本發(fā)明關(guān)于各向異性導(dǎo)電性膜、使用各向異性導(dǎo)電性膜的連接方法、及以各向異性導(dǎo)電性膜連接的連接構(gòu)造體。
背景技術(shù)：
：各向異性導(dǎo)電性膜在將ic芯片等的電子部件安裝于基板時(shí)廣泛使用。近年來(lái)，在便攜電話、筆記本電腦等的小型電子設(shè)備中布線的高密度化被要求，作為使各向異性導(dǎo)電性膜對(duì)應(yīng)該高密度化的方法，已知在各向異性導(dǎo)電性膜的絕緣粘接劑層以格子狀均勻配置導(dǎo)電粒子的技術(shù)。然而，即便均勻配置導(dǎo)電粒子，在使用各向異性導(dǎo)電性膜來(lái)各向異性導(dǎo)電性連接上下的端子時(shí)，也有位于端子的邊緣上的導(dǎo)電粒子因絕緣性粘接劑的熔化向間隔流出而沒(méi)有被端子夾住，連接電阻出現(xiàn)偏差這一問(wèn)題。相對(duì)于該問(wèn)題，提案以導(dǎo)電粒子的第1排列方向?yàn)楦飨虍愋詫?dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向，使與第1排列方向交叉的第2排列方向相對(duì)于與各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向正交的方向傾斜5°以上15°以下（專(zhuān)利文獻(xiàn)1）。先前技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特許4887700號(hào)公報(bào)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的課題然而，若以各向異性導(dǎo)電性膜連接的電子部件的凸點(diǎn)尺寸進(jìn)一步減小，則在凸點(diǎn)能夠捕獲的導(dǎo)電粒子的數(shù)也進(jìn)一步減少，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的各向異性導(dǎo)電性膜中存在無(wú)法充分得到導(dǎo)通可靠性的情況。特別是，在將液晶畫(huà)面等的控制用ic連接到玻璃基板上的透明電極的、所謂cog（chiponglass）連接中，因?yàn)橐壕М?huà)面的高精細(xì)化所伴隨的多端子化和ic芯片的小型化而凸點(diǎn)尺寸變小，另外，在進(jìn)行接合電視機(jī)的顯示器用的玻璃基板和柔性印刷布線板（fpc：flexibleprintedcircuits）的fog（filmonglass）接合的情況下，連接端子也成為微小間距，增加在連接端子能夠捕獲的導(dǎo)電粒子數(shù)量就成為課題。為了增加在連接端子能夠捕獲的導(dǎo)電粒子，可考慮進(jìn)一步提高各向異性導(dǎo)電性膜中的導(dǎo)電粒子的密度。然而，若在各向異性導(dǎo)電性膜中提高導(dǎo)電粒子的密度，則各向異性導(dǎo)電性膜的制造成本會(huì)變高。相對(duì)于此，本發(fā)明的課題是提供能夠使用于微小間距的fog連接或cog連接，且能夠抑制導(dǎo)電粒子的密度增加所伴隨的制造成本上升的各向異性導(dǎo)電性膜。用于解決課題的方案本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了（i）作為各向異性導(dǎo)電性膜中的導(dǎo)電粒子的配置區(qū)域，在設(shè)置導(dǎo)電粒子的排列方式、排列位置或密度不同的多個(gè)排列區(qū)域的情況下，能夠形成與以各向異性導(dǎo)電性膜連接的對(duì)象物對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子的配置區(qū)域，即，使導(dǎo)電粒子的配置區(qū)域與以該各向異性導(dǎo)電性膜連接的電子部件的端子的排列區(qū)域的外形對(duì)應(yīng)（例如，在以各向異性導(dǎo)電性膜進(jìn)行cog連接的情況下，在與存在凸點(diǎn)列的ic芯片的周邊部對(duì)應(yīng)的區(qū)域配置導(dǎo)電粒子，但是在與不存在凸點(diǎn)的中央部對(duì)應(yīng)的區(qū)域不配置導(dǎo)電粒子等）；（ii）由此能夠減少不參與連接的導(dǎo)電粒子的數(shù)量，抑制各向異性導(dǎo)電性膜的制造成本；另外，（iii）在使電子部件的端子的排列區(qū)域和各向異性導(dǎo)電性膜中的導(dǎo)電粒子的配置區(qū)域?qū)ξ坏那闆r下，在各向異性導(dǎo)電性膜需要成為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的部分，若通過(guò)導(dǎo)電粒子的配置來(lái)形成該部分，相對(duì)于從前的各向異性導(dǎo)電性膜的制造工序不需要用于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成的追加工序，想到了本發(fā)明。即，本發(fā)明提供包含絕緣粘接劑層和配置在該絕緣粘接劑層的導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電性膜，其中，具有：配置有多個(gè)導(dǎo)電粒子的第1導(dǎo)電粒子配置區(qū)域；以及相對(duì)于第1導(dǎo)電粒子配置區(qū)域而言導(dǎo)電粒子的排列方式、排列位置或密度不同的第2導(dǎo)電粒子配置區(qū)域，第1導(dǎo)電粒子配置區(qū)域及第2導(dǎo)電粒子排列區(qū)域在各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向周期性形成。另外，本發(fā)明提供包含絕緣粘接劑層和配置在該絕緣粘接劑層的導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電性膜，其中，具有與以各向異性導(dǎo)電性膜連接的電子部件的端子的排列區(qū)域的外形對(duì)應(yīng)而形成的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域（以下，也稱(chēng)為連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域），該導(dǎo)電粒子配置區(qū)域在各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向周期性形成。進(jìn)而，本發(fā)明提供以上述各向異性導(dǎo)電性膜來(lái)各向異性導(dǎo)電性連接第1電子部件與第2電子部件的連接構(gòu)造體。發(fā)明效果依據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電性膜，通過(guò)將連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域?qū)?yīng)于端子的排列區(qū)域的外形而形成，能夠減少不參與連接的導(dǎo)電粒子，因此能夠抑制各向異性導(dǎo)電性膜的制造成本。特別是，在本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電性膜中，形成成為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域（以下，也稱(chēng)為對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域）的情況下，能夠使應(yīng)該連接用的電子部件的端子的排列區(qū)域與各向異性導(dǎo)電性膜的連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域?qū)ξ?，因此能可靠地在端子捕獲導(dǎo)電粒子，并確保導(dǎo)通。進(jìn)而，成為該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域的形成，能夠在從前的各向異性導(dǎo)電性膜的制造工序中不需要追加工序而形成。附圖說(shuō)明［圖1a］圖1a是各向異性導(dǎo)電性膜1a中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖1b］圖1b是以各向異性導(dǎo)電性膜1a連接的ic芯片的端子面的俯視圖。［圖1c］圖1c是通過(guò)對(duì)ic芯片熱壓接各向異性導(dǎo)電性膜1a來(lái)在ic芯片的端子捕獲導(dǎo)電粒子的狀態(tài)的俯視圖。［圖2］圖2是各向異性導(dǎo)電性膜1b中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖3］圖3是各向異性導(dǎo)電性膜1c中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖4］圖4是各向異性導(dǎo)電性膜1d中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖5a］圖5a是粒子排列群中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖5b］圖5b是粒子排列群中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖5c］圖5c是粒子排列群中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖5d］圖5d是粒子排列群中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖5e］圖5e是粒子排列群中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖6］圖6是各向異性導(dǎo)電性膜1e中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖7］圖7是各向異性導(dǎo)電性膜1f中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖8a］圖8a是形成粒子排列群的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖8b］圖8b是形成粒子排列群的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖8c］圖8c是形成粒子排列群的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖8d］圖8d是形成粒子排列群的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖9］圖9是形成粒子排列群的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖10］圖10是形成粒子排列群的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖11］圖11是各向異性導(dǎo)電性膜1g中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖12］圖12是各向異性導(dǎo)電性膜1h中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖13］圖13是各向異性導(dǎo)電性膜1i中的導(dǎo)電粒子的配置圖。［圖14］圖14是各向異性導(dǎo)電性膜1j中的導(dǎo)電粒子的配置圖。具體實(shí)施方式以下，一邊參照附圖，一邊對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。此外，各圖中，同一標(biāo)號(hào)表示同一或同等的結(jié)構(gòu)要素。圖1a是使用于cog連接的本發(fā)明的一實(shí)施例的各向異性導(dǎo)電性膜1a中的導(dǎo)電粒子2的配置圖，圖1b是以各向異性導(dǎo)電性膜1a連接的ic芯片20的端子面的俯視圖，圖1c是通過(guò)將各向異性導(dǎo)電性膜1a熱壓接到ic芯片20來(lái)使ic芯片20的端子捕獲導(dǎo)電粒子的狀態(tài)的俯視圖。該各向異性導(dǎo)電性膜1a具有絕緣粘接劑層10和配置在絕緣粘接劑層10的導(dǎo)電粒子2。由圖1a、圖1b及圖1c可知，在各向異性導(dǎo)電性膜1a中導(dǎo)電粒子2對(duì)應(yīng)于ic芯片20的端子的排列而配置。更具體而言，在與ic芯片20的輸出側(cè)凸點(diǎn)21對(duì)應(yīng)的部位，3個(gè)導(dǎo)電粒子2排成一列而形成粒子排列群3a，粒子排列群3a以交錯(cuò)格子狀排列而形成連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a。各粒子排列群3a在使各向異性導(dǎo)電性膜1a和ic芯片20疊合的情況下，大概以配置在ic芯片20的各個(gè)輸出側(cè)凸點(diǎn)21內(nèi)的方式形成，各粒子排列群3a中的導(dǎo)電粒子2的排列相對(duì)于各向異性導(dǎo)電性膜1a的長(zhǎng)邊方向f1傾斜，提高利用輸出側(cè)凸點(diǎn)21的粒子捕獲性。另外，連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a的外形與輸出側(cè)凸點(diǎn)21的排列區(qū)域21a的外形對(duì)應(yīng)。即，兩者的外形為大致相同形狀，但是連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a比輸出側(cè)凸點(diǎn)21的排列區(qū)域21a稍大地形成，以在使各向異性導(dǎo)電性膜1a和ic芯片20疊合的情況下，連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a蓋住輸出側(cè)凸點(diǎn)21的排列區(qū)域21a。因此連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、輸出側(cè)凸點(diǎn)21的排列區(qū)域21a都沿著各向異性導(dǎo)電性膜1a的長(zhǎng)邊方向延伸。在與ic芯片20的輸入側(cè)凸點(diǎn)22對(duì)應(yīng)的部位或與側(cè)面（side）凸點(diǎn)23對(duì)應(yīng)的部位，也與對(duì)應(yīng)于上述輸出側(cè)凸點(diǎn)21的部位同樣，與各個(gè)凸點(diǎn)22、23對(duì)應(yīng)地形成有3個(gè)導(dǎo)電粒子2排成一列的粒子排列群3b、3c。而且，與輸入側(cè)凸點(diǎn)22對(duì)應(yīng)的粒子排列群3b沿著各向異性導(dǎo)電性膜1a的長(zhǎng)邊方向f1排成一列，從而形成連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4b。該連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4b的外形與輸入側(cè)凸點(diǎn)22的排列區(qū)域22a的外形對(duì)應(yīng)，以連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4b蓋住輸入側(cè)凸點(diǎn)22的排列區(qū)域22a的方式形成。另外，與側(cè)面凸點(diǎn)23對(duì)應(yīng)的粒子排列群3c沿各向異性導(dǎo)電性膜1a的短邊方向f2排列而形成連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4c。連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4c的外形也與側(cè)面凸點(diǎn)23的排列區(qū)域23a的外形對(duì)應(yīng)，以連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4c蓋住側(cè)面凸點(diǎn)23的排列區(qū)域23a的方式形成。這樣，在該各向異性導(dǎo)電性膜1a中，形成有導(dǎo)電粒子的排列方式或排列位置不同的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域（第2導(dǎo)電粒子配置區(qū)域）4a、4b、4c，這些導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c的外形與ic芯片20的凸點(diǎn)的排列區(qū)域21a、22a、23a的外形對(duì)應(yīng)地形成，因此在不參與連接的導(dǎo)電粒子上能夠減少數(shù)量，由此能夠抑制各向異性導(dǎo)電性膜的制造成本。進(jìn)而，該各向異性導(dǎo)電性膜1a中，各導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c由與各個(gè)凸點(diǎn)21、22、23對(duì)應(yīng)地配置的粒子排列群3a、3b、3c形成，因此能夠在確保連接的范圍內(nèi)減少被凸點(diǎn)21、22、23捕獲的導(dǎo)電粒子的數(shù)量。因而，減少各向異性導(dǎo)電性膜1a所需要的合計(jì)的導(dǎo)電粒子的數(shù)量，由此也能抑制各向異性導(dǎo)電性膜的制造成本。另外，在確保連接的范圍內(nèi)減少被ic芯片的凸點(diǎn)21、22、23捕獲的導(dǎo)電粒子數(shù)量，使得能夠減少連接時(shí)以加壓工具施加到ic芯片的按壓力。因此，增加以ic芯片相對(duì)于連接時(shí)的按壓力的容許限度規(guī)定的凸點(diǎn)的個(gè)數(shù)密度，由此能夠增大每一個(gè)ic芯片的凸點(diǎn)的連接總面積。例如，在一般的ic芯片中，每一個(gè)ic芯片的凸點(diǎn)的連接總面積為5×106μm2左右，但是能夠?qū)⑺O(shè)為1.5～3倍。由此能夠謀求ic芯片的進(jìn)一步的高集成化。另一方面，在該各向異性導(dǎo)電性膜1a中，在與ic芯片20的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24對(duì)應(yīng)的部位，通過(guò)配置在矩形的四角和中央部的導(dǎo)電粒子2來(lái)形成對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域（第1導(dǎo)電粒子配置區(qū)域）4d。與該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24對(duì)應(yīng)的對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d，和與ic芯片20的端子的排列區(qū)域21a、22a、23a對(duì)應(yīng)的連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c形成在分開(kāi)的位置，不參與連接，但是能夠使用于各向異性導(dǎo)電性膜1a和ic芯片20的對(duì)位。此外，也可以在對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d內(nèi)進(jìn)一步配置導(dǎo)電粒子，使該區(qū)域4d內(nèi)的導(dǎo)電粒子的個(gè)數(shù)密度比連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c更高。以前，ic芯片20的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24以數(shù)十μm～數(shù)百μm的大小形成，使用ccd或激光來(lái)進(jìn)行ic芯片和基板的對(duì)準(zhǔn)，在各向異性導(dǎo)電性膜沒(méi)有形成與ic芯片20的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24對(duì)應(yīng)的標(biāo)記。這是因?yàn)樵谝郧暗母飨虍愋詫?dǎo)電性膜中，由于導(dǎo)電粒子以單分散或格子狀配置在其整個(gè)面，所以無(wú)需以凸點(diǎn)尺寸的精度粘合各向異性導(dǎo)電性膜和基板或ic芯片，而使（對(duì)準(zhǔn)的位置檢測(cè)所使用的）激光等透射各向異性導(dǎo)電性膜而進(jìn)行ic芯片和基板的對(duì)準(zhǔn)。另一方面，如本實(shí)施例的各向異性導(dǎo)電性膜1a那樣在能確保連接的范圍內(nèi)減少被凸點(diǎn)21、22、23捕獲的導(dǎo)電粒子2的數(shù)量的情況下，存在需要以與凸點(diǎn)尺寸對(duì)應(yīng)的精度將各向異性導(dǎo)電性膜1a與凸點(diǎn)粘合，并需要在各向異性導(dǎo)電性膜1a設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的情況。另外，作為在各向異性導(dǎo)電性膜1a形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的方法，還考慮在絕緣粘接劑層配置與ic芯片20的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24對(duì)應(yīng)的大小的部件，但是因?yàn)楦飨虍愋詫?dǎo)電性膜的制造工序上的制約而難以進(jìn)行。另外，還考慮通過(guò)印刷等直接在絕緣粘接劑層進(jìn)行標(biāo)記的情況，但是對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記過(guò)小而實(shí)際上標(biāo)記的加工是困難的。相對(duì)于此，若將導(dǎo)電粒子的排列作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記使用，則各向異性導(dǎo)電性膜的制造工序不需要追加新的工序，另外，將制造的各向異性導(dǎo)電性膜使用于各向異性導(dǎo)電性連接的情況下也不會(huì)產(chǎn)生特別的限制，而能夠?qū)R各向異性導(dǎo)電性膜中的導(dǎo)電粒子的配置和與ic芯片的凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的基板側(cè)的電極的位置。因此，在本實(shí)施例的本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電性膜1a中，作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d。另外，這樣通過(guò)導(dǎo)電粒子2在各向異性導(dǎo)電性膜1a形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的情況下，各向異性導(dǎo)電性膜1a中，在能確保連接的范圍內(nèi)減少被凸點(diǎn)21、22、23捕獲的導(dǎo)電粒子2的數(shù)量，因此各向異性導(dǎo)電性膜1a的透射性高。因而，也可以從基板側(cè)透視而進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)操作。因此，能夠提高ic芯片側(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的設(shè)計(jì)自由度，將ic芯片側(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記設(shè)置在凸點(diǎn)的形成區(qū)域附近，能夠提高對(duì)準(zhǔn)精度。作為對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d的大小，無(wú)特別限制，但是為了確保檢測(cè)精度，cog用的本實(shí)施例的各向異性導(dǎo)電性膜1a優(yōu)選為100μm2以上1mm2以下。此外，在fog及fob用的各向異性導(dǎo)電性膜中，為確保檢測(cè)精度而優(yōu)選為0.01mm2以上9mm2以下。另一方面，該各向異性導(dǎo)電性膜1a中，在ic芯片20的與輸出側(cè)凸點(diǎn)21的排列區(qū)域21a對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a和與輸入側(cè)凸點(diǎn)22的排列區(qū)域22a對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4b之間，形成有未配置導(dǎo)電粒子的中央部區(qū)域5。另外，在各向異性導(dǎo)電性膜1a的長(zhǎng)邊方向f1上，ic芯片20的與凸點(diǎn)的排列區(qū)域21a、22a、23a對(duì)應(yīng)的上述導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c周期性重復(fù)形成，在各向異性導(dǎo)電性膜1a的長(zhǎng)邊方向f1相鄰的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4c彼此之間形成有未配置導(dǎo)電粒子的緩沖區(qū)域6。一般，各向異性導(dǎo)電性膜1a以卷狀纏繞而保管，在抽出使用時(shí)，緩沖區(qū)域6是為了在使用各向異性導(dǎo)電性膜1a時(shí)，抽出以卷狀纏繞的各向異性導(dǎo)電性膜1a、進(jìn)行切斷操作而使用。緩沖區(qū)域6的各向異性導(dǎo)電性膜1a的長(zhǎng)邊方向f1的長(zhǎng)度無(wú)特別限制，但是作為一個(gè)例子，根據(jù)提高各向異性導(dǎo)電性膜1a的抽出或切斷等的操作性這一點(diǎn)，優(yōu)選為0.1mm以上，更優(yōu)選為0.2mm以上。另一方面，在各向異性導(dǎo)電性膜1a的一個(gè)卷體中，根據(jù)較多地確保能有助于連接的區(qū)域這一點(diǎn)，優(yōu)選10mm以下，更優(yōu)選為3mm以下，進(jìn)一步更優(yōu)選為1mm以下。這樣，依據(jù)該各向異性導(dǎo)電性膜1a，由于導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c對(duì)應(yīng)于ic芯片20的凸點(diǎn)的排列區(qū)域21a、22a、23a而形成，所以在導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c中能夠使導(dǎo)電粒子2的密度適宜而提高凸點(diǎn)上的導(dǎo)電粒子2的捕獲性，另外，在與沒(méi)有凸點(diǎn)的區(qū)域?qū)?yīng)的中央部區(qū)域5或緩沖區(qū)域6中由于不存在導(dǎo)電粒子，所以能夠減少不參與連接的導(dǎo)電粒子。進(jìn)而，在導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c中，形成有導(dǎo)電粒子2對(duì)應(yīng)于各個(gè)凸點(diǎn)而排列的粒子排列群3a、3b、3c，因此能提高凸點(diǎn)21、22、23中的粒子捕獲性，抑制在相鄰的凸點(diǎn)間發(fā)生短路。本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電性膜能夠采取各種方式。例如，如圖2所示的各向異性導(dǎo)電性膜1b那樣，也可以在其長(zhǎng)邊方向f1，周期性重復(fù)形成與上述各向異性導(dǎo)電性膜1a同樣的、與ic芯片20的凸點(diǎn)的排列區(qū)域?qū)?yīng)的連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c，在各向異性導(dǎo)電性膜1b的短邊方向f2，以多個(gè)列形成相關(guān)的連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c的重復(fù)列。該各向異性導(dǎo)電性膜1b在分切（slit）線7的位置被分切而使用。另外，能夠如圖3所示的各向異性導(dǎo)電性膜1c那樣，將與輸入側(cè)凸點(diǎn)22對(duì)應(yīng)的粒子排列群3b沿各向異性導(dǎo)電性膜1c的短邊方向f2延長(zhǎng)，各向異性導(dǎo)電性膜1c的分切既可以在分切線7a進(jìn)行，也可以在以延長(zhǎng)的導(dǎo)電粒子的列的量向外側(cè)的分切線7b進(jìn)行。由此，即便實(shí)際的分切加工中分切位置偏離也能使用分切后的各向異性導(dǎo)電性膜。也可以如圖4所示的各向異性導(dǎo)電性膜1d那樣，將作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記使用的對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d形成在沿著各向異性導(dǎo)電性膜1d的長(zhǎng)邊方向f1的緣部的位置。作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記使用的對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d的形成配置，能夠根據(jù)形成在ic芯片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而適當(dāng)變更。此外，本發(fā)明中，導(dǎo)電粒子配置區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電粒子的配置無(wú)特別限制。如前述的各向異性導(dǎo)電性膜1a～1d那樣，既可以導(dǎo)電粒子2形成粒子排列群3a、3b、3c，排列粒子排列群3a、3b、3c而形成導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b、4c，也可以導(dǎo)電粒子隨機(jī)集合而形成粒子群，該粒子群排列在導(dǎo)電粒子配置區(qū)域內(nèi)，也可以在導(dǎo)電粒子配置區(qū)域內(nèi)以格子狀排列單獨(dú)的導(dǎo)電粒子，也可以在導(dǎo)電粒子配置區(qū)域內(nèi)導(dǎo)電粒子隨機(jī)配置。導(dǎo)電粒子配置區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)電粒子的配置，根據(jù)正確地進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)這一點(diǎn)，優(yōu)選以能夠識(shí)別導(dǎo)電粒子配置區(qū)域的輪廓的程度形成導(dǎo)電粒子的集合。在導(dǎo)電粒子配置區(qū)域內(nèi)導(dǎo)電粒子形成粒子排列群的情況下，能夠使在粒子排列群內(nèi)鄰接的導(dǎo)電粒子的間隔小于導(dǎo)電粒子的粒徑的1/4，也可以接觸。另一方面，鄰接的粒子排列群彼此的間隔優(yōu)選為導(dǎo)電粒子的粒徑的0.5倍以上。在此，導(dǎo)電粒子的粒徑是形成各向異性導(dǎo)電性膜1a的導(dǎo)電粒子的平均直徑。根據(jù)防止短路和連接的端子間接合的穩(wěn)定性這一點(diǎn)，導(dǎo)電粒子的平均直徑優(yōu)選為1～30μm，更優(yōu)選為1～10μm。構(gòu)成粒子排列群的導(dǎo)電粒子的數(shù)量可為2個(gè)以上，優(yōu)選為3個(gè)以上。另外，各粒子排列群如前述的各向異性導(dǎo)電性膜1a的粒子排列群3a、3b、3c那樣，既可為相對(duì)于凸點(diǎn)的長(zhǎng)邊方向傾斜的一列直線狀，另外，也可為在一個(gè)凸點(diǎn)21（22、23）橫斷導(dǎo)電粒子2的排列的直線狀（圖5a），也可為縱斷一個(gè)凸點(diǎn)21（22、23）的直線狀（圖5b），也可為相對(duì)于一個(gè)凸點(diǎn)21（22、23）為多列的直線狀的排列（圖5c），也可為相對(duì)于一個(gè)凸點(diǎn)21（22、23）為將導(dǎo)電粒子配置于三角形的頂點(diǎn)的形狀（圖5d），也可為配置于四邊形等的頂點(diǎn)的形狀（圖5e）。這樣使各個(gè)粒子排列群的外形為多邊形的情況下，該多邊形狀既可為正三角形、正方形、長(zhǎng)方形等，也可為因一個(gè)以上的頂點(diǎn)突出等而變形的多邊形狀或非對(duì)稱(chēng)的形狀。一般凸點(diǎn)為矩形或圓形，因此與它不具有相似性或近似性的形狀一方，即便在各向異性導(dǎo)電性連接的按壓時(shí)引起不規(guī)則的粒子偏離，也能抑制端子上的導(dǎo)電粒子的捕獲性的降低。另外，構(gòu)成粒子排列群的導(dǎo)電粒子，既可以處于與一個(gè)凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，也可以如圖6所示的各向異性導(dǎo)電性膜1e的粒子排列群3a、3b那樣，不收容在一個(gè)凸點(diǎn)21、22內(nèi)而以橫切該凸點(diǎn)的方式形成。此外，在圖6中，點(diǎn)涂滿區(qū)域，示出由各向異性導(dǎo)電性膜1e連接的ic芯片的凸點(diǎn)21、22或?qū)?zhǔn)標(biāo)記24。另外，粒子排列群中的導(dǎo)電粒子的排列方向，既可以如圖6所示為各向異性導(dǎo)電性膜1e的長(zhǎng)邊方向，也可以如圖7所示為各向異性導(dǎo)電性膜1f的短邊方向f2（即，各凸點(diǎn)21、22的長(zhǎng)邊方向）。進(jìn)而，在凸點(diǎn)的長(zhǎng)邊相對(duì)于導(dǎo)電粒子直徑充分長(zhǎng)的情況下，如圖7所示的各向異性導(dǎo)電性膜1f的粒子排列群3a那樣，也可以沿各向異性導(dǎo)電性膜的短邊方向f2（即，各凸點(diǎn)21、22的長(zhǎng)邊方向）排列多于3個(gè)的導(dǎo)電粒子2。構(gòu)成粒子排列群的導(dǎo)電粒子的配置，能夠根據(jù)凸點(diǎn)自身的形狀或ic芯片中的凸點(diǎn)的配置狀況而適當(dāng)決定。另外，關(guān)于粒子排列群的排列方式，在凸點(diǎn)的長(zhǎng)邊相對(duì)于導(dǎo)電粒子直徑充分長(zhǎng)的情況下，如圖8a～圖8d所示，也可以使構(gòu)成粒子排列群3的導(dǎo)電粒子2的外接形狀為3角形以上的多邊形，并沿凸點(diǎn)21的長(zhǎng)邊方向排列該粒子排列群3。該多邊形的形狀既可為正多邊形，也可以為變形的多邊形。在該情況下，如圖8b所示，能夠使粒子排列群3的導(dǎo)電粒子2所外接的多邊形的各邊的朝向?yàn)榕c各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向f1或短邊方向f2相交的朝向。相對(duì)于一般的矩形的凸點(diǎn)21，通過(guò)這樣決定導(dǎo)電粒子2所外接的多邊形的各邊的朝向，能夠增大各向異性導(dǎo)電性膜的相對(duì)于對(duì)準(zhǔn)偏離的容許量。如圖8c所示，也可以排列由以橫跨凸點(diǎn)21的方式分離的一對(duì)粒子排列群構(gòu)成的導(dǎo)電粒子單元（導(dǎo)電粒子4個(gè)）3n、和在凸點(diǎn)21上導(dǎo)電粒子接近的粒子排列群（導(dǎo)電粒子4個(gè)）3m。也可以混合粒子排列群3的外接形狀的凸點(diǎn)21的短邊方向的長(zhǎng)度（各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向f1的長(zhǎng)度）長(zhǎng)于凸點(diǎn)短邊方向的長(zhǎng)度的粒子排列群3n和同等以下的粒子排列群3m。此外，在同圖的方式中，凸點(diǎn)短邊方向的長(zhǎng)度較短的矩形的粒子排列群3m的凸點(diǎn)長(zhǎng)邊方向的外切線lm和由凸點(diǎn)短邊方向的長(zhǎng)度較長(zhǎng)的矩形的一對(duì)粒子排列群構(gòu)成的單元3n的凸點(diǎn)長(zhǎng)邊方向的內(nèi)切線ln重疊。由此，即便在各向異性導(dǎo)電性連接時(shí)各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向f1上發(fā)生位置偏離，在凸點(diǎn)21也能捕獲一定數(shù)量的導(dǎo)電粒子2。如圖8d所示，也可以使粒子排列群3的凸點(diǎn)短邊方向的長(zhǎng)度大于凸點(diǎn)21的短邊方向的長(zhǎng)度。如圖8c及圖8d所示，若作為粒子排列群3，存在其凸點(diǎn)短邊方向的長(zhǎng)度大于凸點(diǎn)21的短邊方向的長(zhǎng)度的粒子排列群，則即便因膜的撓曲等而粒子排列群3相對(duì)于凸點(diǎn)21的位置從所期望的位置偏離，導(dǎo)電粒子2也容易被凸點(diǎn)21捕獲。為了提高導(dǎo)電粒子2的捕獲性，如圖9所示，優(yōu)選重復(fù)構(gòu)成粒子排列群3p的導(dǎo)電粒子的、對(duì)沿各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向f1延伸的邊的投影寬度l1、和相對(duì)于該粒子排列群3p在各向異性導(dǎo)電性膜的短邊方向f2鄰接的粒子排列群3q的同樣的投影寬度l2。另外，如圖9所示，在構(gòu)成粒子排列群3的導(dǎo)電粒子2的外接形狀為3角形的情況下，優(yōu)選使該3角形的頂點(diǎn)向各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊側(cè)或短邊側(cè)突出。通過(guò)使3角形的頂點(diǎn)向各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊側(cè)突出，若各向異性導(dǎo)電性膜的短邊方向f2的3角形的長(zhǎng)度l3長(zhǎng)于各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向f1的三角形的長(zhǎng)度l4，則三角形的邊3x相對(duì)于凸點(diǎn)21的邊緣21x以銳角相交，因此特別是在微小間距的情況下提高導(dǎo)電粒子的捕獲性。另外，粒子排列群3內(nèi)的導(dǎo)電粒子2的排列，在各粒子排列群3中既可以相同也可以不同。在不同的情況下，能夠規(guī)則地變更。例如，如圖10所示，構(gòu)成粒子排列群3的導(dǎo)電粒子2為同一個(gè)數(shù)，外接形狀相同，但是也可以混合外接形狀的朝向不同的粒子排列群。作為粒子排列群3，也可以使構(gòu)成它的導(dǎo)電粒子數(shù)量不同的粒子排列群規(guī)則地重復(fù)排列。圖11所示的各向異性導(dǎo)電性膜1g在跨過(guò)多個(gè)凸點(diǎn)21的粒子排列群3a中使導(dǎo)電粒子2相對(duì)于各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向f1傾斜排列。根據(jù)提高凸點(diǎn)中的粒子捕獲性這一點(diǎn)，粒子排列群中的導(dǎo)電粒子的排列優(yōu)選相對(duì)于各向異性導(dǎo)電性膜1g的長(zhǎng)邊方向傾斜。另外，在圖11所示的各向異性導(dǎo)電性膜1g中，以粒子排列群3a沿各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向f1排列而形成的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a覆蓋ic芯片的輸出側(cè)凸點(diǎn)的形成區(qū)域的方式形成，該導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a的外形的端部與半導(dǎo)體芯片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24對(duì)應(yīng)。因此，在該各向異性導(dǎo)電性膜1g中，不形成和與ic芯片的凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子的排列分開(kāi)的、與ic芯片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子的排列。如圖12所示的各向異性導(dǎo)電性膜1h那樣，也可以使跨過(guò)多個(gè)凸點(diǎn)21、22的粒子排列群3a、3b的導(dǎo)電粒子2沿各向異性導(dǎo)電性膜1h的長(zhǎng)邊方向f1排列。通過(guò)將該粒子排列群3a、3b沿各向異性導(dǎo)電性膜1h的短邊方向f2排列，形成導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4a、4b。此外，在任一種方式中，都優(yōu)選以由一個(gè)凸點(diǎn)捕獲的導(dǎo)電粒子的數(shù)量為3個(gè)以上的方式配置導(dǎo)電粒子，更優(yōu)選為10個(gè)以上。另外，在以橫切一個(gè)凸點(diǎn)的方式形成粒子排列群的情況下，粒子排列群中的鄰接的導(dǎo)電粒子的間隔小于導(dǎo)電粒子的粒徑的1/4時(shí)，根據(jù)減少各向異性導(dǎo)電性連接后的短路的發(fā)生這一點(diǎn)，粒子排列群的、各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向的長(zhǎng)度（凸點(diǎn)的短邊方向的長(zhǎng)度），優(yōu)選為小于凸點(diǎn)間間距的0.8倍，更優(yōu)選為小于0.5倍。另一方面，將各向異性導(dǎo)電性膜使用于fog連接的情況下，使得配置多個(gè)導(dǎo)電粒子的第1導(dǎo)電粒子配置區(qū)域、及相對(duì)于第1導(dǎo)電粒子配置區(qū)域而言導(dǎo)電粒子的排列方式、排列位置或密度不同的第2導(dǎo)電粒子配置區(qū)域，沿各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向周期性形成。即，沿各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向f1周期性地形成對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域、和對(duì)應(yīng)于基板的端子排列區(qū)域的外形而形成的連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域。例如，如圖13所示的各向異性導(dǎo)電性膜1i那樣，作為對(duì)應(yīng)于基板的各端子的粒子排列群，導(dǎo)電粒子2形成沿各向異性導(dǎo)電性膜1i的短邊方向f2排列的粒子排列群3e，沿各向異性導(dǎo)電性膜1i的長(zhǎng)邊方向f1排列該粒子排列群3e而形成連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4e，并沿各向異性導(dǎo)電性膜1i的長(zhǎng)邊方向f1周期性地形成該連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4e。該連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4e的外形與基板中的端子的排列區(qū)域的外形對(duì)應(yīng)。另外，作為與基板的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24對(duì)應(yīng)的各向異性導(dǎo)電性膜1i的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，使對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d沿各向異性導(dǎo)電性膜1i的長(zhǎng)邊方向周期性地形成。如圖14所示的各向異性導(dǎo)電性膜1j那樣，關(guān)于導(dǎo)電粒子2，也可以將沿各向異性導(dǎo)電性膜1h的長(zhǎng)邊方向f1排列的粒子排列群3e，沿各向異性導(dǎo)電性膜1j的短邊方向f2排列而形成導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4e，并沿各向異性導(dǎo)電性膜1h的長(zhǎng)邊方向f1周期性地形成該導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4e。該導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4e的外形也與基板中的端子的排列區(qū)域的外形對(duì)應(yīng)。在這些各向異性導(dǎo)電性膜1i、1j，形成有用于與形成在玻璃基板或柔性印刷布線板的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24進(jìn)行對(duì)位的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d，但是，在將各向異性導(dǎo)電性膜1i、1j和玻璃基板或柔性印刷布線板對(duì)位而疊合的情況下，也可以通過(guò)以使導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4e的端部與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記24重疊的方式形成，從而省略對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4d的形成，將導(dǎo)電粒子配置區(qū)域4e的端部作為各向異性導(dǎo)電性膜側(cè)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記使用。另外，存在在電子部件的凸點(diǎn)排列內(nèi)，設(shè)置有不參與電子部件彼此的連接但是能夠根據(jù)壓痕檢查到各向異性導(dǎo)電性連接時(shí)的熱壓接條件的偽凸點(diǎn)的情況，另外，存在與微小間距的凸點(diǎn)排列一起設(shè)置有比較大尺寸的輸入輸出用的凸點(diǎn)的情況。因此，也可以在各向異性導(dǎo)電性膜設(shè)置與偽凸點(diǎn)或比較大尺寸的凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域，以此代替對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。如上述那樣構(gòu)成粒子排列群的導(dǎo)電粒子能夠采取各種配置，在能確保連接在范圍內(nèi)減少各凸點(diǎn)捕獲的導(dǎo)電粒子數(shù)量的情況下，優(yōu)選還根據(jù)各向異性導(dǎo)電性連接時(shí)的各向異性導(dǎo)電性膜的構(gòu)成絕緣粘接劑層的樹(shù)脂的流動(dòng)、膜、基板或ic芯片的撓曲等，對(duì)各凸點(diǎn)適當(dāng)?shù)嘏渲脤?dǎo)電粒子。本發(fā)明中導(dǎo)電粒子配置區(qū)域中的導(dǎo)電粒子2的密度無(wú)特別限制，能夠依據(jù)對(duì)象物而適當(dāng)設(shè)定，但是能夠優(yōu)選為10個(gè)/mm2以上，更優(yōu)選為1000個(gè)/mm2以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1000個(gè)/mm2以上，特別為2000個(gè)/mm2以上。另一方面，上限根據(jù)連接對(duì)象物的條件而變更，因此沒(méi)有特別限定，但是例如在粒子排列群中連結(jié)導(dǎo)電粒子而配置的情況下，或者對(duì)應(yīng)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或偽凸點(diǎn)等而將導(dǎo)電粒子高密度配置的情況下等，導(dǎo)電粒子2的密度能夠?yàn)?50000個(gè)/mm2以下。通常，優(yōu)選為100000個(gè)/mm2以下，更優(yōu)選為50000個(gè)/mm2以下。該粒子密度可根據(jù)導(dǎo)電粒子2的粒徑和排列方式而適當(dāng)調(diào)整。本發(fā)明中，對(duì)于導(dǎo)電粒子2自身的結(jié)構(gòu)或絕緣粘接劑層10的層結(jié)構(gòu)或構(gòu)成樹(shù)脂，能夠采取各種方式。即，作為導(dǎo)電粒子2，能從公知的各向異性導(dǎo)電性膜所使用的導(dǎo)電粒子中適當(dāng)選擇而使用。能舉出例如鎳、鈷、銀、銅、金、鈀等的金屬粒子、金屬包覆樹(shù)脂粒子等。也可以一并使用兩種以上。作為絕緣粘接劑層10，能夠適當(dāng)采用在公知的各向異性導(dǎo)電性膜所使用的絕緣性樹(shù)脂層。能夠使用例如包含丙烯酸酯化合物和光自由基聚合引發(fā)劑的光自由基聚合型樹(shù)脂層；包含丙烯酸酯化合物和熱自由基聚合引發(fā)劑的熱自由基聚合型樹(shù)脂層；包含環(huán)氧化合物和熱陽(yáng)離子聚合引發(fā)劑的熱陽(yáng)離子聚合型樹(shù)脂層；包含環(huán)氧化合物和熱陰離子聚合引發(fā)劑的熱陰離子聚合型樹(shù)脂層等。這些樹(shù)脂層能夠根據(jù)需要分別聚合。另外，也可以由多個(gè)樹(shù)脂層形成絕緣粘接劑層10。也可以根據(jù)需要對(duì)絕緣粘接劑層10加入石英微粒、氧化鋁、氫氧化鋁等的絕緣性填充物。絕緣性填充物的配合量相對(duì)于形成絕緣粘接劑層的樹(shù)脂100質(zhì)量份優(yōu)選為3～40質(zhì)量份。由此，各向異性導(dǎo)電性連接時(shí)即便絕緣粘接劑層10熔化也能抑制導(dǎo)電粒子2因熔化的樹(shù)脂無(wú)用地移動(dòng)。作為絕緣粘接劑層整體的最低熔化粘度，優(yōu)選為100～10000pa·s，更優(yōu)選為500～5000pa·s，特別優(yōu)選為1000～3000pa·s。如果為該范圍，能夠在絕緣粘接劑層10精密地配置導(dǎo)電粒子，且能夠防止因?yàn)楦飨虍愋詫?dǎo)電性連接時(shí)的壓入而樹(shù)脂流動(dòng)給導(dǎo)電粒子的捕獲性帶來(lái)障礙的情況。最低熔化粘度的測(cè)定能夠使用流變儀（ta社制ares），在升溫速度5℃/min、測(cè)定溫度范圍50～200℃、振動(dòng)頻率1hz的條件下求出。作為以上述配置在絕緣粘接劑層10固定導(dǎo)電粒子2的方法，以機(jī)械加工或激光加工、光刻等公知的方法制作具有與導(dǎo)電粒子2的配置對(duì)應(yīng)的凹部的模，向該模中加入導(dǎo)電粒子，其上填充絕緣粘接劑層形成用組合物，并固化，從模取出即可。根據(jù)這樣的模，也可以用剛性更低的材質(zhì)制作模。另外，為了將導(dǎo)電粒子2以上述配置置于絕緣粘接劑層10，也可為在絕緣粘接劑層形成組合物層上，設(shè)置貫通孔以既定配置形成的部件，從其上供給導(dǎo)電粒子2，使之通過(guò)貫通孔等的方法。在使用本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電性膜，來(lái)各向異性導(dǎo)電性連接fpc、剛性基板、陶瓷基板、塑料基板、玻璃基板等的第1電子部件的連接端子和ic芯片、ic模塊、fpc等的第2電子部件的連接端子的情況下，例如，對(duì)齊各向異性導(dǎo)電性膜1a的長(zhǎng)邊方向f1和第1電子部件或第2電子部件的連接端子的短邊方向，進(jìn)而通過(guò)使用ccd等的圖像檢測(cè)等來(lái)對(duì)齊兩者的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，并進(jìn)行加熱加壓。另外，也可以利用光固化來(lái)進(jìn)行連接。另外，也可以堆積ic芯片或ic模塊而各向異性導(dǎo)電性連接第2電子部件彼此。這樣得到的連接構(gòu)造體也是本發(fā)明的一部分。本發(fā)明還包含這樣各向異性導(dǎo)電性連接的第1電子部件和第2電子部件的連接構(gòu)造體。實(shí)施例以下，基于實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明具體地進(jìn)行說(shuō)明。實(shí)施例1～4、比較例1（1）fog連接用的各向異性導(dǎo)電性膜的制造調(diào)制包含苯氧基樹(shù)脂（熱塑性樹(shù)脂）（新日鐵（鐵）住金（株），yp－50）60份、環(huán)氧樹(shù)脂（熱固化性樹(shù)脂）（三菱化學(xué)（株）、jer828）40份、陽(yáng)離子類(lèi)固化劑（三新化學(xué)工業(yè)（株）、si－60l）2份的絕緣性樹(shù)脂的混合溶液，將它涂敷在膜厚度50μm的pet膜上，用80℃的烤箱干燥5分鐘，在pet膜上形成厚度20μm的粘著層。另一方面，對(duì)應(yīng)于fog連接的基板的電極端子的配置，制作凸部周期性具有既定配置密度的排列圖案的模具（實(shí)施例1～4）或凸部以既定配置密度隨機(jī)配置的模具（比較例1），在熔化公知的透明性樹(shù)脂的顆粒（pellet）的狀態(tài)下流入該模具，冷卻并固化，從而形成凹部為格子狀的圖案的樹(shù)脂模。向該樹(shù)脂模的凹部填充導(dǎo)電粒子（積水化學(xué)工業(yè)（株）、aul704粒徑4μm），其上覆蓋上述絕緣性樹(shù)脂的粘著層，并通過(guò)紫外線固化來(lái)固化該絕緣性樹(shù)脂所包含的固化性樹(shù)脂。然后，從模剝離絕緣性樹(shù)脂，制造表1所示的實(shí)施例及比較例的各向異性導(dǎo)電性膜。在此，fog連接的柔性印刷基板中，電極的端子寬度20μm、端子長(zhǎng)度1mm、端子間間隔20μm、相當(dāng)于ic芯片的凸點(diǎn)密度的端子的密度為每1mm2是25根。玻璃基板使用ito全面玻璃。另外，實(shí)施例1中，在該電極端子內(nèi)以每1個(gè)電極端子（20μm×1mm）收容10個(gè)導(dǎo)電粒子的方式配置，以在電極端子間不存在導(dǎo)電粒子的方式周期性地形成粒子排列群。實(shí)施例2中，每1個(gè)電極端子（20μm×1mm）配置14個(gè)導(dǎo)電粒子，以在電極端子間不存在導(dǎo)電粒子的方式周期性地形成粒子排列群。在該情況下，各電極端子中使得導(dǎo)電粒子沿該端子寬度方向伸出1個(gè)導(dǎo)電粒子直徑的量。實(shí)施例3中，以使導(dǎo)電粒子以粒子間間距4μm的4方格子沿端子短邊方向排列2列、沿端子長(zhǎng)邊方向排列40～42列的粒子排列群配置在電極端子上的方式周期性地形成粒子排列群。由此，處于與25根電極端子對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域（包含端子間區(qū)域）（1mm2）的導(dǎo)電粒子的總計(jì)成為2080個(gè)。實(shí)施例4中，相對(duì)于各電極端子形成與實(shí)施例3大致同樣的4方格子的粒子排列群、即沿端子短邊方向排列4列、沿端子長(zhǎng)邊方向排列20～24列的粒子排列群。在該情況下，粒子排列群的端子短邊方向的長(zhǎng)度超過(guò)端子寬度（端子的短邊方向的長(zhǎng)度）。由此，處于與25根電極端子對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域（包含端子間）（1mm2）的導(dǎo)電粒子的總計(jì)成為2130個(gè)。比較例1中，以使導(dǎo)電粒子個(gè)數(shù)密度成為5000個(gè)/mm2的方式隨機(jī)配置導(dǎo)電粒子。（2）導(dǎo)通評(píng)價(jià)對(duì)于實(shí)施例1～4及比較例1的各向異性導(dǎo)電性膜的（a）初始導(dǎo)通電阻、（b）導(dǎo)通可靠性、（c）短路發(fā)生率，分別如下地評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表1中。（a）初始導(dǎo)通電阻將實(shí)施例1～4及比較例1的各向異性導(dǎo)電性膜夾入上述柔性印刷基板與玻璃基板之間，加熱加壓（180℃、5mpa、5秒）而得到各評(píng)價(jià)用連接物，并測(cè)定該評(píng)價(jià)用連接物的導(dǎo)通電阻。在該情況下，柔性印刷基板、各向異性導(dǎo)電性膜及玻璃基板的對(duì)位是一邊使用實(shí)體顯微鏡一邊以手動(dòng)操作進(jìn)行的。（b）導(dǎo)通可靠性將（a）初始導(dǎo)通電阻的評(píng)價(jià)用連接物置于溫度85℃、濕度85%rh的恒溫槽500小時(shí)，與（a）同樣地測(cè)定該導(dǎo)通電阻。此外，若該導(dǎo)通電阻為5ω以上，則根據(jù)連接的電子部件的實(shí)用的導(dǎo)通穩(wěn)定性這一點(diǎn)并不優(yōu)選。（c）短路發(fā)生率作為短路發(fā)生率的評(píng)價(jià)用ic準(zhǔn)備以下的ic（7.5μm間隔的梳齒teg（測(cè)試器件群：testelementgroup））。外徑　1.5×13mm厚度　0.5mm凸點(diǎn)規(guī)格　金鍍層、高度15μm、尺寸25×140μm、凸點(diǎn)間間距7.5μm。將各實(shí)施例及比較例的各向異性導(dǎo)電性膜夾入短路發(fā)生率的評(píng)價(jià)用ic和與該評(píng)價(jià)用ic對(duì)應(yīng)的圖案的玻璃基板之間，以與（a）同樣的連接條件進(jìn)行加熱加壓而得到連接物，并求出該連接物的短路發(fā)生率。短路發(fā)生率以“短路的發(fā)生數(shù)量/7.5μm間隔總數(shù)”算出。若短路發(fā)生率為50ppm以上，則根據(jù)制造實(shí)用上的連接構(gòu)造體這一點(diǎn)并不優(yōu)選。[表1]比較例1實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3實(shí)施例4粒子高密度區(qū)域隨機(jī)周期性周期性周期性周期性導(dǎo)電粒子個(gè)數(shù)密度（個(gè)數(shù)/mm2）500025035020802130初始導(dǎo)通電阻2ω以下←←←←導(dǎo)通可靠性10ω以下←←←←短路發(fā)生率小于500ppm←←←←根據(jù)表1，實(shí)施例1～4的各向異性導(dǎo)電性膜與比較例1相比，導(dǎo)電粒子配置區(qū)域中的導(dǎo)電粒子的個(gè)數(shù)密度低，但是具有與比較例1同樣的導(dǎo)通特性，能夠廉價(jià)制造理想的導(dǎo)通特性的各向異性導(dǎo)電性膜。此外，即便在實(shí)施例3中沿膜的長(zhǎng)邊方向有意識(shí)地偏離8μm、在實(shí)施例4中沿膜的長(zhǎng)邊方向有意識(shí)地偏離16μm左右而進(jìn)行粘合、同樣地進(jìn)行連接，也能得到大致同樣的結(jié)果。實(shí)施例1～4中，向絕緣性樹(shù)脂100份追加石英填充物（石英微粒、aerosilry200、日本aerosil（株））20份，同樣地制造各向異性導(dǎo)電性膜，進(jìn)行導(dǎo)通評(píng)價(jià)的結(jié)果均良好。實(shí)施例5～9、比較例2（1）cog連接用的各向異性導(dǎo)電性膜的制造與實(shí)施例1同樣地，使用苯氧基樹(shù)脂（熱塑性樹(shù)脂）（新日鐵住金（株），yp－50）60份、環(huán)氧樹(shù)脂（熱固化性樹(shù)脂）（三菱化學(xué)（株）、jer828）40份、陽(yáng)離子類(lèi)固化劑（三新化學(xué)工業(yè)（株）、si－60l）2份，在pet膜上形成厚度20μm的粘著層。另一方面，對(duì)應(yīng)于cog連接的ic芯片的凸點(diǎn)配置，制作凸部周期性地具有既定配置密度的排列圖案的模具（實(shí)施例5～9）或凸部為4方格子（格子間距8μm）的模具（比較例2），在熔化公知的透明性樹(shù)脂的顆粒的狀態(tài)下流入該模具，冷卻并固化，從而形成凹部為格子狀圖案的樹(shù)脂模。向該樹(shù)脂模的凹部填充導(dǎo)電粒子（積水化學(xué)工業(yè)（株）、aul704、粒徑4μm），其上覆蓋上述絕緣性樹(shù)脂的粘著層，并通過(guò)紫外線固化來(lái)使該絕緣性樹(shù)脂所包含的固化性樹(shù)脂固化。然后，從模剝離絕緣性樹(shù)脂，制造表2所示的實(shí)施例及比較例的各向異性導(dǎo)電性膜。在此，關(guān)于cog連接的ic芯片和玻璃基板，它們的端子圖案對(duì)應(yīng)，尺寸如以下所示。ic芯片外形　0.7×20mm厚度　0.2mm凸點(diǎn)規(guī)格　金鍍層、高度12μm、尺寸15×100μm、凸點(diǎn)間間隔13μm、凸點(diǎn)個(gè)數(shù)1300個(gè)（在ic芯片的長(zhǎng)邊的對(duì)置的邊分別650個(gè)）。實(shí)施例5～9中，僅在與ic芯片的凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以表2所示的導(dǎo)電粒子的配置圖案形成粒子排列群，將該粒子排列群沿凸點(diǎn)的短邊方向排列，從而在與ic芯片的凸點(diǎn)形成區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域，形成由表2所示的粒子排列群構(gòu)成的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域。比較例2中，將導(dǎo)電粒子以粒子間間距4μm的4方向格子排列配置在ic芯片的凸點(diǎn)形成面的整個(gè)面。另外，實(shí)施例5～9中，作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與100μm×l00μm的外形匹配，以4方格子且一邊12個(gè)、12列（總計(jì)144個(gè)）形成導(dǎo)電粒子配置區(qū)域。此外，表2中的導(dǎo)電粒子個(gè)數(shù)為存在于ic芯片的凸點(diǎn)形成區(qū)域（（14μm＋13μm）×100μm×650×2＝3.64mm2）的導(dǎo)電粒子數(shù)量。玻璃基板玻璃材質(zhì)　corning社制外徑　30×50mm厚度　0.5mm電極　ito布線（2）導(dǎo)通評(píng)價(jià)對(duì)于實(shí)施例5～9及比較例2的各向異性導(dǎo)電性膜的（a）初始導(dǎo)通電阻、（b）導(dǎo)通可靠性、（c）短路發(fā)生率分別如下評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表2中。（a）初始導(dǎo)通電阻將實(shí)施例5～9及比較例2的各向異性導(dǎo)電性膜夾入上述ic芯片和與它對(duì)應(yīng)的玻璃基板之間，加熱加壓（180℃、80mpa、5秒）而得到各評(píng)價(jià)用連接物，并測(cè)定了該評(píng)價(jià)用連接物的導(dǎo)通電阻。在該情況下，關(guān)于玻璃基板及各向異性導(dǎo)電性膜的對(duì)位，首先，在玻璃基板設(shè)置與ic芯片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)應(yīng)的標(biāo)記（100μm×l00μm）。接著，一邊用實(shí)體顯微鏡確認(rèn)設(shè)置在該玻璃基板的標(biāo)記，一邊以手動(dòng)操作進(jìn)行玻璃基板與各向異性導(dǎo)電性膜的對(duì)位，并臨時(shí)粘貼。該臨時(shí)粘貼按照60℃、2mpa、1秒進(jìn)行。然后，使臨時(shí)粘貼在玻璃基板的各向異性導(dǎo)電性膜與ic芯片對(duì)位并加熱加壓而連接ic芯片。該ic芯片的連接使用了倒裝式接合fc1000（東麗工程（株））。（b）導(dǎo)通可靠性與實(shí)施例1同樣地測(cè)定短路導(dǎo)通可靠性。若該導(dǎo)通電阻為5ω以上，則根據(jù)連接的電子部件的實(shí)用的導(dǎo)通穩(wěn)定性這一點(diǎn)并不優(yōu)選。（c）短路發(fā)生率與實(shí)施例1同樣地評(píng)價(jià)短路發(fā)生率。若短路發(fā)生率為50ppm以上，則根據(jù)制造實(shí)用上的連接構(gòu)造體這一點(diǎn)并不優(yōu)選。［表2］根據(jù)表2，實(shí)施例5～9的各向異性導(dǎo)電性膜與比較例2相比，處于ic芯片的凸點(diǎn)形成區(qū)域（包含凸點(diǎn)間間隔）的導(dǎo)電粒子的個(gè)數(shù)少，但具有與比較例2同樣的導(dǎo)通特性，能夠廉價(jià)制造理想導(dǎo)通特性的各向異性導(dǎo)電性膜。實(shí)施例10～14實(shí)施例5～9中，對(duì)絕緣性樹(shù)脂100份追加石英填充物（石英微粒、aerosilry200、日本aerosil（株））20份，與實(shí)施例5～9同樣地制造各向異性導(dǎo)電性膜，并進(jìn)行了導(dǎo)通評(píng)價(jià)。其結(jié)果均良好。實(shí)施例15～19實(shí)施例5～9中，除了省略對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成以外，與實(shí)施例5～9同樣地制造各向異性導(dǎo)電性膜，并評(píng)價(jià)了導(dǎo)通評(píng)價(jià)。其結(jié)果，雖然與實(shí)施例5～9相比在對(duì)準(zhǔn)上花費(fèi)時(shí)間，但是導(dǎo)通評(píng)價(jià)為良好。實(shí)施例20～24實(shí)施例5～9中，在評(píng)價(jià)初始導(dǎo)通電阻時(shí)，對(duì)各向異性導(dǎo)電性膜的導(dǎo)電粒子配置區(qū)域和ic芯片的凸點(diǎn)形成區(qū)域稍偏離而疊合后的部件進(jìn)行加熱加壓，從而得到評(píng)價(jià)用連接物。由該評(píng)價(jià)用連接物的導(dǎo)通電阻的評(píng)價(jià)能夠確認(rèn)如下情況。即，可知在實(shí)施例20（實(shí)施例5的導(dǎo)電粒子配置）中，導(dǎo)電粒子群沿矩形的凸點(diǎn)的寬度方向偏離1個(gè)粒徑的量也能連接?？芍趯?shí)施例21（實(shí)施例6的導(dǎo)電粒子配置）中，導(dǎo)電粒子群的中心從凸點(diǎn)寬度的中心沿凸點(diǎn)寬度方向偏離凸點(diǎn)寬度的30%（4.5μm）也能連接?？芍趯?shí)施例22（實(shí)施例7的導(dǎo)電粒子配置）中，如果以矩形配置的導(dǎo)電粒子群的長(zhǎng)邊的任意一邊收容到凸點(diǎn)寬度，即便導(dǎo)電粒子群沿凸點(diǎn)寬度方向偏離2個(gè)導(dǎo)電粒子直徑的量也能連接?？芍趯?shí)施例23（實(shí)施例8的導(dǎo)電粒子配置）中，即便以矩形配置的導(dǎo)電粒子群的中心相對(duì)于凸點(diǎn)寬度的中心沿凸點(diǎn)寬度方向偏離3個(gè)導(dǎo)電粒子直徑的量也能連接?？芍趯?shí)施例24（實(shí)施例9的導(dǎo)電粒子配置）中，即便以矩形配置的導(dǎo)電粒子群的中心相對(duì)于凸點(diǎn)寬度的中心沿凸點(diǎn)寬度方向偏離3個(gè)導(dǎo)電粒子直徑的量也能連接。此外，比實(shí)施例8更多按壓的導(dǎo)電粒子的狀態(tài)良好。實(shí)施例25～29實(shí)施例15中，將與1個(gè)凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電粒子的配置設(shè)為圖8a～圖8d及圖10所示的粒子排列群3的排列，并與實(shí)施例15同樣地進(jìn)行導(dǎo)通評(píng)價(jià)。在該情況下，凸點(diǎn)的大小與實(shí)施例15同樣為15μm×100μm，凸點(diǎn)間間隔為13μm，每1個(gè)凸點(diǎn)的導(dǎo)電粒子的捕獲數(shù)，在圖8a的方式中為12個(gè)、圖8b的方式中為16個(gè)、圖8c的方式中為12個(gè)、圖8d的方式中為15個(gè)、圖10的方式中為16個(gè)。在這些任意一個(gè)中都能得到良好的連接狀態(tài)。標(biāo)號(hào)說(shuō)明1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i、1j　各向異性導(dǎo)電性膜；2　導(dǎo)電粒子；3、3a、3b、3c、3e、3m、3p、3q　粒子排列群；4a、4b、4c、4e　連接用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域；4d　對(duì)位用導(dǎo)電粒子配置區(qū)域；5　未配置導(dǎo)電粒子的中央部區(qū)域；6　未配置導(dǎo)電粒子的緩沖區(qū)域；7、7a、7b　分切線；10　絕緣粘接劑層；20　ic芯片；21　輸出側(cè)凸點(diǎn)；21a　輸出側(cè)凸點(diǎn)的排列區(qū)域；22　輸入側(cè)凸點(diǎn)；22a　輸入側(cè)凸點(diǎn)的排列區(qū)域；23　側(cè)面凸點(diǎn)；23a　側(cè)面凸點(diǎn)的排列區(qū)域；24　對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；30　基板的電極端子；31　基板的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；f1　各向異性導(dǎo)電性膜的長(zhǎng)邊方向；f2　各向異性導(dǎo)電性膜的短邊方向。當(dāng)前第1頁(yè)12