1.一種射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，包括：
向襯底中注入第一預設濃度的下沉區(qū)離子，并通過高溫驅(qū)入形成具有第一預設濃度的下沉區(qū)；
向形成所述具有第一預設濃度的下沉區(qū)的襯底中注入第二預設濃度的體區(qū)離子，并通過高溫驅(qū)入形成具有第二預設濃度的體區(qū)；
向形成所述具有第二預設濃度的體區(qū)的襯底上注入第三預設濃度的漂移區(qū)離子，形成具有第三預設濃度的漂移區(qū)、具有第四預設濃度的下沉區(qū)和具有第五預設濃度的體區(qū)，所述第二預設濃度小于所述第一預設濃度，所述第三預設濃度小于所述第二預設濃度，所述第四預設濃度小于所述第一預設濃度，所述第五預設濃度小于所述第二預設濃度；
在所述形成具有第三預設濃度的漂移區(qū)的襯底上形成源區(qū)、漏區(qū)和P+區(qū)。
2.根據(jù)權利要求1所述的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述第三預設濃度在1E12個/平方厘米至5E13個/平方厘米之間。
3.根據(jù)權利要求1所述的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述第二預設濃度在1.1E13個/平方厘米至1.5E14個/平方厘米之間。
4.根據(jù)權利要求1所述的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述第一預設濃度在1E15個/平方厘米至1E16個/平方厘米之間。
5.根據(jù)權利要求1～4任一項所述的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述向形成所述具有第一預設濃度的下沉區(qū)的襯底中注入第二預設濃度的體區(qū)離子之后，還包括：
在形成所述具有第一預設濃度的下沉區(qū)的襯底上生長柵氧化層和多晶硅，并對所述多晶硅進行低阻化注入，對所述多晶硅進行光刻和刻蝕，形成多晶硅柵極線條。
6.根據(jù)權利要求5所述的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方 法，其特征在于，所述在所述形成具有第三預設濃度的漂移區(qū)的襯底上形成源區(qū)、漏區(qū)和P+區(qū)，包括：
用光刻版定義源區(qū)和漏區(qū)位置，然后進行離子注入，以形成源區(qū)和漏區(qū)；
用光刻版定義P+區(qū)位置，然后進行離子注入，以形成P+區(qū)。
7.根據(jù)權利要求6所述的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述體區(qū)離子為硼離子、二氟化硼、磷離子或者砷離子。
8.根據(jù)權利要求6所述的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述漂移區(qū)離子為硼離子、二氟化硼、磷離子或者砷離子。
9.根據(jù)權利要求5～8任一項所述的射頻橫向雙擴散金屬氧化物半導體的制作方法，其特征在于，所述漂移區(qū)離子注入能量為40千電子伏特～80千電子伏特。