聚焦環(huán)、下電極機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體加工設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種聚焦環(huán)、下電極機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體加工設(shè)備。該聚焦環(huán)安裝在卡盤外圈的上表面上設(shè)置的第一環(huán)形凹部內(nèi)，卡盤用于承載基片，聚焦環(huán)或第一環(huán)形凹部的內(nèi)徑小于基片的直徑，聚焦環(huán)內(nèi)圈的上表面上設(shè)置有第二環(huán)形凹部，第二環(huán)形凹部的外徑大于基片的直徑，聚焦環(huán)的厚度大于第一環(huán)形凹部的深度，第二環(huán)形凹部的深度不小于聚焦環(huán)的厚度與第一環(huán)形凹部的深度的差值，在聚焦環(huán)內(nèi)圈的下表面上還設(shè)置有所述第二環(huán)形凹部，以使聚焦環(huán)還可反向安裝在第一環(huán)形凹部內(nèi)。本發(fā)明提供的聚焦環(huán)，不僅可以實(shí)現(xiàn)成倍地提高聚焦環(huán)的使用壽命和利用率，從而可以提高經(jīng)濟(jì)效益；而且還可以簡化下電極機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體加工設(shè)備的維護(hù)過程。
【專利說明】
聚焦環(huán)、下電極機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體加工設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種聚焦環(huán)、下電極機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體加工設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在通常情況下，刻蝕機(jī)的下電極機(jī)構(gòu)如圖1A所示，其由上至下依次包括靜電卡盤
10、絕緣體11、基座12以及安裝在基座12下方區(qū)域的其他控制機(jī)構(gòu)和電氣接口。其中，靜電卡盤10用于采用靜電吸附的方式固定基片S，并且，靜電卡盤與射頻電源電連接，以吸引等離子體朝向其運(yùn)動(dòng)，靜電卡盤10外圈的縱斷面呈臺(tái)階狀，具有下凹且相連的環(huán)形結(jié)構(gòu)的第一臺(tái)階101和第二臺(tái)階102，第二臺(tái)階102位于第一臺(tái)階101的外側(cè)，且其臺(tái)階面低于第一臺(tái)階101的臺(tái)階面，第二臺(tái)階102上用于放置基環(huán)13，基環(huán)13采用石英材料制成，用于改善其所在區(qū)域的電磁場分布；第一臺(tái)階101上用于放置聚焦環(huán)14，聚焦環(huán)14均采用石英材料制成，聚焦環(huán)14內(nèi)圈的縱斷面呈臺(tái)階狀，具有下凹且為環(huán)形結(jié)構(gòu)的臺(tái)階141，如圖1B和圖1C所示，臺(tái)階141的臺(tái)階面相對(duì)靜電卡盤10的上表面稍低；聚焦環(huán)14的上表面高于靜電卡盤10的上表面，并且，臺(tái)階141的徑向尺寸Dl稍大于基片S的徑向尺寸D2。
[0003]采用圖1A所示的下電極機(jī)構(gòu)在刻蝕工藝過程中，基片S被吸附固定在靜電卡盤10上，腔室內(nèi)大量的等離子體朝向基片高速運(yùn)動(dòng)，不斷地對(duì)基片S上表面進(jìn)行轟擊刻蝕，同時(shí)會(huì)對(duì)聚焦環(huán)14的內(nèi)圈部分進(jìn)行較小程度的刻蝕，隨著工藝時(shí)間的累積，聚焦環(huán)14的內(nèi)圈部分損耗會(huì)越來越嚴(yán)重，如圖1D所示，內(nèi)圈部分被刻蝕損耗出現(xiàn)傾斜面142，該傾斜面142的出現(xiàn)會(huì)造成等離子體沿著傾斜面142對(duì)基片S下表面的邊緣部分進(jìn)行刻蝕，從而對(duì)基片S的邊緣造成較為嚴(yán)重的破壞。
[0004]為解決上述問題，目前通常采用的方法為:定期更換聚焦環(huán)14，以避免聚焦環(huán)14的內(nèi)圈部分刻蝕出現(xiàn)如圖1D所示傾斜面142。但是，定期更換聚焦環(huán)14在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)存在以下問題:其一，造成每個(gè)聚焦環(huán)14的使用壽命較短或利用率低，需要提供較多數(shù)量的聚焦環(huán)14作為備件，從而造成經(jīng)濟(jì)成本較高；其二，更換聚焦環(huán)14的過程較復(fù)雜，從而造成下電極機(jī)構(gòu)維護(hù)過程復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種聚焦環(huán)、下電極機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體加工設(shè)備，不僅可以實(shí)現(xiàn)成倍地提高聚焦環(huán)的使用壽命和利用率，從而可以提高經(jīng)濟(jì)效益；而且還可以簡化下電極機(jī)構(gòu)的維護(hù)過程。
[0006]為解決上述問題之一，本發(fā)明提供了一種聚焦環(huán)，安裝在卡盤外圈的上表面上設(shè)置的第一環(huán)形凹部內(nèi)，所述卡盤用于承載基片，所述聚焦環(huán)或所述第一環(huán)形凹部的內(nèi)徑小于所述基片的直徑，所述聚焦環(huán)內(nèi)圈的上表面上設(shè)置有第二環(huán)形凹部，所述第二環(huán)形凹部的外徑大于基片的直徑，所述聚焦環(huán)的厚度大于所述第一環(huán)形凹部的深度，所述第二環(huán)形凹部的深度不小于所述聚焦環(huán)的厚度與第一環(huán)形凹部的深度的差值，在所述聚焦環(huán)內(nèi)圈的下表面上還設(shè)置有所述第二環(huán)形凹部，以使所述聚焦環(huán)還可反向安裝在所述第一環(huán)形凹部內(nèi)。
[0007]其中，所述聚焦環(huán)采用石英材料制成。
[0008]其中，所述聚焦環(huán)采用陶瓷材料制成。
[0009]其中，所述聚焦環(huán)內(nèi)圈的上下表面設(shè)置的所述第二環(huán)形凹部的尺寸相同。
[0010]其中，所述聚焦環(huán)內(nèi)圈的上下表面設(shè)置的所述第二環(huán)形凹部的尺寸不同。
[0011]本發(fā)明另一技術(shù)方案還提供一種下電極機(jī)構(gòu)，包括卡盤和聚焦環(huán)，所述卡盤用于承載基片，且其外圈的上表面上設(shè)置有第一環(huán)形凹部，所述聚焦環(huán)安裝在所述第一環(huán)形凹部內(nèi)，所述聚焦環(huán)采用本發(fā)明另一技術(shù)方案提供的聚焦環(huán)。
[0012]其中，所述卡盤包括靜電卡盤。
[0013]其中，所述卡盤與射頻電源電連接，以吸引等離子體朝向所述卡盤運(yùn)動(dòng)。
[0014]其中，下電極機(jī)構(gòu)還包括基座和絕緣體，所述基座用于承載所述卡盤，所述絕緣體設(shè)置在所述基座和所述卡盤之間。
[0015]本發(fā)明另一技術(shù)方案還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室包括下電極機(jī)構(gòu)，所述下電極機(jī)構(gòu)采用本發(fā)明另一技術(shù)方案提供的下電極機(jī)構(gòu)。
[0016]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0017]本發(fā)明提供的聚焦環(huán)，其在聚焦環(huán)內(nèi)圈的下表面上還設(shè)置有第二環(huán)形凹部，以使聚焦環(huán)還可反向安裝在第一環(huán)形凹部內(nèi)，反向安裝指的是聚焦環(huán)的上下表面對(duì)調(diào)安裝的方式，這使得每個(gè)聚焦環(huán)的上表面作為被刻蝕面被刻蝕出現(xiàn)如圖1D所示的傾斜面時(shí)，聚焦環(huán)反向安裝可使其下表面作為被刻蝕面被再次利用，因此，本發(fā)明提供的聚焦環(huán)與現(xiàn)有技術(shù)的聚焦環(huán)相比，可以被利用兩次，也就是說，采用本發(fā)明提供的一個(gè)聚焦環(huán)相當(dāng)于采用現(xiàn)有技術(shù)提供的兩個(gè)聚焦環(huán)，從而可以實(shí)現(xiàn)成倍地提高聚焦環(huán)的使用壽命和利用率，避免聚焦環(huán)的浪費(fèi)，進(jìn)而可以提高經(jīng)濟(jì)效益；另外，由于借助反向安裝聚焦環(huán)過程可替代一次更換聚焦環(huán)過程，因而可以省去卸載當(dāng)前聚焦環(huán)并拿取另一個(gè)新的聚焦環(huán)過程，從而可以簡化下電極機(jī)構(gòu)的維護(hù)過程。
[0018]優(yōu)選地，本發(fā)明提供的聚焦環(huán)采用石英材料制成，由于石英材料制成的聚焦環(huán)不使工藝結(jié)果產(chǎn)生偏差，因此，可以實(shí)現(xiàn)在保證不影響工藝結(jié)果的前提下成倍地提高聚焦環(huán)的使用壽命、利用率和簡化下電極機(jī)構(gòu)的維護(hù)過程。
[0019]另外優(yōu)選地，本發(fā)明提供的聚焦環(huán)的上表面和下表面設(shè)置的第二環(huán)形凹部的尺寸相同，以保證聚焦環(huán)在反向安裝前后對(duì)工藝影響相同，從而確保工藝的均勻性。
[0020]本發(fā)明提供的下電極機(jī)構(gòu)，其采用本發(fā)明另一技術(shù)方案提供的聚焦環(huán)，不僅可以提高下電極機(jī)構(gòu)的使用壽命和利用率，提高經(jīng)濟(jì)效益，而且還可以簡化下電極機(jī)構(gòu)的維護(hù)過程
[0021]本發(fā)明提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其采用本發(fā)明另一技術(shù)方案提供的下電極機(jī)構(gòu)，不僅可以提高半導(dǎo)體加工設(shè)備的使用壽命和利用率，提高經(jīng)濟(jì)效益，而且還可以簡化半導(dǎo)體加工設(shè)備的維護(hù)過程。
【附圖說明】
[0022]圖1A為現(xiàn)有的刻蝕機(jī)的下電極機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖1B為圖1A中聚焦環(huán)的俯視圖；
[0024]圖1C為圖1B中沿B-B線的剖視圖；
[0025]圖1D為圖1A所示的下電極機(jī)構(gòu)隨著工藝時(shí)間的累積之后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的聚焦環(huán)沿圖1B中B-B線的剖視圖；
[0027]圖3為下電極機(jī)構(gòu)應(yīng)用圖2所示的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為圖3所示的下電極機(jī)構(gòu)中聚焦環(huán)被刻蝕損耗后的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0029]圖5為圖4所示的下電極機(jī)構(gòu)中聚焦環(huán)反向安裝后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對(duì)本發(fā)明提供的聚焦環(huán)、下電極機(jī)構(gòu)及半導(dǎo)體加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的組件或具有相同或類似功能的組件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0031]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“上”、“下”、“底”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或組件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0032]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的聚焦環(huán)沿圖1B中B-B線的剖視圖；圖3為下電極機(jī)構(gòu)應(yīng)用圖2所示的聚焦環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖。請一并參閱圖2和圖3，本實(shí)施例提供的聚焦環(huán)20，用于安裝在卡盤21外圈的上表面上設(shè)置的第一環(huán)形凹部211內(nèi)，卡盤21用于承載基片S，聚焦環(huán)20或第一環(huán)形凹部211的內(nèi)徑dl的小于基片的直徑d2，聚焦環(huán)20內(nèi)圈的上表面上設(shè)置有第二環(huán)形凹部201，第二環(huán)形凹部201的外徑D大于基片S的直徑d2，聚焦環(huán)20的厚度H大于第一環(huán)形凹部211的深度hl，以使聚焦環(huán)20安裝于第一環(huán)形凹部211內(nèi)時(shí)聚焦環(huán)20的上表面高于卡盤21的上表面；第二環(huán)形凹部201的深度h2不小于聚焦環(huán)20的厚度與第一環(huán)形凹部211的深度的差值(即，H-hl)，以實(shí)現(xiàn)在聚焦環(huán)20安裝在第一環(huán)形凹部211內(nèi)時(shí)第二環(huán)形凹部201的底面不高于卡盤21的上表面，以使基片S的下表面與卡盤21充分接觸，從而實(shí)現(xiàn)卡盤21對(duì)基片S穩(wěn)定支撐固定。
[0033]并且，在聚焦環(huán)20內(nèi)圈的下表面上還設(shè)置有上述第二環(huán)形凹部201，如圖2和圖3所示，以使聚焦環(huán)20還可反向安裝在第一環(huán)形凹部211內(nèi)?！胺聪虬惭b”指的是聚焦環(huán)20的上下表面對(duì)調(diào)安裝的方式，具體地，也就是說，使圖3所示的聚焦環(huán)20上下翻轉(zhuǎn)安裝，以使上表面翻轉(zhuǎn)作為下表面，同時(shí)下表面翻轉(zhuǎn)作為上表面。
[0034]由此可知，本實(shí)施例提供的聚焦環(huán)20，可以使得每個(gè)聚焦環(huán)20的上表面作為被刻蝕面被刻蝕出現(xiàn)如圖1D所示的傾斜面時(shí)，如圖4所示，聚焦環(huán)20反向安裝可使其下表面作為被刻蝕面被再次利用，如圖5所示，因此，本發(fā)明提供的聚焦環(huán)20與現(xiàn)有技術(shù)的聚焦環(huán)相比，可以被利用兩次，也就是說，采用本發(fā)明提供的一個(gè)聚焦環(huán)20相當(dāng)于采用現(xiàn)有技術(shù)提供的兩個(gè)聚焦環(huán)，從而可以實(shí)現(xiàn)成倍地提高聚焦環(huán)20的使用壽命和利用率，避免聚焦環(huán)20的浪費(fèi)，進(jìn)而可以提高經(jīng)濟(jì)效益；另外，由于借助反向安裝聚焦環(huán)過程可替代一次更換聚焦環(huán)過程，因而可以省去卸載當(dāng)前聚焦環(huán)并拿取另一個(gè)新的聚焦環(huán)過程，從而可以簡化下電極機(jī)構(gòu)的維護(hù)過程。
[0035]通過對(duì)刻蝕損耗后的聚焦環(huán)20分析發(fā)現(xiàn):聚焦環(huán)20被刻蝕損耗的區(qū)域?qū)嶋H為其內(nèi)圈部分，并且，刻蝕損耗形成的傾斜面在徑向上的長度有限，因此，在聚焦環(huán)20反向安裝后被刻蝕損耗后形成傾斜面的上表面還可以作為安裝聚焦環(huán)的定位安裝面，不會(huì)影響聚焦環(huán)20在其厚度方向上的安裝尺寸，從而可以保證工藝的穩(wěn)定性。
[0036]在本實(shí)施例中，聚焦環(huán)20采用絕緣材料制成，其具有以下兩個(gè)作用:其一，第二環(huán)形凹部201的側(cè)壁形成“環(huán)形擋墻”可將基片S限制在其內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)基片限位，保證基片S和卡盤21相對(duì)位置準(zhǔn)確，以確保卡盤21為靜電卡盤時(shí)對(duì)基片S充分吸附固定；其二，可以對(duì)分布在基片S邊緣的等離子體進(jìn)行局部控制，來保證基片邊緣刻蝕的均勻性。
[0037]優(yōu)選地，聚焦環(huán)20采用石英材料制成，由于石英材料制成的聚焦環(huán)20不使工藝結(jié)果產(chǎn)生偏差，因此，可以實(shí)現(xiàn)在保證不影響工藝結(jié)果的前提下，成倍地提高聚焦環(huán)的使用壽命、利用率以及簡化下電極機(jī)構(gòu)的維護(hù)過程。
[0038]另外優(yōu)選地，本發(fā)明提供的聚焦環(huán)20內(nèi)圈的上下表面設(shè)置的第二環(huán)形凹部201的尺寸相同，尺寸包括第二環(huán)形凹部201的外徑D和深度h2，也就是說，聚焦環(huán)20的上下表面對(duì)稱設(shè)置有第二環(huán)形凹部201，以保證聚焦環(huán)20在正向和反向安裝對(duì)工藝影響相同，從而確保工藝的均勻性。
[0039]需要說明的是，在實(shí)際應(yīng)用中，聚焦環(huán)20還可以采用陶瓷材料制成，由于陶瓷相對(duì)石英較耐刻蝕，因此，陶瓷聚焦環(huán)相對(duì)石英聚焦環(huán)被刻蝕損耗的程度有所減緩，從而可以進(jìn)一步提高聚焦環(huán)的使用壽命和利用率。另外，聚焦環(huán)20內(nèi)圈的上下表面設(shè)置的第二環(huán)形凹部201的尺寸還可以不同，只要滿足第二環(huán)形凹部201的外徑D大于基片S的直徑d2以及深度h2不小于聚焦環(huán)20的厚度與第一環(huán)形凹部211的深度的差值即可。
[0040]作為另外一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種下電極機(jī)構(gòu)，如圖3所示，下電極機(jī)構(gòu)包括卡盤21和聚焦環(huán)20，卡盤21用于承載基片S，且其外圈的上表面上設(shè)置有第一環(huán)形凹部211，聚焦環(huán)20安裝在第一環(huán)形凹部211內(nèi)，并且，聚焦環(huán)20采用本發(fā)明上述實(shí)施例提供的聚焦環(huán)20。
[0041]其中，卡盤21包括靜電卡盤，具體地，在靜電卡盤內(nèi)設(shè)置有電極，該電極與直線電源電連接，以實(shí)現(xiàn)采用靜電吸附方式固定基片。
[0042]卡盤21與射頻電源電連接，以吸引等離子體朝向卡盤運(yùn)動(dòng)，從而增強(qiáng)等離子體運(yùn)動(dòng)的方向性。卡盤21還向基片S的背面吹氦氣以對(duì)基片進(jìn)行溫控，基片S在向下的靜電吸附力和向上的背吹氦氣的作用力下穩(wěn)定固定。在卡盤21內(nèi)還設(shè)置有冷卻管道，冷卻液在該冷卻管道流動(dòng)且在其流動(dòng)過程中與卡盤進(jìn)行熱交換，從而對(duì)卡盤21進(jìn)行溫控。在第一環(huán)形凹部211的底面還設(shè)置有內(nèi)徑大于其內(nèi)徑且外徑相等的第三環(huán)形凹部212，在第三環(huán)形凹部212內(nèi)安裝有絕緣基環(huán)22，用于改善其所在區(qū)域的電磁場分布，以提高刻蝕均勻性，絕緣基環(huán)22采用諸如石英等絕緣材料制成。
[0043]下電極機(jī)構(gòu)還包括基座23和絕緣體24，基座23設(shè)置在腔室的底面上，用于承載卡盤21，絕緣體24設(shè)置在基座23和卡盤21之間，用于使卡盤21和腔室電絕緣。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供的下電極機(jī)構(gòu)，其采用本發(fā)明另一技術(shù)方案提供的聚焦環(huán)，不僅可以提高下電極機(jī)構(gòu)的使用壽命和利用率，提高經(jīng)濟(jì)效益，而且還可以簡化下電極機(jī)構(gòu)的維護(hù)過程。
[0045]再作為另外一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室包括下電極機(jī)構(gòu)，下電極機(jī)構(gòu)采用上述實(shí)施例提供的下電極機(jī)構(gòu)。
[0046]具體地，半導(dǎo)體加工設(shè)備包括刻蝕設(shè)備。
[0047]本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其采用本發(fā)明另一技術(shù)方案提供的下電極機(jī)構(gòu)，不僅可以提高半導(dǎo)體加工設(shè)備的使用壽命和利用率，提高經(jīng)濟(jì)效益，而且還可以簡化半導(dǎo)體加工設(shè)備的維護(hù)過程。
[0048]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種聚焦環(huán)，安裝在卡盤外圈的上表面上設(shè)置的第一環(huán)形凹部內(nèi)，所述卡盤用于承載基片，所述聚焦環(huán)或所述第一環(huán)形凹部的內(nèi)徑小于所述基片的直徑，所述聚焦環(huán)內(nèi)圈的上表面上設(shè)置有第二環(huán)形凹部，所述第二環(huán)形凹部的外徑大于基片的直徑，所述聚焦環(huán)的厚度大于所述第一環(huán)形凹部的深度，所述第二環(huán)形凹部的深度不小于所述聚焦環(huán)的厚度與第一環(huán)形凹部的深度的差值，其特征在于，在所述聚焦環(huán)內(nèi)圈的下表面上還設(shè)置有所述第二環(huán)形凹部，以使所述聚焦環(huán)還可反向安裝在所述第一環(huán)形凹部內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)，其特征在于，所述聚焦環(huán)采用石英材料制成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)，其特征在于，所述聚焦環(huán)采用陶瓷材料制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)，其特征在于，所述聚焦環(huán)內(nèi)圈的上下表面設(shè)置的所述第二環(huán)形凹部的尺寸相同。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚焦環(huán)，其特征在于，所述聚焦環(huán)內(nèi)圈的上下表面設(shè)置的所述第二環(huán)形凹部的尺寸不同。6.一種下電極機(jī)構(gòu)，包括卡盤和聚焦環(huán)，所述卡盤用于承載基片，且其外圈的上表面上設(shè)置有第一環(huán)形凹部，所述聚焦環(huán)安裝在所述第一環(huán)形凹部內(nèi)，其特征在于，所述聚焦環(huán)采用權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的聚焦環(huán)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的下電極機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述卡盤包括靜電卡盤。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的下電極機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述卡盤與射頻電源電連接，以吸引等離子體朝向所述卡盤運(yùn)動(dòng)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的下電極機(jī)構(gòu)，其特征在于，還包括基座和絕緣體，所述基座用于承載所述卡盤，所述絕緣體設(shè)置在所述基座和所述卡盤之間。10.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室包括下電極機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述下電極機(jī)構(gòu)采用權(quán)利要求6-9任意一項(xiàng)所述的下電極機(jī)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK105990084SQ201510093056
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年3月2日
【發(fā)明人】張虎威
【申請人】北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司