涂覆顯影裝置和涂覆顯影方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種抑制處理塊的設(shè)置面積并且抑制裝置的工作效率降低的技術(shù)。構(gòu)成具備模式選擇部的涂覆顯影裝置，上述模式選擇部用于在由檢查模塊進行的檢查中檢查出基板異常時，基于存儲在存儲部的數(shù)據(jù)，從模式M1和M2中選擇后續(xù)的基板的搬送模式。上述模式M1，確定顯影處理用的單位塊中處理過基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊，上述模式M2，確定處理過基板的顯影處理用的單位塊，控制交接機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的顯影處理用的單位塊以外的顯影處理用的單位塊。
【專利說明】涂覆顯彭裝直和涂覆顯彭方法
[0001]本申請是2011年7月11日提出的申請?zhí)枮?01110198010.7的分案申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及在基板上涂覆抗蝕劑，進行顯影的涂覆顯影裝置、涂覆顯影方法和存儲介質(zhì)。

【背景技術(shù)】
[0003]在作為半導(dǎo)體制造工序之一的光致抗蝕劑工序中，在半導(dǎo)體晶片(以下，稱為晶片)的表面涂覆抗蝕劑，以規(guī)定圖案曝光該抗蝕劑之后進行顯影，形成抗蝕劑圖案。在形成上述抗蝕劑圖案用的涂覆顯影裝置中，設(shè)置有具備在晶片上進行各種處理用的處理模塊的處理塊。
[0004]處理塊，例如專利文獻I所記載，通過將形成抗蝕劑膜等的各種涂覆膜的單位塊和進行顯影處理的單位塊相互疊層構(gòu)成。晶片依次被交接到各單位塊上設(shè)置的處理模塊接收處理。
[0005]在此，由于形成更細微的圖案，進而使成品率降低，因而設(shè)置在上述處理塊的處理模塊需要多樣化。例如，在晶片上涂覆抗蝕劑的抗蝕劑膜形成模塊和供給顯影液的顯影模塊之外，還存在設(shè)置有對涂覆有抗蝕劑的晶片的背面進行清潔的背面清潔模塊、向抗蝕劑膜的上層供給藥液進一步形成膜的上層用的液處理塊等的情況。研究在將這些各種處理模塊搭載于處理塊的基礎(chǔ)上，如何抑制涂覆顯影裝置的占地面積。
[0006]上述疊層單位塊的結(jié)構(gòu)，用于抑制上述占地面積很有效，但是由于晶片依次向各單位塊搬送，因此I個處理模塊或單位塊發(fā)生異常而進行維修時，就不得不停止涂覆顯影裝置的整個處理。如此，會有裝置的工作效率降低的問題。
[0007]專利文獻
[0008]【專利文獻I】特開2007-115831


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明是在上述事實下完成的，其提供一種能夠抑制處理塊的設(shè)置面積，并且在單位塊發(fā)生異常而進行維修時，能夠抑制涂覆顯影裝置的工作效率降低的技術(shù)。
[0010]本發(fā)明的涂覆顯影裝置，將通過載體搬入到載體塊的基板交接到處理塊，在該處理塊形成包括抗蝕劑膜的涂覆膜之后，通過相對于上述處理塊位于與載體塊相反側(cè)(即:上述處理塊位于上述接口塊與上述載體塊之間)的接口塊搬送到曝光裝置，在上述處理塊對通過上述接口塊返回的曝光后的基板進行顯影處理，并交接到上述載體塊，該涂覆顯影裝置的特征在于，具備:
[0011]a)上述處理塊，其包括:
[0012]將前段(前級)涂覆用的單位塊作為第一前段涂覆用單位塊和第二前段涂覆用單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，上述前段涂覆用的單位塊具備:向基板供給藥液，形成曝光處理所必要的薄膜中的前段薄膜的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；
[0013]將后段(后級)涂覆用的單位塊作為第一后段涂覆用單位塊和第二后段涂覆用單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，該后段涂覆用的單位塊具備:相對于上述前段涂覆用單位塊疊層、向曝光處理所必要的薄膜中的上述前段薄膜上供給藥液而形成后段薄膜的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；和
[0014]將顯影處理用單位塊作為第一顯影處理用的單位塊和第二顯影處理用的單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，該顯影處理用的單位塊具備:相對于上述前段涂覆用單位塊疊層、向基板供給顯影液的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)，
[0015]b)上述前段薄膜和后段薄膜的一方為包括抗蝕劑膜的薄膜，
[0016]c)針對(按照)各單位塊的每個設(shè)置于載體塊一側(cè)的、在與各單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接的交接部，
[0017]d)第一交接機構(gòu)，其用于將基板從載體分配、交接到與前段涂覆用的各單位塊對應(yīng)的上述交接部，并且使基板從顯影處理用的各單位塊的交接部返回載體，并且將通過前段涂覆用的各單位塊處理過的基板交接到與后段涂覆用的各單位塊對應(yīng)的上述交接部，
[0018]e)第二交接機構(gòu)，其用于接收在上述處理塊處理過的曝光前的基板，并將曝光后的基板分配、交接到顯影處理用的單位塊，
[0019]f)對顯影處理后的基板進行檢查的顯影后檢查模塊，
[0020]g)存儲直到檢查對象的基板在上述檢查模塊接收檢查為止，上述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)的存儲部，以及
[0021]h)模式選擇部，其用于在利用上述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，從包括模式Ml和模式M2的顯影后異常應(yīng)對用的模式組中選擇后續(xù)的基板的搬送模式，
[0022]上述模式Ml為如下模式:在顯影處理用的單位塊中，確定處理過被檢測出異常的基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊，
[0023]上述模式M2為如下模式:確定處理過被檢查出異常的基板的顯影處理用的單位塊，控制第二交接機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的顯影處理用的單位塊以外的顯影處理用的單位塊。
[0024]上述涂覆顯影裝置也可以包括如下模式。
[0025]上述模式M3:在顯影處理用的單位塊和前段涂覆用的單位塊中，確定處理過檢查出異常的基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊。
[0026]上述模式M4:在顯影處理用的單位塊、前段涂覆用的單位塊和后段涂覆用的單位塊中，確定處理過檢查出異常的基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊。
[0027]上述模式M5:確定處理過檢查出異常的基板的顯影處理用的單位塊和前段涂覆用的單位塊，控制第二交接機構(gòu)的動作，將后續(xù)的基板搬送到所確定的單位塊以外的單位塊。
[0028]上述模式M6:確定處理過檢查出異常的基板的顯影處理用的單位塊、前段涂覆用的單位塊和后段涂覆用的單位塊，控制第二交接機構(gòu)的動作，將后續(xù)的基板搬送到所確定的單位塊以外的單位塊。
[0029]涂覆顯影裝置還可以具備:形成抗蝕劑膜之后，對曝光前的基板進行檢查的涂覆后檢查模塊；
[0030]存儲直到檢查對象的基板在上述涂覆后檢查模塊接收檢查為止搬送過的該檢查對象的基板的路徑的數(shù)據(jù)的存儲部；和
[0031]模式選擇部，其用于當利用上述涂覆后檢查模塊進行的檢查中檢查出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，從包括模式NI和模式N2的涂覆后異常應(yīng)對用的模式組中選擇后續(xù)的基板的搬送模式，
[0032]上述模式NI為如下模式:在至少包括形成抗蝕劑膜的液處理模塊的單位塊中，確定處理過被檢查出異常的基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊，
[0033]上述模式N2為如下模式:在至少包括形成抗蝕劑膜的液處理模塊的單位塊中，確定處理過被檢查出異常的基板的單位塊，控制第二交接機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的單位塊以外的單位塊。
[0034]各單位塊，例如為如下結(jié)構(gòu)。
[0035](I)前段涂覆用的單位塊具備:向基板供給藥液，形成下層側(cè)的防反射膜的下層用的液處理模塊；向上述防反射膜上供給抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的涂覆模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用搬送機構(gòu)，
[0036]后段涂覆用的單位塊具備:向形成有抗蝕劑膜的基板供給藥液，形成上層側(cè)的膜的上層用的液處理模塊；用于對形成有抗蝕劑膜的基板進行曝光前的前處理的前處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；為了在這些模塊之間搬送基板，在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)。
[0037](2)前段涂覆用的單位塊具備:向基板供給藥液，形成下層側(cè)的防反射膜的下層用的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)，
[0038]后段涂覆用的單位塊具備:供給抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)。
[0039](3)將上層用的單位塊作為第一上層用單位塊和第二上層用單位塊上下地二層化并相互疊層，將由此而形成的部件與上述后段涂覆用的單位塊疊層，上述上層用的單位塊具備:向形成有抗蝕劑膜的基板供給藥液形成上層側(cè)的膜的上層用的液處理模塊；用于對形成有抗蝕劑膜的基板進行曝光前的前處理的前處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)。
[0040]本發(fā)明的涂覆顯影方法，其利用涂覆顯影裝置，該涂覆顯影裝置將通過載體搬入到載體塊的基板交接到處理塊，在該處理塊形成包括抗蝕劑膜的涂覆膜之后，通過相對于上述處理塊位于與載體塊相反側(cè)的接口塊搬送到曝光裝置，在上述處理塊對通過上述接口塊返回的曝光后的基板進行顯影處理，并交接到上述載體塊，上述涂覆顯影裝置具備:
[0041 ] a)上述處理塊，其包括:
[0042]將前段涂覆用的單位塊作為第一前段涂覆用單位塊和第二前段涂覆用單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，上述前段涂覆用的單位塊具備:向基板供給藥液，形成曝光處理所必要的薄膜中的前段薄膜的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；
[0043]將后段涂覆用的單位塊作為第一后段涂覆用單位塊和第二后段涂覆用單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，該后段涂覆用的單位塊具備:與上述前段涂覆用單位塊疊層、向曝光處理所必要的薄膜中的上述前段薄膜上供給藥液而形成后段薄膜的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；和
[0044]將顯影處理用單位塊作為第一顯影處理用的單位塊和第二顯影處理用的單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，該顯影處理用的單位塊具備:與上述前段涂覆用單位塊疊層、向基板供給顯影液的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)，
[0045]b)上述前段薄膜和后段薄膜的一方為包括抗蝕劑膜的薄膜，
[0046]c)針對各單位塊的每個設(shè)置于載體塊一側(cè)的、在與各單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接的交接部，
[0047]d)第一交接機構(gòu)，其用于將基板從載體分配、交接到與前段涂覆用的各單位塊對應(yīng)的上述交接部，并且使基板從顯影處理用的各單位塊的交接部返回載體，并且將通過前段涂覆用的各單位塊處理過的基板交接到與后段涂覆用的各單位塊對應(yīng)的上述交接部，和
[0048]e)第二交接機構(gòu)，其用于接收在上述處理塊處理過的曝光前的基板，并將曝光后的基板分配、交接到顯影處理用的單位塊，
[0049]上述涂覆顯影方法包括:
[0050]對顯影處理后的基板進行檢查的顯影后檢查工序；
[0051]將直到檢查對象的基板接收利用該顯影后檢查工序的檢查為止的上述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)存儲到存儲部的工序；和
[0052]在利用上述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定顯影處理用的單位塊中處理基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊的工序。
[0053]作為上述涂覆顯影方法的具體方式，例如以下所述。
[0054](I)在上述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，代替確定顯影處理用的單位塊中的處理過基板的模塊，而確定處理過基板的顯影處理用的單位塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的顯影處理用的單位塊以外的顯影處理用的單位塊。
[0055](2)在上述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定顯影處理用的單位塊中的處理過基板的模塊，并且確定前段涂覆用的單位塊中處理過基板的模塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊。
[0056](3)在上述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定顯影處理用的單位塊和前段涂覆用的單位塊中處理過基板的模塊，并且確定后段涂覆用的單位塊中處理過基板的模塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊。
[0057](4)在上述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定處理過基板的顯影處理用的單位塊，并且確定前段涂覆用的單位塊中處理過基板的單位塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的前段涂覆用的單位塊以外的前段涂覆用的單位塊。
[0058](5)在上述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定處理過基板的顯影處理用的單位塊和前段處理用的單位塊，并且確定后段涂覆用的單位塊中處理過基板的單位塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的后段涂覆用的單位塊以外的后段涂覆用的單位塊。
[0059](6)還包括:對形成抗蝕劑膜之后的基板進行檢查的涂覆后檢查工序；
[0060]將直到檢查對象的基板在該涂覆后檢查工序中接收檢查為止的上述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)存儲在存儲部的工序；和
[0061]在上述涂覆后檢查工序中檢查出基板異常時，基于存儲在存儲部的數(shù)據(jù)，確定至少包括形成抗蝕劑膜的液處理模塊的單位塊中處理過檢查出異常的基板的模塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊的工序。
[0062](7)在本發(fā)明第十六方面記載的涂覆顯影方法中，在上述涂覆后檢查工序中檢測出基板異常時，基于存儲在存儲部的數(shù)據(jù)，代替確定在至少包括形成抗蝕劑膜的液處理模塊的單位塊中處理過檢測出異常的基板的模塊，而確定處理過上述基板的至少包括形成抗蝕劑膜的液處理模塊的單位塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的單位塊以外的單位塊。
[0063]本發(fā)明的存儲介質(zhì)，其存儲有在涂覆顯影裝置中使用的計算機程序，該存儲介質(zhì)的特征在于:上述計算機程序是用于實施上述的涂覆顯影方法的程序。
[0064]發(fā)明效果
[0065]根據(jù)本發(fā)明，在前段處理用的單位塊配置用于形成下層側(cè)的防反射膜和抗蝕劑膜的模塊，在后段處理用的單位塊配置進行抗蝕劑膜的上層側(cè)的膜的形成和曝光前的處理例如基板的背面清潔的模塊，各單位塊上下地2層化。然后在這些單位塊組上進一步疊層上下2層化的顯影處理用的單位塊。因此，能夠?qū)⑻幚韷K的進深尺寸設(shè)置為適宜的大小并且能夠減小設(shè)置面積。此外，由于各單位塊2層化，即使一個單位塊發(fā)生異?；蜻M行維修時，也能夠使用另一個單位塊，能夠抑制工作效率降低。并且，準備以下兩種模式:在顯影后通過檢查模塊進行的檢查中檢查出基板發(fā)生異常時，基于存儲在存儲部的數(shù)據(jù)，將后續(xù)的基板搬送到顯影處理用的單位塊中先前的基板通過的模塊以外的模塊的模式；和搬送到先前的基板通過的顯影處理用的單位塊以外的顯影處理用的單位塊的模式，因此，工作效率、后續(xù)控制的基板的處理枚數(shù)、基板的異常的狀態(tài)等，能夠根據(jù)當時的狀況更加靈活地應(yīng)變。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0066]圖1為本發(fā)明的涂覆顯影裝置的平面圖。
[0067]圖2為上述涂覆顯影裝置的立體圖。
[0068]圖3為上述涂覆顯影裝置的縱截側(cè)面圖。
[0069]圖4為上述涂覆顯影裝置的液處理模塊的縱截側(cè)面圖。
[0070]圖5為接口塊的縱截正面圖。
[0071]圖6為設(shè)置在上述接口塊的交接模塊的立體圖。
[0072]圖7為上述涂覆顯影裝置的控制部的結(jié)構(gòu)圖。
[0073]圖8為表示上述控制部的存儲器的數(shù)據(jù)的模式圖。
[0074]圖9為表示上述控制部的存儲器的數(shù)據(jù)的模式圖。
[0075]圖10為表示通過設(shè)定部能夠選擇的模式的說明圖。
[0076]圖11為表示上述涂覆顯影裝置中的晶片的搬送路徑的流程圖。
[0077]圖12為表示直到向單位塊的搬送停止的工藝的流程圖。
[0078]圖13為表示檢查出異常的情況下的晶片的搬送路徑的模式圖。
[0079]圖14為表示檢查出異常的情況下的晶片的搬送路徑的模式圖。
[0080]圖15為表示直到向處理模塊的搬送停止的工藝的流程圖。
[0081]圖16為接口塊的縱截正面圖。
[0082]圖17為其他的處理塊的縱截側(cè)面圖。
[0083]圖18為其他的處理塊的縱截側(cè)面圖。
[0084]圖19為表示通過設(shè)定部能夠選擇的模式的說明圖。

【具體實施方式】
[0085](第一實施方式)
[0086]說明本發(fā)明的涂覆顯影裝置I。圖1表示本發(fā)明的涂覆顯影裝置I適用于抗蝕劑圖案形成裝置的情況的一個實施方式的平面圖，圖2為該概略立體圖，圖3為該概略側(cè)面圖。該涂覆顯影裝置I通過將用于搬入搬出密閉收納有例如25枚作為基板的晶片W的載體C的載體塊S1、對晶片W進行處理用的處理塊S2、和接口塊S3直線狀排列而構(gòu)成。在接口塊S3連接有進行液浸曝光的曝光裝置S4。
[0087]在上述載體塊SI設(shè)置有載置上述載體C的載置臺11、從該載置臺11看設(shè)置在前方壁面的開閉部12、和用于通過開閉部12從載體C取出晶片W的交接臂13。交接臂13在上下方向上具備5個晶片保持部14，構(gòu)成為在能夠自由進退、自由升降、圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)、在載體C的排列方向上自由移動。后述的控制部51對載體C的晶片W賦予序號，交接臂13從序號小的晶片開始每次5枚依次交接晶片W，并一起交接到模塊BU1。然后從序號小的晶片開始依次從交接模塊BUl分配到各單位塊。另外，能夠載置晶片W的場所記為模塊，在該模塊中對晶片W進行加熱、液處理、氣體供給或周邊曝光等的處理的模塊記載為處理模塊。此外，在處理模塊中，向晶片W供給藥液和清潔液的模塊記載為液處理模塊。
[0088]在載體塊SI連接有處理塊S2，該處理塊S2構(gòu)成為從下依次疊層對晶片W進行液處理的第一?第六的塊BI?B6。參照作為處理塊S2的概略縱截側(cè)面圖的圖4繼續(xù)說明。作為前段處理用單位塊的第一單位塊BI和第二單位塊B2同樣地構(gòu)成，在晶片W上進行防反射膜的形成和抗蝕劑膜的形成。
[0089]作為后段處理用的單位塊的第三單位塊B3和第四單位塊B4相同地構(gòu)成，進行液浸曝光用的保護膜的形成和晶片W的背面?zhèn)鹊那鍧?。作為顯影處理用的單位塊的第五單位塊B5和第六單位塊B6同樣地構(gòu)成，對液浸曝光后的晶片W進行顯影處理。如此，每2層設(shè)置有對晶片W進行同樣處理的單位塊。此外，為了方便，第一?第四單位塊BI?B4稱為涂覆塊，第五?第六單位塊B5?B6稱為顯影塊。在該第一實施方式中，第一和第二單位塊B1、B2相當于前段涂覆用的單位塊，第三和第四單位塊B3、B4相當于后段涂覆用的單位塊。
[0090]這些單位塊BI?B6，具備液處理模塊、加熱模塊、作為單位塊用的搬送單元的主臂A、上述主臂A移動的搬送區(qū)域R1，在各單位塊B，這些配置布局為相同結(jié)構(gòu)。在各單位塊B，通過主臂A相互獨立地搬送晶片W進行處理。上述搬送區(qū)域Rl為從載體塊SI向接口塊S3延伸的直線搬送路徑。圖1中表示了第一單位塊BI，以下，作為代表說明第一單位塊BI。
[0091]在該第一單位塊BI的中央形成有上述搬送區(qū)域R1。在從載體塊SI向接口塊S3側(cè)看該搬送區(qū)域Rl的左右分別配置有液處理單元21、架單元Ul?W。
[0092]在液處理單元21設(shè)置有防反射膜形成模塊BCT1、BCT2、抗蝕劑膜形成模塊COT1、C0T2，從載體塊SI側(cè)向接口塊S3側(cè)依次排列有BCT1、BCT2、COTU C0T2。防反射膜形成模塊BCT和抗蝕劑膜形成模塊COT具備旋轉(zhuǎn)卡盤(chuck) 22。旋轉(zhuǎn)卡盤22構(gòu)成為吸附保持晶片W的背面中央部，并且圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)。圖中23為處理罩，上側(cè)開口。處理罩23包圍旋轉(zhuǎn)卡盤22的周圍，抑制藥液的飛散。處理晶片W時，在該處理罩23內(nèi)收容晶片W，晶片W的背面中央部保持于旋轉(zhuǎn)卡盤22。
[0093]此外，在防反射膜形成模塊BCTl、BCT2設(shè)置有這些模塊共用的噴嘴24。圖中25為支承噴嘴24的臂，圖中26為驅(qū)動機構(gòu)。驅(qū)動機構(gòu)26通過臂25在各處理罩23的排列方向上移動噴嘴24，并且通過臂25升降噴嘴24。通過驅(qū)動機構(gòu)26，噴嘴24在防反射膜形成模塊BCTl的處理罩23上和防反射膜形成模塊BCT2的處理罩23上之間移動，向交接到各旋轉(zhuǎn)卡盤22的晶片W的中心噴出防反射膜形成用的藥液。供給的藥液利用通過上述旋轉(zhuǎn)卡盤22圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)的晶片W的離心力，向晶片W的周邊延展，形成防反射膜。此外，雖然省略圖示，但防反射膜形成模塊BCT1、BCT2具備向晶片W的周端部供給溶劑，并除去該周端部不需要的膜的噴嘴。
[0094]抗蝕劑膜形成模塊C0T1、C0T2與防反射膜形成模塊BCT1、BCT2同樣地構(gòu)成。即，抗蝕劑膜形成模塊C0T1、C0T2具備用于處理各個晶片W的處理罩23和旋轉(zhuǎn)卡盤22，各個處理罩23和旋轉(zhuǎn)卡盤22共有噴嘴24。但是，從該噴嘴24供給抗蝕劑代替防反射膜形成用藥液。此外，在此，說明了每I個液處理模塊設(shè)置有各處理罩23，2個液處理模塊共有I個噴嘴24的情況，但是也能夠見到I個液處理模塊具備I個噴嘴24和2個處理罩23，噴嘴24由2個處理罩23共有。
[0095]架單元Ul?U6從載體塊SI側(cè)向接口塊S3側(cè)依次排列。各架單元Ul?U5構(gòu)成為:進行晶片W的加熱處理的加熱模塊例如疊層為2層。因此，單位塊BI具備10個加熱模塊，各加熱模塊為HP100?HP109。架單元U6構(gòu)成為:層疊有對涂覆抗蝕劑后的晶片W進行周邊曝光的周邊曝光模塊WEE1、WEE2。
[0096]在上述搬送區(qū)域Rl設(shè)置有上述主臂Al，該主臂Al構(gòu)成為:能夠自由進退、自由升降、圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)、在處理塊S2的長度方向上自由移動，能夠在單位塊BI的全部的模塊之間進行晶片W的交接。
[0097]對其他單位塊進行說明。第二單位塊B2與已述的第一單位塊BI同樣地構(gòu)成，設(shè)置有防反射膜形成模塊BCT3、BCT4和抗蝕劑膜形成模塊C0T3、C0T4。此外，作為構(gòu)成各架單元Ul?U5的加熱模塊，設(shè)置有HP200?209這10個。作為構(gòu)成架單元U6的周邊曝光模塊，設(shè)置有WEE3、WEE4這2個。
[0098]第三單位塊B3與第一單位塊BI大致相同地構(gòu)成，差異點如下:具備液浸曝光用保護膜形成模塊TCTl、TCT2代替防反射膜形成模塊BCTl、BCT2。此外，具備背面清潔模塊BSTU BST2代替抗蝕劑膜形成模塊C0T1、C0T2。保護膜形成模塊TCT1、TCT2向晶片W供給形成防水性保護膜用的藥液，除此之外與防反射膜形成模塊BCT同樣地構(gòu)成。即，各保護膜形成模塊TCT1、TCT2具備處理各晶片W用的處理罩23和旋轉(zhuǎn)卡盤22，噴嘴24為這2個處理罩23和旋轉(zhuǎn)卡盤22共有。
[0099]背面清潔模塊BST1、BST2,分別設(shè)置有對晶片W的背面和周邊的斜角部供給清潔液，并對晶片W的背面進行清潔的噴嘴，代替設(shè)置向晶片W表面供給藥液的噴嘴24。除了這個不同之外，與防反射膜形成模塊BCT同樣地構(gòu)成。此外，背面清潔模塊BST也可以構(gòu)成為只對晶片W的背面?zhèn)冗M行清潔或者只對上述斜角部進行清潔。此外，第三單位塊B3的架單元U6，也可以代替周邊曝光模塊WEE而由加熱模塊構(gòu)成。該架單元Ul?U6的加熱模塊為HP300 ?311。
[0100]第四單位塊B4與已述的第三單位塊B3同樣地構(gòu)成，設(shè)置有保護膜形成模塊TCT3、TCT4和背面清潔模塊BST3、BSTT4。第四單位塊B4的架單元Ul?U6由加熱模塊HP400?411構(gòu)成。
[0101]第五單位塊B5與單位塊BI為大致相同的結(jié)構(gòu)，差異點在于:具備顯影模塊DEVl?DEV4代替防反射膜形成模塊BCTl和抗蝕劑膜形成模塊C0T。顯影模塊DEV向晶片W供給顯影液代替抗蝕劑，除此之外，與抗蝕劑膜形成模塊COT為相同的結(jié)構(gòu)。此外，第五單位塊B5的架單元Ul?U6由加熱模塊HP500?HP511構(gòu)成。
[0102]第六單位塊B6與單位塊B5同樣地構(gòu)成，設(shè)置有顯影模塊DEV5?DEV8。此外，第六單位塊B6的架單元Ul?U6由加熱模塊HP600?HP611構(gòu)成。
[0103]各單位塊的液處理單元21中，向晶片W供給的藥液，向例如涂覆顯影裝置的下方側(cè)設(shè)置的未圖示的排液路徑排出。在防反射膜形成模塊BCT、抗蝕劑膜形成模塊COT和保護膜形成模塊TCT中，供給到晶片W的藥液的粘度比顯影液的粘度高。因此，該實施方式中，將顯影模塊DEV配置在上側(cè)的單位塊，其他的液處理模塊配置在下側(cè)的單位塊，由此能夠使得各藥液迅速排出。其結(jié)果，能夠防止在各處理模塊中的藥液的揮發(fā)，能夠防止液處理單元21內(nèi)的處理環(huán)境變化。
[0104]在搬送區(qū)域Rl的載體塊SI側(cè)，如圖1和圖3所示，設(shè)置有跨越各單位塊B的架單元U7。以下，說明架單元U7的結(jié)構(gòu)。架單元U7由相互疊層的多個模塊構(gòu)成，在第一單位塊BI的主臂Al能夠訪問的高度位置設(shè)置有疏水化處理模塊ADHl、ADH2和交接模塊CPLl?CPL3。在第二單位塊B2的主臂A2能夠訪問的高度位置設(shè)置有疏水化處理模塊ADH3、ADH4和交接模塊CPL4?CPL6。說明中，記載為CPL的交接模塊具備對所載置的晶片W進行冷卻的冷卻工作臺。記載為BU的交接模塊構(gòu)成為，能夠收容多枚晶片W，并能夠使晶片W停留。
[0105]此外，疏水化處理模塊ADHl?ADH6，向晶片W供給處理氣體，提高晶片W表面的疏水性。由此，液浸曝光時能夠抑制各膜從晶片W的剝離。特別是通過提高晶片W的斜角部(周端部)的疏水性，即使是在各液處理模塊中該周端部的膜被除去而暴露晶片W的表面的狀態(tài)，該表面具有防水作用，也能夠以抑制在液浸曝光時各膜從該周端部剝離的方式進行處理。
[0106]此外，在單位塊B3、B4的主臂A3、A4能夠訪問的高度位置設(shè)置有交接模塊CPL7?CPL8、CPL9?CPL10。并且，在載體塊SI的交接臂13能夠訪問的高度位置設(shè)置有交接模塊BUl和CPL0。交接模塊BU1，為了接收從已述的交接臂13搬送的晶片W，在上下方向具備5個晶片W的保持部。交接模塊CPLO是為了使顯影處理過的晶片W返回載體C而使用。
[0107]在單位塊B5的主臂A5能夠訪問的高度位置設(shè)置有交接模塊CPL12?CPL13和BU2，在單位塊B6的主臂A6能夠訪問的位置設(shè)置有交接模塊CPL14?CPL15和BU3。
[0108]在架單元U7上設(shè)置有檢查模塊31。從單位塊B5、B6搬出晶片W時，搬入檢查模塊31的晶片W被搬送到交接模塊BU2、BU3。沒有搬入檢查模塊31的晶片W被搬入交接模塊CPL12?15。如此，通過分開使用交接模塊，以按照上述序號的順序、即按照從載體C搬出的順序使晶片W返回載體C的方式控制晶片W的搬送。
[0109]此外，處理塊B2中，在架單元U7附近設(shè)置有能夠自由升降、自由進退的作為第一交接機構(gòu)的交接臂30，在架單元U7的各模塊之間搬送晶片W。
[0110]對上述檢查模塊31進行更詳細的說明。如后文所述，根據(jù)選擇的檢查模式，將抗蝕劑膜形成后的晶片W或顯影處理后的晶片W搬入檢查模塊31。關(guān)于抗蝕劑膜形成后的晶片W，例如檢查抗蝕劑膜的表面的異物的有無和抗蝕劑的膜厚。
[0111]顯影處理后的晶片W被搬送到檢查模塊31的情況下，進行顯影后缺陷的檢查。該顯影后缺陷分類為顯影處理引起的缺陷、顯影處理和涂覆處理引起的缺陷，作為顯影處理引起的缺陷，有例如圖案毀壞、線寬異常、抗蝕劑溶解不良，顯影后的泡、異物、抗蝕劑圖案之間的橋接(bridge)缺陷和溶解生成物(殘渣)的殘留導(dǎo)致的圖案缺陷(殘渣缺陷)。作為涂覆處理和顯影處理引起的缺陷，例如有圖案毀壞和圖案的線寬的局部異常。
[0112]該實施方式中，這些各缺陷的有無作為檢查項目設(shè)定。在執(zhí)行后述的各檢查模式時，檢查模塊31將得到的檢查數(shù)據(jù)輸送到后述的控制部51。后述的控制部51基于該檢查數(shù)據(jù)，判定各缺陷的有無。
[0113]接著，參照圖5說明接口塊S3的結(jié)構(gòu)。接口塊S3中，在各單位塊的主臂Al?A6能夠訪問的位置設(shè)置有架單元U8。架單元U8，在與第三單位塊B3?第六單位塊B6對應(yīng)的位置具備交接模塊BU4。關(guān)于交接模塊BU4后述。交接模塊BU4的下方相互疊層地設(shè)置有交接模塊TRS、CPL16?CPL18。
[0114]在接口塊S3疊層設(shè)置有例如4個曝光后清潔模塊PIRl?PIR4。各曝光后清潔模塊PIR與抗蝕劑膜形成模塊COT同樣地構(gòu)成，向晶片W表面供給除去保護膜和清潔用的藥液代替抗蝕劑。
[0115]此外，在接口塊S3設(shè)置有3個接口臂32、33、34。接口臂32、33、34構(gòu)成為能夠自由升降、自由進退，并且接口臂32構(gòu)成為在水平方向能夠自由移動。接口臂32訪問曝光裝置S4、交接模塊TRS、CPL16?CPL18，在它們之間交接晶片W。接口臂33訪問交接模塊TRS、CPL16?CPL18和BU4，在這些模塊之間交接晶片W。接口臂34訪問交接模塊BU4和曝光后清潔模塊PIRl?PIR4，在這些模塊之間交接晶片W。接口臂32?34構(gòu)成第二交接機構(gòu)。
[0116]參照圖6對交接模塊BU4進行說明。交接模塊BU4具備在周方向上配置的支柱41。一個支柱41和另一個支柱41之間鋪設(shè)有電線42，電線42、42相互交叉形成組。該電線42、42的組在相互不同的高度位置設(shè)置有多個，電線42、42的交叉部分上設(shè)置有例如圓形的支承部43。晶片W水平支承在支承部43上。圖6中只表示了 5個支承部43，但以向各階層交接晶片W的方式向上方設(shè)置有多個。接口臂33、34和主臂A3?A6能夠進入支柱41之間，進入的各臂通過升降動作在與支承部43之間交接晶片W。交接模塊BUl?BU3例如與BU4同樣地構(gòu)成。
[0117]接著，參照圖7對設(shè)置于涂覆顯影裝置I的控制部51進行說明。圖中的52為總線，在總線52連接有進行各種運算的CPU53。并且在總線52連接有程序存儲部57，該程序存儲部57中存儲有處理程序54、搬送程序55和判定程序56。處理程序54向涂覆顯影裝置I的各部輸出控制信號，對各晶片W進行藥液、清潔液的供給、加熱等的處理。
[0118]搬送程序55，依照所選擇的檢查模式和判定程序56的判定結(jié)果，向各單位塊BI?B6的主臂Al?A6、交接臂30和接口臂32?34輸出控制信號，控制晶片W的搬送。判定程序56，基于例如從檢查模塊31輸送的檢查數(shù)據(jù)，判定晶片W的處理的異常的有無。
[0119]總線52與存儲器61連接，該存儲器61存儲各晶片W的搬送時間表和檢查模塊31的檢查結(jié)果。圖8中，例示了存儲器61中包括的搬送時間表存儲區(qū)域63中存儲的數(shù)據(jù)的一個例子。該圖的數(shù)據(jù)為通過利用檢查模塊31的檢查，判斷為晶片W沒有異常時的通常的搬送時間表。
[0120]搬送時間表存儲區(qū)域63中相互對應(yīng)存儲晶片W的ID、該晶片W的搬送目的地的模塊、和搬送的模塊的順序。例如圖中的晶片Al依次被搬送到防反射膜形成模塊BCT1、加熱模塊HP100、抗蝕劑膜形成模塊COT1、加熱模塊HP101、周邊曝光模塊WEE1、保護膜形成模塊TCT1、加熱模塊HP300、背面清潔模塊BST1、加熱模塊500、顯影模塊DEVl和加熱模塊501。[0121 ] 此外，該例中，設(shè)定為晶片W按照第一單位塊BI —第三單位塊B3 —第五單位塊B5的順序被搬送，或者按照第二單位塊B2 —第四單位塊B4 —第六單位塊B6的順序被搬送。并且，某晶片W被搬送到第一單位塊BI時，下一個晶片W被搬送到第二單位塊B2，再下一個晶片W被搬送到第一單位塊BI。如此，持續(xù)從載體C送出來的晶片W，交替分配到不同的單位塊B。
[0122]接著，參照圖9說明存儲器61包含的檢查結(jié)果存儲區(qū)域60。該檢查結(jié)果存儲區(qū)域60，為關(guān)于各晶片按照已述的檢查項目存儲有無異常的區(qū)域。此外，對于有異常的晶片W，如后所述，存儲處理過該晶片W的模塊和處理過該晶片W的單位塊。
[0123]此外，檢查結(jié)果存儲區(qū)域60存儲每個檢查項目設(shè)定的搬送停止基準。該搬送停止基準為，用于停止向處理過被檢查出異常的晶片W的單位塊B或處理模塊搬送后續(xù)的晶片W的基準。關(guān)于由上述的檢查模塊31檢查的檢查項目，在發(fā)生異常的頻率相當于該搬送停止基準的情況下啟動上述搬送的停止。
[0124]作為例子，如圖9所示，關(guān)于對圖案毀壞設(shè)定的搬送停止基準進行說明。當針對后述的每個單位塊B選擇停止搬送的模式的情況下，如果所檢查的晶片W中初次檢測出圖案毀壞，其后，如果通過與該晶片W通過的單位塊B相同的單位塊B而被檢查的5枚晶片W中的2枚以上的晶片W被檢測出圖案毀壞，則停止向該單位塊B搬送后續(xù)的晶片W。此外，在針對每個處理模塊選擇停止搬送的模式的情況下，當檢查的晶片W中首次檢測出圖案毀壞時，如果通過與上述晶片W所通過的處理模塊相同的處理模塊而被檢查的5枚晶片W中的2枚以上的晶片W被檢查出圖案毀壞，則停止向該處理模塊的搬送。此外，上述5枚晶片W中，檢查出圖案毀壞的晶片W為I枚或O枚，則在檢查該5枚晶片W之后，到再次檢查出圖案毀壞時，重新在檢查5枚晶片W中的2枚以上的晶片W被檢查出圖案毀壞的情況下，停止向單位塊或處理模塊的搬送。
[0125]對于圖9的抗試劑溶解不良、顯影后的泡，設(shè)定與圖案毀壞大致相同的搬送停止基準，但是，這些檢查項目與圖案毀壞的情況不同，一旦檢查出缺陷后被檢查的晶片W的5枚中的I枚晶片W檢查出圖案毀壞，則停止向上述單位塊B的搬送。此外，關(guān)于圖9的殘渣缺陷，檢測后迅速對處理該晶片W的單位塊或處理模塊進行搬送的停止處理。這樣的搬送停止基準，針對每個已述的檢查項目設(shè)定。由此，在晶片W偶然發(fā)生缺陷的情況下，能夠抑制啟動向單位塊或處理模塊的搬送停止。
[0126]返回圖7繼續(xù)說明。在總線52連接有設(shè)定部64。設(shè)定部64例如由鍵盤、鼠標、觸摸面板等構(gòu)成，能夠設(shè)定在檢查模塊31進行的檢查。圖10中，表示從該設(shè)定部64能夠設(shè)定的檢查和檢查模式。作為上述檢查，有顯影處理后檢查Cl和抗蝕劑膜形成后檢查C2，由用戶選擇任意一個。顯影處理后檢查Cl中，將在第五或第六單位塊B5、B6接收顯影處理的晶片W搬送到檢查模塊31進行檢查。在抗蝕劑膜形成后檢查C2中，在第一或第二單位塊BUB2形成抗蝕劑膜的晶片W，搬送到檢查模塊31進行檢查。
[0127]選擇顯影處理后檢查Cl的情況下，用戶進一步選擇:使向檢查出異常的晶片W所通過的單位塊的搬送停止的模式，或者使向上述晶片W通過的每個處理模塊停止搬送晶片W的模式。作為停止向單位塊的搬送的模式，有模式D1、D2、D3這3種。這些模式Dl?D3，在晶片W檢查出異常時，停止后續(xù)的晶片W的搬送的單位塊不同。在模式D1，停止向單位塊B5、B6中任一個的單位塊搬送后續(xù)的晶片W。在模式D2，除了單位塊B5、B6中的任一個，還停止向單位塊B1、B2中的任一個搬送后續(xù)的晶片W。在模式D3，停止向單位塊B1、B2中的任一個、B3、B4中的任一個，B5、B6中的任一個搬送后續(xù)的晶片W。
[0128]作為停止向每個上述處理模塊的晶片W的搬送的模式，有模式D4、D5、D6這三種。這些模式D4?D6，在晶片W檢查出異常時，向哪個單位塊的處理模塊停止后續(xù)的晶片W的搬送是不同的。在模式D4，停止向單位塊B5、B6中的任一個的處理模塊的搬送。在模式D2，停止向單位塊B5、B6中的任一個的處理模塊的搬送，還停止對單位塊B1、B2中的任一個的處理模塊的搬送。在模式D3，停止向單位塊B1、B2中的任一個的處理模塊的搬送、和停止向B3、B4中的任一個處理模塊的搬送、以及停止向B5、B6中的任一個的處理模塊的搬送。
[0129]此外，選擇抗蝕劑膜形成后檢查C2的情況下，用戶進一步選擇停止向每個單位塊B的搬送的模式D7、停止向每個處理模塊的搬送的模式D8中的任一個。此外，關(guān)于與權(quán)利要求的范圍的對應(yīng)，模式D1、D2、D3與M2、M5、M6分別對應(yīng)。模式D4、D5、D6與Ml、M3、M4分別對應(yīng)。模式D7、D8與N2、NI分別對應(yīng)。
[0130]用戶，還可以從設(shè)定部64指定晶片W的ID，決定作為檢查對象的晶片W。此外，在總線52連接有例如由顯示器等構(gòu)成的顯示部65。在顯示部65顯示例如搬送時間表或針對各晶片的每個檢查項目的檢查結(jié)果。
[0131](模式D3)
[0132]以進行顯影處理后檢查Cl，停止向每個單位塊的搬送為例，對在模式Dl?D3中作為代表選擇模式D3的情況進行說明。首先，參照圖11，說明涂覆顯影裝置I中的晶片W的搬送路徑。首先，從載體C將晶片W通過交接臂13搬送到交接模塊BUl。從交接模塊BUl搬送到第一單位塊BI的情況下，如圖11(a)所示，晶片W通過交接臂30搬送到疏水化處理模塊ADHl、ADH2，接收疏水化處理，搬送到交接模塊CPLl。
[0133]搬送到交接模塊CPLl，主臂Al將該晶片W按照防反射膜形成模塊BCTl、BCT2 —加熱模塊HP100?109 —交接模塊CPL2 —抗蝕劑膜形成模塊COTl、C0T2 —加熱模塊HP100?109 —周邊曝光模塊WEE3、WEE4 —交接模塊CPL3的順序搬送，在晶片W上依次形成防反射膜、抗蝕劑膜。
[0134]利用交接臂30將晶片W從交接模塊CPL3搬送到第三單位塊B3的交接模塊CPL7，主臂A3將該晶片W按照保護膜形成模塊TCTl、TCT2 —加熱模塊HP300?311 —交接模塊CPL8 —背面清潔模塊BSTl、BST2 —交接模塊BU4的順序搬送，在晶片W上形成保護膜，再進行背面清潔。
[0135]通過接口臂33，上述晶片W按照交接模塊CPL16?CPL18 —接口臂32 —曝光裝置S4的順序被搬送，接收液浸曝光處理。曝光處理后，晶片W按照接口臂32 —交接模塊TRS —接口臂33 —交接模塊BU4 —接口臂34 —曝光后清潔模塊PIRl?PIR4 —接口臂34 —交接模塊BU4中的第五單位塊B5的高度位置的順序被搬送。
[0136]接著，上述晶片W，通過主臂A5，按照加熱模塊HP500?511 —交接模塊CPL12 —顯影模塊DEVl?DEV4 —交接模塊BU2 —交接臂30 —檢查模塊31的順序被搬送、檢查。檢查后的晶片W，按照檢查模塊31 —交接臂30 —交接模塊BUl的順序被搬送，從交接臂13返回載體C。設(shè)定為不在檢查模塊31進行檢查的晶片W，在顯影模塊DEVl?DEV4處理后，按照交接模塊CPL14、CPL15 —檢查模塊31 —交接臂30 —交接模塊CPLO —交接臂13 —載體C的順序被搬送。
[0137]晶片W從緩沖模塊BUl搬送到第二單位塊B2、B4、B6的情況下也與在搬送到上述單位塊B1、B3、B5的情況下對晶片W進行同樣處理。圖11(b)中表示通過這樣的單位塊B2 — B4 — B6的情況下的搬送路徑。
[0138]以下，簡單說明搬送路徑，上述晶片W，按照交接臂30—疏水化處理模塊ADH3、ADH4 —交接臂30 —交接模塊CPL4的順序被搬送。接著，主臂A2，將晶片W按照防反射膜形成模塊BCT3、BCT4 —加熱模塊HP200?209 —交接模塊CPL5 —抗蝕劑膜形成模塊C0T3、C0T4 —加熱模塊HP200?209 —周邊曝光模塊WEE3、WEE4 —交接模塊CPL6進行搬送。其后，晶片W按照交接臂30 —交接模塊CPL9的順序被搬送，通過主臂A4，按照保護膜形成模塊TCT3、TCT4 —加熱模塊HP400?411 —交接模塊CPLlO —背面清潔模塊BST3、BST4 —交接模塊BU4的順序進行搬送。
[0139]在接口塊S3，上述晶片W與被搬送到第一和第三單位塊B的晶片W同樣地被搬送，接收曝光處理和曝光后清潔處理，然后交接到交接模塊BU4的第六單位塊B6的高度位置。之后，上述晶片W通過主臂A6，按照加熱模塊HP600?611 —交接模塊CPL14 —顯影模塊DEV5?DEV8 —加熱模塊HP600?611 —交接模塊BU3 —交接臂30 —檢查模塊31 —交接臂30 —交接模塊CPLO —載體C的順序被搬送。
[0140]表示了晶片W在檢查模塊31中被檢查的情況下的路徑，對于不是檢查對象的晶片W，在上述搬送路徑中，按照顯影、加熱后處理、交接模塊CPL14U5 —交接臂30 —交接模塊CPLO —交接臂13 —載體C的順序被搬送。
[0141]參照圖12，對由控制部51停止向單位塊B的搬送的工序進行說明。在上述路徑中搬送晶片W的期間,判定程序56基于從檢查模塊31發(fā)送的檢查數(shù)據(jù),判定已述的各檢查項目有無異常，將該判定結(jié)果存儲在檢查結(jié)果存儲區(qū)域60。然后，當判定有異常時，基于搬送時間表存儲區(qū)域63的搬送時間表，確定處理過檢查出異常的晶片W的處理模塊和單位塊B。并且，將晶片的ID和有異常的檢查項目、上述處理模塊和單位塊B對應(yīng)，存儲在存儲器61的檢查結(jié)果存儲區(qū)域60 (步驟SI)。
[0142]接著，判定程序56，基于檢查結(jié)果存儲區(qū)域60中存儲的過去的晶片W的檢查履歷，判定是否符合對該檢查項目設(shè)定的已述的搬送停止基準(步驟S2)。例如，有異常的檢查項目為圖案毀壞的情況下，如已述通過同樣的單位塊B的晶片W，最初發(fā)生圖案毀壞后，進行5枚晶片W的檢查期間，判定是否有2枚以上的晶片W發(fā)生圖案毀壞。判定為與搬送停止基準不相符的情況下，繼續(xù)利用單位塊BI?B6進行處理。
[0143]判定與搬送停止基準相符的情況下，在步驟SI停止由對檢查出異常的晶片W進行處理的單位塊B5或B6的各處理模塊進行的晶片W的處理和主臂A的動作。然后，搬送程序55，使用單位塊B5、B6中沒有停止處理模塊和主臂A的動作的單位塊進行處理，重寫搬送時間表。并依據(jù)該搬送時間表，搬送晶片W，進行處理(步驟S3)。
[0144]圖13 (a)、(b)表示了作為一例向第五單位塊B5的晶片W的搬送停止的情況下的搬送路徑，如該圖所示，在第一?第四的單位塊BI?B4接收處理的晶片W，全部搬入第六單位塊B6。與該例相反，停止向第六單位塊B6的搬送的情況下，在第一?第四單位塊BI?B4接收處理的晶片W，全部搬入第五單位塊B5。
[0145]如此，只使用一個顯影塊繼續(xù)進行處理。然后，當在晶片W檢查出異常時，判定程序56與步驟SI同樣地基于搬送時間表存儲區(qū)域63的搬送時間表，確定處理過檢查出異常的晶片W的處理模塊和單位塊，將晶片的ID和有異常的檢查項目、上述處理模塊和單位塊B對應(yīng)，存儲在存儲器61內(nèi)(步驟S4)。
[0146]接著，判定程序56參照在向單位塊B5或B6的搬送停止后的晶片W的檢查履歷，判定是否與對該檢查項目設(shè)定的單位塊的搬送停止基準相符合(步驟S5)。在判定不相符的情況下，繼續(xù)通過單位塊BI?B4和B5或B6進行處理。
[0147]在判定為與搬送停止基準相符合的情況下,判定程序56,判定有異常的檢查項目是否與在步驟S2、S3使單位塊B5或B6停止時判定為異常的檢查項目相同(步驟S6)。在步驟S6，判定為相同的檢查項目的情況下，判定程序56進一步判定是否與在步驟SI判定為異常的晶片W所通過的涂覆塊、在步驟S4判定為異常的晶片W所通過的涂覆塊一致(步驟S7)。
[0148]在步驟S7，判定為涂覆塊一致的情況下，上述檢查項目的異常認為是由于在涂覆塊的處理而引起的，停止該涂覆塊進行的晶片W的處理和主臂A的動作。S卩，單位塊BI和B3、B2和B4的任一方中的晶片W的處理停止。搬送程序55改寫搬送時間表，使得使用單位塊BI?B4中進行工作的單位塊進行處理。然后，依照該搬送時間表，晶片W被搬送，繼續(xù)進行處理(步驟S8)。
[0149]例如，如圖13所示從向單位塊B5的搬送停止的狀態(tài)開始，與向該單位塊B5的搬送成為停止時相同的檢查項目的異常如果繼續(xù)，則依照上述步驟S6?S8，停止向單位塊B1、B3的搬送。然后，所有的晶片W，以圖9 (b)所示的單位塊B2 — B4 — B6的路徑為序被搬送。
[0150]步驟S6中，判定為與停止顯影塊時變成異常的檢查項目不同時，或者在步驟S7中，判定為成為異常的涂覆塊不同的情況下，例如，繼續(xù)向工作中的各單位塊的搬送，在步驟S5中判定為與搬送停止基準相符合的檢查項目，在顯示部65中顯示(步驟S9)。
[0151]選擇模式Dl、D2時，進行與上述模式D3大致相同的處理工序。對差異點進行說明:在選擇模式Dl時，實施從上述步驟SI到S3的工序。因此，向單位塊BI?B4的晶片W的搬送不停止。此外，選擇模式D2時，實施上述的步驟SI?S9的工序，在步驟S8向單位塊B3和B4的晶片W的搬送不停止。
[0152](模式D7)
[0153]接著，說明以進行抗蝕劑膜形成后檢查C2的方式進行設(shè)定，并且選擇針對每個單位塊使搬送停止的模式D7的情況。作為抗蝕劑膜形成后檢查C2執(zhí)行時的晶片W的搬送路徑，結(jié)束抗蝕劑涂覆處理，搬入到交接模塊CPL4、CPL6的晶片W，由交接臂30搬入到檢查模塊31。在檢查模塊31被檢查后，通過交接模塊CPL9、CPL12搬入第三、第四單位塊。顯影處理后的晶片W按照交接模塊CPL13、CPL15 —交接模塊BUl的順序返回載體C。除了上述不同，與顯影處理后檢查Cl執(zhí)行時同樣地搬送晶片W。
[0154]該模式D7執(zhí)行時，與顯影處理后檢查模式執(zhí)行時同樣，針對每個檢查項目檢查晶片W的異常，執(zhí)行步驟SI?S2的處理。然后，在步驟S2判定為不與搬送停止基準相符合的情況下繼續(xù)進行處理。判定為與搬送停止基準相符合的情況下，停止利用對檢查出異常的晶片W進行處理的單位塊BI或B2的各處理模塊進行的晶片W的處理和主臂A的動作。然后，搬送程序55重寫搬送時間表，使得使用單位塊B1、B2中處理模塊和臂的動作沒有停止的一方的單位塊進行處理。
[0155]圖14作為一例表示向第二單位塊B2的晶片W的搬送停止的情況下的搬送路徑，如該圖所示，后續(xù)的晶片W從載體C全部搬入第一單位塊BI。然后從第一單位塊BI分配給第三、第四單位塊B3、B4。反之，停止向第一單位塊BI的搬送的情況下，后續(xù)的晶片W全部從載體C搬入第一單位塊BI。
[0156](模式D6)
[0157]接著，以進行顯影處理后檢查Cl、針對每個處理模塊停止搬送為例，模式D4?D6中，以選擇模式D6的情況為代表進行說明。以下，參照圖15對模式D6執(zhí)行時的流程，以與模式D3的差異點為中心進行說明。在晶片W檢查出異常的情況下，基于搬送時間表，在單位塊B5、B6中，確定處理該晶片W的處理模塊。將晶片的ID和變得異常的檢查項目以及上述處理模塊對應(yīng)存儲在存儲器61中(步驟Sll)。接著，判定程序56，基于檢查結(jié)果存儲區(qū)域60的數(shù)據(jù)，針對在步驟Sll中確定的處理模塊的每個，判定上述各處理模塊是否與搬送停止基準相符合(步驟SI2)。
[0158]在判定哪一個處理模塊都與搬送停止基準不相符的情況下，繼續(xù)向各處理模塊的晶片W的搬送。存在與搬送停止基準相符合的處理模塊的情況下，停止在該處理模塊中的晶片W的處理(步驟S13)。然后，以除了像這樣停止處理的模塊以外進行搬送的方式設(shè)置搬送時間表，繼續(xù)晶片W的搬送和處理。
[0159]繼續(xù)晶片W的處理，接著，晶片W發(fā)生異常時，判定程序56與步驟Sll同樣地，將異常的晶片的ID、變得異常的檢查項目、顯影塊中處理該晶片W的處理模塊相對應(yīng)，存儲在檢查結(jié)果存儲區(qū)域60中(步驟S14)。然后與步驟S12同樣，判定程序56，對在步驟S14中確定的處理模塊的每個，基于檢查結(jié)果存儲區(qū)域60的數(shù)據(jù)，判定是否存在與搬送停止基準相符合的模塊(步驟SI5)。
[0160]然后，當與搬送停止基準相符合的檢查項目存在時，則判定程序56，判定該檢查項目是否為與步驟S13中停止向處理模塊的搬送的檢查項目相同的檢查項目(步驟S16)。判定為不是相同的檢查項目的情況下，執(zhí)行步驟S13之后的處理，在顯影塊中，停止向該與搬送停止基準相符合的處理模塊的搬送。
[0161]在步驟S16，判定為相同的檢查項目的情況下，判定程序56基于搬送時間表在單位塊BI?B4中確定步驟S14中處理過檢查出異常的晶片W的處理模塊。然后，所確定的處理模塊中的晶片W的處理停止。進一步，以除了像這樣的停止處理的處理模塊以外進行搬送的方式設(shè)定搬送時間表，繼續(xù)晶片W的搬送和處理(步驟S17)。
[0162]在此，執(zhí)行該模式D6的情況下，對搬送停止的處理模塊進行補充說明。例如，在上述步驟Sll，在晶片W上檢測出圖案毀壞，該晶片W在顯影模塊DEVl和加熱模塊600接收處理的情況下，參照過去在DEVl接收處理的晶片W的檢查結(jié)果，判定各處理模塊與搬送停止基準是否相符合。進一步，參照過去在加熱模塊600接收處理的晶片W的檢查結(jié)果，判定是否與搬送停止基準相符合。然后，DEVl和加熱模塊600中，對于判定為與搬送停止基準相符合的處理模塊，停止向該處理模塊的搬送。如此，對每個處理模塊分別判定是否與搬送停止基準相符合。
[0163]但是，顯影模塊DEVl 和 DEV2、DEV3 和 DEV4、DEV5 和 DEV6、DEV7 和 DEV8，分別共有噴嘴24。像這樣在共有噴嘴24的DEV中，決定停止向一個DEV的搬送時，則決定向另一個DEV的搬送也停止。因此，向DEVl的搬送停止時，向DEV2的搬送也停止。
[0164]此外，關(guān)于防反射膜形成模塊BCT、抗蝕劑膜形成模塊COT和保護膜形成模塊TCT，共有在各單位塊設(shè)置的2個噴嘴。因此，為了防止在各單位塊的處理停止，在步驟S17使向這些液處理模塊的搬送不停止，取而代之，在步驟S15，將處理過與停止基準相符合的晶片W的各液處理模塊與變得異常的檢查項目對應(yīng)，顯示在顯示部65。
[0165]但是，選擇模式D4、D5時，進行與上述模式D6大致相同的處理工序。對差異點進行說明:選擇模式D4時，實施從上述的步驟Sll到S13的工序。因此，不停止向單位塊BI?B4的處理模塊的搬送。此外，選擇模式D5時，實施上述步驟Sll?步驟S17的工序，但是在步驟S17中不停止向單位塊B3和B4的處理模塊的搬送。
[0166](模式D8)
[0167]接著，對以進行抗蝕劑涂覆后檢查C2的方式進行設(shè)定，并且選擇針對每個處理模塊停止晶片W的搬送的模式D8的情況，以與選擇模式D6時的差異點為中心進行說明。執(zhí)行模式D8時，與執(zhí)行模式D7時同樣地進行晶片W的搬送。S卩，在單位塊B1、B2結(jié)束處理的晶片W被搬送到檢查模塊31。并且，在晶片W被檢查出異常的情況下，與模式D6同樣地，判定每個處理過該晶片W的處理模塊是否與搬送停止基準相符合，在與搬送停止基準相符合的情況下，停止向該處理模塊的搬送。在該模式D8中，由于檢查抗蝕劑涂覆后的晶片W，所以搬送停止的處理模塊為單位塊B1、B2的處理模塊。向處理模塊的搬送，基于在模式D6已說明的規(guī)則停止。即，關(guān)于防反射膜形成模塊BCT和抗蝕劑膜形成模塊C0T，即使與搬送停止基準相符合，也繼續(xù)對這些處理模塊的搬送。
[0168]根據(jù)該涂覆顯影裝置1，將防反射膜和抗蝕劑膜的形成用的模塊配置在二層化的單位塊B1、B2中，將抗蝕劑膜的上層側(cè)的膜的形成和進行曝光前的處理例如基板的背面清潔的模塊配置在二層化的單位塊B3、B4中，并且在這些單位塊BI?B4上，進一步上下層疊二層化的顯影處理用的單位塊B5、B6。因此，處理塊的進深尺寸能夠設(shè)定為適宜的大小，并且能夠減小設(shè)置面積。此外，由于將各單位塊二層化，即使一個單位塊發(fā)生異常，或者進行故障時的修理、或定期檢查、調(diào)整確認等的維修時，也能夠使用另一個單位塊，能夠抑制工作效率的降低。并且，顯影后通過檢查模塊31的檢查檢測出晶片W異常時，基于存儲器61存儲的數(shù)據(jù)，準備向先前的晶片W所通過的單位塊以外的單位塊搬送的模式，和將后續(xù)的晶片W的搬送向先前的基板所通過的模塊以外的模塊搬送的模式，因此，能夠?qū)?yīng)于工作效率、后續(xù)控制的晶片W的處理枚數(shù)、晶片W的異常狀態(tài)等、與此時的狀況相對應(yīng)地靈活應(yīng)對。并且在該例中，用戶通過選擇模式Dl?D6，在晶片W發(fā)生異常時，能夠選擇停止搬送的單位塊和包括停止搬送的模塊的單位塊。此外，該涂覆顯影裝置I具備:檢查抗蝕劑涂覆后的晶片W，使對處理該晶片W的單位塊或者處理模塊的搬送停止的模式D7、D8。通過具備這些模式Dl?D8，用戶根據(jù)檢查出異常時的狀況，能夠更靈活地應(yīng)對。此外，2層化是指以對晶片W分別進行同樣處理的方式構(gòu)成單位塊即可，不限制在各單位塊中排列或模塊數(shù)相同。
[0169]此外，在上述模式D2、D3中階段性的進行向顯影塊的搬送停止和向涂覆塊的搬送停止，由此能夠抑制使向沒有必要停止搬送的涂覆塊的搬送停止，能夠更可靠的抑制涂覆顯影裝置I的工作效率的降低。但是，不限于像這樣階段性地停止向各單位塊的搬送。例如，執(zhí)行模式D2、D3時，在晶片W檢測出包括圖案毀壞、線寬的局部異常等、包含涂覆工序因素的顯影缺陷的情況下，也可以同時停止處理過該晶片W的顯影塊和涂覆塊的搬送。對于上述模式D5、D6也同樣，階段性的停止向顯影塊的處理模塊的搬送、向涂覆塊的處理模塊的搬送，因此能夠更可靠的抑制涂覆顯影裝置I的工作效率的降低，也可以同時停止向這些處理模塊的搬送。
[0170]此外，執(zhí)行模式D4?D6時，對于液處理模塊BCT、COT、TCT、BST和DEV，也可以針對各處理罩(cup)的每個控制晶片W的搬送的停止。即，停止向這些各處理模塊中處理過發(fā)生了異常的晶片W的處理罩23的晶片W的搬送，向與該處理罩23共有噴嘴24的處理罩23的晶片W的搬送繼續(xù)。此外，關(guān)于BCT、C0T、TCT和BST，決定停止向這些液處理模塊的搬送停止的情況下，也可以代替繼續(xù)向這些液處理模塊搬送，而停止向包括該液處理模塊的單位塊的晶片W的搬送。此外，如上所述，針對每個處理罩23使晶片W的搬送停止的情況下，為了調(diào)整裝置內(nèi)的晶片W的處理枚數(shù)，例如不使用I個BCT的處理罩23的情況下，能夠設(shè)定為不使用相同單位塊的一個的COT的處理罩23。同樣，例如不使用I個COT的處理罩23的情況下，能夠設(shè)定為也不使用相同單位塊的I個BCT。如此，與向COT和BCT的處理罩23的搬送停止的單位塊相同結(jié)構(gòu)的單位塊中，也停止向COT的I個處理罩23和BCT的I個處理罩23的搬送，也可以調(diào)整晶片W的處理枚數(shù)。
[0171]此外，上述涂覆顯影裝置I中，接口塊S3也可以如圖16所示那樣構(gòu)成。在該例中，晶片W通過接口塊S3向單位塊B1、B2 — B3、B4搬送。說明與圖5所示的接口塊S3的差異點，在對應(yīng)于單位塊B1、B2的高度位置分別設(shè)置交接模塊BU5、BU6。在與單位塊B3對應(yīng)的高度位置設(shè)置有交接模塊BU7、BU8。在與單位塊B4對應(yīng)的高度位置，設(shè)置有交接模塊BU9、BU10。此外，在對應(yīng)于單位塊B5、B6的高度位置分別設(shè)置有交接模塊TRS1、TRS2。此夕卜，設(shè)置有交接模塊BUlI。各交接模塊相互疊層。
[0172]在單位塊B1、B2結(jié)束處理的晶片W，分別被搬送到交接模塊BU5、BU6，再通過接口臂33被搬送到交接模塊BU7、BU8。搬送到交接模塊BU7、BU8的晶片W，通過交接臂A3、A4分別搬入單位塊B3、B4接收處理。在單位塊B3、B4接收處理的晶片W，被搬送到交接模塊BU9、BU10，通過接口臂33搬送到交接模塊CPL14、CPL15。之后，晶片W與圖5的例子同樣地，依次搬送到曝光裝置S4 —交接模塊TRS，然后，搬送到交接模塊TRS —接口臂33 —交接模塊BUll —交接模塊TRS1、TRS2，通過主臂A5、A6搬送到單位塊B5、B6。
[0173]此外，在上述實施方式中，將在TCTI?TCT4形成保護膜，在加熱模塊HP300?311或HP400?411被加熱的晶片W搬送到檢查模塊31，進行檢查。這種情況下，例如關(guān)于檢查出異常的晶片W，停止向在該晶片W形成防反射膜、抗蝕劑膜和保護膜的單位塊的搬送，或者停止向上述單位塊所包括的處理過該晶片W的模塊的搬送。
[0174]上述例子中，TCT也可以不是保護膜形成模塊，而是在抗蝕劑膜的上層形成防反射膜的模塊。此外，在疏水化處理模塊ADH的疏水化處理，代替在防反射膜形成模塊BCT中形成防反射膜之前進行，而在上述防反射膜的形成后，抗蝕劑涂覆前進行也可以，在抗蝕劑涂覆后，將晶片W搬送到單位塊B3、B4前進行也可以。此外，各單位塊的疊層順序不限于該例，例如進行顯影處理的第五、第六單位塊也可以設(shè)置在進行抗蝕劑膜的形成的第一和第二單位塊的下方。
[0175](第二實施方式)
[0176]接著，參照圖17，對第二實施方式的涂覆顯影裝置的處理塊S5進行說明。在該處理塊S5中，分別包括防反射膜形成模塊BCT、抗蝕劑膜形成模塊C0T、保護膜形成模塊TCT的單位塊被2層化地設(shè)置。處理塊S5的各單位塊BI?B4，除去所搭載的液處理模塊不同之外，與處理塊S2的各單位塊BI?B4同樣地構(gòu)成。在處理塊S5的單位塊B1、B2、B3、B4分別設(shè)置有防反射膜形成模塊BCTl?BCT4、防反射膜形成模塊BCT5?BCT8、抗蝕劑膜形成模塊COTl?C0T4、抗蝕劑膜形成模塊C0T5?C0T8。這些液處理模塊，與已述的處理塊S2的液處理模塊同樣地分別具備處理罩23。并且，以從載體塊SI側(cè)向著接口塊S3側(cè)每2個相互相鄰的方式設(shè)置的處理罩23，共有向晶片W供給處理液的噴嘴24。
[0177]單位塊B1、B2相互同樣地構(gòu)成，此外，單位塊B3、B4相互同樣地構(gòu)成。并且，晶片W與在處理塊S2同樣地在各單位塊之間被交接。即，在單位塊B1、B2接收處理的晶片W，通過架單元U7的交接模塊CPL和交接臂30被搬送到單位塊B3、B4。此外，通過架單元U8的交接模塊交接到單位塊B3?B6和曝光裝置S4。
[0178]通過如此構(gòu)成處理塊S5，進行已述的顯影后檢查Cl的情況下，晶片W按照單位塊BUB2 —單位塊B3、B4 —曝光裝置S4 —單位塊B5、B6 —檢查模塊31的順序被搬送并接收處理。此外，進行抗蝕劑涂覆后檢查C2的情況下，晶片W按照單位塊B1、B2 —單位塊B3、B4 —檢查模塊31的順序被搬送被處理之后，通過架單元U7和單位塊B3、B4搬送到接口塊S3，按照曝光裝置S4 —單位塊B5、B6的順序被搬送并接收處理。
[0179]具備該處理塊S5的涂覆顯影裝置I中，用戶能夠例如如已述那樣選擇各檢查模式Dl?D8，在晶片W檢查出異常時，能夠根據(jù)所選擇的模式停止向每個單位塊或每個處理模塊搬送晶片W。此外，在該處理塊S5中，各層按照每2個設(shè)置共有噴嘴24的處理罩23的組，因此選擇針對每個模塊停止搬送的模式D4?D6或D8，決定向液處理模塊的搬送停止的情況下，晶片W被分配給例如與成為搬送停止的該液處理模塊相同層不共有噴嘴24的液處理模塊。即，例如，COTl停止搬送的情況下，后續(xù)的晶片W分配給不共有噴嘴24的C0T3、C0T4。
[0180]在該第二實施方式中，與第一實施方式同樣，即使停止處理過被檢查出異常的晶片W的單位塊或模塊，在其他單位塊或模塊也繼續(xù)晶片W的處理。另一方面，能夠進行停止的單位塊或模塊的故障修理或定期檢查、調(diào)整確認等的維修，因此能夠抑制生產(chǎn)率的降低。
[0181](第三實施方式)
[0182]處理塊的其他例子，參照圖18所示的處理塊S6進行說明。作為與已述的處理塊S5的差異點，能夠舉出疊層8層單位塊。在該處理塊S6中，單位塊El?E4與處理塊S5的單位塊BI?B4同樣地構(gòu)成。在單位塊E4上疊層相互同樣地構(gòu)成的單位塊E5、E6，在這些單位塊E5、E6分別設(shè)置有保護膜形成模塊TCTl?TCT4、TCT5?TCT8。除液處理模塊不同之外，單位塊E5、E6與其他的單位塊El?E4同樣地構(gòu)成。在單位塊E6上疊層有單位塊E7、E8，這些單位塊E7、E8與第一實施方式中的處理塊S2的單位塊B5、B6同樣地構(gòu)成。在該第三實施方式中，單位塊El、E2與前段涂覆用的涂覆塊相當，單位塊E3、E4與后段涂覆用的單位塊相當。
[0183]晶片W通過架單元U7的各交接模塊CPL和交接臂30，能夠在該處理塊S6中的單位塊El?E6之間移動。此外，通過架單元U8的各交接模塊和各接口臂32?34，在單位塊E5?ES和曝光裝置S4之間能夠進行晶片W的交接。由此，進行顯影后檢查Cl的情況下，晶片W按照單位塊E1、E2 —單位塊E3、E4 —單位塊E5、E6 —曝光裝置S4 —單位塊E7、ES —檢查模塊31的順序被搬送。此外，進行抗蝕劑涂覆后檢查C2的情況下，晶片W按照單位塊E1、E2 —單位塊E3、E4 —檢查模塊一單位塊E5、E6 —曝光裝置S4 —單位塊E7、E8的順序被搬送接收處理。
[0184]具備該處理塊S6的涂覆顯影裝置，與第一和第二實施方式同樣，設(shè)置根據(jù)檢查模塊31的檢查結(jié)果控制晶片W的搬送的各種模式，對晶片W能夠進行顯影后的檢查或抗蝕劑涂覆后、曝光前的檢查。圖19中表示從該涂覆顯影裝置的設(shè)定部64能夠選擇的檢查的種類和模式。該涂覆顯影裝置的顯影處理后檢查Cl包括例如與已述的模式Dl?D6分別對應(yīng)的模式Fl?F6。
[0185]在模式F1，在單位塊E7、E8中，停止向處理過成為異常的晶片W的單位塊的晶片W的搬送。在模式F2，單位塊El?E4、E7、E8中，停止向處理過成為異常的晶片W的單位塊的晶片W的搬送。在模式F3，在單位塊El?E8中，停止向處理過成為異常的晶片W的單位塊的晶片W的搬送。在模式F4，在單位塊E7、E8中，停止向處理過成為異常的晶片W的單位塊的模塊的晶片W的搬送。在模式F5，在單位塊El?E4、E7、E8中，停止向處理過成為異常的晶片W的單位塊的模塊的晶片W的搬送。在模式F6，在單位塊El?E8中，停止向處理過成為異常的晶片W的單位塊的模塊的晶片W的搬送。
[0186]此外，該涂覆顯影裝置I的抗蝕劑涂覆后檢查C2中，例如包括與已述的模式D7?D8分別對應(yīng)的模式F7?F8。在模式F7，關(guān)于單位塊El?E4，停止向處理過成為異常的晶片W的單位塊搬送后續(xù)的晶片W。在模式F8，關(guān)于單位塊El?E4中，停止向處理過成為異常的晶片W的處理模塊搬送后續(xù)的晶片W。
[0187]在如此形成處理塊S6的情況下，能夠進行對停止晶片W的搬送的單位塊或處理模塊的維修，同時繼續(xù)晶片W的處理，因此得到與上述涂覆顯影裝置I同樣的效果。
[0188]符號說明
[0189]W 晶片
[0190]BCTl?BCT4防反射膜形成模塊[0191 ]BSTl?BST4背面清潔模塊
[0192]COTl?C0T4抗蝕劑膜形成模塊
[0193]DEVl?DEV8顯影模塊
[0194]HP加熱模塊
[0195]TCTl?TCT4保護膜形成模塊
[0196]SI載體塊
[0197]S2處理塊
[0198]S3 接口塊
[0199]WEE周邊曝光模塊
[0200]I涂覆顯影裝置
[0201]30交接臂
[0202]51控制部
[0203]55搬送程序
[0204]56判定程序
[0205]61存儲器
[0206]64設(shè)定部
[0207]Al ?A6 主臂。
【權(quán)利要求】
1.一種涂覆顯影裝置，將通過載體搬入到載體塊的基板交接到處理塊，在該處理塊形成包括抗蝕劑膜的涂覆膜之后，通過相對于所述處理塊位于與載體塊相反側(cè)的接口塊搬送到曝光裝置，在所述處理塊對通過所述接口塊返回的曝光后的基板進行顯影處理，并交接到所述載體塊，該涂覆顯影裝置的特征在于，具備: a)所述處理塊，其包括: 將涂覆用的單位塊作為第一涂覆用單位塊和第二涂覆用單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，所述涂覆用單位塊具備:向基板供給藥液，形成曝光處理所必要的薄膜的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)； 和 將顯影處理用單位塊作為第一顯影處理用的單位塊和第二顯影處理用的單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，該顯影處理用單位塊具備:相對于所述涂覆用單位塊疊層、向基板供給顯影液的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)， b)所述薄膜為包括抗蝕劑膜的薄膜， c)針對各單位塊的每個設(shè)置于載體塊一側(cè)的、在與各單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接的交接部， d)第一交接機構(gòu)，其用于將基板從載體分配、交接到與涂覆用的各單位塊對應(yīng)的所述交接部，并且使基板從顯影處理用的各單位塊的交接部返回載體， e)第二交接機構(gòu)，其用于接收在所述處理塊處理過的曝光前的基板，并將曝光后的基板分配、交接到顯影處理用的單位塊， f)對顯影處理后的基板進行檢查的顯影后檢查模塊， g)存儲直到檢查對象的基板在所述檢查模塊接受檢查為止，所述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)的存儲部，以及 h)選擇部，其用于在利用所述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，使用者從包括第一搬送和第二搬送的顯影后異常應(yīng)對用的搬送中選擇基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)進行的后續(xù)的基板的搬送模式， 所述第一搬送為如下搬送方式:在顯影處理用的單位塊中，確定處理過被檢測出異常的基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊， 所述第二搬送為如下搬送方式:確定處理過被檢查出異常的基板的顯影處理用的單位塊，控制第二交接機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的顯影處理用的單位塊以外的顯影處理用的單位塊。
2.如權(quán)利要求1所述的涂覆顯影裝置，其特征在于: 所述顯影后異常應(yīng)對用的搬送包括第三搬送， 所述第三搬送為如下搬送方式:在顯影處理用的單位塊和涂覆用的單位塊中，確定處理過檢查出異常的基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的涂覆顯影裝置，其特征在于: 所述顯影后異常應(yīng)對用的搬送包括第四搬送， 所述第四搬送為如下搬送方式:確定處理過檢查出異常的基板的顯影處理用的單位塊和涂覆用的單位塊，控制第一交接機構(gòu)和第二交接機構(gòu)的動作，將后續(xù)的基板搬送到所確定的單位塊以外的單位塊。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項所述的涂覆顯影裝置，其特征在于，設(shè)置有: 形成抗蝕劑膜之后，對曝光前的基板進行檢查的涂覆后檢查模塊； 存儲直到檢查對象的基板在所述涂覆后檢查模塊接受檢查為止，所述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)的存儲部；和 控制部，其在利用所述涂覆后檢查模塊進行的檢查中檢查出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)控制后續(xù)的基板的搬送， 所述控制部，在涂覆用的單位塊中，確定處理過被檢查出異常的基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項所述的涂覆顯影裝置，其特征在于，設(shè)置有: 形成抗蝕劑膜之后，對曝光前的基板進行檢查的涂覆后檢查模塊； 存儲直到檢查對象的基板在所述涂覆后檢查模塊接受檢查為止，所述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)的存儲部；和 控制部，其在利用所述涂覆后檢查模塊進行的檢查中檢查出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)控制后續(xù)的基板的搬送， 所述控制部，在涂覆用的單位塊中，確定處理過被檢查出異常的基板的單位塊，控制第一交接機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的單位塊以外的單位塊。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項所述的涂覆顯影裝置，其特征在于: 涂覆用的單位塊具備:向基板供給藥液，形成下層側(cè)的防反射膜的下層用的液處理模塊；向所述防反射膜上供給抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的涂覆模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用搬送機構(gòu)。
7.一種涂覆顯影方法，其利用涂覆顯影裝置，該涂覆顯影裝置將通過載體搬入到載體塊的基板交接到處理塊，在該處理塊形成包括抗蝕劑膜的涂覆膜之后，通過相對于所述處理塊位于與載體塊相反側(cè)的接口塊搬送到曝光裝置，在所述處理塊對通過所述接口塊返回的曝光后的基板進行顯影處理，并交接到所述載體塊，所述涂覆顯影裝置具備: a)所述處理塊，其包括: 將涂覆用的單位塊作為第一涂覆用單位塊和第二涂覆用單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，所述涂覆用的單位塊具備:向基板供給藥液，形成曝光處理所必要的薄膜的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和用于在這些模塊之間搬送基板、在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)；和 將顯影處理用單位塊作為第一顯影處理用的單位塊和第二顯影處理用的單位塊上下二層化并相互疊層而形成的部件，該顯影處理用的單位塊具備:與所述涂覆用單位塊疊層、向基板供給顯影液的液處理模塊；對基板進行加熱的加熱模塊；和在連接載體塊和接口塊的直線搬送路徑上移動的單位塊用的搬送機構(gòu)， b)所述薄膜為包括抗蝕劑膜的薄膜， c)針對各單位塊的每個設(shè)置于載體塊一側(cè)的、在與各單位塊的搬送機構(gòu)之間進行基板的交接的交接部， d)第一交接機構(gòu)，其用于將基板從載體分配、交接到與涂覆用的各單位塊對應(yīng)的所述交接部，并且使基板從顯影處理用的各單位塊的交接部返回載體， e)第二交接機構(gòu)，其用于接收在所述處理塊處理過的曝光前的基板，并將曝光后的基板分配、交接到顯影處理用的單位塊， f)對顯影處理后的基板進行檢查的檢查模塊， 所述涂覆顯影方法包括: 對顯影處理后的基板進行檢查的顯影后檢查工序； 將直到檢查對象的基板接受利用該顯影后檢查工序的檢查為止的所述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)存儲到存儲部的工序； 進行第一搬送的工序，其在利用所述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定顯影處理用的單位塊中處理過基板的模塊，控制單位塊用的搬送機構(gòu)的動作，使得將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊；和 進行第二搬送的工序，其在利用所述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定處理過基板的顯影處理用的單位塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的顯影處理用的單位塊以外的顯影處理用的單位塊。
8.如權(quán)利要求7所述的涂覆顯影方法，其特征在于: 在利用所述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定顯影處理用的單位塊中的處理過基板的模塊，并且確定涂覆用的單位塊中處理過基板的模塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊。
9.如權(quán)利要求7所述的涂覆顯影方法，其特征在于: 在利用所述檢查模塊進行的檢查中檢測出基板異常時，基于在存儲部存儲的數(shù)據(jù)，確定處理過基板的顯影處理用的單位塊，并且確定涂覆用的單位塊中處理過基板的單位塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的涂覆用的單位塊以外的涂覆用的單位塊。
10.如權(quán)利要求7?9中任一項所述的涂覆顯影方法，其特征在于: 所述涂覆顯影裝置包括對形成抗蝕劑膜之后的曝光前的基板進行檢查的涂覆后檢查模塊， 所述涂覆顯影方法還包括: 對由所述涂覆后檢查模塊對形成抗蝕劑膜之后的基板進行檢查的涂覆后檢查工序； 將直到檢查對象的基板在該涂覆后檢查工序中接受檢查為止的所述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)存儲在存儲部的工序；和 在所述涂覆后檢查工序中檢查出基板異常時，基于存儲在存儲部的數(shù)據(jù)，確定涂覆用的單位塊中處理過檢查出異常的基板的模塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的模塊以外的模塊的工序。
11.如權(quán)利要求7?9中任一項所述的涂覆顯影方法，其特征在于: 所述涂覆顯影裝置包括對形成抗蝕劑膜之后的曝光前的基板進行檢查的涂覆后檢查模塊， 所述涂覆顯影方法還包括: 對由所述涂覆后檢查模塊對形成抗蝕劑膜之后的基板進行檢查的涂覆后檢查工序；將直到檢查對象的基板在該涂覆后檢查工序中接受檢查為止的所述檢查對象的基板被搬送的路徑的數(shù)據(jù)存儲在存儲部的工序；和 在所述涂覆后檢查工序中檢查出基板異常時，基于存儲在存儲部的數(shù)據(jù)，代替確定涂覆用的單位塊中的處理過檢查出異常的基板的模塊，而確定處理過所述基板的涂覆用的單位塊，將后續(xù)的基板搬送到所確定的單位塊以外的單位塊的工序。
【文檔編號】H01L21/67GK104465460SQ201410641400
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2011年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2010年7月9日
【發(fā)明者】松岡伸明, 宮田亮, 林伸一, 榎木田卓, 富田浩, 早川誠, 吉田達平 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社