專利名稱：一種耐高過載的集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品制造領(lǐng)域，尤其涉及微電子產(chǎn)品中襯底與金屬外殼之間的組裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
微電子產(chǎn)品的耐高過載性能是指產(chǎn)品自身抗高強度機械沖擊的能力。由于混合集成電路基板表面組裝有眾多元器件，與單個元件相比，基板同其上的元器件總體重量要大的多，在過載沖擊過程中承受的沖擊慣性力也更大。與此同時，常規(guī)混合集成電路的基板直接組裝在金屬外殼襯底內(nèi)底面，基板在Yl方向沒有任何支撐結(jié)構(gòu)，因此，在高過載沖擊力作用下，基板容易從外殼內(nèi)組裝表面脫落，從而成為混合集成電路耐高過載的薄弱環(huán)節(jié)。實踐表明，電路基板從外殼內(nèi)表面脫落也是混合集成電路耐高過載典型失效模式。經(jīng)檢索，尚未發(fā)現(xiàn)相關(guān)的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了解決混合集成電路基板在高過載沖擊作用下容易脫落，基板耐高過載承受水平低的問題，提供的一種耐高過載的集成電路。本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案
一種耐高過載的集成電路，包括外殼，外殼內(nèi)連接有基板，外殼上端設有密封蓋，其特征在于密封蓋一側(cè)設有支撐件，支撐件與基板形成壓緊定位配合。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，有以下進一步優(yōu)化的技術(shù)方案
所述的支撐件為設置在密封蓋一側(cè)的與外殼內(nèi)腔間隙配合的矩形框。所述支撐件為設置在密封蓋一側(cè)的與外殼內(nèi)腔間隙配合的一組支撐板，每兩個相鄰的支撐板之間相隔一段距離。本發(fā)明的優(yōu)點在于較好繼承了混合集成電路成熟的基板與外殼組裝方法，同時提供了簡潔的基板支撐保護方法，明顯提高襯底基板以及產(chǎn)品的耐高過載水平，具有很強的實用性。


圖I是本發(fā)明的主視 圖2是圖I中密封蓋板的立體 圖3是圖I的B— B剖視圖。
具體實施例方式 如圖I所示，本發(fā)明提供的一種耐高過載的集成電路，包括外殼3，外殼3底面通過絕緣膠(或其它組裝材料，如焊料等)5組裝有基板4，基板4中設有芯片8、器件9等電路元件，基板4中設有電極6穿過外殼底面。外殼上端設有密封蓋1，密封蓋伸向外殼內(nèi)腔的一側(cè)設有支撐件2，支撐件2與基板形成壓緊定位配合。所述支撐件2的底面與基板之間設有絕緣膠7接觸，通過固化實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)與基板的有效粘接。
如圖2所示，支撐件可以為設置在密封蓋一側(cè)的與外殼3內(nèi)腔間隙配合的矩形框
2β ο如圖3所示，支撐件可以為設置在密封蓋一側(cè) 的與外殼3內(nèi)腔間隙配合的一組支撐板2b，每兩個相鄰的支撐板之間相隔一段距離。所述支撐板2b也可以設置在密封蓋四邊中央部位，這樣可以在必要的情況下有效減輕支撐結(jié)構(gòu)的重量。
權(quán)利要求
1.一種耐高過載的集成電路，包括外殼(3)，外殼(3)內(nèi)連接有基板(4)，外殼上端設有密封蓋(1)，其特征在于密封蓋一側(cè)設有支撐件(2)，支撐件(2)與基板形成壓緊定位配口 ο
2.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的一種耐高過載的集成電路，其特征在于所述的支撐件為設置在密封蓋一側(cè)的與外殼(3)內(nèi)腔間隙配合的矩形框(2a)。
3.根據(jù)權(quán)利要求書I所述的一種耐高過載的集成電路，其特征在于所述支撐件為設置在密封蓋一側(cè)的與外殼(3)內(nèi)腔間隙配合的一組支撐板(2b)，每兩個相鄰的支撐板之間相隔一段距離。
全文摘要
本發(fā)明涉及微電子產(chǎn)品中的一種耐高過載的集成電路，包括外殼(3)，外殼(3)內(nèi)連接有基板(4)，外殼上端設有密封蓋(1)，其特征在于密封蓋一側(cè)設有支撐件(2)，支撐件(2)與基板形成壓緊定位配合。本發(fā)明的優(yōu)點在于較好繼承了混合集成電路成熟的基板與外殼組裝方法，同時提供了簡潔的基板支撐保護方法，明顯提高襯底基板以及產(chǎn)品的耐高過載水平，具有很強的實用性。
文檔編號H01L23/04GK102915976SQ20121037721
公開日2013年2月6日 申請日期2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月8日
發(fā)明者夏俊生, 張靜 申請人:華東光電集成器件研究所