晶片的切削方法
【專利摘要】本發(fā)明提供晶片的切削方法，不需要準備特殊的設備，不用中斷切削動作就能夠消除切削刀具的堵塞并切削晶片。在晶片(W)的切削方法中，使通過層疊在基板(65)的表面上的層疊體而形成器件的晶片(W)相對于切削刀具(15)在與切削刀具(15)的旋轉(zhuǎn)軸垂直的方向上相對移動，沿著多個間隔道進行切削，該切削方法包括：層疊體去除工序，使切削刀具(15)切入得比層疊體的厚度深而切入到基板(65)的中途，并且，使晶片(W)沿著間隔道相對移動，形成切削槽(66)，從而去除層疊體；以及修整工序，使切削刀具(15)沿著切削槽(66)切入得深，使晶片(W)相對移動，沿著切削槽(66)進行切削，去除附著在切削刀具(15)的末端的層疊體，進行修整。
【專利說明】晶片的切削方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及對在表面形成有保護膜或TEG等層疊體的半導體晶片等被加工物進行切削的切削方法。

【背景技術】
[0002]以往，公知有用于將半導體晶片、玻璃基板、樹脂基板等分割為器件芯片的切削裝置(劃片裝置)，例如，如專利文獻I所公開的那樣，還公知有具有兩個主軸單元的雙主軸切削裝置。在這種雙主軸切削裝置中，實施如下的階梯切割(Step cut):首先，進行通過一個主軸單元的切削刀具形成規(guī)定深度的槽的半切，然后，進行通過另一個主軸單元的切削刀具完全切斷半切后的槽的全切。
[0003]在對半導體晶片進行切削加工時，在對設定有分割預定線的間隔道去除被稱為測試元件組(Test Element Group, TEG)的測試用金屬圖案的情況下,也進行這種階梯切割。即，首先，利用一個主軸單元的切削刀具去除(半切)TEG而形成第一切削槽，接著，利用另一個主軸單元的切削刀具在第一切削槽的位置處形成第二切削槽并完全切斷(全切)半導體晶片。
[0004]如果想要實施這種階梯切割，則預先通過半切去除TEG，并利用與在半切中使用的切削刀具不同的切削刀具進行全切，因此在進行全切的切削刀具中不會產(chǎn)生由TEG引起的堵塞。而且，由于在進行全切的切削刀具中不會產(chǎn)生由TEG引起的堵塞，因此能夠有效地防止在晶片的背面?zhèn)犬a(chǎn)生碎屑。
[0005]專利文獻1:日本特開2003-173986號公報
[0006]專利文獻2:日本特開2000-49120號公報
[0007]專利文獻3:日本特開2008-300555號公報
[0008]但是，切削刀具一邊高速旋轉(zhuǎn)一邊切削晶片等工件，而長時間持續(xù)進行半切或持續(xù)切斷間隔道上的TEG圖案會使得樹脂等切削屑附著在刀具末端，刀具產(chǎn)生堵塞，切割性能降低。為了解決該問題，存在將進行刀具修整的修整部件專用子卡盤工作臺設置在與卡盤工作臺相鄰的位置、或在與切割帶上的工件相鄰的位置處粘貼設置修整部件的方法(例如，參照專利文獻2、3)?？傊枰O置子卡盤工作臺、或準備特殊的切割用框架，成本增加。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，提供如下的晶片的切削方法:不需要準備特殊的設備，不用中斷切削動作就能夠一邊消除半切用切削刀具的堵塞一邊切削半導體晶片。
[0010]為了解決上述的課題并實現(xiàn)目的，在本發(fā)明的晶片的切削方法中，使通過層疊在基板正面上的層疊體而形成有器件的晶片相對于具有環(huán)狀的切削刃并向規(guī)定方向旋轉(zhuǎn)的切削刀具在與該切削刀具的旋轉(zhuǎn)軸垂直的方向上相對移動，沿著劃分該器件的多個間隔道進行切削，該切削方法的特征在于，包括:帶粘貼工序，在所述晶片的背面粘貼切割帶；層疊體去除工序，在實施了該帶粘貼工序之后，使所述切削刀具切入得比該層疊體的厚度深而切入到該基板的中途，并且，在該切削刀具與所述晶片相對的位置上，使所述晶片順著該切削刀具的旋轉(zhuǎn)方向沿著所述間隔道相對移動，形成切削槽，從而去除該層疊體；以及修整工序，在執(zhí)行該層疊體去除工序后的任意時機，使該切削刀具沿著該切削槽切入得比該切削槽深，使所述晶片逆著該切削刀具的旋轉(zhuǎn)方向相對移動，沿著該切削槽切削該基板，去除在該層疊體去除工序中附著在該切削刀具的末端的該層疊體，進行該切削刀具的修整。
[0011]在本發(fā)明的晶片的切削方法中，將去除了表面層疊體的半切用切削刀具切入到去除了層疊體的切削槽并返回，從而能夠進行去除了層疊體的切削刀具的修整，因此不需要設置特殊的機構(gòu)，是經(jīng)濟的。而且，不需要為了進行切削刀具的修整而停止生產(chǎn)，因此還實現(xiàn)了生產(chǎn)量的提高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是通過實施方式的晶片的切削方法進行切削加工的切削裝置的立體圖。
[0013]圖2是圖1所示的切削單元的詳細圖。
[0014]圖3是通過圖1所示的切削裝置進行晶片的切削加工時的說明圖。
[0015]圖4是使用實施方式的晶片的切削加工對晶片進行分割時的工序的流程圖。
[0016]圖5是層疊體去除工序中的切削的說明圖。
[0017]圖6是圖5的A-A剖視圖。
[0018]圖7是修整工序中的修整的說明圖。
[0019]圖8是圖7的B-B剖視圖。
[0020]圖9是分割工序中的切削的說明圖。
[0021]圖10是圖9的C-C剖視圖。
[0022]標號說明
[0023]1:切削裝置；2:裝置主體；5:卡盤工作臺；10:切削單元；15:切削刀具；16:第一切削刀具；17:第二切削刀具；20:主軸；25:主軸套；30:噴嘴；35:刀具罩；40:Y軸移動單元；45:Ζ軸移動單元；61:正面；62:背面；65:基板；66:切削槽；W:晶片；T:切割帶；L:層疊體；S:間隔道。

【具體實施方式】
[0024]下面，根據(jù)附圖對本發(fā)明的晶片的切削方法的實施方式進行詳細說明。另外，本發(fā)明不限定于該實施方式。另外，在下述實施方式的結(jié)構(gòu)要素中包含本領域技術人員能夠容易置換的結(jié)構(gòu)要素、或?qū)嵸|(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)要素。
[0025](實施方式)
[0026]圖1是通過實施方式的晶片的切削方法進行切削加工的切削裝置的立體圖。在本實施方式中，X軸方向是與后述切削刀具15的旋轉(zhuǎn)軸的方向和鉛直方向雙方垂直的方向，Y軸方向是與鉛直方向垂直的切削刀具15的旋轉(zhuǎn)軸的方向，Z軸方向是鉛直方向。圖1所示的切削裝置I構(gòu)成為包括卡盤工作臺5、兩個切削單元10、清洗/干燥單元50。本實施方式的晶片的切削方法中使用的切削裝置I是使兩個切削單元10在Y軸方向上相對配置的雙端面型(Facing dual type)加工裝置。
[0027]切削裝置I通過使保持被加工物的卡盤工作臺5與兩個切削單元10相對移動，對被加工物實施切削加工。S卩，卡盤工作臺5被設置成，在保持被加工物的狀態(tài)下，能夠在作為加工進給方向的X軸方向上相對于裝置主體2進行相對移動。
[0028]這里，被加工物是被切削加工的加工對象，沒有特別限定，但是，例如可以是將硅、砷化鎵(GaAs)等作為原材料的圓板狀的半導體晶片或光器件晶片、陶瓷、玻璃、藍寶石(Al2O3)系的圓板狀的無機材料基板、金屬或樹脂等的圓板狀的延性材料等各種加工材料。在本實施方式中，設切削裝置I進行作為被加工物的半導體晶片W的切削加工來進行說明。
[0029]例如，在作為形成有多個器件的器件側(cè)表面的正面的相反側(cè)的表面、即背面粘貼作為粘接帶的切割帶T，進而將切割帶T粘貼在磁性體的環(huán)狀框架F上，由此在固定于環(huán)狀框架F上的狀態(tài)下對晶片W進行切削加工。切削裝置I對晶片W的切削加工是在如下狀態(tài)下進行:粘貼有切割帶T的一側(cè)的表面載置在卡盤工作臺5上而將晶片W吸引保持在卡盤工作臺5上，在配設在卡盤工作臺5周圍的框架保持單元6上保持環(huán)狀框架F。
[0030]圖2是圖1所示的切削單元的詳細圖。兩個切削單元10由第一切削單元11和第二切削單元12構(gòu)成，這些切削單元10構(gòu)成為包括切削刀具15、主軸20、主軸套25、噴嘴30、刀具罩35。S卩，第一切削單兀11構(gòu)成為包括第一切削刀具16、第一主軸21、第一主軸套26、第一噴嘴31、第一刀具罩36。同樣，第二切削單元12也構(gòu)成為包括第二切削刀具17、第二主軸22、第二主軸套27、第二噴嘴32、第二刀具罩37。其中，第二切削刀具17形成為比第一切削刀具16的厚度稍薄的厚度。
[0031]這些切削單元10能夠分別通過移動單元而進行移動，通過作為分度進給單元的Y軸移動單元40和作為切入進給單元的Z軸移動單元45而能夠在Y軸方向和Z軸方向上移動。即，第一切削單元11通過第一 Y軸移動單元41和第一 Z軸移動單元46而能夠在Y軸方向和Z軸方向上移動，第二切削單元12通過第二 Y軸移動單元42和第二 Z軸移動單元47而能夠在Y軸方向和Z軸方向上移動。由此，第一切削單元11和第二切削單元12能夠一邊對保持在卡盤工作臺5上的晶片W供給切削水，一邊對應加工的區(qū)域?qū)嵤┣邢骷庸ぁ?br> [0032]切削刀具15具有環(huán)狀的切削刃，設置成能夠在規(guī)定方向上進行旋轉(zhuǎn)。詳細地講，切削刀具15是通過高速旋轉(zhuǎn)而對保持在卡盤工作臺5上的晶片W進行切削的形成為極薄的環(huán)形狀的切削石，由此，切削刀具15具有環(huán)狀的切削刃。該切削刀具15通過固定螺母(省略圖示)以能夠更換的方式固定在主軸20上。主軸套25形成為筒狀，通過空氣軸承將內(nèi)插的主軸20支承為旋轉(zhuǎn)自如。噴嘴30使切削液噴出而供給到切削刀具15的加工點。刀具罩35以能夠拆裝的方式保持噴嘴30。第一切削單元11和第二切削單元12均由這些構(gòu)造構(gòu)成。
[0033]清洗/干燥單元50能夠進行切削加工后的晶片W的清洗和干燥。詳細地講，清洗/干燥單元50能夠通過由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動源產(chǎn)生的動力使旋轉(zhuǎn)臺51旋轉(zhuǎn)，并且通過清洗液噴射裝置對晶片W噴射清洗液以對該晶片W進行清洗，從氣體噴射裝置對清洗后的晶片W噴射氣體而能夠使該晶片W干燥。
[0034]利用本實施方式的晶片W的切削方法進行切削加工的切削裝置I如上所述構(gòu)成，下面對其作用進行說明。圖3是通過圖1所示的切削裝置進行晶片的切削加工時的說明圖。上述的切削裝置I是通過第一切削刀具16和第二切削刀具17這兩個切削刀具15而階段性地進行晶片W的切斷的、通過所謂的階梯切割(step cut)進行切斷的加工裝置。S卩，切削裝置I沿著劃分多個器件67(參照圖5)的間隔道S(參照圖5)，利用作為第一切削刀具15的第一切削刀具16而切削到晶片W的厚度方向的中途，沿著該切削槽66 (參照圖5)，通過作為第二切削刀具15的第二切削刀具17而切削晶片W的剩余厚度量。
[0035]另外，在利用切削裝置I進行晶片W的切削加工時，從粘貼有切割帶T的晶片W中的、粘貼有切割帶T的表面的相反側(cè)的表面即正面61側(cè)進行切削加工。另外，這樣進行切削加工的晶片W在作為晶片W的基底的基板65的正面61側(cè)層疊具有TEG(Test ElementGroup:測試元件組)等電路圖案的表面膜等層疊體L，由此在晶片W上形成多個器件67。
[0036]在利用切削裝置I進行晶片W的切削加工時，以粘貼有切割帶T的一側(cè)的表面即背面62成為下表面而與卡盤工作臺5相對且層疊有層疊體L的一側(cè)的表面即正面61成為上表面的方向載置在卡盤工作臺5上。進而，在利用框架保持單元6保持環(huán)狀框架F且利用卡盤工作臺5吸引保持了晶片W的背面62側(cè)的狀態(tài)下，從晶片W的正面61側(cè)起，通過第一切削刀具16和第二切削刀具17階段性地進行切削。即，第一切削刀具16設置為半切用切削刀具15，第二切削刀具17設置為分割用切削刀具15，切削裝置I使用這兩個切削刀具15階段性地切削晶片W。
[0037]圖4是使用實施方式的晶片的切削加工對晶片進行分割時的工序的流程圖。在對晶片W進行分割時，首先，在帶粘貼工序(步驟ST11)中，對層疊有層疊體L的晶片W粘貼切割帶T。切割帶T粘貼在具有內(nèi)徑比晶片W的外徑大的孔的環(huán)狀框架F上。在該狀態(tài)下，從環(huán)狀框架F的孔的部分將晶片W的背面62粘貼在切割帶T上。由此，將切割帶T粘貼在晶片W的背面62的整個面上。
[0038]在實施了帶粘貼工序后，接著，在層疊體去除工序(步驟ST12)中，去除層疊在晶片W的正面61上的層疊體L。在去除層疊體L時，首先，以正面61成為上表面的方向，利用切削裝置I的卡盤工作臺5保持晶片W(參照圖3)。在該狀態(tài)下，從晶片W的正面61側(cè)、SP層疊有層疊體L的一側(cè)起，通過切削刀具15進行晶片W的切削，由此去除層疊體L。
[0039]圖5是層疊體去除工序中的切削的說明圖。圖6是圖5的A-A剖視圖。使兩個切削刀具15中的第一切削刀具16與晶片W的正面61相對，使旋轉(zhuǎn)的第一切削刀具16的外周面與晶片W的間隔道S接觸，并且使第一切削刀具16與晶片W沿著間隔道S相對移動，從而進行層疊體去除工序。在該層疊體去除工序中，使第一切削刀具16以比層疊體L的厚度深、且比晶片W的厚度淺的深度，使外周面的下端附近從層疊體L側(cè)的表面切入到晶片W，從正面61側(cè)切入到基板65的中途。由此，第一切削刀具16以進入到晶片W的深度從層疊體L側(cè)的表面切削晶片W。
[0040]在層疊體去除工序中，在利用第一切削刀具16切削晶片W的同時，使保持晶片W的卡盤工作臺5在與第一切削刀具16的旋轉(zhuǎn)軸垂直的方向上相對移動。關于此時的移動方向，使卡盤工作臺5向與旋轉(zhuǎn)的第一切削刀具16的下端附近的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向上移動，使晶片W相對于第一切削刀具16在該方向上相對移動。即，使卡盤工作臺5在沿著晶片W的間隔道S的方向上、且向與第一切削刀具16中的與晶片W接觸的部分附近的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向即順方向移動。在該狀態(tài)下，第一切削刀具16通過所謂的下切進行切削，該下切如下:在晶片W的移動方向上第一切削刀具16開始切削晶片W的部分從上方側(cè)朝向下方側(cè)、即從正面61方向側(cè)朝向背面62方向側(cè)進行切削。
[0041]由此，第一切削刀具16以比層疊體L的厚度深、且比晶片W的厚度淺的深度，從層疊有層疊體L的一側(cè)的表面切削晶片W，沿著間隔道S形成該深度的切削槽66。換言之，以第一切削刀具16的厚度去除層疊體L，進而，以第一切削刀具16的厚度切削基板65中的靠近層疊體L的部分，由此形成切削槽66。這樣，在層疊體去除工序中，在第一切削刀具16和晶片W相對的位置處，使晶片W向與第一切削刀具16的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向沿著間隔道S相對移動,形成切削槽66，由此去除層疊體L。
[0042]在執(zhí)行了層疊體去除工序后，接著，在修整工序(步驟ST13)中進行第一切削刀具16的修整。圖7是修整工序中的修整的說明圖。圖8是圖7的B-B剖視圖。在使層疊體去除工序中進行了晶片W的切削的第一切削刀具16向與層疊體去除工序中的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，一邊使第一切削刀具16的外周面與切削槽66接觸一邊向與層疊體去除工序中的晶片W的相對移動的方向相反的方向相對移動，由此進行修整工序。在該修整工序中，使第一切削刀具16以比晶片W中形成了切削槽66的部分的剩余厚度、即從切削槽66的槽底到背面62的厚度淺的深度，使外周面中的下端附近從切削槽66的槽底切入到晶片W。由此，第一切削刀具16從切削槽66的槽底以進入到晶片W的深度切削晶片W。
[0043]在修整工序中，也是這樣利用第一切削刀具16切削晶片W，但是在修整工序中，與層疊體去除工序不同，使卡盤工作臺5向逆著旋轉(zhuǎn)的第一切削刀具16的下端附近的旋轉(zhuǎn)方向的方向移動。即，在修整工序中，第一切削刀具16的旋轉(zhuǎn)方向維持層疊體去除工序中的旋轉(zhuǎn)方向，而使卡盤工作臺5向逆著層疊體去除工序中的移動方向的方向移動。詳細地講，使卡盤工作臺5以如下方式移動:在層疊體去除工序中，在使第一切削刀具16沿著間隔道S的狀態(tài)下，使晶片W向順方向移動，而在第一切削刀具16到達間隔道S的端部之后，使晶片W向相反方向移動。
[0044]換言之，在修整工序中，第一切削刀具16的旋轉(zhuǎn)方向不變，而使卡盤工作臺5在沿著晶片W的間隔道S的方向上、且向與第一切削刀具16中的與晶片W接觸的部分附近的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向即反方向移動。在該狀態(tài)下，第一切削刀具16通過所謂的上切進行切肖IJ，該上切如下:在晶片W的移動方向上第一切削刀具16開始切削晶片W的部分，從下方側(cè)朝向上方側(cè)、即從背面62方向側(cè)朝向正面61方向側(cè)進行切削。
[0045]由此，第一切削刀具16更深地切入切削槽66，卡盤工作臺5向使晶片W在與第一切削刀具16的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向上相對移動的方向移動，在該狀態(tài)下，通過第一切削刀具16沿著切削槽66切削基板65。在修整工序中，如上所述一邊使晶片W向逆著第一切削刀具16的旋轉(zhuǎn)方向的方向相對移動一邊進行切削，從而使第一切削刀具16在與晶片W的移動方向相反的方向上切削晶片W。由此，去除層疊體去除工序中附著在第一切削刀具16的末端、即第一切削刀具16的外周面上的層疊體L，從第一切削刀具16的外周面去除層疊體L中包含的金屬等，由此進行第一切削刀具16的修整。
[0046]在執(zhí)行了修整工序后，接著，在分割工序(步驟ST14)中進行晶片W的分割。圖9是分割工序中的切削的說明圖。圖10是圖9的C-C剖視圖。使兩個切削刀具15中的第二切削刀具17與晶片W的正面61相對，使旋轉(zhuǎn)的第二切削刀具17的外周面與利用第一切削刀具16形成的切削槽66接觸，并且沿著切削槽66使第二切削刀具17與晶片W相對移動，由此進行分割工序。在該分割工序中，使第二切削刀具17以比晶片W單體的厚度深、且不會切斷粘貼在晶片W的背面62上的切割帶T的深度，使外周面的下端附近從切削槽66的槽底切入到晶片W。由此，第二切削刀具17以切斷晶片W的基板65、且不切斷切割帶T的深度切削晶片W。
[0047]另外，由于第二切削刀具17的厚度比第一切削刀具16的厚度薄，因此第二切削刀具17不會擴大利用第一切削刀具16切削的切削槽66的槽寬，進一步從該切削槽66的槽底對基板65進行切削。
[0048]在分割工序中，與在層疊體去除工序中通過第一切削刀具16切削晶片W的情況同樣，使卡盤工作臺5向與旋轉(zhuǎn)的第二切削刀具17的下端附近的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向移動，使晶片W相對于第二切削刀具17進行相對移動。即，使卡盤工作臺5向與第二切削刀具17中與晶片W接觸的部分附近的旋轉(zhuǎn)方向相同的方向即順方向移動。
[0049]這樣，在分割工序中，通過第二切削刀具17更深地切入切削槽66，以比晶片W單體的厚度深、且比包含粘貼在晶片W的背面62上的切割帶T在內(nèi)的厚度淺的深度，沿著切削槽66切削晶片W。由此，使第二切削刀具17沿著通過第一切削刀具16形成的切削槽66切入到切割帶T的中途。而且，如上所述切削晶片W，并且在第二切削刀具17和晶片W相對的位置處，使晶片W向順著第二切削刀具17的旋轉(zhuǎn)方向的方向沿著間隔道S進行相對移動。由此，不會切斷切割帶T，沿著利用第一切削刀具16形成的切削槽66分割基板65，對位于切削槽66兩側(cè)的器件67彼此進行分割。
[0050]另外，如上所述，在使用第二切削刀具17的分割工序中，在沿著規(guī)定間隔道S分割基板65時，優(yōu)選使用第一切削刀具16在其他間隔道S中進行層疊體去除工序。
[0051 ] 在以上的實施方式的晶片W的切削方法中，在利用第一切削刀具16形成切削槽66從而去除層疊體L后，使第一切削刀具16更深地切入切削槽66，使晶片W向與第一切削刀具16的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向進行相對移動，由此進行第一切削刀具16的修整。其結(jié)果，不需要設置特殊的機構(gòu)，能夠抑制設置用于切削晶片W的裝置時的成本，因此能夠提高經(jīng)濟性。進而，不用中斷切削動作就能夠消除第一切削刀具16的堵塞并切削晶片W，因此不需要為了進行第一切削刀具16的修整而停止生產(chǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)量的提高。
[0052]另外，如上所述一邊消除第一切削刀具16的堵塞一邊切削晶片W，從而能夠提高切削性能，因此能夠提高通過切削晶片W而生成的各器件67的品質(zhì)。
[0053](變形例)
[0054]另外，上述的晶片W的切削方法用于如下的切削裝置1，該切削裝置I使用第一切削刀具16和第二切削刀具17作為切削刀具15，通過使用這兩個切削刀具15階段性地進行的切削加工、即所謂的階梯切割來切削晶片W，但是，上述的晶片W的切削方法也可以用于除此以外的切削裝置I。例如，也可以使用如下的切削裝置I進行層疊體去除工序和分割工序，該切削裝置I具有切削用的一個主軸20，通過固定在該主軸20上的一個切削刀具15來進行分割。該情況下，在利用一個切削刀具15形成切削槽66從而進行層疊體L的去除之后，進行修整工序，在修整工序中對切削刀具15的末端進行修整之后，再次利用切削刀具15進行切削槽66的全切，由此切削晶片W。由此，不需要準備特殊的設備，并且，不用中斷切削動作就能夠消除切削刀具15的堵塞并切削晶片W。
[0055]另外，在上述晶片W的切削方法中，沒有規(guī)定進行切削刀具15的修整工序的時機，但是，也可以適當設定進行切削刀具15的修整工序的時機。例如，在層疊體去除工序中，也可以在一邊使晶片W移動一邊沿著規(guī)定間隔道S利用切削刀具15切削加工到間隔道S的端部之后，在晶片W向相反方向移動以使切削刀具15位于下一個間隔道S時，在該間隔道S中進行切削刀具15的修整工序?；蛘撸谛纬捎卸鄠€間隔道S的一個晶片W中，也可以僅在一個間隔道S中進行修整工序。優(yōu)選根據(jù)晶片W的大小、層疊體L的材質(zhì)、間隔道S的數(shù)量等而在執(zhí)行層疊體去除工序后的任意時機適當設定并執(zhí)行修整工序。
[0056]另外，在上述的晶片W的切削方法中，在層疊體去除工序和分割工序中，使晶片W向順著切削刀具15的旋轉(zhuǎn)方向的方向移動，在修整工序中，使晶片W向逆著切削刀具15的旋轉(zhuǎn)方向的方向移動，但是，晶片W的移動方向也可以是除此以外的方向。即，在層疊體去除工序和分割工序中，通過下切進行切削，在修整工序中，通過上切進行切削，但是，切削時的切削方向也可以是除此以外的方向。例如，在修整工序中，也可以使晶片W在順方向上移動，通過下切進行修整工序。優(yōu)選根據(jù)切削裝置I的動作順序、所要求的切削精度狀態(tài)而適當設定晶片W的移動方向。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片的切削方法，使通過層疊在基板正面上的層疊體而形成有器件的晶片相對于具有環(huán)狀的切削刃并向規(guī)定方向旋轉(zhuǎn)的切削刀具在與該切削刀具的旋轉(zhuǎn)軸垂直的方向上相對移動，沿著劃分該器件的多個間隔道進行切削，該切削方法的特征在于，包括: 帶粘貼工序，在所述晶片的背面粘貼切割帶； 層疊體去除工序，在實施了該帶粘貼工序之后，使所述切削刀具切入得比該層疊體的厚度深而切入到該基板的中途，并且，在該切削刀具與所述晶片相對的位置上，使所述晶片順著該切削刀具的旋轉(zhuǎn)方向沿著所述間隔道相對移動，形成切削槽，從而去除該層疊體；以及 修整工序，在執(zhí)行該層疊體去除工序后的任意時機，使該切削刀具沿著該切削槽切入得比該切削槽深，使所述晶片逆著該切削刀具的旋轉(zhuǎn)方向相對移動，沿著該切削槽切削該基板，去除在該層疊體去除工序中附著在該切削刀具的末端的該層疊體，進行該切削刀具的修整。
【文檔編號】H01L21/78GK104139462SQ201410189395
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月9日
【發(fā)明者】鈴木稔, 坂井真樹 申請人:株式會社迪思科