一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種陣列基板及顯示裝置，該陣列基板包括襯底基板，位于襯底基板上的薄膜晶體管和公共電極線，薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底基板上的有源層、柵電極和源漏電極；公共電極線與柵電極同層設(shè)置，且公共電極線具有第一過(guò)孔；源漏電極中的漏電極貫穿第一過(guò)孔與有源層電性連接，且漏電極與公共電極線相互絕緣；公共電極線在襯底基板的正投影與漏電極在襯底基板的正投影至少部分重疊。與現(xiàn)有的陣列基板相比，該陣列基板可以在公共電極線與漏電極之間形成存儲(chǔ)電容，起到了增大陣列基板的存儲(chǔ)電容、提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象的效果。
【專利說(shuō)明】—種陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展,具備功耗低、分辨率高、反應(yīng)速度快以及開口率高等特點(diǎn)的基于LTPS (Low TemperaturePoly-silicon，低溫多晶硅)技術(shù)的TFT顯示裝置逐漸成為主流，已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備，如液晶電視、智能手機(jī)、平板電腦以及數(shù)碼相機(jī)等數(shù)字電子設(shè)備中。
[0003]但是，在基于LTPS技術(shù)的TFT顯示裝置等高分辨率產(chǎn)品中，隨著對(duì)產(chǎn)品分辨率以及開口率的要求越來(lái)越高，會(huì)導(dǎo)致LTPS TFT顯示裝置的陣列基板的像素間距(pixelpitch)越來(lái)越小，進(jìn)而導(dǎo)致陣列基板的存儲(chǔ)電容越來(lái)越小。由于對(duì)于LTPS TFT陣列基板來(lái)說(shuō)，在同樣大小漏電流情況下，存儲(chǔ)電容越小會(huì)導(dǎo)致像素電壓的保持率越低，進(jìn)而會(huì)導(dǎo)致閃爍(Flicker)等不良現(xiàn)象的產(chǎn)生，極大地降低了陣列基板或TFT顯示裝置等高分辨率產(chǎn)品的品質(zhì)。
[0004]因此，如何在不影響陣列基板開口率的同時(shí)提高陣列基板的存儲(chǔ)電容，已成為業(yè)界亟需解決的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板及顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的陣列基板的存儲(chǔ)電容較小，導(dǎo)致陣列基板的顯示品質(zhì)較低的問(wèn)題。
[0006]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上的薄膜晶體管和公共電極線，所述薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底基板上的有源層、柵電極和源漏電極；
[0007]所述公共電極線與所述柵電極同層設(shè)置，且所述公共電極線具有第一過(guò)孔；
[0008]所述源漏電極中的漏電極貫穿所述第一過(guò)孔與所述有源層電性連接，且所述漏電極與所述公共電極線相互絕緣；
[0009]所述公共電極線在所述襯底基板的正投影與所述漏電極在所述襯底基板的正投影至少部分重疊。
[0010]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于公共電極線在襯底基板的正投影與漏電極在襯底基板的正投影至少部分重疊，因此，與現(xiàn)有的陣列基板相比，可以在公共電極線與漏電極之間形成存儲(chǔ)電容，起到了增大陣列基板的存儲(chǔ)電容、提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象的效果，提高了陣列基板的品質(zhì)。
[0011 ] 較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:
[0012]位于所述公共電極線與所述有源層之間的柵極絕緣層；
[0013]位于所述公共電極線與所述源漏電極之間的層間介電層；
[0014]所述源漏電極中的漏電極通過(guò)貫穿所述柵極絕緣層、所述公共電極線和所述層間介電層的第二過(guò)孔與所述有源層電性連接；
[0015]所述源漏電極中的源電極通過(guò)貫穿所述柵極絕緣層和所述層間介電層的第三過(guò)孔與所述有源層電性連接。
[0016]較佳地，為了進(jìn)一步地增大陣列基板的存儲(chǔ)電容，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述公共電極線在所述襯底基板的正投影與所述有源層在所述襯底基板的正投影至少部分重疊。
[0017]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于所述源漏電極上方的像素電極，所述像素電極與所述源漏電極中的漏電極電性連接。
[0018]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于所述像素電極上方的公共電極，以及位于所述公共電極與所述像素電極之間的鈍化層，設(shè)置鈍化層可以使像素電極與公共電極相互絕緣。
[0019]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于所述像素電極與所述源漏電極之間的平坦化層，所述像素電極通過(guò)貫穿所述平坦化層的第四過(guò)孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接，通過(guò)設(shè)置第四過(guò)孔，使漏電極可以將電信號(hào)傳輸?shù)较袼仉姌O上。
[0020]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于所述像素電極與所述源漏電極之間的公共電極，以及位于所述像素電極與所述公共電極之間的鈍化層，設(shè)置鈍化層使像素電極與公共電極相互絕緣。
[0021]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于所述公共電極與所述源漏電極之間的平坦化層，所述像素電極通過(guò)貫穿所述平坦化層的第五過(guò)孔和貫穿所述鈍化層的第六過(guò)孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接，通過(guò)設(shè)置第五過(guò)孔和第六過(guò)孔，使漏電極可以將電信號(hào)傳輸?shù)较袼仉姌O上。
[0022]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，還包括:位于所述有源層與所述襯底基板之間的緩沖層。緩沖層能夠阻擋后續(xù)工藝中襯底基板中所含的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入薄膜晶體管的有源層，防止對(duì)薄膜晶體管的閾值電壓和漏電流等特性產(chǎn)生影響。
[0023]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1a和圖1b分別為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的剖面示意圖；
[0025]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法的流程圖；
[0026]圖3a至圖3k分別為本實(shí)用新型實(shí)例一提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0027]圖4a至圖4d分別為本實(shí)用新型實(shí)例二提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0028]圖5為圖1b所不的陣列基板的俯視不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。[0030]附圖中各部件的大小和形狀不反映陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本實(shí)用新型內(nèi)容。
[0031]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖1a和圖1b不，包括襯底基板01,位于襯底基板01上的薄膜晶體管和公共電極線02，薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底基板01上的有源層03、柵電極04和源漏電極；
[0032]公共電極線02與柵電極04同層設(shè)置，且公共電極線02具有第一過(guò)孔001 ；
[0033]源漏電極中的漏電極06貫穿第一過(guò)孔001與有源層03電性連接，且漏電極06與公共電極線02相互絕緣；
[0034]公共電極線02在襯底基板01的正投影與漏電極06在襯底基板01的正投影至少
部分重疊。
[0035]需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的漏電極是指源漏電極中與像素電極電性連接的電極，在有些薄膜晶體管中，其也可以稱為源電極或者源漏pad等。
[0036]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于公共電極線在襯底基板的正投影與漏電極在襯底基板的正投影至少部分重疊，因此，與現(xiàn)有的陣列基板相比，可以在公共電極線與漏電極之間形成存儲(chǔ)電容，起到了增大陣列基板的存儲(chǔ)電容、提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象的效果，提高了陣列基板的品質(zhì)。
[0037]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，公共電極線與柵電極可以是同層同材質(zhì)，也可以是同層不同材質(zhì)，在此不做限定。較佳地，公共電極線與柵電極為同層同材質(zhì)，這樣在制備時(shí)，公共電極線與柵電極可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，可以節(jié)省制作成本。
[0038]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1a和圖1b示，還可以包括:
[0039]位于公共電極線02與有源層03之間的柵極絕緣層07 ；
[0040]位于公共電極線02與漏電極06之間的層間介電層08 ；
[0041]源漏電極中的漏電極06通過(guò)貫穿柵極絕緣層07、公共電極線02和層間介電層08的第二過(guò)孔002與有源層03電性連接；
[0042]源漏電極中的源電極05通過(guò)貫穿柵極絕緣層07和層間介電層08的第三過(guò)孔003與有源層03電性連接。
[0043]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，有源層可以采用低溫多晶硅材料，也可以采用氧化物材料，在此不做限定。
[0044]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1a和圖1b所示，柵電極至少為一個(gè)。在具體實(shí)施時(shí)，設(shè)置兩個(gè)柵電極04，柵電極04設(shè)置為兩個(gè)目的是為了起到減少薄膜晶體管的漏電流的作用。
[0045]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1a和圖1b所示，公共電極線02在襯底基板01的正投影與有源層03在襯底基板01的正投影至少部分重疊。這樣，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，公共電極線02不僅與漏電極06形成存儲(chǔ)電容，公共電極線02還與有源層03形成存儲(chǔ)電容，從而進(jìn)一步地增大了陣列基板整體的存儲(chǔ)電容。
[0046]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1a和圖1b所示，在有源層03中還可以設(shè)置重?fù)诫s區(qū)09和輕摻雜區(qū)10，重?fù)诫s區(qū)09分別位于有源層03與源電極05對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以及有源層03與漏電極06對(duì)應(yīng)的區(qū)域，用于減少源電極05和漏電極06與有源層03之間的接觸電阻。輕摻雜區(qū)10位于重?fù)诫s區(qū)09之間，且分布在兩個(gè)柵電極04對(duì)應(yīng)的區(qū)域的兩側(cè)。設(shè)置輕摻雜區(qū)10能夠起到降低薄膜晶體管的漏電流的作用。圖中所示重?fù)诫s區(qū)09和輕摻雜區(qū)10的設(shè)置位置僅為一種示例，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，對(duì)于有些薄膜晶體管，也可以不設(shè)置重?fù)诫s區(qū)或輕摻雜區(qū)，也可以根據(jù)需要在不同位置設(shè)置多個(gè)重?fù)诫s區(qū)或輕摻雜區(qū)，不限于圖中所示。
[0047]進(jìn)一步地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1a和圖1b所示，還可以包括:位于源漏電極上方的像素電極11，像素電極11與源漏電極中的漏電極06電性連接。
[0048]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1a所示，還可以包括:位于像素電極11上方的公共電極12，以及位于公共電極12與像素電極11之間的鈍化層13。設(shè)置鈍化層13可以使像素電極11和公共電極12相互絕緣。
[0049]進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，當(dāng)公共電極位于像素電極的上方時(shí)，公共電極可以為狹縫狀，公共電極的材料可以為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料；像素電極可以為板狀或狹縫狀，像素電極的材料可以為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料。
[0050]較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1a所示，還可以包括:位于像素電極11與源漏電極之間的平坦化層14，像素電極11通過(guò)貫穿平坦化層14的第四過(guò)孔004與源漏電極中的漏電極06電性連接，這樣便于通過(guò)第四過(guò)孔004由源漏電極中的漏電極06向像素電極11傳輸電信號(hào)。
[0051]或者，較佳地，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1b所示，還可以包括:位于像素電極11與源漏電極之間的公共電極12，以及位于像素電極11與公共電極12之間的鈍化層13。設(shè)置鈍化層13可以使像素電極11和公共電極12相互絕緣。
[0052]進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，當(dāng)像素電極位于公共電極的上方時(shí)，像素電極可以為狹縫狀，像素電極的材料可以為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料；公共電極可以為板狀或狹縫狀，公共電極的材料可以為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料。
[0053]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1b所示，還可以包括:位于公共電極12與源漏電極之間的平坦化層14，像素電極11通過(guò)貫穿平坦化層14的第五過(guò)孔005和貫穿鈍化層13的第六過(guò)孔006與源漏電極中的漏電極06電性連接。
[0054]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1b所示，還可以設(shè)置與公共電極12同層同材質(zhì)的連接電極15，連接電極15通過(guò)第五過(guò)孔005與源漏電極中的漏電極06電性連接，像素電極11通過(guò)第六過(guò)孔006與連接電極15電性連接，這樣，通過(guò)第五過(guò)孔005由漏電極06向連接電極15傳輸電信號(hào)，然后該電信號(hào)再通過(guò)第六過(guò)孔006由連接電極15傳輸?shù)较袼仉姌O03，從而實(shí)現(xiàn)像素電極11與漏電極06的電性連接。
[0055]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板中，如圖1a和圖1b所示，還包括:位于有源層03與襯底基板01之間的緩沖層16。
[0056]緩沖層能夠阻擋后續(xù)工藝中襯底基板中所含的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入薄膜晶體管的有源層，防止對(duì)薄膜晶體管的閾值電壓和漏電流等特性產(chǎn)生影響，同時(shí)，對(duì)于有源層采用低溫多晶硅材料的薄膜晶體管，由于低溫多晶硅通常是用準(zhǔn)分子激光退火的方法形成，因此，設(shè)置該緩沖層還能夠在后續(xù)制作有源層的工藝中起到防止準(zhǔn)分子激光退火造成的雜質(zhì)的擴(kuò)散，提高低溫多晶硅形成薄膜晶體管的質(zhì)量。
[0057]需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板均以有源層為多晶硅層的頂柵型TFT為例進(jìn)行說(shuō)明，對(duì)于有源層為非晶硅層等的TFT，本實(shí)用新型實(shí)施例同樣適用。
[0058]基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板，該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述陣列基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0059]需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中所述的顯示裝置可以為TN (TwistedNematic,扭曲向列)模式、IPS (In-Plane Switching,平面轉(zhuǎn)換技術(shù))模式或ADS (AdvancedSuper Dimension Switch,高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù))模式,本實(shí)用新型實(shí)施例對(duì)此不作任何限定；較優(yōu)地，本實(shí)用新型實(shí)施例中所述的顯示裝置尤其適用于IPS模式和ADS模式。
[0060]基于同一實(shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制備方法，如圖2所示,具體包括:
[0061]S201、在襯底基板上形成有源層的圖形；
[0062]S202、通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在有源層的上方形成分別與有源層相互絕緣的柵電極和公共電極線的圖形，公共電極線具有第一過(guò)孔；
[0063]S203、在公共電極線的上方形成與公共電極線相互絕緣的源漏電極的圖形，源漏電極中的漏電極通過(guò)貫穿第一過(guò)孔與有源層電性連接，漏電極在襯底基板的正投影與公共電極線在襯底基板的正投影至少部分重疊。
[0064]在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板的制備方法中，由于公共電極線在襯底基板的正投影與漏電極在襯底基板的正投影至少部分重疊，因此，與現(xiàn)有的陣列基板的制備方法相比，上述方法所制備的陣列基板可以在公共電極線與漏電極之間形成存儲(chǔ)電容，起到了增大陣列基板的存儲(chǔ)電容、提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象的效果，提高了陣列基板的品質(zhì)。
[0065]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板的制備方法中，構(gòu)圖工藝可只包括光刻工藝，或，可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過(guò)程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。在具體實(shí)施時(shí)，可根據(jù)本實(shí)用新型中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0066]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，有源層可以采用低溫多晶硅材料，當(dāng)然有源層也可以采用實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型方法的其他的材料，在此不做限定。
[0067]進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，可以采用離子注入的方式對(duì)有源層的相對(duì)兩側(cè)進(jìn)行重?fù)诫s形成重?fù)诫s區(qū)，并對(duì)位于重?fù)诫s區(qū)之間的部分有源層區(qū)域進(jìn)行輕摻雜，形成輕摻雜區(qū)，該輕摻雜區(qū)分布在柵電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域的兩側(cè)。
[0068]較佳地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在步驟S201在襯底基板上形成有源層的圖形之后，在步驟S202在有源層的上方形成分別與有源層相互絕緣的柵電極和公共電極線的圖形之前，還可以包括:
[0069]在有源層的上方形成柵極絕緣層。
[0070]在具體實(shí)施時(shí)，柵極絕緣層的材料可以為氧化硅或氮化硅材料，也可以為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型方案的其它材料，在此不做限定。
[0071]較佳地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，公共電極線在襯底基板的正投影與有源層在襯底基板的正投影至少部分重疊。這樣，公共電極線不僅與漏電極形成存儲(chǔ)電容，公共電極線還與有源層形成存儲(chǔ)電容，從而進(jìn)一步地增大了陣列基板整體的存儲(chǔ)電容。
[0072]較佳地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在步驟S202在有源層的上方形成分別與有源層相互絕緣的柵電極和公共電極線的圖形之后，在步驟S203在公共電極線的上方形成與公共電極線相互絕緣的源漏電極的圖形之前，還可以包括:
[0073]在公共電極線的上方形成層間介電層。
[0074]進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在公共電極線的上方形成層間介電層之后，在公共電極線的上方形成與公共電極線相互絕緣的源漏電極的圖形之前，還可以包括:
[0075]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成貫穿柵極絕緣層、公共電極線和層間介電層的第二過(guò)孔和貫穿柵極絕緣層和層間介電層的第三過(guò)孔的圖形，源漏電極中的漏電極通過(guò)該第二過(guò)孔與有源層電性連接，源漏電極中的源電極通過(guò)該第三過(guò)孔與有源層電性連接。
[0076]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在步驟203在公共電極線的上方形成與公共電極線相互絕緣的源漏電極的圖形之后，還可以包括:
[0077]在源漏電極的上方形成像素電極的圖形，像素電極與源漏電極中的漏電極電性連接。
[0078]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在源漏電極的上方形成像素電極的圖形之后，還可以包括:
[0079]在像素電極的上方形成與像素電極相互絕緣的公共電極的圖形。
[0080]較佳地，在具體實(shí)施時(shí)，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在公共電極線的上方形成與公共電極線相互絕緣的源漏電極的圖形之后，在源漏電極的上方形成像素電極的圖形之前，還可以包括:
[0081]在源漏電極的上方形成平坦化層的圖形，平坦化層具有第四過(guò)孔，像素電極通過(guò)第四過(guò)孔與源漏電極中的漏電極電性連接。
[0082]進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在源漏電極的上方形成像素電極的圖形之后，在像素電極的上方形成與像素電極相互絕緣的公共電極的圖形之前，還可以包括:
[0083]在像素電極的上方形成覆蓋像素電極的鈍化層。[0084]或者，較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在公共電極線的上方形成與公共電極線相互絕緣的源漏電極的圖形之后，在源漏電極的上方形成像素電極的圖形之前，還可以包括:
[0085]在源漏電極的上方形成與將要形成的像素電極相互絕緣的公共電極的圖形。
[0086]較佳地，為了使像素電極與源漏電極中的漏電極電性連接，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在源漏電極的上方形成與像素電極相互絕緣的公共電極的圖形，可以具體包括:
[0087]在源漏電極的上方形成公共電極的薄膜；
[0088]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在公共電極的薄膜中形成公共電極和連接電極的圖形，連接電極與源漏電極中的漏電極電性連接，像素電極通過(guò)連接電極與漏電極電性連接。
[0089]較佳地，在具體實(shí)施時(shí)，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在公共電極線的上方形成與公共電極線相互絕緣的源漏電極的圖形之后，在源漏電極的上方形成與將要形成的像素電極相互絕緣的公共電極的圖形之前，還可以包括:
[0090]在源漏電極的上方形成平坦化層的圖形，平坦化層具有第五過(guò)孔，連接電極通過(guò)第五過(guò)孔與源漏電極中的漏電極電性連接。
[0091 ] 進(jìn)一步地，在具體實(shí)施時(shí)，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在源漏電極的上方形成像素電極的圖形之前，在源漏電極的上方形成與將要形成的像素電極相互絕緣的公共電極的圖形之后，還可以包括:
[0092]在公共電極的上方形成鈍化層的圖形，鈍化層具有第六過(guò)孔，將要形成的像素電極通過(guò)第六過(guò)孔與連接電極電性連接。
[0093]較佳地，為了便于實(shí)施，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述制備方法中，在步驟S201在襯底基板上形成有源層的圖形之前，還可以包括:
[0094]在襯底基板上形成緩沖層。
[0095]在具體實(shí)施時(shí)，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成緩沖層，當(dāng)然也可以通過(guò)其它方法形成，在此不做限定。具體地，緩沖層可以采用二氧化硅或氮化硅材料，當(dāng)然也可以采用其它可以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型方案的材料，在此不做限定。
[0096]下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述陣列基板的制備方法進(jìn)行詳細(xì)的介紹。需要說(shuō)明的是，以上實(shí)施例均是以雙柵頂柵型低溫多晶硅(LTPS) TFT為例進(jìn)行說(shuō)明，可以理解的是，還可以適用于單柵型TFT，底柵型TFT，非晶硅TFT，氧化物TFT等任何結(jié)構(gòu)的TFT，只要通過(guò)增加漏電極與公共電極線的正對(duì)面積可以實(shí)現(xiàn)增大陣列基板存儲(chǔ)電容的方案，都是本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0097]實(shí)例一:
[0098]陣列基板中公共電極12位于像素電極11的上方，如圖1a所示，陣列基板的制作過(guò)程包括以下幾個(gè)步驟:
[0099](I)、在襯底基板01上形成緩沖層16，如圖3a所示；
[0100]在具體實(shí)施時(shí)，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法在襯底基板上沉積緩沖層，緩沖層具體可以采用二氧化硅或氮化硅材料。
[0101](2)、在緩沖層16上形成有源層03的圖形，如圖3b所示；
[0102]在具體實(shí)施時(shí)，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或其他類似方法，在緩沖層的上方形成非晶硅薄膜層，然后通過(guò)激光退火工藝或固相結(jié)晶工藝等工藝過(guò)程，使得非晶硅結(jié)晶化，形成多晶硅薄膜層，并通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包含低溫多晶硅有源層的圖形。
[0103](3)、在有源層03上形成柵極絕緣層07，如圖3c所示；
[0104]在具體實(shí)施時(shí)，柵極絕緣層可以采用氧化硅或氮化硅材料。
[0105](4)、在柵極絕緣層07上形成柵電極04和公共電極線02的圖形，公共電極線02具有第一過(guò)孔001，如圖3d所示；
[0106]在具體實(shí)施時(shí)，可以在柵極絕緣層上形成柵電極薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在該柵電極薄膜中形成柵電極和公共電極線的圖形，具體地，柵電極和公共電極線的材料可以為鑰(Mo)、鋁(Al)或鎘(Cr)等金屬。
[0107](5)、在有源層04中形成重?fù)诫s區(qū)09和輕摻雜區(qū)10，如圖3e所示；
[0108]在具體實(shí)施時(shí)，采用離子注入方式對(duì)有源層的相對(duì)兩側(cè)進(jìn)行重?fù)诫s，形成重?fù)诫s區(qū)，并對(duì)位于重?fù)诫s區(qū)之間的部分有源層區(qū)域進(jìn)行輕摻雜，形成輕摻雜區(qū)，該輕摻雜區(qū)分布在柵電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域的兩側(cè)。其中，在離子注入時(shí)，可以通過(guò)設(shè)置掩膜板實(shí)現(xiàn)在指定區(qū)域進(jìn)行不同濃度的離子注入，也可以通過(guò)柵電極或公共電極線的圖形進(jìn)行遮擋進(jìn)行離子注入，或者通過(guò)在構(gòu)圖工藝中使用的光刻膠進(jìn)行遮擋進(jìn)行離子注入，與現(xiàn)有技術(shù)類似，此處不再贅述。
[0109](6)、在柵電極04和公共電極線02上形成層間介電層08，并通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成貫穿柵極絕緣層07、公共電極線02和層間介電層08的第二過(guò)孔002和貫穿柵極絕緣層07和層間介電層08的第三過(guò)孔003的圖形，如圖3f所示；
[0110]在具體實(shí)施時(shí)，層間介電層可以采用氧化硅或氮化硅材料。
[0111](7)、在層間介電層08的上方形成源電極05和漏電極06的圖形，如圖3g所示；
[0112]在具體實(shí)施時(shí)，可以在層間介電層上形成漏電極薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在該漏電極薄膜中形成漏電極和源電極的圖形，且漏電極貫穿第一過(guò)孔，漏電極通過(guò)第二過(guò)孔與有源層電性連接，源電極通過(guò)第三過(guò)孔與有源層電性連接。
[0113](8)、在漏電極06和源電極05上形成平坦化層14的圖形，平坦化層14具有第四過(guò)孔004,如圖3h所示；
[0114](9)、在平坦化層14上形成像素電極11的圖形，如圖3i所示；
[0115]在具體實(shí)施時(shí)，像素電極可以為板狀或狹縫狀，像素電極的材料可以為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料，像素電極通過(guò)第四過(guò)孔與漏電極電性連接。
[0116](10)、在像素電極11上形成鈍化層13，如圖3j所示；
[0117](11)、在鈍化層13上形成公共電極12的圖形，如圖3k所示。
[0118]在具體實(shí)施時(shí)，公共電極可以為狹縫狀，公共電極的材料可以為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料。
[0119]具體地，經(jīng)過(guò)上述步驟(I)至(11)之后，得到本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的陣列基板，具體地，所得到的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1a所示。
[0120]實(shí)例二:
[0121]陣列基板中像素電極11位于公共電極12的上方，如圖1b所示，陣列基板的制作過(guò)程除了包括上述步驟(I)至(7 )之外，包括以下幾個(gè)步驟:
[0122](8)、在漏電極06和源電極05上形成平坦化層14的圖形，平坦化層14具有第五過(guò)孔005,如圖4a所示;
[0123](9)、在平坦化層14上形成公共電極12和連接電極15的圖形，如圖4b所示；
[0124]在具體實(shí)施時(shí)，在平坦化層上形成公共電極的薄膜，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成公共電極和連接電極的圖形，連接電極通過(guò)第五過(guò)孔與漏電極電性連接。具體地，公共電極可以為狹縫狀，公共電極和連接電極的材料可以為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料。
[0125](10)、在公共電極12和連接電極15上形成鈍化層13的圖形，鈍化層13
[0126]具有第六過(guò)孔006，如圖4c所示；
[0127](11)、在鈍化層13上形成像素電極03的圖形，如圖4d所示；
[0128]在具體實(shí)施時(shí)，像素電極可以為板狀或狹縫狀，公共電極的材料可以為氧化銦錫等透明導(dǎo)電材料，像素電極通過(guò)第六過(guò)孔與連接電極電性連接。
[0129]具體地，經(jīng)過(guò)上述步驟(I)至(11)之后，得到本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的陣列基板，具體地，所得到的陣列基板的俯視示意圖如圖5所示，圖1b為圖5所示陣列基板沿A-Al方向的剖面示意圖。
[0130]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，該陣列基板包括襯底基板，位于襯底基板上的薄膜晶體管和公共電極線，薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底基板上的有源層、柵電極和源漏電極；公共電極線與柵電極同層設(shè)置，且公共電極線具有第一過(guò)孔；源漏電極中的漏電極貫穿第一過(guò)孔與有源層電性連接，且漏電極與公共電極線相互絕緣；公共電極線在襯底基板的正投影與漏電極在襯底基板的正投影至少部分重疊。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，由于公共電極線在襯底基板的正投影與漏電極在襯底基板的正投影至少部分重疊，因此，與現(xiàn)有的陣列基板相比，在公共電極線與漏電極之間形成存儲(chǔ)電容，起到了增大陣列基板的存儲(chǔ)電容、提高陣列基板的像素電壓保持率、以及降低顯示裝置的閃爍等不良現(xiàn)象的效果，提高了陣列基板的品質(zhì)。
[0131]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上的薄膜晶體管和公共電極線，所述薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底基板上的有源層、柵電極和源漏電極，其特征在于； 所述公共電極線與所述柵電極同層設(shè)置，且所述公共電極線具有第一過(guò)孔； 所述源漏電極中的漏電極貫穿所述第一過(guò)孔與所述有源層電性連接，且所述漏電極與所述公共電極線相互絕緣； 所述公共電極線在所述襯底基板的正投影與所述漏電極在所述襯底基板的正投影至少部分重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 位于所述公共電極線與所述有源層之間的柵極絕緣層； 位于所述公共電極線與所述源漏電極之間的層間介電層； 所述源漏電極中的漏電極通過(guò)貫穿所述柵極絕緣層、所述公共電極線和所述層間介電層的第二過(guò)孔與所述有源層電性連接； 所述源漏電極中的源電極通過(guò)貫穿所述柵極絕緣層和所述層間介電層的第三過(guò)孔與所述有源層電性連接。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線在所述襯底基板的正投影與所述有源層在所述襯底基板的正投影至少部分重疊。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述源漏電極上方的像素電極，所述像素電極與所述源漏電極中的漏電極電性連接。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述像素電極上方的公共電極，以及位于所述公共電極與所述像素電極之間的鈍化層。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述像素電極與所述源漏電極之間的平坦化層，所述像素電極通過(guò)貫穿所述平坦化層的第四過(guò)孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接。
7.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述像素電極與所述源漏電極之間的公共電極，以及位于所述像素電極與所述公共電極之間的鈍化層。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述公共電極與所述源漏電極之間的平坦化層，所述像素電極通過(guò)貫穿所述平坦化層的第五過(guò)孔和貫穿所述鈍化層的第六過(guò)孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接。
9.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述有源層與所述襯底基板之間的緩沖層。
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK203521413SQ201320661446
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月15日
【發(fā)明者】孫建, 李成, 魏向東, 安星俊 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司