有機(jī)發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】有機(jī)發(fā)光裝置。一種有機(jī)發(fā)光裝置包括:第一基板;薄膜晶體管層,該薄膜晶體管層形成在所述第一基板上;發(fā)光二極管層,該發(fā)光二極管層形成在薄膜晶體管層上;以及鈍化層,該鈍化層形成在發(fā)光二極管層上,所述鈍化層包括第一無(wú)機(jī)絕緣膜和第二無(wú)機(jī)絕緣膜,其中,第一無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量小于所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光裝置,更具體地,涉及有機(jī)發(fā)光裝置的鈍化層。
【背景技術(shù)】
[0002]雖然液晶顯示裝置已經(jīng)廣泛用作平板顯示裝置,但是液晶顯示裝置需要背光作為單獨(dú)的光源并且在亮度和對(duì)比度方面具有技術(shù)局限性。就這一點(diǎn)而言,已經(jīng)增加了對(duì)亮度和對(duì)比度比較優(yōu)秀的有機(jī)發(fā)光裝置的關(guān)注。
[0003]有機(jī)發(fā)光裝置具有在陰極與陽(yáng)極之間插入發(fā)光層的結(jié)構(gòu),其中,陰極中產(chǎn)生電子,并且陽(yáng)極中產(chǎn)生空穴。如果陰極中產(chǎn)生的電子和陽(yáng)極中產(chǎn)生的空穴被注入到發(fā)光層中,則通過(guò)所注入的電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生激發(fā)子,然后所產(chǎn)生的激發(fā)子從被激發(fā)狀態(tài)改變?yōu)榛鶓B(tài),借此發(fā)出光。這樣,有機(jī)發(fā)光裝置顯示圖像圖像。
[0004]下文中,將參照附圖描述根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光裝置。
[0005]圖1是例示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光裝置的簡(jiǎn)要截面圖。
[0006]如圖1所示,相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基板10、發(fā)光裝置層20、鈍化層30、粘合層40和第二基板50。
[0007]發(fā)光裝置層20形成在第一基板10上。發(fā)光裝置層20包括形成在第一基板10上的薄膜晶體管層21和形成在薄膜晶體管層21上的發(fā)光二極管層22。
[0008]鈍化層30形成在發(fā)光裝置層20上。鈍化層30用于防止水滲透到發(fā)光裝置層20中。該鈍化層30包括諸如SiNx等的無(wú)機(jī)絕緣膜。
[0009]粘合層40形成在鈍化層30上。粘合層40用于將基板50粘合到鈍化層30上。
[0010]第二基板50形成在粘合層40上,并且用于保護(hù)有機(jī)發(fā)光裝置不受外部影響。
[0011]相關(guān)技術(shù)的上述有機(jī)發(fā)光裝置具有以下問(wèn)題。
[0012]可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或?yàn)R射來(lái)沉積用作鈍化層的諸如SiNx等的無(wú)機(jī)絕緣膜。如果利用濺射法來(lái)沉積無(wú)機(jī)絕緣膜,則可能損壞構(gòu)成發(fā)光二極管層22的有機(jī)發(fā)光層。因此,主要利用PECVD法來(lái)沉積無(wú)機(jī)絕緣膜。
[0013]而且,如果利用PECVD法來(lái)沉積無(wú)機(jī)絕緣膜,則應(yīng)當(dāng)在小于有機(jī)發(fā)光層的玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg的溫度執(zhí)行沉積工序。因此,在100°c或更低的溫度下,針對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜執(zhí)行沉積工序。同時(shí),通過(guò)這種沉積工序獲得的無(wú)機(jī)絕緣膜含有從諸如SiH4和NH3等的源氣分解的大量氫(H)。
[0014]如上所述,根據(jù)相關(guān)技術(shù)的發(fā)光裝置,鈍化層30含有大量H。如果鈍化層30含有大量H,則H隨著時(shí)間流逝向下移動(dòng),借此H可以被擴(kuò)散到薄膜晶體管層21的有源層中。這樣,如果H被擴(kuò)散到有源層中,則H使構(gòu)成有源層的半導(dǎo)體氧化,借此改變了薄膜晶體管的閾值電壓。因此,出現(xiàn)了所顯示的圖像質(zhì)量劣化的問(wèn)題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0015]因此,本發(fā)明致力于提供一種有機(jī)發(fā)光裝置,該有機(jī)發(fā)光裝置能夠基本解決由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而引起的一個(gè)或更多問(wèn)題。
[0016]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提供一種降低鈍化層中含有的H含量、以最小化擴(kuò)散到薄膜晶體管的有源層中的H量,從而提高圖像質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光裝置。
[0017]本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)和特征將在下面的描述中部分地得到描述,并且,在某種程度上,對(duì)于閱讀下面內(nèi)容的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得明確,或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐來(lái)得到了解。通過(guò)書(shū)面的說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
[0018]為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn),并且根據(jù)本發(fā)明的目的,如本文具體實(shí)施和廣泛描述的,根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基板;薄膜晶體管層,該薄膜晶體管層形成在所述第一基板上;發(fā)光二極管層,該發(fā)光二極管層形成在所述薄膜晶體管層上;以及鈍化層,該鈍化層形成在所述發(fā)光二極管層上,所述鈍化層包括第一無(wú)機(jī)絕緣膜和第二無(wú)機(jī)絕緣膜,其中,所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量小于所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量。
[0019]應(yīng)該理解,對(duì)本發(fā)明的以上概述和以下詳述都是示例性和解釋性的,并旨在對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0020]包括附圖來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,附圖被結(jié)合到本申請(qǐng)中且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分,附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式,且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0021]圖1是例示根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光裝置的簡(jiǎn)要截面圖;
[0022]圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的簡(jiǎn)要截面圖;
[0023]圖3的(a)至圖3的(C)是例示根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式的鈍化層的截面圖;以及
[0024]圖4是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的薄膜晶體管層的詳細(xì)截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式,在附圖中例示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的示例。在可能的情況下,貫穿附圖將使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)指代相同或類似的部件。
[0026]本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的術(shù)語(yǔ)“上”意味著元件直接形成在另一個(gè)元件上,此外,第三元件部插入在這些元件之間。
[0027]下文中,將參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0028]圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的簡(jiǎn)要截面圖。
[0029]如圖2所示,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置包括第一基板100、薄膜晶體管層200、發(fā)光二極管層300、蓋帽層400、鈍化層500、粘合層600和第二基板700。
[0030]雖然玻璃主要用作第一基板100,但是可以彎曲的透明塑料(例如,聚酰亞胺)也可以用作第一基板100。如果聚酰亞胺用作第一基板100的材料,考慮到在第一基板100上執(zhí)行高溫沉積工序,則可以使用具有優(yōu)秀耐熱性的聚酰亞胺(聚酰亞胺可以耐高溫)。
[0031]薄膜晶體管層200形成在第一基板100上。薄膜晶體管層200包括多條線(諸如選通線、數(shù)據(jù)線和電源線)、開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管,其中,多個(gè)線與開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管連接。而且,通過(guò)組合薄膜晶體管的多條線和電極,可以形成電容器。后面將參照?qǐng)D4描述薄膜晶體管層200的細(xì)節(jié)。
[0032]發(fā)光二極管層300形成在薄膜晶體管層200上。
[0033]發(fā)光二極管層300包括堤岸層310、第一電極320、發(fā)光部330和第二電極340。
[0034]堤岸層310構(gòu)圖在薄膜晶體管層200上。更詳細(xì)地,堤岸層310形成在除了發(fā)光區(qū)域之外的區(qū)域中。發(fā)光區(qū)域由堤岸層310限定。堤岸層310包括,但不限于,有機(jī)絕緣材料(例如,聚酰亞胺、感光亞克力或BCB )。
[0035]第一電極320構(gòu)圖在薄膜晶體管層200上。第一電極320與薄膜晶體管層200內(nèi)部形成的漏極電連接。如果根據(jù)底部發(fā)光法應(yīng)用本發(fā)明,則第一電極320包括透明導(dǎo)電材料。如果根據(jù)頂部發(fā)光法應(yīng)用本發(fā)明,則第一電極320包括對(duì)反射有利的不透明導(dǎo)電材料。
[0036]發(fā)光部330形成在第一電極320上。雖然未示出,但是發(fā)光部330可以由按照一定的順序沉積空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的結(jié)構(gòu)形成??梢允÷钥昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲?、電子傳輸層和電子注入層中的一層或兩層或更多層。有機(jī)發(fā)光層可以形成為發(fā)出相同顏色的光,例如,白光,或者可以形成為每像素發(fā)出不同顏色的光,例如,紅光、綠光或藍(lán)光。
[0037]第二電極340形成在發(fā)光部330上。第二電極340可以以全部像素共有的電極的形式形成,而不針對(duì)每個(gè)像素進(jìn)行分類。換言之,第二電極340可以形成在堤岸層310以及發(fā)光部330上。如果根據(jù)底部發(fā)光法應(yīng)用本發(fā)明,則第二電極340包括對(duì)反射有利的不透明導(dǎo)電材料。如果根據(jù)頂部發(fā)光法應(yīng)用本發(fā)明,則第二電極340包括透明導(dǎo)電材料。
[0038]蓋帽層400形成在發(fā)光二極管層300上。蓋帽層400用于增強(qiáng)光提取效果。蓋帽層400可以由構(gòu)成發(fā)光部330的上述材料制成。例如,蓋帽層400可以由構(gòu)成空穴傳輸層或空穴注入層的材料或者構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層的基質(zhì)材料制成。然而,可以省略蓋帽層400。
[0039]鈍化層500形成在蓋帽層400上。鈍化層500形成為覆蓋發(fā)光二極管層300的上部和側(cè)部,從而保護(hù)發(fā)光二極管層300并且防止外部水滲透到發(fā)光二極管層300中。
[0040]鈍化層500包括第一無(wú)機(jī)絕緣膜510和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520。第一無(wú)機(jī)絕緣膜510形成在蓋帽層400上,并且第二無(wú)機(jī)絕緣膜520形成在第一無(wú)機(jī)絕緣膜510上。
[0041]第一無(wú)機(jī)絕緣膜510和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520各包括,但不限于,SiNx, SiOx, SiON或 AlOx0
[0042]雖然第一無(wú)機(jī)絕緣膜510和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520可以由相同材料制成,但是它們可以由彼此不同的各個(gè)材料制成。如果第一無(wú)機(jī)絕緣膜510和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520由相同材料制成,則通過(guò)僅在相同沉積室改變工藝條件,可以由連續(xù)工序來(lái)沉積第一無(wú)機(jī)絕緣膜510和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520。
[0043]在本說(shuō)明書(shū)中,如果任一個(gè)無(wú)機(jī)絕緣膜由與另一個(gè)無(wú)機(jī)絕緣膜相同的材料制成,則這表示構(gòu)成兩個(gè)無(wú)機(jī)絕緣膜的材料的基本化合物結(jié)構(gòu)彼此相同并且表示構(gòu)成兩個(gè)無(wú)機(jī)絕緣膜的材料的構(gòu)成彼此相同。例如,如果第一無(wú)機(jī)絕緣膜510和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520由SiNx結(jié)構(gòu)制成,貝U它們由相同材料制成。[0044]根據(jù)本發(fā)明,第一無(wú)機(jī)絕緣膜510中含有的H含量小于第二無(wú)機(jī)絕緣膜520中含有的H含量。
[0045]更具體地,優(yōu)選的是,第一無(wú)機(jī)絕緣膜510中含有的H含量大于10%且小于30%。而且,優(yōu)選的是,第二無(wú)機(jī)絕緣膜520中含有的H含量大于30%且小于40%。
[0046]在本說(shuō)明書(shū)中,“H含量”表示無(wú)機(jī)絕緣膜中含有H的化合物的比例。
[0047]例如,如果第一無(wú)機(jī)絕緣膜510或第二無(wú)機(jī)絕緣膜520含有利用SiH4、NH3和N2作為源氣通過(guò)PECVD沉積的SiNx,則除了 SiNx之外,第一無(wú)機(jī)絕緣膜510或第二無(wú)機(jī)絕緣膜520會(huì)附加含有諸如S1:H和N:H等的化合物。此時(shí),第一無(wú)機(jī)絕緣膜510或第二無(wú)機(jī)絕緣膜520中的S1:H和N:H的比例變?yōu)椤癏含量”。%的單位是體積百分比。
[0048]可以由傅里葉變換紅外(FT-1R)光譜法來(lái)測(cè)量H含量。因此,在本說(shuō)明書(shū)中,H含量是由FT-1R光譜法測(cè)量的值。
[0049]因此,在第一無(wú)機(jī)絕緣膜510或第二無(wú)機(jī)絕緣膜520含有SiNx、S1:H和N:H的情況下,如果第一無(wú)機(jī)絕緣膜510中含有的H含量是10%并且第二無(wú)機(jī)絕緣膜520中含有的H含量是30%,則意味著由FT-1R光譜法測(cè)量的S1:H和N:H的含量在第一無(wú)機(jī)絕緣膜510中是10%,并且由FT-1R光譜法測(cè)量的S1:H和N:H的含量在第二無(wú)機(jī)絕緣膜520中是30%。
[0050]如上所述,根據(jù)本發(fā)明,因?yàn)殁g化層500包括H含量小于第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的H含量的第一無(wú)機(jī)絕緣膜510,優(yōu)選地是,包括H含量大于10%且小于30%的第一無(wú)機(jī)絕緣膜510,所以與相關(guān)技術(shù)相比,減小了擴(kuò)散到薄膜晶體管層200的有源層中的H的含量,借此降低了薄膜晶體管的閾值電壓的變化。因此,與相關(guān)技術(shù)相比,可以提高圖像質(zhì)量。
[0051]通過(guò)改變?cè)礆獾臉?gòu)成比與沉積工藝條件,可以調(diào)節(jié)第一無(wú)機(jī)絕緣膜510的H含量和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的H含量。例如,在使用相同類型的源氣的情況下,可以減小源氣中含有H的源氣的構(gòu)成比,以獲得H含量相對(duì)小的第一無(wú)機(jī)絕緣膜510,并且可以增大含有H的源氣的構(gòu)成比,以獲得H含量相對(duì)大的第二無(wú)機(jī)絕緣膜520。
[0052]而且,在低于發(fā)光部330中的有機(jī)發(fā)光層的玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg的溫度執(zhí)行沉積工序的情況下,如果在玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg或更低的溫度范圍內(nèi)增加沉積溫度,則可以增大被蒸發(fā)為氣體的H的含量,以獲得H含量相對(duì)小的第一無(wú)機(jī)絕緣膜510。如果在玻璃轉(zhuǎn)換溫度Tg或更低的溫度范圍內(nèi)降低沉積溫度,則可以獲得H含量相對(duì)大的第二無(wú)機(jī)絕緣膜520。
[0053]如上所述,優(yōu)選的是,第一無(wú)機(jī)絕緣膜510中含有的H含量大于10%且小于30%。這是因?yàn)槿绻鸋含量小于10%,則難以控制工序,并且如果H含量大于30%,則由于增大了鈍化層500中H含量,而無(wú)法期待圖像質(zhì)量的提高。
[0054]而且,優(yōu)選的是,第二無(wú)機(jī)絕緣膜520中含有的H含量大于30%且小于40%。這是因?yàn)槿绻鸋含量小于30%,則可能劣化作為鈍化層500的主功能的水滲透防止功能,并且如果H含量大于40%,則由于增大了鈍化層500中H含量,而無(wú)法期待圖像質(zhì)量的提高。
[0055]結(jié)果,為了解決由于鈍化層500中含有的H被擴(kuò)散到薄膜晶體管層200的有源層中而使圖像質(zhì)量劣化的問(wèn)題,優(yōu)選地,降低鈍化層500中含有的H含量。然而,因?yàn)槿绻档土蒜g化層500中含有的H含量,則可能劣化作為鈍化層500的主功能的水滲透防止功能,所以在減小鈍化層500中含有的H含量方面有限制。
[0056]因此,在本發(fā)明中,通過(guò)組合H含量相對(duì)小的第一無(wú)機(jī)絕緣膜和H含量相對(duì)大的第二無(wú)機(jī)絕緣膜來(lái)形成鈍化層500,借此最小化由于H被擴(kuò)散到有源層中而使得圖像質(zhì)量劣化的問(wèn)題并且允許第二無(wú)機(jī)絕緣膜520期望地執(zhí)行水滲透防止功能。
[0057]第一無(wú)機(jī)絕緣膜510和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520以它們合適的厚度形成,以執(zhí)行上述功能。具體地,優(yōu)選的是,第一無(wú)機(jī)絕緣膜50的厚度與第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的厚度之比在2:8至8:2的范圍。如果第一無(wú)機(jī)絕緣膜50的厚度與第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的厚度之比離開(kāi)了上述厚度范圍,則無(wú)法解決由于H被擴(kuò)散到有源層中而使得圖像質(zhì)量劣化的問(wèn)題,或者可能劣化水滲透防止功能。
[0058]如下面參照?qǐng)D3的(a)至圖3的(C)所描述的,可以以各種方式改變包括第一無(wú)機(jī)絕緣膜510和第二無(wú)機(jī)絕緣膜520在內(nèi)的鈍化層500。
[0059]圖3的(a)至圖3的(C)是例示根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式的鈍化層的截面圖。
[0060]參照?qǐng)D3的(a),根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的鈍化層500包括形成在蓋帽層400上的第二無(wú)機(jī)絕緣膜520和形成在第二無(wú)機(jī)絕緣膜520上的第一無(wú)機(jī)絕緣膜510。
[0061]在圖2中在蓋帽層400上首先形成第一無(wú)機(jī)絕緣膜510,而在圖3的(a)中在蓋帽層400上首先形成第二無(wú)機(jī)絕緣膜520。
[0062]參照?qǐng)D3 (b)和圖3的(C),根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的鈍化層500包括形成在第一無(wú)機(jī)絕緣膜510或第二無(wú)機(jī)絕緣膜520上的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530。
[0063]參照?qǐng)D3的(b),第一無(wú)機(jī)絕緣膜510、第二無(wú)機(jī)絕緣膜520和第三無(wú)機(jī)絕緣膜530按照適當(dāng)順序形成在蓋帽層400上。形成在第二無(wú)機(jī)絕緣膜520上的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530含有比第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的H含量小的H含量。
[0064]H含量小于第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的H含量的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530以與第一無(wú)機(jī)絕緣膜510相同的方式具有大于10%且小于30%的H含量。具體地,第三無(wú)機(jī)絕緣膜530可以具有,但不限于,與第一無(wú)機(jī)絕緣膜510相同的H含量。而且,H含量小于第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的H含量的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530可以具有,但不限于,與第一無(wú)機(jī)絕緣膜510相同的材料。
[0065]在圖3的(b)中,優(yōu)選的是,第一無(wú)機(jī)絕緣膜530的厚度和第三無(wú)機(jī)絕緣膜530的厚度之和與第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的厚度之比在2:8至8:2的范圍。
[0066]參照?qǐng)D3的(C),第二無(wú)機(jī)絕緣膜510、第一無(wú)機(jī)絕緣膜520和第三無(wú)機(jī)絕緣膜530按照適當(dāng)順序形成在蓋帽層400上。形成在第一無(wú)機(jī)絕緣膜510上的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530含有比第一無(wú)機(jī)絕緣膜510的H含量大的H含量。
[0067]H含量大于第一無(wú)機(jī)絕緣膜510的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530以與第二無(wú)機(jī)絕緣膜520相同的方式具有大于30%且小于40%的H含量。具體地,第三無(wú)機(jī)絕緣膜530可以具有,但不限于,與第二無(wú)機(jī)絕緣膜520相同的H含量。而且,H含量大于第一無(wú)機(jī)絕緣膜510的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530可以具有,但不限于,與第二無(wú)機(jī)絕緣膜520相同的材料。
[0068]在圖3的(C)中,優(yōu)選的是,第一無(wú)機(jī)絕緣膜530的厚度與第二無(wú)機(jī)絕緣膜520的厚度的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530的厚度之和的比在2:8至8:2的范圍。
[0069]而且,雖然未示出,但是在圖3的(b)中的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530上可以還形成有第四無(wú)機(jī)絕緣膜。在這種情況下,第四無(wú)機(jī)絕緣膜具有大于30%且小于40%的H含量。而且,圖3的(c)中,在圖3c中的第三無(wú)機(jī)絕緣膜530上可以還形成有第四無(wú)機(jī)絕緣膜。在這種情況下,第四無(wú)機(jī)絕緣膜具有大于10%且小于30%的H含量。
[0070]最后,鈍化層500可以由三層、四層或五層以上的無(wú)機(jī)絕緣膜制成。此時(shí),交替地形成H含量相對(duì)大的無(wú)機(jī)絕緣膜和H含量相對(duì)小的無(wú)機(jī)絕緣膜。而且,優(yōu)選的是,基于30%的H含量的具有相對(duì)大的H含量的無(wú)機(jī)絕緣膜的厚度之和與基于30%的H含量的具有相對(duì)小的H含量的無(wú)機(jī)絕緣膜的厚度之和的比在2:8至8:2的范圍。
[0071]再次參照?qǐng)D2,粘合層600形成在鈍化層500與第二基板700之間,以將第二基板700粘合到鈍化層500上。
[0072]可以使用粘合膜作為粘合層600,或者可以使液體粘合材料硬化來(lái)形成粘合層600。
[0073]第二基板700可以由,但不限于,強(qiáng)化玻璃形成,以保護(hù)發(fā)光裝置不受外部物理沖撞或擦刮的影響??梢詮澢耐该魉芰侠缇埘啺房梢杂米鞯诙?00。
[0074]圖4是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光裝置的薄膜晶體管層的詳細(xì)截面圖。附圖通篇使用將相同的附圖標(biāo)記指代與上述實(shí)施方式相同或類似部件,并且將省略相同元件的重復(fù)描述。
[0075]如圖4所示,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光裝置包括:第一基板100、柵極
210、柵絕緣膜220、有源層230、蝕刻阻擋件240、源極250a、漏極250b、第一保護(hù)膜260、濾色器270、平整層280、第二保護(hù)膜290和發(fā)光二極管層300。
[0076]柵極210構(gòu)圖在第一基板100上。柵極120可以包括Mo、Al、Cr、Au、T1、N1、Nd、
Cu或它們的合金,并且可以由上述金屬或合金的單層、或兩種或更多種金屬或合金的多層制成。
[0077]柵絕緣膜220形成在柵極210上,以使柵極210與有源層230絕緣。柵絕緣膜220可以由,但不限于,諸如二氧化硅或氮化硅等的基于無(wú)機(jī)物基絕緣材料制成。柵絕緣膜220可以由諸如感光亞克力或BCB等的有機(jī)物基材料制成。
[0078]有源層230構(gòu)圖在柵絕緣膜220上。有源層230可以由,但不限于,諸如In-Ga-Zn-O (IGZ0)等的氧化物半導(dǎo)體制成。有源層230可以由娃基半導(dǎo)體制成。
[0079]蝕刻阻擋件240構(gòu)圖在有源層230上。蝕刻阻擋件240用于防止有源層230的溝道區(qū)域在用于構(gòu)圖源極250a和漏極250b的蝕刻工序期間被蝕刻。蝕刻阻擋件240可以由,但不限于,諸如氧化硅或氮化硅等的無(wú)機(jī)絕緣材料制成。根據(jù)具體情況,可以省略蝕刻阻擋件 240。
[0080]源極250a和漏極250b彼此面對(duì)地構(gòu)圖在蝕刻阻擋件240上。使源極250a從蝕刻阻擋件240起朝向有源層230的一個(gè)方向延伸,并且與有源層230連接。使漏極250b從蝕刻阻擋件240起朝向有源層230的另一個(gè)方向延伸,并且與有源層230連接。源極250a和漏極250b可以包括Mo、Al、Cr、Au、T1、N1、Nd、Cu或它們的合金,并且可以由上述金屬或合金的單層、或兩種或更多種金屬或合金的多層制成。
[0081]第一保護(hù)膜260形成在源極250a和漏極250b上。第一保護(hù)膜260可以由,但不限于,諸如氧化硅或氮化硅等的無(wú)機(jī)絕緣材料制成。
[0082]濾色器270形成在第一保護(hù)膜260上。濾色器270被形成為與發(fā)光二極管層300的發(fā)光二極管層300交疊,借此從發(fā)光部330發(fā)出的光可以通過(guò)穿過(guò)濾色器270朝向第一基板100發(fā)射。該濾色器270可以由每像素分別形成的紅濾色器、綠濾色器和藍(lán)濾色器制成。然而,如果發(fā)光部330各像素發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光,則可以省略濾色器270。
[0083]平整層280形成在濾色器270上,以減小發(fā)光裝置的表面階梯差。平整層280可以由,但不限于,諸如感光亞克力或BCB等的有機(jī)絕緣材料制成。
[0084]第二保護(hù)膜290形成在平整層280上。第二保護(hù)膜290可以由,但不限于,諸如氧化硅或氮化硅等的無(wú)機(jī)絕緣材料制成。可以省略第二保護(hù)膜290。
[0085]如上所述,發(fā)光二極管層300包括堤岸層310、第一電極320、發(fā)光部330和第二電極 340。
[0086]堤岸層310和第一電極320形成在第二保護(hù)膜290上。
[0087]第一電極320與漏極250b連接。換言之,因?yàn)樵诘谝槐Wo(hù)膜260、平整層280和第二保護(hù)膜290的預(yù)定區(qū)域形成有接觸孔,所以漏極250b由接觸孔露出,并且第一電極320通過(guò)接觸孔與漏極250b連接。
[0088]發(fā)光部330形成在第一電極320上,并且第二電極340形成在發(fā)光部330上。
[0089]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式,形成圖4示出的薄膜晶體管層200和發(fā)光二極管層300。根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管層200和發(fā)光二極管層300不限于圖4,并且可以對(duì)薄膜晶體管200和發(fā)光二極管層300做出本領(lǐng)域中已知的各種修改。
[0090]例如,圖4涉及底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管,其中柵極210形成在有源層230下。本發(fā)明還包括頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管,其中柵極210形成在有源層230上。
[0091 ] 如上所述,可以如下獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。
[0092]根據(jù)本發(fā)明,因?yàn)殁g化層包括H含量相對(duì)小的第一無(wú)機(jī)絕緣膜,所以與相關(guān)技術(shù)相比,減少了擴(kuò)散到薄膜晶體管層的有源層中的H含量,借此減小薄膜晶體管的閾值電壓的變化。因此,與相關(guān)技術(shù)相比,可以提高圖像質(zhì)量。
[0093]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,很明顯,可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對(duì)本發(fā)明做出各種修改和變化。因此,本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求書(shū)及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
[0094]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0095]本申請(qǐng)要求2012年12月28日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2012-0157082的權(quán)益,此處為了一切目的以引證的方式并入上述申請(qǐng),如同在此完全闡述一樣。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光裝置,該有機(jī)發(fā)光裝置包括: 第一基板; 薄膜晶體管層,該薄膜晶體管層形成在所述第一基板上; 發(fā)光二極管層,該發(fā)光二極管層形成在所述薄膜晶體管層上;以及 鈍化層,該鈍化層形成在所述發(fā)光二極管層上,所述鈍化層包括第一無(wú)機(jī)絕緣膜和第二無(wú)機(jī)絕緣膜, 其中,所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量小于所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量大于10%且小于30%ο
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量大于30%且小于40%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜和所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜各包括SiNx、SiOx, SiON或AlOx。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜和所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜由彼此相同的材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜的厚度與所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜的厚度之比在2:8至8:2的范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜形成在所述發(fā)光二極管層上,并且所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜形成在所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,在所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜上還形成有第三無(wú)機(jī)絕緣膜,并且所述第三無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量大于10%且小于30%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜形成在所述發(fā)光二極管層上,并且所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜形成在所述第二無(wú)機(jī)絕緣膜上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光裝置,其中,在所述第一無(wú)機(jī)絕緣膜上還形成有第三無(wú)機(jī)絕緣膜,并且所述第三無(wú)機(jī)絕緣膜中含有的H含量大于30%且小于40%。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103915476SQ201310712107
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】姜真求, 申榮訓(xùn) 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司