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一種長壽命的導(dǎo)電高分子固態(tài)電容器的制作方法

文檔序號(hào):12907276閱讀:444來源:國知局

本發(fā)明屬于電容器生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及電容器引腳整腳矯正焊接裝置。



背景技術(shù):

隨著電子行業(yè)的高速發(fā)展,電容器作為重要的電子元器件使用量越來越大。尤其是高端產(chǎn)品固態(tài)電容器的市場(chǎng)前景越來越廣闊,而固態(tài)電容器的生產(chǎn)需要經(jīng)過裁切、釘卷、膠蓋組立、熔接、化成、含浸、聚合、封口組立、浸泡、捺印、老化、外觀檢驗(yàn)、切腳和包裝等工序。但由于固態(tài)電容在在經(jīng)過浸泡和老化過程中,導(dǎo)電高分子的聚合進(jìn)程會(huì)對(duì)鋁箔表面進(jìn)行改性,從而影響固態(tài)電容器的壽命。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

發(fā)明目的:針對(duì)上述現(xiàn)有存在的問題和不足,本發(fā)明的目的是提供一種長壽命的導(dǎo)電高分子固態(tài)電容器。

技術(shù)方案:為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:一種長壽命的導(dǎo)電高分子固態(tài)電容器,包括鋁殼、芯體、膠塞和引出線,所述芯體設(shè)在鋁殼內(nèi),所述膠塞設(shè)在芯體上并將芯體密封,所述引出線的一端設(shè)在芯體內(nèi)并與芯體的正負(fù)極分別連接,并從膠塞引出,所述鋁殼的外側(cè)通過壓制形成阻力環(huán),所述芯體中的電極鋁箔還包括前處理步驟:

a、將鋁箔進(jìn)入45~60%的己二酸銨進(jìn)行化成處理后,在浸入15~20%的磷酸和5~10%硼酸的混合溶液中去極化處理;

b、經(jīng)過去極化處理后,再進(jìn)入磷酸二氫鈉溶液中進(jìn)行電解化成。

作為優(yōu)選,所述步驟a中的操作電解如下:溫度45~55℃,電流密度為0.5~1.5a/dm2,電壓為5~8v,時(shí)間為0.5~2min。

作為優(yōu)選,所述步驟b中的操作電解如下:溫度20~30℃,電流密度為1~1.5a/dm2,電壓為3~6v,時(shí)間為5~10min。

有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明通過多次化成和去極化電解處理,是的老伯伯具有更高的比容值,確保低漏電的情形下具有更長壽命。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例,進(jìn)一步闡明本發(fā)明,應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍,在閱讀了本發(fā)明之后,本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于

本技術(shù):
所附權(quán)利要求所限定的范圍。

本發(fā)明的長壽命的導(dǎo)電高分子固態(tài)電容器,包括鋁殼、芯體、膠塞和引出線,所述芯體設(shè)在鋁殼內(nèi),所述膠塞設(shè)在芯體上并將芯體密封,所述引出線的一端設(shè)在芯體內(nèi)并與芯體的正負(fù)極分別連接,并從膠塞引出,所述鋁殼的外側(cè)通過壓制形成阻力環(huán),所述芯體中的電極鋁箔還包括前處理步驟:

a、將鋁箔進(jìn)入45~60%的己二酸銨進(jìn)行化成處理后,在浸入15~20%的磷酸和5~10%硼酸的混合溶液中去極化處理,溫度45~55℃,電流密度為0.5~1.5a/dm2,電壓為5~8v,時(shí)間為0.5~2min。;

b、經(jīng)過去極化處理后,再進(jìn)入磷酸二氫鈉溶液中進(jìn)行電解化成,其中,溫度20~30℃,電流密度為1~1.5a/dm2,電壓為3~6v,時(shí)間為5~10min。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種長壽命的導(dǎo)電高分子固態(tài)電容器,包括鋁殼、芯體、膠塞和引出線,所述芯體設(shè)在鋁殼內(nèi),所述膠塞設(shè)在芯體上并將芯體密封,所述引出線的一端設(shè)在芯體內(nèi)并與芯體的正負(fù)極分別連接,并從膠塞引出,所述鋁殼的外側(cè)通過壓制形成阻力環(huán),所述芯體中的電極鋁箔還包括前處理步驟:a、將鋁箔進(jìn)入45~60%的己二酸銨進(jìn)行化成處理后,在浸入15~20%的磷酸和5~10%硼酸的混合溶液中去極化處理;b、經(jīng)過去極化處理后,再進(jìn)入磷酸二氫鈉溶液中進(jìn)行電解化成。本發(fā)明通過多次化成和去極化電解處理,是的老伯伯具有更高的比容值,確保低漏電的情形下具有更長壽命。

技術(shù)研發(fā)人員:王云飛;張冶;黎華章
受保護(hù)的技術(shù)使用者:揚(yáng)州升陽電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2016.05.03
技術(shù)公布日:2017.11.10
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