1.一種半導體發(fā)光裝置，包括：
發(fā)光堆疊件，其包括第一導電類型的半導體層、第二導電類型的半導體層和布置在第一導電類型的半導體層與第二導電類型的半導體層之間的有源層；
波長轉(zhuǎn)換層，其布置在發(fā)光堆疊件上，并且被構造為將從有源層發(fā)射的具有第一波長的光中的至少一部分轉(zhuǎn)換為具有第二波長的光；以及
光控制層，其布置在發(fā)光堆疊件與波長轉(zhuǎn)換層之間，并且包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層的折射率比發(fā)光堆疊件的折射率低，并且第二絕緣層的折射率比第一絕緣層的折射率高0.5或更多。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其中，第一絕緣層的折射率在1.4至1.8的范圍內(nèi)，并且第二絕緣層的折射率在2.2至2.5的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其中，第一絕緣層布置在發(fā)光堆疊件上，并且第二絕緣層布置在第一絕緣層上。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其中，光控制層具有其中多個第一絕緣層與多個第二絕緣層交替并重復地堆疊的多層結構。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其中，第一絕緣層包括SiO2、MgF2和Al2O3中的至少一種，并且第二絕緣層包括ZrO2、NbO2、Ta2O3、TiO2、CeO2和Si3N4中的至少一種。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其中，第一絕緣層的厚度在1nm至96nm的范圍內(nèi)，并且第二絕緣層的厚度在64nm至180nm的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其中，第一絕緣層包括SiO2，并且第二絕緣層包括TiO2。
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體發(fā)光裝置，其中，第一絕緣層的厚度在2nm至70nm的范圍內(nèi)，并且第二絕緣層的厚度在105nm至135nm的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，其中，發(fā)光堆疊件的發(fā)光表面包括凹凸結構，并且光控制層布置在該凹凸結構上。
10.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，還包括布置在光控制層與波長轉(zhuǎn)換層之間的微透鏡單元，并且微透鏡單元包括朝著波長轉(zhuǎn)換層凸出的突起部分。
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體發(fā)光裝置，其中，微透鏡單元的折射率高于波長轉(zhuǎn)換層的折射率。
12.根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光裝置，還包括布置在第一導電類型的半導體層上的透明電極層，
其中光控制層布置在透明電極層上。
13.一種半導體發(fā)光裝置，包括：
襯底，其包括第一表面和與第一表面相對的第二表面；
發(fā)光堆疊件，其布置在襯底的第一表面上；
波長轉(zhuǎn)換層，其布置在襯底的第二表面上，并且被構造為將從發(fā)光堆疊件發(fā)射的具有第一波長的光中的至少一部分轉(zhuǎn)換為具有第二波長的光；以及
光控制層，其布置在襯底與波長轉(zhuǎn)換層之間，并且包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層的折射率比發(fā)光堆疊件的折射率低，并且第二絕緣層的折射率比第一絕緣層的折射率高0.5或更多。
14.根據(jù)權利要求13所述的半導體發(fā)光裝置，其中，第一絕緣層與襯底接觸。
15.根據(jù)權利要求13所述的半導體發(fā)光裝置，還包括微透鏡單元，該微透鏡單元布置在光控制層與波長轉(zhuǎn)換層之間，并且包括朝著波長轉(zhuǎn)換層凸出的突起部分。
16.根據(jù)權利要求15所述的半導體發(fā)光裝置，其中，微透鏡單元的折射率高于波長轉(zhuǎn)換層的折射率。
17.根據(jù)權利要求13所述的半導體發(fā)光裝置，其中，發(fā)光堆疊件包括發(fā)光納米結構，在該發(fā)光納米結構中，第一導電類型的半導體納米芯、有源層和第二導電類型的半導體層按次序堆疊。
18.一種半導體發(fā)光裝置，包括：
發(fā)光堆疊件，其被構造為發(fā)光并且包括凹凸部分；以及
光控制層，其布置在發(fā)光堆疊件的凹凸部分上或上方，并且包括第一材料層和第二材料層，第一材料層的折射率與第二材料層的折射率不同，
其中，第一材料層的厚度在1nm至96nm的范圍內(nèi)，并且第二材料層的厚度在64nm至180nm的范圍內(nèi)。
19.根據(jù)權利要求18所述的半導體發(fā)光裝置，其中，第一材料層的折射率比發(fā)光堆疊件的折射率低，并且第二材料層的折射率比第一材料層的折射率高0.5或更多。
20.根據(jù)權利要求18所述的半導體發(fā)光裝置，還包括襯底，發(fā)光堆疊件布置在襯底上，其中凹凸部分與襯底接觸。