣層的樣品放在紫外燈下照射，使其發(fā)生光交聯(lián)反應(yīng)，使其聚合固化；

步驟S16：采用熱蒸發(fā)的方式并利用掩膜版真鍍出源漏電極；

步驟S17：采用旋涂工藝、刮圖工藝或噴墨打印工藝制備30nm至50nm的有源層。

進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，將1-3%質(zhì)量的巴斯夫光引發(fā)劑（Irgacure 651）和3%質(zhì)量的交聯(lián)劑（EGDMA）完全溶解在液態(tài)有機(jī)小分子單體溶液中，其中，EGDMA既能作為交聯(lián)劑，也能為作液態(tài)小分子單體。所述液態(tài)小分子單體溶液在絕緣層表面靜置1s至5s，得到不同滲透厚度的有機(jī)小分子單體層，其中靜置2s的效果最佳。所述旋涂機(jī)采用3000 rpm至5000 rpm的轉(zhuǎn)速將絕緣層表面多余的有機(jī)小分子單體溶液清除掉，以保持絕緣表面較低的表面粗糙度。使用長(zhǎng)波段的紫外光，且將紫外燈在距離所述絕緣層表面2cm至10cm的范圍內(nèi)照射10min，將液態(tài)有機(jī)小分子單體完全聚合固化嵌入于所述絕緣層中。

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例具體說明發(fā)明一種基于絕緣層表面改性的有機(jī)薄膜晶體管器件優(yōu)化方法。本發(fā)明提供優(yōu)選實(shí)施例，但不應(yīng)該被認(rèn)為僅限于在此闡述的實(shí)施例。

以下將通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

本實(shí)施例中，有機(jī)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，從下往上依次為基底、柵極、絕緣層、有源層、源漏極。使用的基底和柵極材料為P型高參雜硅片，絕緣層材料為聚乙烯苯酚（PVP）和有機(jī)絕緣光聚合單體，有源層材料為PDVT-8半導(dǎo)體聚合物，源漏極為50nm厚金，具體的操作步驟如下：

步驟一：將已割好1.5cm×2cm尺寸的硅片經(jīng)丙酮、異丙醇、三氯甲烷、蒸餾水（三次）清洗，后用氮?dú)獯蹈珊蟮玫礁蓛舻墓杵?/p>

步驟二：將150mg/ml的PVP溶液通過過濾塞滴滿硅片，后通過旋涂的方式以2000rpm（30s）的轉(zhuǎn)速使PVP溶液在硅片形成均勻的薄膜，再將硅片移入手套箱里進(jìn)行120℃（2h）的交聯(lián)反應(yīng)制備一層850nm的絕緣層薄膜。

步驟三：在已制備好PVP絕緣層薄膜的樣品上滴上小分子單體溶液，其中，有機(jī)液態(tài)小分子單體：EGDMA:光引發(fā)劑Irgacure 651=96:3:1，靜置1s-5s后使用5000rpm（60s）轉(zhuǎn)速將絕緣層表面多余的小分子單體溶液通過離心力清除掉。

步驟四：將樣品放在距長(zhǎng)波段、高功率的紫外燈下2cm-10cm的范圍內(nèi)光照十分鐘。

步驟五：使用1000rpm（60s）的轉(zhuǎn)速旋涂PDVT-8溶液制備有源層并在150℃條件下加熱10 min。

步驟六：采用熱蒸發(fā)的方法在該樣品上通過專用掩膜板蒸鍍出源漏電極，電極厚度為50nm。

為了進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)效果，下面具體結(jié)合不同的實(shí)施例進(jìn)行對(duì)比說明。

實(shí)施例1

1）將大小為1.5cm×2cm的P型硅片經(jīng)丙酮、異丙醇、三氯甲烷、蒸餾水（三次）清洗后，再用氮?dú)獯蹈傻玫礁蓛舻墓杵鳛闁艠O。

2）使用帶0.22um過濾塞的注射器將150mg/ml的PVP溶液鋪滿硅片，后用2000rpm（30s）的轉(zhuǎn)速使PVP溶液在硅片形成均勻的膜，再將硅片移入手套箱里進(jìn)行120℃（2h）的交聯(lián)反應(yīng)制備一層850nm的絕緣層薄膜。

3）將半導(dǎo)體聚合物PDVT-8以5mg/ml溶解在三氯甲烷中，使用1000rpm（60s）的轉(zhuǎn)速旋涂PDVT-8溶液制備有源層，后在150℃條件下加熱10 min。

4）最后采用熱蒸發(fā)的方式利用專用掩膜板在步驟5)所得的硅片上蒸鍍出溝道長(zhǎng)為30um，寬為1mm的50nm厚源漏電極。

實(shí)施例2

1）將大小為1.5cm×2cm的P型硅片經(jīng)丙酮、異丙醇、三氯甲烷、蒸餾水（三次）清洗后，再用氮?dú)獯蹈傻玫礁蓛舻墓杵鳛闁艠O。

2）使用帶0.22um過濾塞的注射器將150mg/ml的PVP溶液鋪滿硅片，后用2000rpm（30s）的轉(zhuǎn)速使PVP溶液在硅片形成均勻的膜，再將硅片移入手套箱里進(jìn)行120℃（2h）的交聯(lián)反應(yīng)制備一層850nm的絕緣層薄膜。

3）在已制備好絕緣層薄膜的樣品上滴滿甲基丙烯酸(MAA)小分子單體溶液，其中，MAA液態(tài)小分子單體：EGDMA：光引發(fā)劑Irgacure 651=96:3:1，靜置2s后使用5000rpm（60）的轉(zhuǎn)速將絕緣層表面多余的小分子單體溶液清除掉。

4）準(zhǔn)備一個(gè)40w-BL型號(hào)的飛利浦紫外燈，將樣品放在距紫外燈下2cm-10cm的范圍內(nèi)光照十分鐘。

5）將半導(dǎo)體聚合物PDVT-8以5mg/ml溶解在三氯甲烷中，使用1000rpm（60s）的轉(zhuǎn)速旋涂PDVT-8溶液制備有源層，后在150℃條件下加熱10 min。

6）最后采用熱蒸發(fā)的方式利用專用掩膜板在步驟5)所得的硅片上蒸鍍出溝道長(zhǎng)為30um，寬為1mm的50nm厚源漏電極。

實(shí)施例1與實(shí)施例2 中制備的絕緣層薄膜接觸角表征如圖2（a）、2（b）所示，改性前后的接觸角從32.08°降低為27.48°，說明薄膜與有機(jī)半導(dǎo)體溶液的潤(rùn)濕性變得更好；AFM薄膜表面如圖3（a）、3（b）所示，表面粗糙度由Rq=0.666 nm 減少到Rq=0.337 nm，是薄膜表面更加光滑從而有利于電子傳輸；MIM結(jié)構(gòu)的薄膜漏電流測(cè)試如圖4所示，在-40伏條件下的漏電流密度從1.81×10^-5A .cm^-2降低到6.85×10^-6A .cm^-2；OTFT轉(zhuǎn)移特性曲線如圖5所示，晶體管的遷移率從0.08 cm²/Vs增大到0.33 cm²/Vs，說明通過該實(shí)施例有利改性薄膜形貌和器件性能。

實(shí)施例3

1）將大小為1.5cm×2cm的P型硅片經(jīng)丙酮、異丙醇、三氯甲烷、蒸餾水（三次）和氮?dú)獯蹈珊蟮玫礁蓛舻墓杵鳛闁艠O。

2）使用帶0.22um過濾塞的注射器將150mg/ml的PVP溶液鋪滿硅片，后用2000rpm（30s）的轉(zhuǎn)速使PVP溶液在硅片形成均勻的膜，再將硅片移入手套箱里進(jìn)行120℃（2h）的交聯(lián)反應(yīng)制備一層850nm的絕緣層薄膜。

3）在已制備好絕緣層薄膜的樣品上滴滿甲基丙烯酸甲酯（MMA）小分子單體溶液，其中，MMA液態(tài)小分子單體：EGDMA：光引發(fā)劑Irgacure 651=96:3:1，靜置2s后使用5000rpm（60s）的轉(zhuǎn)速將絕緣層表面多余的小分子單體溶液溶液清除掉。

4）準(zhǔn)備一個(gè)40w-BL型號(hào)的飛利浦紫外燈，將樣品放在距紫外燈下2cm-10cm的范圍內(nèi)光照十分鐘。

5）將半導(dǎo)體聚合物PDVT-8以5mg/ml溶解在三氯甲烷中，使用1000rpm（60s）的轉(zhuǎn)速旋涂PDVT-8溶液制備有源層，后在150℃條件下加熱10 min。

6）最后采用熱蒸發(fā)的方式利用專用掩膜板在步驟5)所得的硅片上蒸鍍出溝道長(zhǎng)為30um，寬為1mm的50nm厚源漏電極。

實(shí)施例1與實(shí)施例3 制備的絕緣層薄膜接觸角表征如圖2（a）、2（c）所示，改性前后的接觸角從32.08°降低為16.32°，說明薄膜與有機(jī)半導(dǎo)體溶液的潤(rùn)濕性變得更好；AFM薄膜表面如圖3（a）、3（c）所示，表面粗糙度由Rq=0.666nm 減少到Rq=0.195nm，是薄膜表面更加光滑從而有利于電子傳輸；MIM結(jié)構(gòu)的薄膜漏電流測(cè)試如圖4所示，在-40伏條件下的漏電流密度從1.81×10^-5A .cm^-2降低到3.2×10^-6A .cm^-2；OTFT轉(zhuǎn)移特性曲線如圖5所示，晶體管的遷移率從0.08 cm²/Vs增大到1.09 cm²/Vs，說明通過該實(shí)施例有利改性薄膜形貌和器件性能。

實(shí)施例4

1）將大小為1.5cm×2cm的P型硅片經(jīng)丙酮、異丙醇、三氯甲烷、蒸餾水（三次）和氮?dú)獯蹈珊蟮玫礁蓛舻墓杵鳛闁艠O。

2）使用帶0.22um過濾塞的注射器將150mg/ml的PVP溶液鋪滿硅片，后用2000rpm（30s）的轉(zhuǎn)速使PVP溶液在硅片形成均勻的膜，再將硅片移入手套箱里進(jìn)行120℃（2h）的交聯(lián)反應(yīng)制備一層850nm的絕緣層薄膜。

3）在已制備好絕緣層薄膜的樣品上滴滿二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)小分子單體溶液，其中，EGDMA液態(tài)小分子單體：光引發(fā)劑Irgacure 651=99:1，靜置2s后使用5000rpm（60 s）的轉(zhuǎn)速將絕緣層表面多余的小分子單體溶液溶液清除掉。

4）準(zhǔn)備一個(gè)40w-BL型號(hào)的飛利浦紫外燈，將樣品放在距紫外燈下2cm-10cm的范圍內(nèi)光照十分鐘。

5）將半導(dǎo)體聚合物PDVT-8以5mg/ml溶解在三氯甲烷中，使用1000rpm（60s）的轉(zhuǎn)速旋涂PDVT-8溶液制備有源層，后在150℃條件下加熱10 min。

6）最后采用熱蒸發(fā)的方式利用專用掩膜板在步驟5)所得的硅片上蒸鍍出溝道長(zhǎng)為30um，寬為1mm的50nm厚源漏電極。

實(shí)施例1與實(shí)施例4 制備的絕緣層薄膜接觸角表征如圖2（a）、2（d）所示，改性前后的接觸角從32.08°降低為20.12°，說明薄膜與有機(jī)半導(dǎo)體溶液的潤(rùn)濕性變得更好；AFM薄膜表面如圖3（a）、3（d）所示，表面粗糙度由Rq=0.666nm 減少到Rq=0.278nm，是薄膜表面更加光滑從而有利于電子傳輸；MIM結(jié)構(gòu)的薄膜漏電流測(cè)試如圖4所示，在-40伏條件下的漏電流密度從1.81×10^-5A .cm^-2降低到7.09×10^-6A .cm^-2；OTFT轉(zhuǎn)移特性曲線如圖5所示，晶體管的遷移率從0.08cm²/Vs增大到0.99cm²/Vs，說明通過該實(shí)施例有利改性薄膜形貌和器件性能。

以上是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明技術(shù)方案所作的改變，所產(chǎn)生的功能作用未超出本發(fā)明技術(shù)方案的范圍時(shí)，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。