本發(fā)明屬于微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體制備工藝中，特別是，集成電路(IC)制備工藝、硅穿孔(TSV)工藝和封裝(Packaging)工藝，在工藝之前需要先執(zhí)行預(yù)清洗工藝，以去除基片表面的雜質(zhì)，來保證后續(xù)沉積工藝的工藝質(zhì)量，從而保證半導(dǎo)體器件的性能。預(yù)清洗工藝的基本原理為：一般采用電感耦合等離子體發(fā)生裝置，利用射頻電源產(chǎn)生的高壓交變電場將腔室內(nèi)的工藝氣體激發(fā)形成高反應(yīng)活性和/或高能量的等離子體，借助該等離子體與基片的表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和/或物理轟擊作用，來實現(xiàn)去除基片表面的雜質(zhì)。

圖1a為現(xiàn)有的預(yù)清洗腔室處于傳片狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1b為現(xiàn)有的預(yù)清洗腔室處于工藝狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖。請一并參閱圖1a和圖1b，該預(yù)清洗腔室內(nèi)設(shè)置有具有冷卻功能的基座10和頂針機構(gòu)。其中，基座10用于承載基片S，且其可在傳片位置和工藝位置之間升降，傳片位置和工藝位置分別指如圖1a和圖1b中基座10所在的位置，所謂傳片位置是指基座10所在的對其裝載基片S的位置；所謂工藝位置是指基座10所在的對其上基片S進行預(yù)清洗工藝的位置。圖2為現(xiàn)有的頂針機構(gòu)的結(jié)構(gòu)立體圖，請參閱圖2，該頂針機構(gòu)包括用于承載基片S的多個頂針11，基座10上設(shè)置有與頂針11一一對應(yīng)的通孔，每個頂針11貫穿與之對應(yīng)的通孔，并且，在基座10位于傳片位置時，頂針11的頂端高于基座10的上表面，且與預(yù)清洗腔室側(cè)壁上設(shè)置的傳片口12同高度。該預(yù)清洗腔室的工藝過程具體為：首先，預(yù)清洗腔室處于如圖1a所示的狀態(tài)，承載有基片S的機械手經(jīng)由傳片口12向頂針11 上裝載基片S；接著，在基片S裝載至頂針11上之后，基座10朝向工藝位置上升，在其上升的過程中會將頂針11上的基片S托起，從而實現(xiàn)基片S位于基座10上；基座10將基片S托起之后，并繼續(xù)上升直至位于工藝位置；最后，在基座10位于工藝位置之后，開始通入工藝氣體和加載射頻電源等，以進行預(yù)清洗工藝，直至工藝結(jié)束。

在實際應(yīng)用中，由于基片S和基座10的接觸面具有較低的平面度和粗糙度(機械加工無法實現(xiàn)的原因)，使得二者之間無法充分接觸，并且，預(yù)清洗工藝的環(huán)境壓力很低，一般為毫托級，因此，基片S和基座10之間的氣體量較少，這使得二者之間的熱傳遞主要依靠熱輻射和少量氣體的熱傳導(dǎo)，從而造成基片S與基座10之間的熱傳遞很低，因此，隨著預(yù)清洗工藝的持續(xù)進行，基片S的溫度會持續(xù)升高，在溫度升高至一定時會造成基片S損壞。

為此，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用以下方式：在預(yù)清洗工藝進行一段時間后暫停，開始執(zhí)行冷卻步驟，向預(yù)清洗腔室內(nèi)充氣，使腔室壓力達到幾十托，使得基片S和基座10之間的氣體增多，從而加快二者之間的氣體熱傳導(dǎo)，實現(xiàn)基片S快速降溫；之后繼續(xù)進行預(yù)清洗工藝，對預(yù)清洗腔室進行抽氣，使腔室的壓力達到毫托級，以進行預(yù)清洗工藝；如此在預(yù)清洗工藝過程中周期性地暫停預(yù)清洗工藝以增加冷卻步驟，直至預(yù)清洗工藝完成。

然而，在實際應(yīng)用中，預(yù)清洗腔室采用周期性地增加冷卻步驟的方式來避免基片的溫度過高不可避免地會存在以下問題：由于增加了冷卻步驟，使得預(yù)清洗工藝的工藝時間較長，從而造成半導(dǎo)體加工設(shè)備的產(chǎn)能低，經(jīng)濟效益低；但是，若減少冷卻步驟的增加次數(shù)，則基片的溫度可能會較高，從而影響工藝結(jié)果，造成產(chǎn)品良率低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備，其在工藝的同時可以實現(xiàn)基片的冷卻，也就不需要在工藝時周期性地暫停工藝以增加冷卻步驟，因而在保證對基片有效冷卻的前提下可以大大地降低工藝時間，從而可以提高半 導(dǎo)體加工設(shè)備的產(chǎn)能，進而可以提高經(jīng)濟效益。

為解決上述問題之一，本發(fā)明提供了一種反應(yīng)腔室，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有用于承載基片的基座以及壓環(huán)；所述基座內(nèi)設(shè)置有與背吹氣源相連通的背吹管路；所述基座的上表面上設(shè)置有環(huán)形密封裝置；當(dāng)所述基座帶動基片上升并將所述壓環(huán)頂起時，所述壓環(huán)疊壓在基片的邊緣區(qū)域，所述環(huán)形密封裝置與所述基片的背面接觸使得所述環(huán)形密封裝置內(nèi)側(cè)的基座上表面與基片的背面形成密封空間，所述背吹氣源提供的背吹氣體經(jīng)由所述背吹管路輸送至所述密封空間內(nèi)。

優(yōu)選地，所述背吹管路具有在所述基座的上表面上設(shè)置的多個輸出口，且每個所述輸出口靠近所述基座的中心位置設(shè)置；在所述基座的上表面上設(shè)置有沿其周向設(shè)置的環(huán)形凹槽以及與所述輸出口一一對應(yīng)的條形凹槽，所述環(huán)形凹槽位于所述環(huán)形密封裝置的內(nèi)側(cè)，每個所述條形凹槽的兩端分別與所述環(huán)形凹槽以及與之對應(yīng)的所述輸出口相連通。

優(yōu)選地，所述環(huán)形密封裝置為環(huán)形棱角，所述環(huán)形棱角通過在所述基座上表面的邊緣區(qū)域進行切割形成，所述環(huán)形棱角內(nèi)外側(cè)的所述基座上表面均低于所述環(huán)形棱角。

優(yōu)選地，所述反應(yīng)腔室內(nèi)還設(shè)置有用于支撐所述壓環(huán)的支撐件，所述支撐件包括支撐柱、支撐環(huán)和多個支撐桿，其中，多個所述支撐桿設(shè)置在所述支撐環(huán)上，且沿所述支撐環(huán)的周向間隔設(shè)置，用于支撐所述壓環(huán)；所述支撐環(huán)的內(nèi)徑大于所述基座的直徑，圍繞所述基座外圓周設(shè)置的環(huán)形外襯上設(shè)置有多個分別與所述支撐桿一一對應(yīng)的第一通孔，每個所述支撐桿穿過對應(yīng)的第一通孔后與所述壓環(huán)配合，且所述支撐桿與所述第一通孔為間隙配合；所述支撐柱用于支撐所述支撐環(huán)。

優(yōu)選地，所述壓環(huán)的下表面上設(shè)置有多個盲孔，且每個所述盲孔設(shè)置在所述壓環(huán)下表面的與所述支撐桿相接觸的位置處；每個所述盲孔用于容納與之對應(yīng)的所述支撐桿的頂端。

優(yōu)選地，所述壓環(huán)的下表面的邊緣區(qū)域設(shè)置有凸部，所述盲孔設(shè)置在所述凸部上；當(dāng)所述壓環(huán)疊壓在基片的邊緣區(qū)域上時，所述凸部 的下端面蓋住所述第一通孔。

優(yōu)選地，還包括多個用于承載基片的頂針；

所述環(huán)形外襯上設(shè)置有多個分別與所述頂針一一對應(yīng)的第二通孔，在裝卸載基片時，每個所述頂針穿過對應(yīng)的第二通孔，且所述頂針的頂端高于所述基座的上表面低于所述壓環(huán)的下表面，所述頂針與所述第二通孔為間隙配合。

優(yōu)選地，所述多個頂針設(shè)置在所述支撐環(huán)上，且沿所述支撐環(huán)的周向間隔設(shè)置。

優(yōu)選地，所述支撐件作為所述反應(yīng)腔室的內(nèi)襯，所述支撐件環(huán)繞所述反應(yīng)腔室的內(nèi)周壁設(shè)置，且所述支撐件具有開口朝上且環(huán)繞所述反應(yīng)腔室的內(nèi)周壁設(shè)置的環(huán)形溝槽；所述壓環(huán)的外徑大于所述環(huán)形溝槽的內(nèi)徑；所述壓環(huán)搭接在所述環(huán)形溝槽的內(nèi)環(huán)壁上；在所述環(huán)形溝槽的槽底和所述壓環(huán)的外邊緣之間還設(shè)置有彈性部，通過所述彈性部件在所述壓環(huán)疊壓在所述基片時受到拉伸來實現(xiàn)向所述壓環(huán)施加向下的彈力。

作為另外一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室采用上述提供反應(yīng)腔室。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，在裝卸載基片時使基座遠離壓環(huán)，以便于向基座裝卸載基片；以及，在工藝時使壓環(huán)疊壓在基片的邊緣區(qū)域，環(huán)形密封裝置與基片的背面接觸使得環(huán)形密封裝置內(nèi)側(cè)的基座上表面與基片的背面形成密封空間，這不僅可以實現(xiàn)在基片不會被吹飛或吹歪的情況下借助背吹氣體實現(xiàn)基片和基座之間的熱傳導(dǎo)，而且還可以實現(xiàn)借助環(huán)形密封裝置避免背吹氣體泄漏對工藝環(huán)境產(chǎn)生影響。因此，本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室與現(xiàn)有技術(shù)的反應(yīng)腔室相比，在工藝時增加了基片與基座之間的背吹氣體，背吹氣體可以使得基片與基座之間進行熱傳導(dǎo)，即在工藝的同時就可以實現(xiàn)基片的冷卻，也就不需要在工藝時周期性地暫停工藝以增加冷卻步驟，因而可以在保證對基片有效冷卻的前提下大大地降低工藝時間，從而可以提高半導(dǎo)體加工設(shè)備的產(chǎn)能，進而可以提高經(jīng)濟效益。

本發(fā)明提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其采用本發(fā)明另一技術(shù)方案提供的反應(yīng)腔室，可以實現(xiàn)在保證對基片有效冷卻的前提下可以大大地降低工藝時間，從而可以提高半導(dǎo)體加工設(shè)備的產(chǎn)能，進而提高經(jīng)濟效益。

附圖說明

圖1a為現(xiàn)有的預(yù)清洗腔室處于傳片狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為現(xiàn)有的預(yù)清洗腔室處于工藝狀態(tài)的局部示意圖；

圖2為現(xiàn)有的頂針機構(gòu)的結(jié)構(gòu)立體圖；

圖3a為本發(fā)明實施例提供的反應(yīng)腔室在裝卸載基片時的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3b為本發(fā)明實施例提供的反應(yīng)腔室在工藝時的局部示意圖；

圖4為圖3a和圖3b中的支撐件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的反應(yīng)腔室中的基座的俯視圖；以及

圖6為圖3b中的局部放大圖；

圖7為本發(fā)明實施例提供的應(yīng)用另一種支撐件的反應(yīng)腔室的局部示意圖。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的進行反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備進行詳細描述。

圖3a為本發(fā)明實施例提供的反應(yīng)腔室在裝卸載基片時的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3b為本發(fā)明實施例提供的反應(yīng)腔室在工藝時的局部示意圖；圖4為圖3a和圖3b中的支撐件的結(jié)構(gòu)示意圖。請一并參閱圖3a、圖3b和圖4，本實施例提供的反應(yīng)腔室20包括用于承載基片的基座21和壓環(huán)22。其中，基座21內(nèi)設(shè)置有與背吹氣源(圖中未示出)相連通的背吹管路211，并且，基座21上表面上設(shè)置有環(huán)形密封裝置，基座21可升降，在裝卸載基片S時基座21下降至圖3a所示的位置(即，裝卸位置)，在工藝時基座21上升并將壓環(huán)22頂起至如圖3b所示的位置 (即，工藝位置)，此時，壓環(huán)22疊壓在基片S的邊緣區(qū)域，環(huán)形密封裝置與基片S的背面接觸使得環(huán)形密封裝置內(nèi)側(cè)的基座21上表面與基片S的背面形成密封空間，背吹氣源提供的背吹氣體經(jīng)由背吹管路211輸送至密封空間內(nèi)，其中，背吹氣體包括惰性氣體或工藝氣體，以防止背吹氣體泄露至反應(yīng)腔室而對工藝產(chǎn)生影響。

如圖5所示，優(yōu)選地，背吹管路211具有在基座21的上表面上設(shè)置的多個輸出口214，且每個輸出口214靠近基座21的中心位置設(shè)置，在基座21的上表面上設(shè)置有沿其周向設(shè)置的環(huán)形凹槽212以及與輸出口214一一對應(yīng)的條形凹槽213，環(huán)形凹槽212位于環(huán)形密封裝置的內(nèi)側(cè)，每個條形凹槽213的兩端分別與環(huán)形凹槽212以及與之對應(yīng)的輸出口214相連通。在此情況下，可在一定程度上實現(xiàn)背吹氣體在基片S的背面均勻流動，從而可以提高基片S溫度的均勻性，提高工藝質(zhì)量。進一步優(yōu)選地，多個輸出口沿所述基座21的周向間隔且均勻設(shè)置，這可以進一步實現(xiàn)背吹氣體在基片S背面均勻流動，從而可以進一步提高基片S溫度的均勻性?？梢岳斫?，由于基座21具有冷卻功能，具體地，基座21內(nèi)設(shè)置有冷卻管道，冷卻媒介經(jīng)由冷卻管道流動實現(xiàn)冷卻基座21，因此，設(shè)置環(huán)形凹槽212和條形凹槽213的深度一般較小，可以提加快背吹氣體和基座21之間的熱交換效率，從而實現(xiàn)基座21快速地冷卻。

如圖6所示，另外優(yōu)選地，環(huán)形密封裝置為環(huán)形棱角215，環(huán)形棱角215通過在基座21上表面的邊緣區(qū)域進行切割形成，環(huán)形棱角215內(nèi)外側(cè)的基座21上表面均低于環(huán)形棱角215，可以說，環(huán)形密封裝置為“密封刀口”。具體地，環(huán)形凹槽212以及與條形凹槽213設(shè)置在環(huán)形棱角215內(nèi)側(cè)的基座21上表面上，并且，環(huán)形凹槽212靠近環(huán)形棱角215設(shè)置?？梢岳斫猓捎蒙鲜鼍哂忻芊獾犊诘幕?1，可以在很大程度上避免背吹氣體泄露至反應(yīng)腔室20內(nèi)，這不僅可以避免背吹氣體進入反應(yīng)腔室20影響反應(yīng)腔室20完成工藝的壓力(一般為毫托級)，而且還可以使背吹氣體的壓力能達到幾托，使得二者之間具有相對較多的背吹氣體從而可以提高熱傳導(dǎo)效率。

在本實施例中，壓環(huán)22搭接在支撐件23上，也就是說，壓環(huán)22 與支撐件23之間為動連接，并非固定連接，在這種情況下，基座21自如圖3a所示的位置上升至與壓環(huán)22剛接觸的位置之后，繼續(xù)驅(qū)動基座21上升直至將壓環(huán)22托起，此時，壓環(huán)22與支撐件23分離，實現(xiàn)利用壓環(huán)22的自身重力施加在基片S的邊緣區(qū)域來壓住基片S。

另外，反應(yīng)腔室20的頂壁25為穹頂結(jié)構(gòu)，其采用諸如石英或玻璃等的非金屬材料制成，射頻電源產(chǎn)生的交變電場經(jīng)由該頂壁耦合至反應(yīng)腔室20內(nèi)實現(xiàn)將工藝氣體激發(fā)形成等離子體；在反應(yīng)腔室20靠上位置的內(nèi)壁內(nèi)側(cè)套置有筒狀結(jié)構(gòu)的環(huán)形內(nèi)襯26，在基座21的外側(cè)壁上設(shè)置有與環(huán)形內(nèi)襯26匹配形成封閉反應(yīng)空間的環(huán)形外襯27。

如圖4所示，支撐件23包括支撐柱231、支撐環(huán)232和多個支撐桿233。其中，支撐環(huán)232的內(nèi)徑大于基座21的直徑，以實現(xiàn)基座21在支撐環(huán)232的環(huán)孔內(nèi)與壓環(huán)22相對升降；多個支撐桿233設(shè)置在支撐環(huán)232上，且沿支撐環(huán)232的周向間隔設(shè)置，用于支撐壓環(huán)22，具體的，在環(huán)形外襯27上設(shè)置有多個分別與支撐桿233一一對應(yīng)的第一通孔，每個支撐桿233穿過對應(yīng)的第一通孔后與壓環(huán)22配合，且支撐桿233與第一通孔為間隙配合，使得支撐桿233在第一通孔內(nèi)與第一通孔可相對升降；支撐柱231用于支撐支撐環(huán)232，具體地，支撐柱231的下端固定在反應(yīng)腔室20的底面上，上端通過螺釘水平固定支撐環(huán)232。優(yōu)選地，多個支撐桿233在支撐環(huán)232上沿支撐環(huán)232的周向間隔且均勻設(shè)置，這可以實現(xiàn)穩(wěn)定地支撐壓環(huán)22，從而可以保證工藝的穩(wěn)定性。

優(yōu)選地，壓環(huán)22的下表面上設(shè)置有多個盲孔221，且每個盲孔221設(shè)置在壓環(huán)22下表面的與支撐桿233相接觸的位置處；每個盲孔221用于容納與之對應(yīng)的支撐桿233的頂端?？梢岳斫?，在裝卸載基片S時支撐桿233的頂端位于與之對應(yīng)的盲孔221內(nèi)，如圖3a所示，盲孔221不僅可以實現(xiàn)對支撐桿233限位，從而實現(xiàn)穩(wěn)定地支撐壓環(huán)22；而且還可以在壓環(huán)22升降時起到導(dǎo)向作用，從而保證壓環(huán)22垂直升降。

另外，在本實施例中，壓環(huán)22的下表面的邊緣區(qū)域設(shè)置有凸部222，盲孔221設(shè)置在凸部222上。當(dāng)壓環(huán)22疊壓在基片S的邊緣區(qū) 域上時，凸部222的下端面蓋住環(huán)形外襯27上的第一通孔，以防止工藝時刻蝕出的污染物透過該第一通孔漏到基座下方的腔室中。上述凸出部222不僅可以為沿壓環(huán)22周向設(shè)置的環(huán)形凸部，在壓環(huán)22疊壓在基片S的邊緣區(qū)域上時，借助環(huán)形凸部的下端面同時蓋住多個第一通孔；還可以包括與第一通孔一一對應(yīng)的子凸部，在壓環(huán)22疊壓在基片S的邊緣區(qū)域上時，借助每個子凸部的下端面蓋住與之對應(yīng)的第一通孔。

反應(yīng)腔室20內(nèi)還包括頂針裝置，頂針裝置包括多個用于承載基片S的頂針24，頂針24的頂端與預(yù)清洗腔室(即，反應(yīng)腔室)側(cè)壁上設(shè)置的傳片口29同高度，環(huán)形外襯27上設(shè)置有多個分別與頂針24一一對應(yīng)的第二通孔，在裝卸載基片S時，環(huán)形外襯27隨著基座21下降，每個頂針24穿過對應(yīng)的第二通孔，且頂針24的頂端高于基座21的上表面低于壓環(huán)22的下表面，頂針24與第二通孔為間隙配合，使得每個頂針24在第二通孔內(nèi)與第二通孔可相對升降，用以實現(xiàn)基片S在頂針24和基座21之間傳輸。優(yōu)選地，每個頂針24的頂端設(shè)置有臺階，下臺階面用于承載基片S，臺階還可以對基片S進行限位，防止基片S在水平方向上偏移。

優(yōu)選地，多個頂針24設(shè)置在支撐環(huán)232上，且沿支撐環(huán)232的周向間隔設(shè)置；并且，頂針24的頂端位于壓環(huán)22的下方?？梢岳斫?，頂針24和壓環(huán)22共用一個支撐件，因此可以省去多個頂針24的支撐件，從而不僅可以簡化結(jié)構(gòu)，而且還可以降低成本。進一步優(yōu)選地，多個頂針24在支撐環(huán)232上沿支撐環(huán)232的周向間隔且均勻設(shè)置，這可以實現(xiàn)穩(wěn)定地支撐基片S，從而可以防止掉片。

另外，由于頂針24用于承載基片S，因此，頂針24所在圓周的直徑小于基片S的直徑，而支撐桿233用于支撐壓環(huán)22，壓環(huán)22的外徑不小于基片S的直徑，因此，支撐桿233所在圓周的直徑大于基片S的直徑。因此，在采用如圖4所示的支撐環(huán)232時，在支撐環(huán)232的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置有向支撐環(huán)232的圓心方向延伸的凸部，頂針24設(shè)置在凸部上遠離支撐環(huán)232的一端，以使頂針24所在圓周的直徑小于支撐環(huán)232的內(nèi)徑；支撐桿233設(shè)置在支撐環(huán)232的環(huán)面上。

下面結(jié)合圖3a詳細描述本實施例提供的反應(yīng)腔室的整個工作過程。裝載過程：借助升降裝置驅(qū)動基座21下降至低位，使基座21的上表面與壓環(huán)22下表面的靠近其環(huán)孔的環(huán)形區(qū)域之間具有一定的豎直距離，頂針24的臺階面位于基座21和壓環(huán)之間，且頂針24的頂端對應(yīng)傳片口29，承載有基片S的機械手自傳片口29傳入反應(yīng)腔室20內(nèi)，并將基片S傳輸至頂針24的臺階面上。

工藝前：借助升降裝置驅(qū)動基座21上升，在上升的過程中基座21的上表面先托起基片S，接著基片S的上表面與壓環(huán)22上表面的靠近其環(huán)孔的環(huán)形區(qū)域相接觸，接著基座21帶動基片S和壓環(huán)22繼續(xù)上升直至工藝位置。

工藝時：向反應(yīng)腔室內(nèi)通入一定量的工藝氣體，且保證腔室壓力為毫托級，此時，由于壓環(huán)22的重量全部作用于基片S的邊緣區(qū)域，因此，通過背吹管路211向基座21和基片S之間輸送背吹氣體，不會造成重量過輕的基片S被吹飛或者吹歪，并且，借助密封刀口可實現(xiàn)基片S和基座21之間形成密封空間，不僅背吹氣體的氣體壓力可以到達幾托，能夠?qū)⒒琒的熱量及時傳導(dǎo)至基座21帶走，而且還可以防止背吹氣體泄漏對工藝環(huán)境產(chǎn)生影響。

卸載過程：首先，借助升降裝置驅(qū)動基座21下降，直至下降至頂針24頂端的下方，使得基片S位于頂針24上；接著，空載的機械手自傳片口29進入反應(yīng)腔室20，將頂針24上的基片S傳出反應(yīng)腔室20，從而實現(xiàn)卸載基座20上基片S的過程。

需要說明的是，盡管在本實施例中支撐件23為如圖4所示的結(jié)構(gòu)，其包括支撐柱231、支撐環(huán)232和多個支撐桿233；但是，本發(fā)明并不局限于此，在實際應(yīng)用中，支撐件23還可以采用其他結(jié)構(gòu)，只要能夠?qū)崿F(xiàn)支撐壓環(huán)22即可。

還需要說明的是，在本實施例中，壓環(huán)22搭接在支撐件23上，具體地，壓環(huán)22搭接在支撐桿233上，以借助壓環(huán)22的自身重力壓住基片S；但是，在實際應(yīng)用中，壓環(huán)22還可以固定在支撐件23上，具體地，壓環(huán)22與支撐桿233固定連接，在這種情況下，可以在壓環(huán)22與基座21相接觸之后再繼續(xù)相對運動，以實現(xiàn)通過壓環(huán)22的重力 以及支撐桿233向下的拉力來壓住基片S。

優(yōu)選地，為防止采用這種硬連接造成基片S受到壓力過大造成其損壞，如圖7所示，支撐件23作為反應(yīng)腔室20的內(nèi)襯，支撐件23環(huán)繞反應(yīng)腔室20的內(nèi)周壁設(shè)置，且支撐件23具有開口朝上且環(huán)繞反應(yīng)腔室20的內(nèi)周壁設(shè)置的環(huán)形溝槽234；壓環(huán)22的外徑大于環(huán)形溝槽234的內(nèi)徑，壓環(huán)22搭接在環(huán)形溝槽234的內(nèi)環(huán)壁235上，內(nèi)環(huán)壁235是指形成環(huán)形溝槽235的靠近反應(yīng)腔室20中心的環(huán)形壁；在環(huán)形溝槽234的槽底和壓環(huán)22的外邊緣之間還設(shè)置有彈性部件236，通過彈性部件236在壓環(huán)22疊壓在基片S時受到拉伸來實現(xiàn)向壓環(huán)22施加向下的彈力。在上述種情況下，可以實現(xiàn)通過壓環(huán)22的重力和彈性部件236向下的彈力來壓住基片S。

優(yōu)選地，壓環(huán)22的下表面上設(shè)置有環(huán)形凹部223，環(huán)形凹部223搭接在環(huán)形溝槽234的內(nèi)環(huán)壁235上。可以理解，借助環(huán)形凹部223可以實現(xiàn)對環(huán)形溝槽234的內(nèi)環(huán)壁235進行限位，從而可以提高支撐壓環(huán)22的可靠性。

此外，還需要說明的是，為實現(xiàn)頂針24和基座21之間基片S的傳輸，可以通過驅(qū)動頂針24和/或基座21相對升降實現(xiàn)。

由上可知，本實施例提供的反應(yīng)腔室，在裝卸載基片S時基座21遠離壓環(huán)22，因此可以實現(xiàn)向基座21裝卸載基片S，從而滿足工藝的裝卸載需求；在工藝時使壓環(huán)22疊壓在基片S的邊緣區(qū)域，環(huán)形密封裝置與基片S的背面接觸使得環(huán)形密封裝置內(nèi)側(cè)的基座21上表面與基片S的背面形成密封空間，這不僅可以實現(xiàn)在基片不會被吹飛或吹歪的情況下借助背吹氣體實現(xiàn)基片和基座之間的熱傳導(dǎo)，而且還可以實現(xiàn)借助環(huán)形密封裝置避免背吹氣體泄漏對工藝環(huán)境產(chǎn)生影響。因此，本實施例提供的反應(yīng)腔室20與現(xiàn)有技術(shù)的反應(yīng)腔室相比，在工藝時增加了基片S與基座21之間的背吹氣體，背吹氣體可以使得基片S與基座21之間進行熱傳導(dǎo)，可以實現(xiàn)在工藝的同時就可以實現(xiàn)基片S的冷卻，因此不需要在工藝時周期性地暫停工藝以增加冷卻步驟，從而可以在保證對基片有效冷卻的前提下大大地降低工藝時間，提高半導(dǎo)體加工設(shè)備的產(chǎn)能，進而可以提高經(jīng)濟效益。

作為另外一個技術(shù)方案，本實施例還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室采用上述實施例提供的反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室包括預(yù)清洗腔室。

具體地，半導(dǎo)體加工設(shè)備包括物理氣相沉積設(shè)備、等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)氣相沉積設(shè)備等。

本實施例供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其采用本發(fā)明上述實施例提供的反應(yīng)腔室，可以實現(xiàn)在保證對基片有效冷卻的前提下可以大大地降低工藝時間，從而可以提高半導(dǎo)體加工設(shè)備的產(chǎn)能，進而提高經(jīng)濟效益。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。