本發(fā)明的實(shí)施方式大體上涉及半導(dǎo)體基板工藝。

背景技術(shù)：
在沉積工藝中(例如諸如外延生長(zhǎng)之類的工藝)，期望有清潔的和/或無(wú)污染的表面以容許沉積具有期望的成分的均勻?qū)?。為了提供清潔的?或無(wú)污染的表面，執(zhí)行清潔工藝。例如，用于移除含氧或含碳污染層的傳統(tǒng)基板清潔工藝一般包括通過(guò)將布置在處理腔室內(nèi)的鉭(Ta)管加熱至大于約1600攝氏度的溫度以解離吸附在管表面上的氫(H2)，而產(chǎn)生原子氫源。然而，由于解離氫(H2)需要高溫，發(fā)明人已觀察到這樣的工藝耗時(shí)且耗能。因此，發(fā)明人已提供使用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)腔室清潔基板表面的改良的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
在此提供用于使用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)腔室清潔基板的表面的方法。在一些實(shí)施方式中，用于清潔基板的表面的方法可包括以下步驟：提供基板至熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)腔室，該基板具有布置在該基板的表面上的材料；提供氫(H2)氣至HWCVD腔室；加熱布置在該HWCVD腔室中的一個(gè)或多個(gè)燈絲(filament)至足以解離該氫(H2)氣的溫度；及將該基板暴露至解離的氫(H2)氣以從該基板的表面移除至少一些該材料。下文中描述本發(fā)明的其他與進(jìn)一步的實(shí)施方式。附圖說(shuō)明通過(guò)參考描繪于附圖中的本發(fā)明的說(shuō)明性的實(shí)施方式，能夠理解在上文中簡(jiǎn)要概括的且在下文中更加詳細(xì)討論的本發(fā)明的實(shí)施方式。然而應(yīng)注意的是，附圖僅說(shuō)明此發(fā)明的典型實(shí)施方式，因而不應(yīng)將這些附圖視為本發(fā)明范圍的限 制，因?yàn)楸景l(fā)明可容許其他等同效果的實(shí)施方式。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的用于使用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)腔室清潔基板的表面的方法的流程圖。圖2A至圖2B是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的在圖1的工藝順序的不同階段期間的說(shuō)明性的基板截面圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的適用于執(zhí)行描繪于圖1中的方法的HWCVD腔室。為了幫助理解，盡可能使用相同標(biāo)記數(shù)字來(lái)表示在各圖中共用的相同元件。這些圖并未按照比例繪制且可能為了清楚而被簡(jiǎn)化。需了解的是一個(gè)實(shí)施方式的元件與特征可有利地并入其他實(shí)施方式中而無(wú)須進(jìn)一步詳述。具體實(shí)施方式本發(fā)明的實(shí)施方式提供用于使用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)腔室清潔基板的表面的方法。本發(fā)明的方法可有利地提供比傳統(tǒng)基板清潔工藝更有效率且耗時(shí)較少的清潔基板表面(例如，移除表面污染物、氧化物層、碳化物層或類似物)的方法。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的用于使用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)腔室清潔基板的表面的方法100的流程圖。圖2A至圖2B是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的在圖1的工藝順序的不同階段期間的說(shuō)明性的基板截面圖。本發(fā)明的方法可在根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式的適合用于處理半導(dǎo)體基板的任何HWCVD腔室中執(zhí)行，該HWCVD腔室比如為下文中針對(duì)圖3所討論的HWCVD腔室。方法100通常開(kāi)始于102，此處可視情況將基板(例如基板200)加熱到期望溫度。該期望溫度可以是任何溫度，例如，比如約室溫(例如大約20攝氏度至25攝氏度)至約1000攝氏度。在執(zhí)行清潔工藝(例如，下文描述的清潔基板200的表面)之前加熱基板200可有助于從基板200除氣和/或移除一些污染物。此外，在執(zhí)行清潔工藝之前加熱基板200可提供至少一部分能量，這些能量是幫助移除基板上所布置的材料或一層或多層(例如下文中描述的層202)以清潔基板200所需的，因而減少需要由HWCVD腔室提供的能量的量。在一些實(shí)施方式中，基板200可在用于執(zhí)行清潔工藝的腔室(例如下文中描述 的HWCVD腔室300)中被加熱。在一些實(shí)施方式中，基板200可在與用于執(zhí)行清潔工藝的腔室(例如下文中描述的HWCVD腔室300)不同的腔室中被加熱。在基板200于不同腔室中被加熱的實(shí)施方式中，可減少HWCVD腔室受到來(lái)自基板的材料的污染的發(fā)生率。在與用于執(zhí)行清潔工藝的腔室不同的腔室中加熱基板的實(shí)施方式中，該腔室可以是適合將基板200加熱至期望溫度的任何類型的腔室，例如比如為退火腔室、沉積腔室或類似腔室。在一些實(shí)施方式中，該腔室可以是HWCVD腔室，比如下文中針對(duì)圖3討論的HWCVD腔室。在一些實(shí)施方式中，該腔室可以是一個(gè)或多個(gè)耦接至多腔室工具的腔室，所述多腔室工具例如比如為群集(cluster)工具或沿線(in-line)HWCVD工具，比如在DieterHaas等人的公開(kāi)號(hào)為2011/0104848的美國(guó)專利申請(qǐng)案中描述的工具，該案于2011年5月5日公開(kāi)，且該案讓渡給本發(fā)明的受讓人。參考圖2A，基板200可以是任何適合的基板，比如摻雜的或無(wú)摻雜的硅基板、Ⅲ-Ⅴ族化合物基板(compoundsubstrate)、Ⅱ-Ⅵ族化合物基板、硅鍺(SiGe)基板、外延基板(epi-substrate)、絕緣體上硅(silicon-on-insulator)(SOI)基板、顯示器基板(比如液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示器、電致發(fā)光(EL)燈顯示器)、發(fā)光二極管(LED)基板、太陽(yáng)能電池陣列、太陽(yáng)能板或類似基板。在一些實(shí)施方式中，基板200可以是半導(dǎo)體晶片，比如200mm或300mm的半導(dǎo)體晶片。在一些實(shí)施方式中，基板200可以是大型的LCD或玻璃基板，例如比如為約1000mm×1250mm的基板或約2200mm×2500mm的基板。在一些實(shí)施方式中，該基板200可包含一層或多層，例如氧化物層、氮化物層、高或低K介電層、導(dǎo)電層或類似層。在一些實(shí)施方式中，以替代方式或結(jié)合方式，可在基板200中或基板200上和/或在形成于基板上的一層或多層中或一層或多層上形成一個(gè)或更多個(gè)特征(例如過(guò)孔(via)、溝槽、雙鑲嵌(dualdamascene)結(jié)構(gòu)或類似特征)。這些特征可經(jīng)由任何適合的工藝形成，例如比如蝕刻工藝。此外，基板200可在預(yù)熱前經(jīng)歷額外的工藝，比如濕式化學(xué)清潔工藝或類似工藝。在一些實(shí)施方式中，基板200可包含布置在基板200的表面204上的待移除的材料。在一些實(shí)施方式中，該待移除的材料可形成布置在基板200的表面 204上的層202。層202可以是需要此類移除的任何類型的層。例如，在一些實(shí)施方式中，層202可包含碳，例如比如碳化物層?；蛘?，層202可包含氧，例如諸如表面氧化物層或原生氧化物層之類的氧化物層，該氧化物層包含氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鎳(NiO2)或類似物。層202可具有例如約1納米至約2納米的厚度。在104，提供基板200至熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)腔室。HWCVD腔室可以是任何適合用于處理半導(dǎo)體基板的HWCVD腔室，比如下文中針對(duì)圖3討論的HWCVD腔室。在提供基板200至HWCVD腔室前加熱基板200(即前文中在102所討論的步驟)的實(shí)施方式中，可經(jīng)由任何適合移送基板200同時(shí)使來(lái)自基板200的熱損失減到最少的手段移送基板200。在一些實(shí)施方式中，例如在HWCVD腔室是群集工具的一部分的實(shí)施方式中，可經(jīng)由布置在移送腔室中的移送機(jī)器人移送基板200?；蛘?，在一些實(shí)施方式中，例如在HWCVD腔室是沿線工具的一部分的實(shí)施方式中，可經(jīng)由線性輸送器直接從預(yù)熱腔室移送基板200至HWCVD腔室，或通過(guò)布置在預(yù)熱腔室與HWCVD腔室之間的分隔腔室從預(yù)熱腔室移送基板200至HWCVD腔室。在106，當(dāng)基板200處于HWCVD腔室中時(shí)，可視情況將基板200加熱到期望溫度?？沙松衔闹性?02描述的視情況的加熱之外或取代上文中在102描述的視情況的加熱，而執(zhí)行在106的視情況的加熱。進(jìn)一步而言，在106的視情況的加熱可在下文中描述的清潔工藝之前執(zhí)行或同時(shí)(concurrently)執(zhí)行?？蓪⒒?00加熱至任何溫度，例如受幫助移除材料或?qū)?02所需的能量的量的影響。例如，期望溫度可大約是室溫(例如約20-25攝氏度)至約1000攝氏度?？山?jīng)由任何適合的機(jī)構(gòu)加熱基板200，該機(jī)構(gòu)例如比如為嵌在HWCVD腔室的基板支撐件中的基板加熱器(例如下文中描述的基板支撐件328的加熱器329)，或者是布置在HWCVD腔室中的一個(gè)或多個(gè)燈絲(例如下文中描述的燈絲或絲310)。執(zhí)行清潔工藝(例如下文中描述的基板200的表面的清潔)之前加熱基板200可提供至少一部分能量，這些能量是幫助移除基板上所布置的一層或多層(例如下文描述的層202)以清潔基板200所需的，因而減少暴露時(shí)間及需要由HWCVD腔室提供的氫氣的量。接著，在108，可提供氫(H2)氣至HWCVD腔室?？梢匀魏芜m合的流量提供氫(H2)氣至HWCVD腔室，例如比如為約50sccm至約700sccm(例 如對(duì)300mm的晶片處理腔室而言)。在此提供的流量可根據(jù)被清潔的基板的尺寸和/或HWCVD腔室的處理空間的尺寸而變化。在一些實(shí)施方式中，可用例如惰性氣體稀釋氫(H2)氣，該惰性氣體比如為氦(He)、氬(Ar)或類似氣體。氫(H2)氣對(duì)惰性氣體的比例可為任何比例，例如比如為約1:9至約9:1。該比例可被調(diào)整以提供產(chǎn)生所需量的能量所必需的氫(H2)量(解離時(shí))，以幫助移除層202，如下文所論。在稀釋氫(H2)氣的實(shí)施方式中，可在提供氫(H2)氣與惰性氣體至HWCVD腔室之前混合這些氣體(例如，在提供氫(H2)氣與惰性氣體混合物至下文中描述的入口332和/或噴頭333之前混合氫(H2)氣與惰性氣體)?；蛘撸谝恍?shí)施方式中，氫(H2)氣與惰性氣體可經(jīng)由兩個(gè)獨(dú)立的氣源共同流入HWCVD腔室并且在HWCVD腔室內(nèi)混合(例如，在下文中所討論的內(nèi)部處理空間304中)。在110，提供電流至布置在HWCVD腔室中的一個(gè)或多個(gè)燈絲，以使這些燈絲加熱到足以解離氫(H2)氣的溫度。該一個(gè)或多個(gè)燈絲可以是布置在任何類型的HWCVD腔室中的任何類型的燈絲，例如比如為下文中針對(duì)圖3描述的HWCVD腔室中所布置的多個(gè)燈絲。該溫度可以是適合引發(fā)氫(H2)氣解離且進(jìn)一步提供移除期望材料或?qū)?02所需的適當(dāng)量的能量的任何溫度，例如比如約1000攝氏度至約2400攝氏度。在一些實(shí)施方式中，該溫度可至少部分地由層202的成分決定，也因此可至少部分地由被解離的氣體與層202之間的反應(yīng)的活化能決定和/或由破壞層202化合物的化學(xué)鍵所需的能量的量決定，因而有助于移除材料或?qū)?02。例如，在層202包含氧化硅(SiO2)的實(shí)施方式中，在解離的氫原子之間的反應(yīng)可由下面的反應(yīng)式代表：2H*(g)+SiO2(s)＝SiO(g)+H2O(g)在這樣的實(shí)施方式中，促進(jìn)前述反應(yīng)所需的溫度可大于約700攝氏度，或在一些實(shí)施方式中大于約750攝氏度。接著，在112，通過(guò)使基板200暴露至解離的氫(H2)氣而清潔基板200的表面204。通過(guò)將基板200暴露至解離的氫(H2)氣，氫原子與布置在基板的表面上的材料(比如層202)反應(yīng)，從而幫助移除材料或?qū)?02，因此清潔了基板200的表面204。例如，在該層包含氧化物(例如原生氧化物層)的實(shí)施方式中，氫原子與氧化物反應(yīng)，而引發(fā)氧化物還原及揮發(fā)性(volatile)產(chǎn)物形 成，即元素分子或元素的氫化物和/或較低級(jí)的氧化物(loweroxide)。例如，在氧化物層包含氧化硅(SiO2)的實(shí)施方式中，這些反應(yīng)的揮發(fā)性產(chǎn)物可以是水(H2O)與硅(Si)的氫化物及碳(C)的氫化物。在一些實(shí)施方式中，除了氫原子與材料或?qū)?02之間的反應(yīng)之外，原子氫可進(jìn)一步與基板200的表面204反應(yīng)，因而形成表面204材料的揮發(fā)性產(chǎn)物，從而引發(fā)基板200的表面204被蝕刻。例如，在基板200包含砷化鎵(GaAs)的實(shí)施方式中，可產(chǎn)生揮發(fā)性產(chǎn)物砷(As)與鎵(Ga)的氫化物。基板200可暴露至解離的氫(H2)氣達(dá)任何適合幫助移除層202的時(shí)間量。例如，在一些實(shí)施方式中，該基板可被暴露至解離的氫(H2)氣達(dá)約10秒至約300秒，或者在一些實(shí)施方式中達(dá)比約1分鐘較少。為了有助于移除材料或?qū)?02，基板200可被定位在HWCVD源(例如，下文中針對(duì)圖3所描述的燈絲或絲310)之下，使得基板200暴露至氫氣及氫氣的分解物種。基板200可處于靜態(tài)的位置中定位于基板支撐件(例如，下文中針對(duì)圖3所描述的基板支撐件328)上及HWCVD源之下，或在一些實(shí)施方式中，基板200可動(dòng)態(tài)地定位于基板支撐件上及HWCVD源之下，以在基板200通過(guò)HWCVD源之下時(shí)有助于清潔。除了上述內(nèi)容之外，可利用額外的工藝參數(shù)幫助從基板200移除層202，且這些額外的工藝參數(shù)可至少部分地由移除層202所需的能量的量決定。例如，在一些實(shí)施方式中，處理腔室可被維持在約10mTorr至約500mTorr的壓強(qiáng)下，或在一些實(shí)施方式中，被維持在約100mTorr的壓強(qiáng)下(例如，對(duì)于300mm的晶片處理腔室而言)。在此提供的腔室壓強(qiáng)可根據(jù)被清潔的基板的尺寸和/或HWCVD腔室的處理空間的尺寸而變化。以替代方式或以結(jié)合方式，在一些實(shí)施方式中，HWCVD腔室的物理參數(shù)(例如下文描述的燈絲直徑、燈絲至燈絲的距離336或燈絲至基板的距離340)可被調(diào)整以幫助從基板200移除層202。在前述實(shí)施方式的任一實(shí)施方式中，任一工藝參數(shù)(例如，氫(H2)氣的流量、氫氣(H2)對(duì)惰性氣體的比例、基板溫度、燈絲溫度、額外的工藝參數(shù)、HWCVD腔室的物理參數(shù)或類似參數(shù))可相對(duì)于彼此來(lái)調(diào)整，以提供幫助移除層202所需的能量的量，例如比如為解離的氣體與層202之間的反應(yīng)的活化能和/或破壞層202化合物的化學(xué)鍵所需的能量的量，因而有助于移除層202。在110清潔基板200的表面204的步驟之后，方法100大體上結(jié)束，且基板200可進(jìn)行進(jìn)一步處理。在一些實(shí)施方式中，可在基板200上執(zhí)行額外的工藝(比如額外的層沉積、蝕刻、退火或類似工藝)，例如以在基板200上形成半導(dǎo)體器件或制備基板200以用于多種應(yīng)用中，這些應(yīng)用比如為光伏電池(PV)、發(fā)光二極管(LED)或顯示器(例如，液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示器、電致發(fā)光(EL)燈顯示器或類似顯示器)。圖3描繪依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的適合使用的HWCVD處理腔室300的示意側(cè)視圖。處理腔室300大體上包含腔室主體302，腔室主體302具有內(nèi)部處理空間304。多個(gè)燈絲或絲310被布置在腔室主體302內(nèi)，例如在內(nèi)部處理空間304內(nèi)。多個(gè)絲310也可以是橫跨內(nèi)部處理空間304來(lái)回拉線(route)的單一絲。多個(gè)絲310包含HWCVD源。絲310可包含任何適合的導(dǎo)電材料，例如比如鎢、鉭、銥、鎳鉻、鈀或類似材料。絲310可包含任何適合提供期望溫度以有助于處理腔室300中的工藝的厚度。例如，在一些實(shí)施方式中，每一絲310可包含約0.2mm至約1mm的直徑，或在一些實(shí)施方式中，包含約0.5mm的直徑。每一絲310都由支撐結(jié)構(gòu)(圖中未示)夾于適當(dāng)位置，以當(dāng)絲被加熱到高溫時(shí)保持絲被拉緊(taught)，且對(duì)絲提供電接觸。在一些實(shí)施方式中，每一絲310之間的距離(即絲至絲的距離336)可變化，以提供處理腔室300內(nèi)的期望溫度分布曲線。例如，在一些實(shí)施方式中，絲至絲的距離336可為約10mm至約120mm，或在一些實(shí)施方式中為約20mm，或在一些實(shí)施方式中為約60mm。電源313被耦接至絲310以提供電流而加熱絲310?；?30(例如上文中描述的基板200)可被定位在HWCVD源(例如絲310)之下，例如于基板支撐件328上?；逯渭?28可處于靜態(tài)以用于靜態(tài)沉積，或可移動(dòng)(如箭頭305所示)以當(dāng)基板330通過(guò)HWCVD源之下時(shí)用于動(dòng)態(tài)沉積。在一些實(shí)施方式中，基板支撐件328可包含加熱器329，加熱器329嵌在基板支撐件中，以有助于控制基板200的溫度。加熱器329可以是任何類型的加熱器，例如比如為電阻式加熱器。在一些實(shí)施方式中，每一絲310與基板330之間的距離(即絲至基板的距離340)可變化以有助于處理腔室300中正在執(zhí)行的特定工藝。例如，在一些 實(shí)施方式中，絲至基板的距離340可為約20mm至約120mm，或在一些實(shí)施方式中為約45mm，或在一些實(shí)施方式中為約60mm。腔室主體302進(jìn)一步包括一個(gè)或更多個(gè)氣體入口(圖中顯示一個(gè)氣體入口332)及一個(gè)或更多個(gè)出口(圖中顯示兩個(gè)出口334)，這些氣體入口提供一個(gè)或更多個(gè)工藝氣體，這些出口接至真空泵以維持處理腔室300內(nèi)適合的操作壓強(qiáng)并且移除過(guò)多的工藝氣體和/或工藝副產(chǎn)物。氣體入口332可供給(feed)氣體進(jìn)入噴頭333(如圖所示)或其他適合的氣體分配元件，以均勻地(或如期望的)于絲310之上分配氣體。在一些實(shí)施方式中，可在例如絲與基板之間提供一個(gè)或多個(gè)遮蔽件320，且遮蔽件320可界定開(kāi)口324(開(kāi)口324為基板界定沉積區(qū)域)且可減少腔室主體302的內(nèi)部表面上不需要的沉積。以替代方式或以結(jié)合方式，能使用一個(gè)或更多個(gè)腔室襯墊322來(lái)使清潔更加容易。使用遮蔽件與襯墊可排除或減少使用非期望的清潔氣體，比如溫室氣體NF3。遮蔽件320與腔室襯墊322大體上保護(hù)腔室主體的內(nèi)部表面免于非期望地匯集沉積的材料，匯集這些沉積的材料是由于工藝氣體在腔室中流動(dòng)所致。遮蔽件320與腔室襯墊322可以是可移除的、可置換的和/或可清潔的。遮蔽件320與腔室襯墊322可被配置成用以覆蓋腔室主體的可能變?yōu)楸煌坎嫉拿恳粎^(qū)域，這些區(qū)域包括絲310周圍及涂布隔室的所有壁上，但不限于此。一般而言，遮蔽件320與腔室襯墊322可由鋁(Al)制造且可具有被粗糙化的表面，以增強(qiáng)沉積的材料的附著(以防止沉積的材料的剝落)。遮蔽件320與腔室襯墊322可以任何適合的方式裝設(shè)在處理腔室的期望區(qū)域中，比如在HWCVD源的周圍。在一些實(shí)施方式中，可通過(guò)開(kāi)啟沉積腔室的上部而將源、遮蔽件與襯墊移除以供維護(hù)與清潔。例如在一些實(shí)施方式中，沉積腔室的蓋或頂可沿著凸緣(flange)338耦接至沉積腔室的主體，凸緣338支撐該蓋并且提供將該蓋固定至該沉積腔室的主體的表面?？刂破?06可被耦接至處理腔室300的各種部件以控制各種部件的操作。雖然圖中示意性地顯示該控制器耦接至處理腔室300，但該控制器可被合用地連接至任何可由該控制器控制的部件，以根據(jù)在此揭示的方法控制HWCVD沉積工藝，這些部件比如為電源313、耦接至入口332的氣源(圖中未示)、耦接至出口334的真空泵和/或節(jié)流閥(圖中未示)、基板支撐件328與類似部件。控制器306大體上包含中央處理單元(CPU)308、存儲(chǔ)器312與用于 CPU308的支持電路316?？刂破?06可直接控制HWCVD處理腔室300，或經(jīng)由其他與特定支持系統(tǒng)部件相聯(lián)的計(jì)算機(jī)或控制器(圖中未示)控制HWCVD處理腔室300?？刂破?06可以是任何形式的通用計(jì)算機(jī)處理器之一，該通用計(jì)算機(jī)處理器可用于工業(yè)設(shè)施中以控制各種腔室與子處理器。CPU308的存儲(chǔ)器或計(jì)算機(jī)可讀媒體)312可以是容易取得的存儲(chǔ)器的一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器，比如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、軟盤、硬盤、閃存(flash)或任何其他形式的本地或遠(yuǎn)程的數(shù)字存儲(chǔ)裝置。支持電路316以傳統(tǒng)方式耦接至CPU308以支持處理器。這些電路包括高速緩沖儲(chǔ)存器、電源、時(shí)鐘電路、輸入/輸出電路與子系統(tǒng)及類似物?？蓪⒃诖嗣枋龅陌l(fā)明性方法儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器312中作為軟件程序314，可執(zhí)行或調(diào)用軟件程序314以將控制器轉(zhuǎn)為專用控制器，以用在此描述的方式控制處理腔室300的操作。該軟件程序也可由第二CPU(圖中未示)儲(chǔ)存和/或執(zhí)行，該第二CPU位于遠(yuǎn)離由CPU308控制的硬件的地方。因此，在此提供了用于使用熱絲化學(xué)氣相沉積(HWCVD)腔室清潔基板的表面的方法。本發(fā)明的方法可有利地提供清潔基板表面的方法(例如移除氧化物層、碳化物層或類似物)，該方法比傳統(tǒng)基板清潔工藝更有效率且耗時(shí)較少。雖然前述內(nèi)容針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式，然而在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下可設(shè)計(jì)其他與進(jìn)一步的本發(fā)明的實(shí)施方式。