激光退火設備的工件臺的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種激光退火設備工件臺，包括工件臺平面和三個以上接送柱，接送柱設置在工件臺平面下方，工件臺平面上對應接送柱位置開孔，接送柱能通過工件臺平面上的孔自由升降，其特征在于，每個接送柱內(nèi)部設置有一個能夠自動開合的傘形接送平臺，該傘形接送平臺能夠在接送柱升高至工件臺平面上時，自動展開成一個傘形平面，在接送柱降低至工件臺平面下方時，自動收回至接送柱內(nèi)。本實用新型通過縮小接送柱直徑，減小工件開孔大小，并在接送柱里設置可以自動收放的傘形接送平臺，在保證硅片傳輸安全性的同時，減小了退火時硅片背面無支撐的面積，從而解決了因硅片和工件臺無接觸而導致的碎片問題。
【專利說明】激光退火設備的工件臺
【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及集成電路制造領域，特別是涉及激光退火設備。
【背景技術】
[0002]在IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)等項目中，需要進行硅片背面的離子激活，由于離子激活需要的溫度較高，會影響硅片正面金屬布線和器件性能，因此不能使用常規(guī)的爐管加熱，目前通常使用背面激光退火工藝進行背面離子激活。
[0003]背面激光退火利用的是激光在瞬間產(chǎn)生的高溫對硅片表面的離子進行激活，由于該高溫持續(xù)時間短，因此不會對正面產(chǎn)生破壞和影響。但是，進行背面激光退火的硅片通常都是減薄后的薄片，當硅片比較薄時，在瞬間高溫下很容易發(fā)生裂片現(xiàn)象，因此必須要有良好的導熱裝置和支撐臺面。
[0004]現(xiàn)有的硅片激光退火設備工件臺在應用時，普遍使用真空吸附設計，但為了實現(xiàn)硅片退火前的接送和預對準等功能，通常會在工件臺的中心開三個孔，并在其下方設計有三個接送柱，如圖1所示。為便于傳輸薄片，工件臺中心的孔一般都在IOmm以上，在退火時，開孔區(qū)域就會出現(xiàn)硅片背面無接觸或真空吸附的狀態(tài)，同時熱傳導能力也與其他區(qū)域略有差別，此時，硅片很容易在退火到該區(qū)域時發(fā)生裂片現(xiàn)象。
[0005]當工件臺中心開孔小于一定范圍時，即當完全無接觸或無真空吸附面積減小時，可以大大改善硅片的碎片率，但減小接送柱的直徑同樣會減小接送柱與硅片的接觸面積，這對于薄硅片而言，同樣會大大增加在硅片接送時的碎片率。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型要解決的技術問題是提供一種激光退火設備的工件臺，它可以降低硅片退火時的碎片率。
[0007]為解決上述技術問題，本實用新型的激光退火設備的工件臺，包括工件臺平面和三個以上接送柱，接送柱設置在工件臺平面下方，工件臺平面上對應接送柱位置開孔，接送柱能通過工件臺平面上的孔自由升降，其特征在于，每個接送柱內(nèi)部設置有一個能夠自動開合的傘形接送平臺，該傘形接送平臺能夠在接送柱升高至工件臺平面上時，自動展開成一個傘形平面，在接送柱降低至工件臺平面下方時，自動收回至接送柱內(nèi)。
[0008]本實用新型通過縮小接送柱的直徑，減小工件開孔大小，并在普通接送柱里設置一個可以自動收放的傘形接送平臺，在保證硅片傳輸安全性的同時，減小了退火時硅片背面無支撐的面積，從而解決了因硅片和工件臺無接觸而導致的碎片問題，降低了硅片退火時的碎片率，同時提高了硅片可以承受的退火溫度，拓寬了薄片背面工藝的適用范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是激光退火設備的普通工件臺。其中，(A)是工件臺的俯視圖；(B)是工件臺平面下方三個接送柱的示意圖。[0010]圖2是本實用新型實施例的激光退火設備工件臺的三個接送柱及接送柱內(nèi)部的傘形接送平臺示意圖。
【具體實施方式】
[0011]為對本實用新型的技術內(nèi)容、特點與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合圖示的實施方式，詳述如下:
[0012]本實施例的激光退火設備工件臺，在工件臺平面上開設有三個小孔?？椎奈恢每梢匀我庠O置，但以對稱地設置在工件臺平面的中心附近為佳，對于8寸工件臺，孔的位置以距離工件臺平面中心10?700mm較佳，對于12寸工件臺，孔的位置以距離工件臺平面中心25?1200mm較佳。孔的直徑一般在I?20mm之間較佳，直徑越小，越有利于薄片工藝。
[0013]孔的下方，對應于孔的位置，設置有三個接送柱，接送柱的直徑略小于孔的直徑(一般可比孔略小0.1?3mm)，以利于接送柱在孔內(nèi)升降且不與孔觸碰。每個接送柱內(nèi)部設置有一個能夠自動開合的傘形接送平臺，如圖2所示，該傘形接送平臺可以在接送柱升高至工件臺平面上時自動展開成一個平面，在接送柱降低至工件臺平面下方時，自動收回至接送柱內(nèi)。傘形接送平臺展開時的平面直徑可以根據(jù)孔直徑的大小，在孔直徑的I?30倍之間選擇適宜的比例。在傘形接送平臺上可以進一步設計真空吸附功能，以增強接送時的吸附效果。傘形接送平臺的材質(zhì)宜選用非金屬，以避免傘形接送平臺與硅片接觸時，對硅片產(chǎn)生損傷和破裂。接送柱的其他設計都和普通接送柱一樣，可以通過工件臺上的小孔自由升降。
[0014]進行硅片退火工藝時，機械傳輸手臂將硅片傳送到工件臺上方，接送柱從下方通過工件臺平面上的小孔升起。當接送柱升出工件臺表面時，傘形接送平臺自動彈開成平面?zhèn)銧畹男∑脚_，機械手臂下降，將硅片放置在傘形接送平臺上，傘形接送平臺承接硅片后下降，將硅片放置在工件臺平面上，然后傘形接送平臺自動收回到接送柱內(nèi)，接送柱下降至工件臺平面下方。硅片在工件臺平面上進行退火，退火結(jié)束后，接送柱上升至工件臺表面，傘形接送平臺升起，將已經(jīng)完成退火的硅片交給機械傳輸手臂，然后傘形接送平臺自動收回到接送柱內(nèi)，接送柱下降至工件臺下。
【權(quán)利要求】
1.激光退火設備工件臺，包括工件臺平面和三個以上接送柱，接送柱設置在工件臺平面下方，工件臺平面上對應接送柱位置開孔，接送柱能通過工件臺平面上的孔自由升降，其特征在于，每個接送柱內(nèi)部設置有一個能夠自動開合的傘形接送平臺，該傘形接送平臺能夠在接送柱升高至工件臺平面上時，自動展開成一個傘形平面，在接送柱降低至工件臺平面下方時，自動收回至接送柱內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火設備工件臺，其特征在于，工件臺平面上的孔呈對稱分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的激光退火設備工件臺，其特征在于，8寸工件臺，孔的位置距離工件臺中心10?700皿1 ；12寸工件臺，孔的位置距離工件臺中心25?1200mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火設備工件臺，其特征在于，工件臺平面上的孔的直徑為I?20mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的激光退火設備工件臺，其特征在于，接送柱的直徑比孔的直徑小0.1?3_。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火設備工件臺，其特征在于，傘形接送平臺展開時的平面直徑為孔直徑的I?30倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火設備工件臺，其特征在于，傘形接送平臺具有真空吸附功能。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火設備工件臺，其特征在于，傘形接送平臺的材質(zhì)為非金屬。
【文檔編號】H01L21/67GK203607374SQ201320661587
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2013年10月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月24日
【發(fā)明者】童宇鋒, 鄭剛 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司