1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次層疊有氮化硅層和氧化硅層；
在所述氧化硅層上形成第一圖形化光阻層，并利用所述第一圖形化光阻層進(jìn)行第一次刻蝕；
在所述第一圖形化光阻層上形成第二圖形化光阻層，并利用所述第二圖形化光阻層進(jìn)行第二次刻蝕；以及
依次進(jìn)行灰化和濕法清洗以去除所述第一圖形化光阻層和第二圖形化光阻層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一次刻蝕用以形成互連通孔，所述互連通孔貫穿所述氧化硅層并暴露出所述氮化硅層。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在依次進(jìn)行灰化和濕法清洗以去除所述第一圖形化光阻層和第二圖形化光阻層之后，還包括：在所述互連通孔中填充金屬材料以形成第一金屬互連層。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在形成第一金屬互連層之后，還包括：進(jìn)行TSV通孔刻蝕。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第二次刻蝕用以去除部分氮化硅層，保留的部分氮化硅層用作所述TSV通孔刻蝕的刻蝕停止層。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在進(jìn)行TSV通孔刻蝕之后，還包括：執(zhí)行TSV通孔金屬化。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一金屬互連層與TSV通孔金屬化所采用的材料相同。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述氧化硅層上形成第一圖形化光阻層之前，在提供所述半導(dǎo)體襯底之后，還包括：在所述氧化硅層上形成抗反射涂層。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一圖形化光阻層和第二圖形化光阻層采用相同的材料。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底為絕緣體上硅襯底。