本公開(kāi)內(nèi)容總體上涉及集成電路的領(lǐng)域，并且更具體而言涉及：包括在集成電路器件中使用的氟化的石墨烯的多層石墨烯結(jié)構(gòu)、包含多層石墨烯結(jié)構(gòu)的管芯和系統(tǒng)、以及用于形成這樣的結(jié)構(gòu)和器件的方法。

背景技術(shù)：

石墨烯是高收益材料，因?yàn)槠涑尸F(xiàn)出高移動(dòng)性潛質(zhì)和自然薄的體幾何形狀。典型地，然而，在沒(méi)有顯著減少石墨烯的導(dǎo)電性和移動(dòng)性的情況下難以將石墨烯與在集成電路(IC)器件中使用的絕緣體界面接合。氟化作用已經(jīng)被示出為顯著地增加石墨烯的電阻率并且將其轉(zhuǎn)換為絕緣體，但還無(wú)法解決以下問(wèn)題：在維持石墨烯的有益導(dǎo)電性和移動(dòng)性特性的同時(shí)在石墨烯上放置高質(zhì)量界面絕緣體。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖的以下具體實(shí)施方式將容易理解實(shí)施例。為了便于描述，相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同的結(jié)構(gòu)元件。通過(guò)示例的方式而非通過(guò)限制的方式在附圖的圖中示出實(shí)施例。

圖1A-E示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的不同石墨烯組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖2A-B示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的包含其它電介質(zhì)材料的石墨烯組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖3A-B示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在溝道或互連結(jié)構(gòu)中使用的石墨烯組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖4A-C示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的用作隧穿屏障的石墨烯和氟化的石墨烯的截面?zhèn)纫晥D。

圖5示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的集成電路(IC)組件的截面?zhèn)纫晥D。

圖6示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造石墨烯組件的方法的流程圖。

圖7示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造石墨烯組件的方法的流程圖。

圖8示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造包括選擇性氟化的區(qū)域的石墨烯組件的方法的流程圖。

圖9示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的可以包括如本文中所述的石墨烯結(jié)構(gòu)的示例性系統(tǒng)。

具體實(shí)施方式

本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例包括：包括氟化的石墨烯的多層石墨烯組件、包含這樣的組件的管芯和系統(tǒng)、以及用于形成石墨烯組件的方法。具有至少一個(gè)氟化的石墨烯層的多層組件的使用允許石墨烯在不降低其導(dǎo)電性或高移動(dòng)性的情況下與其它材料界面接合并且在IC器件中使用。(多個(gè))氟化的石墨烯層向其它石墨烯層提供了絕緣界面，這維持了它們期望的導(dǎo)電性和移動(dòng)性性能。公開(kāi)了多層石墨烯組件的許多實(shí)施方式。

在以下描述中，一般使用由本領(lǐng)域中的技術(shù)人員利用來(lái)將他們的工作的實(shí)質(zhì)傳達(dá)給本領(lǐng)域中的其他技術(shù)人員的術(shù)語(yǔ)來(lái)描述說(shuō)明性實(shí)施方式的各個(gè)方面。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)的，可以在只有所述方面中的一些方面的情況下實(shí)踐本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例。出于解釋的目的，闡述了具體的數(shù)量、材料、和構(gòu)造以便于提供對(duì)說(shuō)明性實(shí)施方式的透徹理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)的，可以在沒(méi)有具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例。在其它實(shí)例中，省略或簡(jiǎn)化了公知的特征，以免使說(shuō)明性實(shí)施方式難以理解。

在以下具體實(shí)施方式中，參考形成了本說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖，其中，相同的附圖標(biāo)記標(biāo)示相同的部分，并且其中，通過(guò)說(shuō)明性實(shí)施例的方式示出，在所述說(shuō)明性實(shí)施例中可以實(shí)踐本公開(kāi)內(nèi)容的主題。要理解的是，可以利用其它實(shí)施例，并且可以在不脫離本公開(kāi)內(nèi)容的范圍的情況下作出結(jié)構(gòu)或邏輯變化。因此，不應(yīng)以限制性意義考慮以下具體實(shí)施方式，并且實(shí)施例的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。

出于本公開(kāi)內(nèi)容的目的，短語(yǔ)“A和/或B”表示(A)、(B)、或(A和B)。出于本公開(kāi)內(nèi)容的目的，短語(yǔ)“A、B、和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。

本說(shuō)明書(shū)可以使用基于視角的描述，例如頂/底、中/外、之上/之下等等。這樣的描述僅用于便于討論并且不旨在將本文中所述的實(shí)施例的應(yīng)用限制為任何特定的取向。

本說(shuō)明書(shū)可以使用短語(yǔ)“在實(shí)施例中”或“在一些實(shí)施例中”，這些短語(yǔ)均指的是相同或不同實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。此外，如針對(duì)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例所使用的術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”等是同義的。

在本文中可以使用術(shù)語(yǔ)“與……耦合”連同其派生詞?！榜詈稀笨梢砸庵敢韵虑闆r中的一種或多種。“耦合”可以意指兩個(gè)或更多個(gè)元件直接物理或電接觸。然而，“耦合”也可以意指兩個(gè)或更多個(gè)元件彼此間接接觸，但還仍然彼此協(xié)作或交互作用，并且可以意指一個(gè)或多個(gè)其它元件耦合或連接在被認(rèn)為彼此耦合的元件之間。術(shù)語(yǔ)“直接耦合”可以意指兩個(gè)或更多個(gè)元件直接接觸。

在各個(gè)實(shí)施例中，短語(yǔ)“第一特征形成、沉積、或以其它方式設(shè)置在第二特征上”可以意指第一特征形成、沉積、或設(shè)置在第二特征之上，并且第一特征的至少一部分可以與第二特征的至少一部分直接接觸(例如，直接物理和/或電接觸)或間接接觸(例如，具有在第一特征與第二特征之間的一個(gè)或多個(gè)其它特征)。

如本文中所使用的，術(shù)語(yǔ)“模塊”可以指代以下項(xiàng)、以下項(xiàng)的部分、或包括以下項(xiàng)：專(zhuān)用集成電路(ASIC)、電子電路、片上系統(tǒng)(SoC)、處理器(共享的、專(zhuān)用的、或組)、和/或執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件或固件程序的存儲(chǔ)器(共享的、專(zhuān)用的、或組)、組合邏輯電路、和/或提供所述功能的其它適合的部件。

圖1A-E示出了根據(jù)一些實(shí)施例的不同石墨烯組件的截面?zhèn)纫晥D。在每個(gè)組件中，一層或多層的氟化的石墨烯可以用作基于電荷或自旋的器件(例如，晶體管或非局部自旋閥)的電介質(zhì)材料或隧穿屏障。另外，每個(gè)組件可以包括一層或多層的非氟化的石墨烯，所述非氟化的石墨烯可以用于傳導(dǎo)電荷或自旋電流。在所有這些附圖中包括小的空隙以使不同的層清楚。在實(shí)踐中，這些層可以相互接觸，并且附圖應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是示出一些實(shí)例中的截面的輕微分解視圖以便于更容易地識(shí)別和標(biāo)記不同的層(具體而言是相同材料的多個(gè)層被設(shè)置為彼此相鄰)。除非另外指出，否則出于這些目的包括了層間的任何間隙，并且并不是要代表最終組件中的間隙或空隙。

圖1A示出了組件100，組件100可以包括非氟化的石墨烯的層106和氟化的石墨烯的層104，非氟化的石墨烯可以保留其導(dǎo)電特性并且從而可用于傳導(dǎo)電荷或自旋電流，氟化的石墨烯是絕緣的并且可以用作場(chǎng)效應(yīng)柵極的電介質(zhì)材料。柵極102可以形成在氟化的石墨烯的層104上。柵極電極材料可以由任何適合的導(dǎo)電材料組成，這些導(dǎo)電材料包括例如諸如功函數(shù)金屬之類(lèi)的一種或多種金屬。氟化的石墨烯的層104可以在不降低非氟化的石墨烯的層106的導(dǎo)電特性的情況下允許形成柵極。以這種方式，可以將石墨烯與材料界面接合，并且將石墨烯并入到器件中，同時(shí)通過(guò)使用一個(gè)或多個(gè)氟化的石墨烯層作為界面來(lái)維持非氟化的石墨烯層的期望的導(dǎo)電性。此外，氟化的石墨烯層可以提供原子級(jí)薄的并且規(guī)避在石墨烯上沉積針孔自由高質(zhì)量電介質(zhì)時(shí)遇到的典型問(wèn)題的針孔自由電介質(zhì)材料和/或界面。

圖1B示出了另一種組件110。組件110可以包括非氟化的石墨烯層119。非氟化的石墨烯層119可以保留其導(dǎo)電特性并且從而可用于傳導(dǎo)電荷或自旋電流。組件110還可以包括氟化的石墨烯的多個(gè)層114、116、118。層114、116、118可以各自地沉積和氟化或單獨(dú)地氟化并且隨后被耦合為以下針對(duì)圖6-8而詳細(xì)討論的。組件110還可以包括柵極112。柵極112可以類(lèi)似于以上所討論的柵極102。

圖1C示出了組件120。組件120可以包括三個(gè)非氟化的層129、128、126。非氟化的石墨烯層129、128、126可以保留它們的導(dǎo)電特性并且從而可用于傳導(dǎo)電荷或自旋電流。與先前的實(shí)施例相比，附加的非氟化的石墨烯層的出現(xiàn)可以增加組件的電荷或自旋承載能力。組件120還可以包括氟化的石墨烯124的層。組件120還可以包括柵極122。柵極122可以類(lèi)似于以上所討論的柵極102。

圖1D示出了組件130。組件130還可以包括兩個(gè)非氟化的層139、138。非氟化的石墨烯層139、138可以保留它們的導(dǎo)電特性并且從而可用于傳導(dǎo)電荷或自旋電流。與一些先前的實(shí)施例相比，附加的非氟化的石墨烯層的出現(xiàn)可以增加組件的電荷承載能力。組件130還可以包括氟化的石墨烯的兩個(gè)層136、134。組件130還可以包括柵極132。柵極132可以類(lèi)似于以上所討論的柵極102。盡管示出了兩個(gè)非氟化的石墨烯層139、138，但還可以包括附加的非氟化的石墨烯層。

圖1E示出了組件140。組件140可以包括非氟化的石墨烯層149。非氟化的石墨烯層149可以保留其導(dǎo)電特性并且從而可用于傳導(dǎo)電荷或自旋電流。組件140還可以包括氟化的石墨烯的三個(gè)層148、146、144。組件140還可以包括柵極。與以上所討論的柵極不同，柵極可以由非氟化的石墨烯的一個(gè)或多個(gè)層形成。在這個(gè)實(shí)例中，示出了三個(gè)層152、154、156，但可以利用更少或更多的層。以這種方式，可以由石墨烯形成垂直隧穿的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，借此可以通過(guò)調(diào)節(jié)載流子密度來(lái)調(diào)制隧穿電流或通過(guò)以與另一個(gè)柵極(未示出)靜電的方式或以化學(xué)的方式調(diào)節(jié)載流子濃度來(lái)調(diào)制非氟化的石墨烯層149或石墨烯柵極(在該實(shí)例中包括層152、154、156)中的任一者或兩者。盡管以特定的布置示出，但由一個(gè)或多個(gè)石墨烯層形成的柵極可以并入到任何數(shù)量的組件中，包括但不限于組件100、110、120、130。此外，其它組件構(gòu)造是可能的，包括與特定示出和討論的那些組件相比具有更多或更少石墨烯(氟化和非氟化兩者)的組件。非氟化的石墨烯層149可以在管芯制造過(guò)程期間形成在管芯的襯底或另一層上或耦合到管芯的襯底或另一層。

圖2A-B示出了根據(jù)一些實(shí)施例的包含其它電介質(zhì)材料的石墨烯組件的截面?zhèn)纫晥D。在這些實(shí)施例中，可以利用氟化的石墨烯層來(lái)將非氟化的石墨烯層與其它電介質(zhì)材料界面接合，同時(shí)維持非氟化的石墨烯層的期望的導(dǎo)電特性。

圖2A示出了組件200。組件200可以包括非氟化的石墨烯層208。如上所討論的，非氟化的石墨烯層208可以用于承載電荷或自旋電流。盡管被示出為單個(gè)非氟化的石墨烯層208，但在一些實(shí)施例中可以包括附加的非氟化的石墨烯層，例如以增加組件200的電荷或自旋承載能力。組件200還可以包括氟化的石墨烯層206。氟化的石墨烯層206可以起非氟化的石墨烯層208與電介質(zhì)材料204之間的界面的作用。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，電介質(zhì)材料204可以是由諸如二氧化硅(SiO₂)或高k材料之類(lèi)的材料形成的柵極電介質(zhì)?？梢栽跂艠O電介質(zhì)層中使用的高k材料的示例包括但不限于：氧化鉿、鉿硅氧化物、氧化鑭、鑭鋁氧化物、氧化鋯、鋯硅氧化物、氧化鉭、氧化鈦、鋇鍶鈦氧化物、鋇鈦氧化物、鍶鈦氧化物、氧化釔、氧化鋁、鉛鈧鉭氧化物、以及鈮鋅酸鉛。組件200還可以包含柵極202。柵極202可以類(lèi)似于柵極102并且由如以上所討論的柵極電極材料形成。替代地，柵極202可以由先前所討論的一層或多層的非氟化的石墨烯形成并且在圖2B中示出。因此，提供氟化的石墨烯層206可以允許許多其它的電介質(zhì)材料被利用，同時(shí)維持非氟化的石墨烯層208的導(dǎo)電特性。此外，氟化的石墨烯層可以提供原子級(jí)薄的并且規(guī)避在石墨烯上沉積高質(zhì)量電介質(zhì)材料時(shí)遇到的典型問(wèn)題的針孔自由界面。

圖2B示出了組件220。組件220可以類(lèi)似于組件200，但在這個(gè)實(shí)例中被示出有由非氟化的石墨烯的三個(gè)層222、224、226形成的柵極。如此，氟化的石墨烯228的附加層可以被包括以用作柵極(具體而言為層226)與電介質(zhì)材料230之間的界面。類(lèi)似于組件200，組件220可以包括非氟化的石墨烯層234。如以上所討論的，非氟化的石墨烯層234可以用于承載電荷或自旋電流。盡管被示出為單個(gè)非氟化的石墨烯層234，但在一些實(shí)施例中可以包括附加的非氟化的石墨烯層，例如以增加組件220的電荷或自旋承載能力。組件220還可以包括氟化的石墨烯層232。氟化的石墨烯層232可以起非氟化的石墨烯層234與電介質(zhì)材料230之間的界面的作用。電介質(zhì)材料230可以類(lèi)似于以上所討論的電介質(zhì)材料204。因此，可以通過(guò)包括氟化的石墨烯作為柵極與電介質(zhì)材料之間的界面來(lái)利用由一層或多層的非氟化的石墨烯形成的柵極。盡管示出了具體的布置，但其它的變化可以包括氟化或非氟化的石墨烯的附加層。

圖3A-B示出了在溝道或互連結(jié)構(gòu)中使用的石墨烯組件的截面?zhèn)纫晥D。圖3A示出了組件300。組件300可以包括非氟化的石墨烯層308。在一些實(shí)施例中，非氟化的石墨烯層308可以用作溝道或互連件。盡管示出了單個(gè)非氟化的石墨烯層308，但可以如先前所討論地包括非氟化的石墨烯的多個(gè)層。組件300還可以包括氟化的石墨烯層306。氟化的石墨烯層306可以設(shè)置在非氟化的石墨烯層308上。氟化的石墨烯層306可以提供非氟化的石墨烯層308與電介質(zhì)材料304之間的界面。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)材料可以包括具有或不具有氟和/或碳摻雜以用于減小介電常數(shù)的SiO2。另外，低k互連電介質(zhì)可以是多孔的，具有不同程度的多孔性以減小介電常數(shù)。細(xì)孔可以是有序的或無(wú)序的并且可以由低k成孔劑或空氣組成。在100％多孔性的實(shí)例中，低k電介質(zhì)材料可以由空氣組成，在實(shí)施方式中常常被稱(chēng)為空氣間隙。電介質(zhì)材料304可以幫助防止相鄰的電荷承載部件(例如相鄰的互連結(jié)構(gòu))之間的交叉串?dāng)_或電容問(wèn)題。組件300還可以包括互連件320。互連件320可以由導(dǎo)電材料(例如金屬或非氟化的石墨烯)形成以如下詳細(xì)討論地按照路線發(fā)送電信號(hào)。因此，在一些實(shí)施例中，氟化的石墨烯層(例如，306)的使用可以允許非氟化的石墨烯在互連結(jié)構(gòu)中被利用并且與其它互連材料界面接合，其它互連材料包括電介質(zhì)(例如，304)和其它導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)，例如其它金屬或其它非氟化的石墨烯互連件(例如，320)。

圖3B示出了組件320。組件320示出了可以由氟化的石墨烯和電介質(zhì)材料的組合分隔開(kāi)的兩個(gè)多層非氟化的石墨烯結(jié)構(gòu)。以這種方式，可以使用石墨烯作為互連布置中的初級(jí)導(dǎo)體。組件320可以包括多個(gè)非氟化的石墨烯層338、336、334。如先前所討論的，使用多個(gè)層可以增加電荷或自旋承載能力。氟化的石墨烯層338、336、334可以用作溝道或互連件。組件320還可以包括氟化的石墨烯層332。氟化的石墨烯層332可以用作非氟化的石墨烯層338、336、334與電介質(zhì)材料330之間的界面。電介質(zhì)材料330可以類(lèi)似于以上針對(duì)圖3A所討論的電介質(zhì)材料304?？梢园ǖ诙氖?26以在電介質(zhì)材料328與電介質(zhì)材料328的另一側(cè)上的非氟化的石墨烯層之間進(jìn)行界面接合?？梢园ǜ郊拥姆欠氖?26、324、322以形成附加的互連結(jié)構(gòu)。因此，在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)電介質(zhì)材料304將石墨烯互連件彼此分隔開(kāi)，而氟化的石墨烯的界面層(333、328)位于電介質(zhì)材料304與互連件的非氟化的石墨烯層之間。因此，可以將各種電介質(zhì)材料與石墨烯互連件一起使用，同時(shí)維持非氟化的石墨烯的期望的導(dǎo)電特性。

圖4A-C示出了用作隧穿屏障的石墨烯和氟化的石墨烯的截面?zhèn)纫晥D，例如在橫向局部或非局部自旋閥器件中。圖4A示出了組件400，組件400包括兩個(gè)柵極電極402、404。柵極電極402、404可以類(lèi)似于先前所討論的柵極電極，并且在基于自旋的器件的情況下將可能由鐵磁金屬或由能夠相對(duì)于彼此注入更多的一種自旋類(lèi)型的電子的其它材料組成。組件400還可以包括氟化的石墨烯406的層，而非氟化的石墨烯408、410位于與柵極電極402、404相鄰。可以通過(guò)在對(duì)層406進(jìn)行氟化之前形成柵極電極402、404來(lái)形成這個(gè)布置。以這種方式，柵極電極402、404在氟化操作期間可以用作區(qū)域408、410的掩模，從而防止區(qū)域408和410變成氟化的。組件400還可以包括非氟化的石墨烯層412。非氟化的石墨烯層412可以用作基于電荷的晶體管器件或基于自旋的局部或非局部自旋閥器件的電荷或自旋溝道。

圖4B示出了組件420，組件420包括兩個(gè)柵極電極422、424。柵極電極422、424可以類(lèi)似于先前所討論的柵極電極。類(lèi)似于圖4A的組件400，組件420還可以包括氟化的石墨烯426的層，而非氟化的石墨烯428、430的區(qū)域位于與柵極電極422、424相鄰。這個(gè)布置可以被形成為以上參考圖4A所討論的。不同的是，組件400、組件420不包括非氟化的石墨烯層。相反，組件420可以包括導(dǎo)電材料432的層。導(dǎo)電材料432可以包括用于自旋溝道的諸如Si之類(lèi)的半導(dǎo)體、或用于自旋溝道的諸如Cu之類(lèi)的金屬或用于自旋溝道的諸如MoS2之類(lèi)的另一種2D材料。導(dǎo)電材料432可以用作基于電荷的晶體管或基于自旋的局部或非局部自旋閥器件的電荷或自旋溝道。因此，在一些實(shí)施例中，石墨烯(氟化或非氟化的)可以用作隧穿屏障，即使其它材料被用于形成溝道。

圖4C示出了組件440，組件440包括兩個(gè)柵極電極442、444。柵極電極442、444可以類(lèi)似于先前所討論的柵極電極，并且在基于自旋的器件的情況下將可能由鐵磁金屬或由能夠相對(duì)于彼此注入更多的一種自旋類(lèi)型的電子的其它材料組成。組件440還可以包括氟化的石墨烯446的層，其位于與柵極電極442、444相鄰。與圖4A的組件400不同，在組件440中，對(duì)與柵極電極442、444相鄰的區(qū)域449和450進(jìn)行氟化。以這種方式，層446的氟化的石墨烯可以形成器件的隧穿屏障?？梢酝ㄟ^(guò)在對(duì)層446進(jìn)行氟化之后形成柵極電極442、444來(lái)形成這個(gè)布置。組件440還可以包括非氟化的石墨烯層452。非氟化的石墨烯層452可以用作基于電荷的晶體管器件或基于自旋的局部或非局部閥器件的電荷或自旋溝道。

圖5示出了根據(jù)一些實(shí)施例的集成電路(IC)組件500的截面?zhèn)纫晥D。在一些實(shí)施例中，IC組件500可以包括與封裝襯底521電耦合和/或物理耦合的一個(gè)或多個(gè)管芯(在下文中為“管芯502”)。在一些實(shí)施例中，如可以看出的，封裝襯底521可以與電路板522電耦合。

管芯502可以代表使用半導(dǎo)體制造技術(shù)(例如，結(jié)合形成CMOS器件所使用的薄膜沉積、光刻、蝕刻等)由半導(dǎo)體材料(例如，硅)制成的分立產(chǎn)品。在一些實(shí)施例中，管芯502可以是一些實(shí)施例中的處理器、存儲(chǔ)器、SoC或ASIC；可以包括一些實(shí)施例中的處理器、存儲(chǔ)器、SoC或ASIC；或可以是一些實(shí)施例中的處理器、存儲(chǔ)器、SoC或ASIC的部分。在一些實(shí)施例中，電絕緣材料(例如，模塑料或底部填充材料)(未示出)可以密封管芯502和/或管芯級(jí)互連結(jié)構(gòu)506的至少一部分。

根據(jù)各種各樣的適合的構(gòu)造，管芯502可以附接到封裝襯底521，例如如所描繪的以倒裝芯片的構(gòu)造與封裝襯底521直接耦合。在倒裝芯片的構(gòu)造中，使用管芯級(jí)互連結(jié)構(gòu)506(例如，凸塊、柱體、或其它適合的結(jié)構(gòu))將包括電路的管芯502的有源側(cè)S1附接到封裝襯底521的表面，管芯級(jí)互連結(jié)構(gòu)506還可以將管芯502與封裝襯底521電耦合。管芯502的有源側(cè)S1可以包括如本文中所述的多閾值電壓晶體管器件。如可以看出的，無(wú)源側(cè)S2可以被設(shè)置為與有源側(cè)S1相對(duì)。

管芯102通?？梢园ò雽?dǎo)體襯底502a、一個(gè)或多個(gè)器件層(在下文中為“器件層502b”)、以及一個(gè)或多個(gè)互連層(在下文中為“互連層502c”)。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底502a大體上可以由體半導(dǎo)體材料(例如，硅)組成。器件層502b可以代表諸如晶體管器件之類(lèi)的有源器件形成在半導(dǎo)體襯底上的區(qū)域。器件層502b可以包括例如諸如石墨烯組件(例如，以上所討論的100、110、120、130、140、200、210)之類(lèi)的結(jié)構(gòu)和/或晶體管器件的源極/漏極區(qū)域。互連層502c可以包括互連結(jié)構(gòu)，互連結(jié)構(gòu)被配置為在器件層502b中往返于有源器件(其可以是基于電荷或自旋的器件)按照路線發(fā)送電信號(hào)或自旋信息。例如，互連層502c可以包括溝槽和/或過(guò)孔以提供電氣布線和/或接觸部。在一些實(shí)施例中，諸如300、320之類(lèi)的組件可以被用作互連結(jié)構(gòu)并且被形成為互連層502c的部分。如各個(gè)先前的附圖中所示的柵極電極結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在器件層502b的晶體管器件與互連層502c的互連結(jié)構(gòu)之間并且將器件層502b的晶體管器件與互連層502c的互連結(jié)構(gòu)電耦合。

在一些實(shí)施例中，管芯級(jí)互連結(jié)構(gòu)506可以被配置為在管芯502與其它電器件之間按照路線發(fā)送電信號(hào)。電信號(hào)可以包括例如結(jié)合管芯502的操作所使用的輸入/輸出(I/O)信號(hào)和/或電源/接地信號(hào)。

在一些實(shí)施例中，封裝襯底521是基于環(huán)氧樹(shù)脂的層壓襯底，其具有核和/或內(nèi)建層，例如味之素(Ajinomoto)內(nèi)建膜(ABF)襯底。在其它實(shí)施例中，封裝襯底521可以包括其它適合的類(lèi)型的襯底，包括例如由玻璃、陶瓷、或半導(dǎo)體材料形成的襯底。

封裝襯底521可以包括被配置為往返于管芯502按照路線發(fā)送電信號(hào)的電氣布線特征。電氣布線特征可以包括例如設(shè)置在封裝襯底521的一個(gè)或多個(gè)表面上的焊盤(pán)或跡線(未示出)和/或內(nèi)部布線特征(未示出)(例如，溝槽、過(guò)孔或其它互連結(jié)構(gòu))以按照路線發(fā)送電信號(hào)穿過(guò)封裝襯底521。例如，在一些實(shí)施例中，封裝襯底521可以包括諸如焊盤(pán)(未示出)的電布線特征，例如被配置為接收管芯502的相應(yīng)管芯級(jí)互連結(jié)構(gòu)506。

電路板522可以是由諸如環(huán)氧樹(shù)脂層壓件之類(lèi)的電絕緣材料組成的印刷電路板(PCB)。例如，電路板522可以包括由例如以下材料組成的電絕緣層：聚四氟乙烯；諸如阻燃劑4(FR-4)、FR-1、棉紙之類(lèi)的酚醛棉紙材料；以及諸如CEM-1或CEM-3或使用環(huán)氧樹(shù)脂預(yù)浸材料層壓在一起的玻璃織物材料之類(lèi)的環(huán)氧材料。可以穿過(guò)電絕緣層形成諸如跡線、溝槽、或過(guò)孔之類(lèi)的互連結(jié)構(gòu)(未示出)以將管芯502的電信號(hào)按照路線發(fā)送穿過(guò)電路板522。在其它實(shí)施例中，電路板522可以由其它適合的材料組成。在一些實(shí)施例中，電路板522是母板(例如，圖9的母板902)。

諸如焊球512之類(lèi)的封裝級(jí)互連件可以耦合到封裝襯底521上和/或電路板522上的一個(gè)或多個(gè)焊盤(pán)(在下文中為“焊盤(pán)510”)以形成相對(duì)應(yīng)的焊接接頭，所述焊接接頭被配置為在封裝襯底521與電路板522之間進(jìn)一步按照路線發(fā)送電信號(hào)。焊盤(pán)510可以由諸如金屬之類(lèi)的任何適合的導(dǎo)電材料組成，金屬包括例如：鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、以及其組合。在其它實(shí)施例中，可以使用將封裝襯底521與電路板522物理耦合和/或電耦合的其它適合的技術(shù)。

在其它實(shí)施例中，IC組件500可以包括各種各樣的其它適合的構(gòu)造，例如倒裝芯片和/或引線鍵合構(gòu)造、內(nèi)插器、包括系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的多芯片封裝構(gòu)造和/或?qū)盈B封裝(PoP)構(gòu)造的適合的組合。在一些實(shí)施例中，可以使用在管芯502與IC組件500的其它部件之間按照路線發(fā)送電信號(hào)的其它適合的技術(shù)。

圖6示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造石墨烯組件的方法600的流程圖。方法600可以在602開(kāi)始，在602中提供包括至少第一層和第二層的多層疊置體，第一層和第二層均包括石墨烯。這可以包括通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)將包括石墨烯的第二層沉積在襯底上并且將包括石墨烯的第一層耦合到包括石墨烯的第二層。在一些實(shí)例中，這可以包括通過(guò)CVD生長(zhǎng)石墨烯層并且隨后通過(guò)濕法或干法轉(zhuǎn)移方法轉(zhuǎn)移到最終目標(biāo)襯底。這可以包括在具有多個(gè)轉(zhuǎn)移的單獨(dú)生長(zhǎng)襯底上的單層石墨烯生長(zhǎng)，以在目標(biāo)襯底上建立多層疊置體。在其它實(shí)施例中，這可以包括在具有單個(gè)轉(zhuǎn)移步驟的單獨(dú)生長(zhǎng)襯底上的多層石墨烯生長(zhǎng)到目標(biāo)襯底。在一些實(shí)施例中，該操作可以包括石墨烯在目標(biāo)襯底上的直接生長(zhǎng)。此外，可以結(jié)合這樣的技術(shù)以形成與以上所討論的各個(gè)實(shí)施例一致的石墨烯層的疊置體。

方法600可以在604繼續(xù)，在604中對(duì)暴露的石墨烯疊置體的最頂層的石墨烯進(jìn)行氟化。這可以包括將頂層暴露于包括氟的材料，這些材料包括但不限于氟化氙(XeF₂)或氟化碳(CF₄)、CHF3、或SF6等離子體。在一些實(shí)施例中，操作604可以?xún)H對(duì)石墨烯的最頂層進(jìn)行氟化以便于在氟化的最頂石墨烯層下面留下非氟化的石墨烯層的多層疊置體。例如，在形成圖1C的組件120中，在對(duì)層124、126、128、和129的疊置體執(zhí)行操作604之后三個(gè)非氟化的層126、128、和129保留，在這種情況下在沒(méi)有對(duì)底部三個(gè)層126、128、和129中的任一層進(jìn)行氟化的情況下對(duì)最頂層124進(jìn)行氟化。對(duì)于需要多于一個(gè)的氟化的石墨烯層的實(shí)施例，例如圖1E，執(zhí)行操作606并且隨后如果需要的話執(zhí)行操作608以便于對(duì)最頂層(即，146)進(jìn)行氟化。以這種方式，通過(guò)重復(fù)操作606并且如果需要的話重復(fù)608，組件140可以逐層建立。如此通過(guò)選擇性地略過(guò)或重復(fù)某些操作，可以形成具有各種各樣的結(jié)構(gòu)和不同數(shù)量的層的石墨烯組件。

方法600可以在606繼續(xù)，在606中將包括石墨烯的附加層耦合到第一層。方法600可以在608繼續(xù)，在608中對(duì)附加層的石墨烯進(jìn)行氟化。這可以包括將附加層暴露于包括氟的材料，這些材料包括但不限于氟化氙(XeF₂)或氟化碳(CF₄)。如果需要的話可以重復(fù)操作606和608以形成如所期望的附加的非氟化或氟化的石墨烯層。在其它實(shí)施例中，如以下所討論的，在耦合之前可以對(duì)層進(jìn)行氟化以使得氟化的石墨烯層可以耦合到多層疊置體的氟化或非氟化層。

圖7示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造石墨烯組件的方法700的流程圖。方法700可以在702開(kāi)始，在702中提供包括至少第一層和第二層的多層疊置體，第一層和第二層均包括石墨烯。如以上參考圖6所討論的，這可以包括通過(guò)化學(xué)氣相沉積在襯底上沉積包括石墨烯的第二層；并且將包括石墨烯的第一層耦合到包括石墨烯的第二層。

方法700可以在704繼續(xù)，在704中對(duì)第一層的石墨烯進(jìn)行氟化。這可以包括將頂層暴露于包括氟的材料，這些材料包括但不限于氟化氙(XeF₂)或氟化碳(CF₄)。在一些實(shí)施例中，如上所討論的，可以不完成操作704以留下非氟化的石墨烯層的多層疊置體。

方法700可以在706繼續(xù)，在706中將包括氟化的石墨烯的附加層耦合到第一層。這可以包括將多于一個(gè)的包括氟化的石墨烯的附加層耦合到第一層。例如，當(dāng)完成操作704時(shí)，隨后在操作706對(duì)包括氟化的石墨烯的兩個(gè)層進(jìn)行耦合，可以形成圖1B的組件110中所示的多層疊置體。替代地，如果不完成操作704，以使得在操作702之后，在操作706中對(duì)包括氟化的石墨烯的兩個(gè)層進(jìn)行耦合，可以形成圖1D的組件130中所示的多層疊置體。在一些實(shí)例中，在將石墨烯耦合到多層多層疊置體之前可以更有效地對(duì)石墨烯進(jìn)行氟化。例如，可以在相同的過(guò)程(與一次建立一層相對(duì)的)期間通過(guò)將兩側(cè)(例如，兩層)都暴露于包含氟的材料來(lái)同時(shí)對(duì)石墨烯的兩個(gè)層進(jìn)行氟化。因此，在使用氟化的石墨烯的多個(gè)層的實(shí)例中，單獨(dú)地形成氟化的石墨烯的疊置體(例如，兩個(gè)層)可以是有用的，所述疊置體繼而可以耦合到包含氟化或非氟化的石墨烯層的不同疊置體。這個(gè)技術(shù)可以用于形成和耦合諸如圖1B的層114、116、圖1D的層134、136、以及圖1E的層144、146之類(lèi)的層。

圖8示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造石墨烯組件的方法800的流程圖。方法800可以在802開(kāi)始，在802中提供包括至少第一層和第二層的多層疊置體，第一層和第二層均包括石墨烯。如以上參考圖6所討論的，這可以包括通過(guò)化學(xué)氣相沉積在襯底上沉積包括石墨烯的第二層；并且將包括石墨烯的第一層耦合到包括石墨烯的第二層。

方法800可以在804繼續(xù)，在804中在第一層上沉積導(dǎo)電材料。這可以包括沉積柵極電極材料以形成晶體管器件的柵極。柵極電極材料可以由任何適合的導(dǎo)電材料組成，包括例如諸如功函數(shù)金屬之類(lèi)的一種或多種金屬。

方法800可以在806繼續(xù)，在806中選擇性地去除導(dǎo)電材料的部分以暴露第一層的一個(gè)或多個(gè)部分。這可以包括光學(xué)工藝和/或蝕刻工藝或任何其它適合的技術(shù)。

方法800可以在808繼續(xù)，在808中對(duì)最頂層的暴露的石墨烯進(jìn)行氟化。這可以類(lèi)似于先前所討論的其它氟化操作。在這個(gè)實(shí)例中，可以?xún)H對(duì)第一層的暴露的部分進(jìn)行氟化，從而留下第一層被非氟化的導(dǎo)電材料覆蓋的部分。以這種方式，導(dǎo)電材料可以用作氟化操作的掩模。這可以提供用于在柵極與非氟化的石墨烯層(例如，圖4A中的412)之間形成石墨烯隧穿屏障(例如，圖4A中的408、410)的技術(shù)。非氟化的石墨烯層(例如，圖4A中的412)可以相應(yīng)地用作基于電荷的或基于自旋的器件的電荷溝道或自旋溝道。

圖9示意性地示出了根據(jù)一些實(shí)施例的可以包括如本文中所述的石墨烯組件或包含石墨烯組件的管芯的示例性系統(tǒng)(例如，計(jì)算設(shè)備900)。母板902可以包括多個(gè)部件，包括但不限于處理器904和至少一個(gè)通信芯片906。處理器904可以物理地和電氣地耦合到母板902。在一些實(shí)施方式中，至少一個(gè)通信芯片906也可以物理地和電氣地耦合到母板902。在其它的實(shí)施方式中，通信芯片906可以是處理器904的部分。

根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算設(shè)備900可以包括可以或可以不物理地和電氣地耦合到母板902的其它部件。這些其它部件可以包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如，DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如，ROM)、閃速存儲(chǔ)器、圖形處理器、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼處理器、芯片組、天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤(pán)、蓋革計(jì)數(shù)器、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、照相機(jī)、以及大容量存儲(chǔ)設(shè)備(例如，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、光盤(pán)(CD)、數(shù)字通用盤(pán)(DVD)等)。

通信芯片906可以實(shí)現(xiàn)用于數(shù)據(jù)往返計(jì)算設(shè)備900的傳輸?shù)臒o(wú)線通信。術(shù)語(yǔ)“無(wú)線”及其派生詞可以用于描述可以通過(guò)使用經(jīng)調(diào)制電磁輻射來(lái)經(jīng)由非固體介質(zhì)傳遞數(shù)據(jù)的電路、設(shè)備、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語(yǔ)并不暗示相關(guān)聯(lián)的設(shè)備不包含任何導(dǎo)線，雖然在一些實(shí)施例中它們可以不包含導(dǎo)線。通信芯片906可以實(shí)現(xiàn)多種無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任何標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議，包括但不限于電氣與電子工程師(IEEE)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)，包括Wi-Fi(IEEE 802.11系列)、IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)(例如，IEEE 802.16-2005修訂)、長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE)計(jì)劃連同任何修訂、更新、和/或修正(例如，高級(jí)LTE計(jì)劃、超移動(dòng)寬帶(UMB)計(jì)劃(也被稱(chēng)為“3GPP2”)等)。與IEEE 802.16兼容的寬帶無(wú)線接入(BWA)網(wǎng)絡(luò)通常被稱(chēng)為WiMAX網(wǎng)絡(luò)，即代表微波接入的全球互操作性的首字母縮略詞，其為通過(guò)IEEE 802.16標(biāo)準(zhǔn)的一致性和互操作性測(cè)試的產(chǎn)品的證明標(biāo)志。通信芯片906可以根據(jù)全球移動(dòng)通信(GSM)系統(tǒng)、通用分組無(wú)線服務(wù)(GPRS)、通用移動(dòng)電信系統(tǒng)(UMTS)、高速分組接入(HSPA)、演進(jìn)的HSPA(E-HSPA)、或LTE網(wǎng)絡(luò)來(lái)進(jìn)行操作。通信芯片906可以根據(jù)增強(qiáng)數(shù)據(jù)的GSM演進(jìn)(EDGE)、GSM EDGE無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)(GERAN)、通用陸地?zé)o線接入網(wǎng)絡(luò)(UTRAN)、或演進(jìn)的UTRAN(E-UTRAN)來(lái)進(jìn)行操作。通信芯片906可以根據(jù)碼分多址接入(CDMA)、時(shí)分多址接入(TDMA)、數(shù)字增強(qiáng)無(wú)繩電信(DECT)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-DO)、其派生物、以及被指定為3G、4G、5G和更高代的任何其它無(wú)線協(xié)議來(lái)進(jìn)行操作。在其它實(shí)施例中，通信芯片906可以根據(jù)其它無(wú)線協(xié)議來(lái)進(jìn)行操作。

計(jì)算設(shè)備900可以包括多個(gè)通信芯片906。例如，第一通信芯片906可以專(zhuān)用于較短距離的無(wú)線通信，例如Wi-Fi和藍(lán)牙；并且第二通信芯片906可以專(zhuān)用于較長(zhǎng)距離無(wú)線通信，例如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO等。

根據(jù)一些實(shí)施例，計(jì)算設(shè)備900的處理器904可以包括如本文中所述的石墨烯組件或包含石墨烯組件的管芯。例如，圖5的管芯502可以安裝在封裝組件中，所述封裝組件安裝在母板902上。術(shù)語(yǔ)“處理器”可以指代處理例如來(lái)自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成可以存儲(chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何設(shè)備或設(shè)備的部分。

根據(jù)一些實(shí)施例，通信芯片906還可以包括如本文中所述的石墨烯組件或包含石墨烯組件的管芯。在其它的實(shí)施方式中，容納在計(jì)算設(shè)備900內(nèi)的另一種部件(例如，存儲(chǔ)器器件或其它集成電路器件)可以包含如本文中所述的石墨烯組件或包含石墨烯組件的管芯。

在各個(gè)實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備900可以是移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、膝上型電腦、上網(wǎng)本電腦、筆記本電腦、超級(jí)本電腦、智能電話、平板電腦、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超級(jí)移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、桌上型計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂(lè)控制單元、數(shù)字照相機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器、或數(shù)字視頻記錄器。在其它實(shí)施方式中，計(jì)算設(shè)備900可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子設(shè)備。

各種操作以最有助于理解所要求保護(hù)的主題的方式依次被描述為多個(gè)分立的操作。然而，描述的順序不應(yīng)被解釋為暗示這些操作必須是順序相關(guān)的。

示例

以下提供了一些非限制性示例。

示例1包括一種在集成電路中使用的組件，所述組件包括：第一層，所述第一層包括石墨烯；以及第二層，所述第二層包括氟化的石墨烯，所述第二層直接設(shè)置在包括石墨烯的所述第一層上。

示例2包括示例1的組件，其中，包括石墨烯的所述第一層直接設(shè)置在包括石墨烯的第三層上。

示例3包括示例1的組件，還包括第三層，所述第三層包括氟化的石墨烯，所述第三層直接設(shè)置在氟化的石墨烯的所述第二層上。

示例4包括示例1的組件，還包括第三層，所述第三層包括石墨烯，所述第三層直接設(shè)置在氟化的石墨烯的所述第二層上。

示例5包括示例1的組件，還包括設(shè)置在氟化的石墨烯的所述第二層上的電絕緣材料的層。

示例6包括示例5的組件，還包括設(shè)置在電絕緣材料的所述層上的導(dǎo)電材料。

示例7包括示例5的組件，還包括附加層，所述附加層包括氟化的石墨烯，所述附加層設(shè)置在電絕緣材料的所述層上。

示例8包括示例7的組件，還包括附加層，所述附加層包括石墨烯，所述附加層設(shè)置在包括氟化的石墨烯的所述附加層上。

示例9包括一種管芯，所述管芯包括：半導(dǎo)體襯底；包括石墨烯的層，所述包括石墨烯的層設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上；以及包括氟化的石墨烯的層，所述包括氟化的石墨烯的層直接設(shè)置在包括石墨烯的第一層上。

示例10包括示例9的管芯，還包括柵極電極，所述柵極電極設(shè)置在包括氟化的石墨烯的所述層上。

示例11包括示例10的管芯，其中，包括氟化的石墨烯的所述層的被設(shè)置為與所述柵極電極的外表面相鄰的區(qū)域主要包括非氟化的石墨烯。

示例12包括示例10的管芯，還包括柵極電介質(zhì)，所述柵極電介質(zhì)設(shè)置在包括氟化的石墨烯的所述層與所述柵極電極之間。

示例13包括示例11的管芯，其中，所述柵極電介質(zhì)直接設(shè)置在包括氟化的石墨烯的所述層上，所述裝置還包括附加層，所述附加層包括氟化的石墨烯，所述附加層設(shè)置在所述柵極電介質(zhì)與所述柵極電極之間。

示例14包括示例10-13中的任一項(xiàng)的管芯，其中，所述柵極電極由包括石墨烯的至少一個(gè)附加層形成。

示例15包括示例9的管芯，其中，包括石墨烯的所述層用作晶體管器件的溝道，并且包括氟化的石墨烯的所述層用作所述晶體管器件的柵極電介質(zhì)。

示例16包括示例9的管芯，其中：所述管芯包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的器件層；所述器件層包括一個(gè)或多個(gè)晶體管器件；所述管芯包括設(shè)置在所述器件層上的互連層；包括石墨烯的所述層設(shè)置在所述互連層中，并且被配置為對(duì)所述一個(gè)或多個(gè)晶體管器件的電信號(hào)布線。

示例17包括示例16的管芯，還包括低k電介質(zhì)材料，所述低k電介質(zhì)材料設(shè)置在包括氟化的石墨烯的所述層上，其中，所述低k電介質(zhì)材料設(shè)置在包括氟化的石墨烯的所述層與附加互連層之間。

示例18包括一種制造組件的方法，所述方法包括：提供多層疊置體，其包括將石墨烯的第一層直接設(shè)置在包括石墨烯的第二層上；以及對(duì)包括石墨烯的所述第一層的所述石墨烯進(jìn)行氟化。

示例19包括示例18的方法，其中，提供多層疊置體包括：通過(guò)化學(xué)氣相沉積來(lái)在襯底上沉積包括石墨烯的所述第二層；以及將包括石墨烯的所述第一層耦合到包括石墨烯的所述第二層。

示例20包括示例18的方法，還包括：將包括石墨烯的附加層耦合到包括石墨烯的所述第一層。

示例21包括示例20的方法，還包括：對(duì)包括石墨烯的所述附加層的所述石墨烯進(jìn)行氟化。

示例22包括示例18的方法，還包括：將包括氟化的石墨烯的附加層耦合到包括石墨烯的所述第一層。

示例23包括示例18的方法，還包括：在對(duì)所述第一層的所述石墨烯進(jìn)行氟化之前在包括石墨烯的所述第一層上沉積導(dǎo)電材料；以及在對(duì)所述第一層的所述石墨烯進(jìn)行氟化之前選擇性地去除所述導(dǎo)電材料的部分以暴露包括石墨烯的所述第一層的一個(gè)或多個(gè)部分，其中，所述導(dǎo)電材料防止在對(duì)所述第一層的所述石墨烯進(jìn)行所述氟化期間，包括石墨烯的所述第一層被所述導(dǎo)電材料覆蓋的部分被氟化。

示例24包括計(jì)算設(shè)備，包括：電路板；以及與所述電路板耦合的管芯，所述管芯包括：半導(dǎo)體襯底；設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的包括石墨烯的層；以及直接設(shè)置在包括石墨烯的所述層上的包括氟化的石墨烯的層。

示例25包括示例24的計(jì)算設(shè)備，其中，所述管芯是處理器；并且所述計(jì)算設(shè)備是移動(dòng)計(jì)算設(shè)備，所述移動(dòng)計(jì)算設(shè)備包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)：天線、顯示器、觸摸屏顯示器、觸摸屏控制器、電池、音頻編碼解碼器、視頻編碼解碼器、功率放大器、全球定位系統(tǒng)(GPS)設(shè)備、羅盤(pán)、蓋革計(jì)數(shù)器、加速度計(jì)、陀螺儀、揚(yáng)聲器、以及照相機(jī)。

各個(gè)實(shí)施例可以包括以上所述的實(shí)施例的任何適合的組合，以上所述的實(shí)施例包括以結(jié)合形式(和)上文中(例如，“和”可以是“和/或”)所述的實(shí)施例的替代物(或)實(shí)施例。此外，一些實(shí)施例可以包括一個(gè)或多個(gè)制作的物品(例如，非暫態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì))，其具有存儲(chǔ)在其上的指令，在執(zhí)行指令時(shí)產(chǎn)生上述實(shí)施例中的任何實(shí)施例的動(dòng)作。此外，一些實(shí)施例可以包括具有用于實(shí)行以上所述的實(shí)施例的各種操作的任何適合的模塊的裝置或系統(tǒng)。

對(duì)所例示的實(shí)施方式的以上描述(包括在摘要中所述的內(nèi)容)并非旨在是詳盡的或者將本公開(kāi)內(nèi)容地實(shí)施例局限于所公開(kāi)的精確形式。如相關(guān)領(lǐng)域中的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，雖然出于說(shuō)明性目的在本文中描述了具體的實(shí)施方式和示例，但在本公開(kāi)內(nèi)容的范圍內(nèi)的各種等效修改是可能的。

鑒于以上的具體實(shí)施方式，可以對(duì)本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例做出這些修改。在所附權(quán)利要求中所使用的術(shù)語(yǔ)不應(yīng)被解釋為將本公開(kāi)內(nèi)容的各個(gè)實(shí)施例局限于說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中所公開(kāi)的具體的實(shí)施方式。相反，范圍要完全由根據(jù)權(quán)利要求詮釋的建立的原則所解釋的所附權(quán)利要求來(lái)確定。